JPS62206528A - Writing method in liquid crystal light valve - Google Patents
Writing method in liquid crystal light valveInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
この発明はレーザ熱書込みによる液晶ライトバルブ(液
晶投射型表示装置)の書込み方式に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Technical Field) The present invention relates to a writing method for liquid crystal light valves (liquid crystal projection display devices) using laser thermal writing.
(従来の技術)
コンビエータの端末装置に使われるディスプレイ装置は
コンピュータの大容量化及び機能の向上により、ますま
す高精度の分解能が必要とされている。特にコンビエー
タを用いた画像処理や新聞紙面の編集、LSIの設計で
は高精度でかつ部分的に書き加え可能なディスプレイが
望まれている。(Prior Art) Display devices used in comviator terminal devices are required to have increasingly high resolution resolution due to the increased capacity and improved functionality of computers. Particularly in image processing using a combinator, editing of newspaper pages, and LSI design, a display with high precision and which can be partially rewritten is desired.
従来の装置では用いているCRT (陰極線管)の分解
能を2000本以上に上げることは難しく、電子ビーム
の走査速度も早くなるために画面にチラッキを生じてし
まう。またストレージ管を用いたディスプレイ装置は、
蛍光体の劣化を防ぐために画面輝度が低く、部分的な消
去ができず、装置が高価となる欠点がある。In conventional equipment, it is difficult to increase the resolution of the CRT (cathode ray tube) used above 2,000 lines, and the scanning speed of the electron beam also increases, causing flickering on the screen. In addition, display devices using storage tubes are
The disadvantages are that the screen brightness is low to prevent deterioration of the phosphor, partial erasure cannot be performed, and the device is expensive.
近年、分解能2000本以上のディスプレイ装置として
液晶ヘレーザ光で熱書き込みをするディスプレイが有望
視されておシ、この熱書き込み液晶ディスプレイについ
ては、例えば雑誌「グロシーティング・オプ・ザ曇ニス
ψアイ・デー(Proceed−ing of the
S ・I ・D ) J 1978年1〜7頁に記載
の論文[レーザ選択液晶投射ディスプレイ(LASER
,ADDRESSED LIQUID CRYSTAL
PROJEC−TION DISPLAYS )Jに
詳しく述べられている。In recent years, displays that thermally write with liquid crystal laser light have been viewed as promising as display devices with a resolution of 2,000 lines or more. (Proceeding of the
S・I・D) J 1978, pages 1-7 [Laser Selective Liquid Crystal Projection Display (LASER
,ADDRESSED LIQUID CRYSTAL
PROJEC-TION DISPLAYS) J.
この論文によれば、第7図に示すようが液晶ライトバル
ブ50にレーザ光58による走査で画像を記録し、この
記録に投射光59を反射させて画像をディスプレイする
ことができる。この液晶ライトバルブ50は、レーザ光
吸収膜52、アルミ反射膜53、液晶配向膜54をその
上に形成したガラス基板51と、透明電極膜55、液晶
配向膜54をその上に形成したガラス基盤57とで液晶
材56をはさんだ構造をもっている。レーザ光58が液
晶ライトバルブ50に入射すると、レーザ光58がレー
ザ光吸収膜52に吸収され熱に変換され、アルミ反射膜
53、液晶配向膜54を伝わって液晶材56の温度を上
昇させる。この液晶材56としてはスメチック液晶が使
われ、スメチック液晶は温度が上昇することによってネ
マチック相、液体相に変化し、レーザ光58が取シ除か
れた時に急冷される。この時、液体状態の27ダムな液
晶分子の配向状態が凍結されて散乱核が形成される特性
をもつが、この散乱核が投射光59によって読み出され
、スクリーン上に画素としてディスプレイされる。この
散乱核によって10μm程度の微小幅の線が形成できる
ので、2インチ角の液晶ライトバルブには5000本も
の線が記録されることになり、従来のCRTに比べて非
常に高分解能なディスプレイが可能になる。なお、この
ディスプレイ画面を消去するには、アルミ反射膜53と
透明電極膜55との間に電界を印加して液晶を再び配向
させれば良い。According to this paper, as shown in FIG. 7, an image can be recorded on a liquid crystal light valve 50 by scanning with a laser beam 58, and a projected light 59 can be reflected on this recording to display the image. This liquid crystal light valve 50 includes a glass substrate 51 on which a laser light absorption film 52, an aluminum reflection film 53, and a liquid crystal alignment film 54 are formed, and a glass substrate on which a transparent electrode film 55 and a liquid crystal alignment film 54 are formed. 57 and a liquid crystal material 56 sandwiched therebetween. When the laser light 58 enters the liquid crystal light valve 50, the laser light 58 is absorbed by the laser light absorption film 52 and converted into heat, which passes through the aluminum reflection film 53 and the liquid crystal alignment film 54 to increase the temperature of the liquid crystal material 56. A smectic liquid crystal is used as the liquid crystal material 56, and the smectic liquid crystal changes into a nematic phase and a liquid phase as the temperature rises, and is rapidly cooled when the laser beam 58 is removed. At this time, the orientation state of the liquid crystal molecules in the liquid state is frozen and scattering nuclei are formed, and these scattering nuclei are read out by the projection light 59 and displayed as pixels on the screen. These scattering nuclei can form lines with a width of about 10 μm, so as many as 5,000 lines can be recorded on a 2-inch square liquid crystal light valve, making it possible to create displays with much higher resolution than conventional CRTs. It becomes possible. Note that in order to erase this display screen, an electric field may be applied between the aluminum reflective film 53 and the transparent electrode film 55 to reorient the liquid crystal.
このような液晶ライトバルブを用いたディスプレイは高
輝度の投射光源を用いることができるので、大画面で高
輝度でかつ高精度の表示が可能である。しかし、レーザ
で走査して熱的に書込むために、その表示速度はレーザ
光量に比例している。A display using such a liquid crystal light valve can use a high-brightness projection light source, so it is possible to display a large screen with high brightness and high precision. However, because it is thermally written by scanning with a laser, the display speed is proportional to the amount of laser light.
このためレーザ熱書込み型液晶投射ディスプレイのレー
ザ光源には高出力のYAGレーザ、アルゴンレーザが用
いられている。For this reason, high-output YAG lasers and argon lasers are used as laser light sources for laser thermal writing type liquid crystal projection displays.
(発明の解決しようとする問題点)
しかし、この種の高出力レーザを用いると、装置が大型
で大消費電力を必要とし特殊な用途に限られるため、最
近は半導体レーザを用いた試みがなされている。しかし
、この半導体レーザ出力は高出力レーザに比べて1桁以
下の出力であり、表示速度は非常に遅くなり高コントラ
ストの表示が得られていない。このため、多数のレーザ
光を7アイバーで導びきアレイ状の光源にして、パラレ
ルに書込む仁とにより表示速度を向上させる試みもある
が、半導体レーザを多数個用いることは装置の保守や価
格の点で実用的ではない。また、最近、単体の半導体レ
ーザで100mW以上の高出力レーザが使用可能になっ
てきているが、集光した場合に一点に絞れずに複数のビ
ームに分離するため、レーザ熱書込み型液晶投射型ディ
スプレイのレーザ光源としては用いられていない。(Problem to be solved by the invention) However, using this type of high-power laser requires a large device and large power consumption, and is limited to special applications.Recently, attempts have been made to use semiconductor lasers. ing. However, the output of this semiconductor laser is one order of magnitude lower than that of a high-output laser, and the display speed is extremely slow, making it impossible to obtain a high-contrast display. For this reason, some attempts have been made to improve the display speed by guiding a large number of laser beams with 7 eyebars to form an array light source and writing in parallel, but using a large number of semiconductor lasers is difficult due to equipment maintenance and cost. It is not practical in this respect. In addition, recently, high output lasers of 100mW or more have become available as single semiconductor lasers. It is not used as a laser light source for displays.
(発明の目的)
この発明は、半導体レーザを用いて高速に液晶ライトバ
ルブに書込むことのできる液晶ライトバルブ書込み方式
を提供することを目的としている。(Object of the Invention) An object of the present invention is to provide a liquid crystal light valve writing method that can write to a liquid crystal light valve at high speed using a semiconductor laser.
(発明の構成)
本発明の構成は、レーザビームを走査して液晶セルの書
込み部を書込み温度以上に加熱してその液晶セル上に画
像を書込む液晶ライトバルブ書込み方式において、前記
レーザビームとして少くとも第1のレーザビームとこの
第1のレーザビームに続いて出力される第2のレーザビ
ームとを用い、前記第1のレーザビームで前記書込み部
の温度を前記書込温度より低い第1の温度に上昇させ、
前記第20ル−ザビームで前記書込み部の温度を前記書
込み温度以上の第2の温度に上昇させて書込みを行うこ
とを特徴とする。(Structure of the Invention) The structure of the present invention is that in a liquid crystal light valve writing method in which an image is written on the liquid crystal cell by scanning a laser beam and heating a writing part of a liquid crystal cell to a temperature higher than the writing temperature, the laser beam is Using at least a first laser beam and a second laser beam output following the first laser beam, the first laser beam lowers the temperature of the writing section to a first temperature lower than the writing temperature. raise the temperature to
Writing is performed by raising the temperature of the writing section to a second temperature higher than the writing temperature using the 20th router beam.
(実施例)
以下、この発明について図面を参照しつつ詳しく説明す
る。(Example) Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第1図(a)はこの発明によるレーザビームの液晶セル
への書込み方式の第1の実施例を示したレーザビームの
側面図である。書込みレーザビーム2に先行して、液晶
の温度を上昇させるためのプレヒートビーム1を4え、
書込みレーザビーム2と同時に走査する。この時プレヒ
ートビーム1は一点に集光できるレーザビームでなくて
も良く、図に示すように走査方向に長い偏平な集光ビー
ムを用いることができる。この様なビームは、半導体レ
ーザの活性層の層方向に発振光の閉じ込めを緩くして高
出力化したレーザを用いた時に得られる。FIG. 1(a) is a side view of a laser beam showing a first embodiment of a writing method for a liquid crystal cell using a laser beam according to the present invention. a preheating beam 1 for increasing the temperature of the liquid crystal prior to the writing laser beam 2;
Scan simultaneously with writing laser beam 2. At this time, the preheat beam 1 does not need to be a laser beam that can be focused on one point, and a flat focused beam that is long in the scanning direction as shown in the figure can be used. Such a beam can be obtained by using a laser whose output is increased by loosening the confinement of the oscillated light in the layer direction of the active layer of the semiconductor laser.
第1図Φ)はこの第1の実施例における液晶セルのレー
ザ書込み点の温度変化を示す特性図である。FIG. 1 Φ) is a characteristic diagram showing the temperature change at the laser writing point of the liquid crystal cell in this first embodiment.
従来の方式では、破線Aで示すようにバイアス温度T1
を予め与えておき、時刻t2で書込みレーザビームを照
射して液晶を温度T2にまで上昇させ、液晶の温度が下
降する際に液晶を散乱状態に書込みを行っていたが、本
実施例においては、実線Bに示すように、液晶セルのバ
イアス温度T1よフはるかに低い温度Toに設定してお
き、時刻t1からプレヒートビーム照射によって液晶温
度T1以上に上昇させ、時刻t2に書込みレーザビーム
を照射して液晶温度をT2にまで高めるようにしている
。この時、液晶温度はプレヒートビームによって局所的
に熱せられているため、レーザ書込み点の温度は、レー
ザ書込み後に実線Bに示すように急激に低下する。この
液晶温度の下降速度は液晶が散乱状態になる強さを決め
、下降速度が早い程、散乱状態は強くなり、表示に得ら
れるコントラストは高くなる。従来例の温度下降曲線A
とこの発明による温度下降曲線Bとを比較すると大きな
差が見られ、この発明による書込み方式でのコントラス
トが向上するととが明らかである。In the conventional method, as shown by the broken line A, the bias temperature T1
was given in advance, the liquid crystal was irradiated with a writing laser beam at time t2 to raise the temperature to T2, and when the temperature of the liquid crystal decreased, writing was performed on the liquid crystal in a scattered state. , as shown by the solid line B, the temperature To is set much lower than the bias temperature T1 of the liquid crystal cell, and from time t1, the liquid crystal temperature is raised to above T1 by preheat beam irradiation, and at time t2, the writing laser beam is irradiated. to raise the liquid crystal temperature to T2. At this time, since the liquid crystal temperature is locally heated by the preheat beam, the temperature at the laser writing point rapidly decreases as shown by the solid line B after laser writing. The rate of fall of the liquid crystal temperature determines the strength with which the liquid crystal becomes in a scattering state; the faster the rate of fall is, the stronger the scattering state is, and the higher the contrast obtained in the display. Conventional temperature drop curve A
A comparison between the curve B and the temperature drop curve B according to the present invention shows a large difference, and it is clear that the writing method according to the present invention improves the contrast.
第2図(a)はこの発明の第2の実施例のレーザビーム
の側面図である。本実施例は、プレヒートビーム11に
書込みビーム12を重ねてレーザビームの液晶セルの書
込み方式を示している。今、プレヒートビーム11は、
1点にできない集光ビームlla、llb、IICの3
ビームから構成されているとする。このような半導体レ
ーザビームは、複数の活性領域を総合した高出力半導体
レーザを用いれば得られる。これらのプレヒートビーム
11のうち、走査方向の最後尾にあたるビーム11Gと
書込みレーザビーム12の位置を一致させることは可能
である。この時得られる液晶セルのレーザ書込み点の温
度変化は、第2図Φ)のようになる。このプレヒートビ
ームlla、llbがレーザ書込み点をよぎる時刻t1
t2に温度はT1まで上昇し、最後にプレヒートビ
ーム11 Cト書込みレーザビーム12とによって、温
度はT2に到達する。この事による効果は第1の実施例
と同様である。FIG. 2(a) is a side view of a laser beam according to a second embodiment of the invention. This embodiment shows a writing method for a liquid crystal cell using a laser beam, in which a writing beam 12 is superimposed on a preheat beam 11. Now, the preheat beam 11 is
Three condensed beams lla, llb, and IIC that cannot be made into one point
Suppose it is made up of beams. Such a semiconductor laser beam can be obtained by using a high-power semiconductor laser that integrates a plurality of active regions. It is possible to match the position of the writing laser beam 12 with the last beam 11G in the scanning direction among these preheat beams 11. The temperature change at the laser writing point of the liquid crystal cell obtained at this time is as shown in FIG. 2 Φ). Time t1 when these preheat beams lla and llb cross the laser writing point
At t2, the temperature rises to T1, and finally due to the preheating beam 11C and the writing laser beam 12, the temperature reaches T2. The effect of this is similar to that of the first embodiment.
第3図は本実施例の方式を具体化したプレヒートビーム
と書込みレーザビームとを発生する光ヘッドの1例を示
した構成図である。光ヘッドは、集束性の良い半導体レ
ーザ21と高出力の半導体レーザ22とからレーザビー
ムを合成するもので、半導体レーザ21から出射しコリ
メートレンズ23、偏光プリズム25を透過したレーザ
ビームと、半導体レーザ22から出射しコリメートレン
ズ24を通り偏光プリズム25で反射したレーザビーム
とを合成して合成ビーム26を得るものである。仁の偏
光プリズム25で2つのレーザビームを合成する九′め
に、2つの半導体レーザ21゜22の偏光面は直交する
ように設置される。また、レーザビームの真円度を得る
ために、コリメートレンズ23.24と偏光プリズム2
50間にプリズムや円筒レンズなどのビーム整形光学系
を入れることも可能である。高出力レーザ22からのプ
レヒートビームと集束性の良い半導体レーザ21からの
書込みレーザビームとの相対的位置は偏光プリズム25
の角度を調整することで任意に設定できる。駆動回路2
0は半導体レーザ22を常時安定に高出力動作させ、半
導体レーザ21を画信号に応じてスイッチ動作させるも
のである。FIG. 3 is a configuration diagram showing an example of an optical head that embodies the method of this embodiment and generates a preheat beam and a writing laser beam. The optical head combines a laser beam from a semiconductor laser 21 with good focusing and a high-output semiconductor laser 22, and combines the laser beam emitted from the semiconductor laser 21 and transmitted through the collimating lens 23 and the polarizing prism 25, and the laser beam from the semiconductor laser 21. 22, passes through a collimator lens 24, and is reflected by a polarizing prism 25, and is combined with the laser beam to obtain a composite beam 26. At the ninth point when the two laser beams are combined by the second polarizing prism 25, the two semiconductor lasers 21 and 22 are installed so that their polarization planes are perpendicular to each other. In addition, in order to obtain the circularity of the laser beam, collimating lenses 23 and 24 and polarizing prisms 2
It is also possible to insert a beam shaping optical system such as a prism or a cylindrical lens between the 50° and 50°. The relative position of the preheat beam from the high-power laser 22 and the writing laser beam from the semiconductor laser 21 with good focusing is determined by the polarizing prism 25.
It can be set arbitrarily by adjusting the angle. Drive circuit 2
0, the semiconductor laser 22 is always stably operated at high output, and the semiconductor laser 21 is switched in accordance with the image signal.
第4図は本実施例を用いた投射ディスプレイ装置の1例
を示した構成図である。光ヘッド31か、うのレーザビ
ームハ、スキャンニングミラ−32によって2次元に走
査され、書込みレンズ33で液晶ライトバルブ上に集光
され、制御回路40によって、スキャンニングミラ−3
2と同期して光ヘッド31に画信号が送られ、液晶2イ
トパルプ34に画像が書込まれる。この液晶ライトバル
ブ34に書込まれた画像は、投射光源38からの投射光
39を集光レンズ37と投射レンズ35で液晶ライトバ
ルブ34に照射し、反射光をミラー36で折プ返すこと
Kよって、スクリーン上に投写される。FIG. 4 is a configuration diagram showing an example of a projection display device using this embodiment. The laser beam from the optical head 31 is scanned two-dimensionally by the scanning mirror 32, focused on the liquid crystal light valve by the writing lens 33, and then scanned by the scanning mirror 3 by the control circuit 40.
An image signal is sent to the optical head 31 in synchronization with 2, and an image is written on the liquid crystal 2-ite pulp 34. The image written on the liquid crystal light valve 34 is created by projecting light 39 from a projection light source 38 onto the liquid crystal light valve 34 using a condensing lens 37 and a projection lens 35, and folding the reflected light back at a mirror 36. Therefore, it is projected onto the screen.
この実施例において、書込み用半導体レーザ出力39
mW、プレヒートビーム用高出力半導体レーザ出力10
0mWを用いることによって、液晶セル書込み点の温度
下降速度が1桁向上でき、表示画像のコントラストを1
.5倍に改良することができた。また、従来と同じコン
トラストを得るのならば、表示速度を1.5倍に早める
ことができた。In this embodiment, the writing semiconductor laser output 39
mW, high power semiconductor laser output for preheat beam 10
By using 0 mW, the temperature drop rate at the writing point of the liquid crystal cell can be improved by one order of magnitude, and the contrast of the displayed image can be improved by one order of magnitude.
.. We were able to improve it five times. Furthermore, if the same contrast as before was obtained, the display speed could be increased by 1.5 times.
(発明の効果)
以上詳細に説明したように、この発明によれば集光性の
悪い高出力の半導体レーザを用いることによって、従来
よりも高コントラストもしくは高速の液晶ライトバルブ
書込み方式が実現でき、レーザ熱書込み液晶投射ディス
プレイの高速、高コントラスト表示を可能とする。(Effects of the Invention) As described in detail above, according to the present invention, by using a high-output semiconductor laser with poor light focusing ability, a liquid crystal light valve writing method with higher contrast or higher speed than conventional methods can be realized. Enables high-speed, high-contrast display of laser thermal writing liquid crystal projection displays.
第1図(屹第2図伽)はこの発明によるレーザビームの
液晶セルへの書込み方式の二つの実施例を示すビーム投
射時の側面図、第1図の)、第2図の)はこれら実施例
による液晶セルの書込み点の温度変化を示す特性図、第
3図はこの発明を実現するための光ヘッドの一例の構成
図、第4図はこの発明を用いた投射表示装置の一例の構
成図、第5図はこの発明に用いられる従来の液晶ライト
バルブの一例の断面図である。
1.11・・・・・・ブレヒートビーム、2.12・・
・曲書込みレーザビーム、20・・・・・・駆動回路、
21゜22・・・・・・半導体レーザ、23.24・・
・・・・コリメートレンズ、25・・・・・・偏光ビー
ムスプリッタ、31・・・・・・光ヘッド、32・川・
・スキャンニングミラー、33.35.37・・・・・
・レンズ、34・・・・・・液晶ライトバルブ、36・
・・・・・ミラー、38・・・・・・投射光源、39・
・・・・・投射光、40・・・・・・制御回路、50・
・・・・・液晶、51.57・・・・・・ガラス基盤、
52・旧・・レーザ光吸収膜、53・・・・・・アルミ
反射膜、54・・・・・・液晶配向膜、55・・・・・
・透明電極膜、58・・・・・・レーザ光、C′ある。
代理人 弁理士 内 原 晋
茅I囚 ダ2回Figure 1 (Figure 2) is a side view showing two embodiments of the laser beam writing method on a liquid crystal cell according to the present invention during beam projection; A characteristic diagram showing a temperature change at a writing point of a liquid crystal cell according to an embodiment, FIG. 3 is a configuration diagram of an example of an optical head for realizing this invention, and FIG. 4 is a diagram of an example of a projection display device using this invention. FIG. 5 is a cross-sectional view of an example of a conventional liquid crystal light valve used in the present invention. 1.11...Breheat Beam, 2.12...
・Song writing laser beam, 20...drive circuit,
21゜22... Semiconductor laser, 23.24...
...Collimating lens, 25...Polarizing beam splitter, 31...Optical head, 32.
・Scanning mirror, 33.35.37...
・Lens, 34...LCD light bulb, 36・
...Mirror, 38...Projection light source, 39.
...Projection light, 40...Control circuit, 50.
...Liquid crystal, 51.57...Glass base,
52. Old... Laser light absorption film, 53... Aluminum reflective film, 54... Liquid crystal alignment film, 55...
- Transparent electrode film, 58... Laser light, C'. Agent: Patent Attorney Uchi Hara, Shincho I Prisoner (twice)
Claims (1)
み温度以上に加熱してその液晶セル上に画像を書込む液
晶ライトバルブ書込み方式において、前記レーザビーム
として少くとも第1のレーザビームとこの第1のレーザ
ビームに続いて出力される第2のレーザビームとを用い
、前記第1のレーザビームで前記書込み部の温度を前記
書込温度より低い第1の温度に上昇させ、前記第2のレ
ーザビームで前記書込み部の温度を前記書込み温度以上
の第2の温度に上昇させて書込みを行うことを特徴とす
る液晶ライトバルブ書込み方式。 2)第1の温度が液晶セルに用いる液晶のスメクチック
相の温度であり、第2の温度が前記液晶の液相の温度で
ある特許請求の範囲第1項記載の液晶ライトバルブ書込
み方式。 3)第1のレーザビームが複数個のビームからなり、こ
れらレーザビームのうちの一つのビームと第2のレーザ
ビームの液晶セル上の集光位置が同一箇所にあることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の液晶ライトバル
ブ書込み方式。[Scope of Claims] 1) In a liquid crystal light valve writing method in which an image is written on a liquid crystal cell by scanning a laser beam and heating a writing part of a liquid crystal cell to a temperature higher than a writing temperature, at least using one laser beam and a second laser beam outputted following the first laser beam, the temperature of the writing section is set to a first temperature lower than the writing temperature by the first laser beam. A liquid crystal light valve writing method characterized in that writing is performed by raising the temperature of the writing section to a second temperature higher than the writing temperature using the second laser beam. 2) The liquid crystal light valve writing method according to claim 1, wherein the first temperature is a temperature of a smectic phase of a liquid crystal used in a liquid crystal cell, and the second temperature is a temperature of a liquid phase of the liquid crystal. 3) A patent claim characterized in that the first laser beam consists of a plurality of beams, and one of the laser beams and the second laser beam are focused at the same location on the liquid crystal cell. The liquid crystal light valve writing method described in item 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4961886A JPS62206528A (en) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | Writing method in liquid crystal light valve |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4961886A JPS62206528A (en) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | Writing method in liquid crystal light valve |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62206528A true JPS62206528A (en) | 1987-09-11 |
Family
ID=12836220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4961886A Pending JPS62206528A (en) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | Writing method in liquid crystal light valve |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62206528A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1986
- 1986-03-07 JP JP4961886A patent/JPS62206528A/en active Pending
Patent Citations (2)
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