JPS62205637A - Semiconductor wafer prober - Google Patents

Semiconductor wafer prober

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Publication number
JPS62205637A
JPS62205637A JP4791386A JP4791386A JPS62205637A JP S62205637 A JPS62205637 A JP S62205637A JP 4791386 A JP4791386 A JP 4791386A JP 4791386 A JP4791386 A JP 4791386A JP S62205637 A JPS62205637 A JP S62205637A
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JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
wafer
transfer arm
measurement
stage
Prior art date
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Pending
Application number
JP4791386A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukihiro Hirai
幸廣 平井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NIPPON MAIKURONIKUSU KK
Micronics Japan Co Ltd
Original Assignee
NIPPON MAIKURONIKUSU KK
Micronics Japan Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NIPPON MAIKURONIKUSU KK, Micronics Japan Co Ltd filed Critical NIPPON MAIKURONIKUSU KK
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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a defective marking immediately after measurement, by attaching a marker, which gives a mark on the surface of a semiconductor wafer that is sucked to a transfer arm, to an X/Y stage mechanism. CONSTITUTION:A marker (inker) INK is attached to an XY stage X-Y, which is arranged in the horizontal direction. After measurement, the position information of each chip in a semiconductor wafer to be measured, which is conveyed on a transfer arm TRAM, can be readily computed based on the relative position information of a wafer chuck CT and the transfer arm TRAM. The position of the XY stages S-Y is controlled based on the position information of the defective chip obtained from the result of the measurement. The marker is moved in correspondence with the defective result of the measurement can be performed immediately after the measurement.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は°、半導体ウェハブローバに関するもので、
例えば、複数の半導体チップの同時測定を行うものに利
用して有効な技術に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] This invention relates to a semiconductor wafer blower.
For example, it relates to a technique that is effective when used to simultaneously measure a plurality of semiconductor chips.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体集積回路は、ウェハプローバが終わった状態では
半導体ウェハ上に基盤の目状に配置されて作り込まれて
いる。このように半導体ウェハ上に完成された半導体集
積回路は、個々に分割されてパッケージングされる前に
、所望の回路機能、特性等を満たすものであるか否かの
試験が行われる。このブロービング工程において使用さ
れるのが、半導体ウェハブローバである。半導体ウェハ
プローバは、上記半導体ウェハ上に完成された半導体集
積回路のポンディングパッドにプローブを当て、テスタ
より入力信号を供給するとともに、半導体集積回路から
の出力信号をテスタに伝えるものである。なお、半琢体
つエハブローバに関しては、例えば、1978年11月
発行の雑誌「電子材料」頁139〜頁143を参照。
When the wafer prober is completed, the semiconductor integrated circuits are placed on the semiconductor wafer in the shape of a substrate. The semiconductor integrated circuits thus completed on the semiconductor wafer are tested to see if they satisfy desired circuit functions, characteristics, etc. before being individually divided and packaged. A semiconductor wafer blower is used in this blowing step. A semiconductor wafer prober applies a probe to a bonding pad of a semiconductor integrated circuit completed on the semiconductor wafer, supplies an input signal from a tester, and transmits an output signal from the semiconductor integrated circuit to the tester. Regarding the semi-solid two-wheeled blower, see, for example, the magazine "Electronic Materials" published in November 1978, pages 139 to 143.

半導体ウェハのブロービングの効率化のために、複数の
チップに対して同時にプローブ針を接触させて同時測定
が行われている。特に、ダイナミック型RAM (ラン
ダム・アクセス・メモリ)のような半導体記憶装置にお
いては、第4図に示すように、そのポンディングパッド
(測定電極)が対向する2辺にのみ配置される。これに
よって、例えば、4個ないし8個のような複数個の半導
体チップに対して位置合わせされた固定プローブを持つ
固定プローブボードを容易に形成することができる。こ
のように複数個のチップに対するプローブ針による同時
接触によって、複数個の半導体チップの同時測定が可能
となり測定時間の大幅な短縮化を図ることができる。
In order to improve the efficiency of probing semiconductor wafers, simultaneous measurements are performed by bringing probe needles into contact with multiple chips at the same time. In particular, in a semiconductor memory device such as a dynamic RAM (random access memory), bonding pads (measuring electrodes) are arranged only on two opposing sides, as shown in FIG. Thereby, a fixed probe board having fixed probes aligned with a plurality of semiconductor chips, for example 4 to 8, can be easily formed. By bringing the probe needle into contact with a plurality of chips simultaneously in this manner, it is possible to measure a plurality of semiconductor chips simultaneously, and the measurement time can be significantly shortened.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかしながら、このように複数チップに対して同時接触
させる固定プローブボードを用いた場合、多数のプロー
ブ針が高密度に設けられるため、不良チップに対するマ
ーキングを行うために複数個からなるマーカーの実装ス
ペースが無くなってしまう。したがって、上記測定が終
了した半導体ウェハは、マーカーのみが設けられた半導
体ウェハブローバを用いて、マーキングのみが測定とは
別に行われる。このため、高価な半真体つエハプローバ
をマーキングのみに使用するため、半導体ウェハプロー
バの稼働率が悪くなることの他、被測定半導体ウェハと
その測定データとを一致させるための半導体ウェハ及び
測定データの管理が面倒になってしまう。
However, when using a fixed probe board that makes contact with multiple chips at the same time, a large number of probe needles are provided at a high density, so the mounting space for multiple markers is required to mark defective chips. It's gone. Therefore, on the semiconductor wafer for which the above-mentioned measurement has been completed, only marking is performed separately from the measurement using a semiconductor wafer blobber provided with only markers. For this reason, an expensive semi-solid wafer prober is used only for marking, which reduces the operating rate of the semiconductor wafer prober. management becomes troublesome.

この発明の目的は、複数チップに対する同時測定と、そ
の測定結果に従ったマーキング機能とを可能にした半琳
体つエハブローバを堤供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semi-phosphorescent wafer blobber that enables simultaneous measurement of multiple chips and a marking function according to the measurement results.

この発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
この明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
The above and other objects and novel features of this invention include:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、その一部が半導体ウェハの受け渡しのために
基準面に対して押し上げられる吸着部が設けられた測定
載置台と、半導体ウェハの搬送手段との間で被測定半導
体ウェハをその裏面側における上記吸着部に対応した以
外の部分に対応して設けられた吸着部によって吸着して
受け渡しを行うトランスファアームを利用し、このトラ
ンスファアームに吸着された状態の半導体ウェハの表面
に、マーキングを行うマーカーをX/Yステージ機構に
取り1寸けて、不良チップに対するマーイングを行うよ
うにするものである。
That is, the semiconductor wafer to be measured is placed between the measurement stage, which is provided with a suction part whose part is pushed up against the reference surface for the transfer of the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer transport means. Using a transfer arm that picks up and transfers the wafer by a suction part provided in a part other than the part corresponding to the suction part, a marker for marking is placed on the surface of the semiconductor wafer that is suctioned to the transfer arm. The X/Y stage mechanism is designed to allow one inch to be used for marking defective chips.

〔作 用〕[For production]

上記した手段によれば、マーカー用のX/Yスタージに
より、測定後に直ちに不良マーキングを行うことが可能
になる。
According to the above-mentioned means, it becomes possible to mark defects immediately after measurement using the X/Y stirge for the marker.

〔実施例〕〔Example〕

第1図には、この発明に係る半導体ウェハプローバにお
けるステージ機構の概略正面図が示されている。
FIG. 1 shows a schematic front view of a stage mechanism in a semiconductor wafer prober according to the present invention.

この実施例において、特に制限されないが、X/Yステ
ージは、縦型に配置される。すなわち、Xステージは、
はり垂直面に沿って横方向に移動する。このため、Xス
テージは、後述するYステージ機構及びXステージ等か
らなる比較的重い重量の各装置を高安定のちとに支える
ため、特に制限されないが、その下面のはソ゛水平面に
平行に走る一対のレールRLが設けられる。XベースX
BSは、このレールRLをガイドとしてその上をX駆動
用のパルスモータXDMによって回転させられる捻子シ
ャフト(リードスクルユー)XSとの捻子対偶によって
水平方向に移動させられる。上記捻子シャフトXSの他
端側には、捻子シャフトXSを一定の方向に維持させる
ための軸受SBが設けられる。これにより、上記Xベー
スXBSは、上記パルスモータXDMの回転角度と、捻
子シャフトXSの捻子ピッチに従った高精度の位置移動
制御が行われる。なお、上記XベースXBSは、ベアリ
ングを用いたリニアスライド機構を用いるものであって
もよい。
In this embodiment, although not particularly limited, the X/Y stage is arranged vertically. In other words, the X stage is
The beam moves laterally along a vertical plane. For this reason, the X stage is not particularly limited in order to support relatively heavy devices such as the Y stage mechanism and the X stage, which will be described later, in a highly stable manner. A rail RL is provided. X base
The BS is moved in the horizontal direction by a screw pair with a screw shaft (lead screw) XS, which is rotated by an X-drive pulse motor XDM on the rail RL as a guide. A bearing SB for maintaining the screw shaft XS in a constant direction is provided on the other end side of the screw shaft XS. Thereby, highly accurate positional movement control of the X base XBS is performed in accordance with the rotation angle of the pulse motor XDM and the screw pitch of the screw shaft XS. Note that the X-base XBS may use a linear slide mechanism using bearings.

YベースYBS、上記類似のY駆動用のパルスモータY
 D Mにより回転制御が行われる捻子シャフト(リー
ドスクリュー)YSとの捻子対偶によって垂直方向に移
動させられる。このYベースYBSの面を一定に維持す
るため、その両側面とベリアング等を利用した滑り対偶
を持って結合される一対のレールが設けられる。また、
特に制限されないが、Y軸を垂直方向に−・定に維持さ
せるため、上記捻子シャツ)YSと一対のレールの他端
は、上記レールRLと平行に走るガイドレールXGRと
滑り対偶をもってその移動方向が規定されたXガイドx
Gに結合される。なお、捻子シャフトYSの他端は、X
ガイドxGを軸受としている。
Y base YBS, pulse motor Y for Y drive similar to the above
It is moved in the vertical direction by a screw pair with a screw shaft (lead screw) YS whose rotation is controlled by DM. In order to maintain the surface of the Y base YBS constant, a pair of rails are provided that are connected to both sides of the Y base YBS with a sliding pair using a bellows or the like. Also,
Although not particularly limited, in order to maintain the Y-axis constant in the vertical direction, the other end of the twisted shirt YS and the pair of rails has a sliding pair with a guide rail XGR running parallel to the rail RL in the direction of movement. is defined as the X guide x
It is coupled to G. In addition, the other end of the screw shaft YS is
The guide xG is used as a bearing.

これにより、XベースXBS上に搭載されたYベースY
BSは、はソ゛垂直面に沿ったX及びY方向に高精度の
位置移動制御がなされる。
As a result, the Y base Y mounted on the X base XBS
The position of the BS is controlled with high precision in the X and Y directions along the vertical plane.

上記YベースYBS上には、その表面(垂直面)に対し
て垂直方向に上下動するZステージが設けられる。言い
換えるならば、Zステージは、一定の水平方向に移動さ
せられる。このZステージは、同図に点線で示したZ駆
動用のパルスモータによってその(多動制御がなされる
。また、上記Zステージ上に搭載されたウェハチャック
CTは、後述するように、同様なパルスモータによっζ
Z軸に対してθ方向の回転制御機構が設けられる。
A Z stage that moves up and down in a direction perpendicular to the surface (vertical surface) of the Y base YBS is provided. In other words, the Z stage is moved in a constant horizontal direction. This Z stage is hyperactively controlled by a Z drive pulse motor indicated by a dotted line in the same figure. Also, the wafer chuck CT mounted on the Z stage has a similar ζ by pulse motor
A rotation control mechanism in the θ direction with respect to the Z axis is provided.

ウェハチャックCTば、待に制限されないが、その表面
に同心状の複数の溝とその溝の底面に設けられた複数の
真空吸引孔が設けられることにより、その表面に搭載さ
れた半扉体ウェハの裏面を真空吸着(以′F単に吸着と
いう)するものである。このようなZステージ及びウェ
ハチャックは、公知の半導体ウェハプローバのそれと類
似のものを利用できる。
Although the wafer chuck CT is not limited to the above, a plurality of concentric grooves and a plurality of vacuum suction holes provided on the bottom of the grooves are provided on the surface of the wafer chuck CT, so that a half-door wafer mounted on the surface of the wafer chuck CT is provided. vacuum suction (hereinafter simply referred to as suction) on the back side of the As such a Z stage and wafer chuck, those similar to those of a known semiconductor wafer prober can be used.

上記ウェハチャックCTは、被測定半琢体ウェハの搬入
及び搬出のために、特に制限されないが、その中央部C
T’ がその基準面に対して上に選択的に押し上げられ
る。被測定半導体ウェハの搬入及び搬出に際しては、上
記中央部CT’ が持ち上げられ、被測定半導体ウェハ
をそのほり中央部分のみで吸着する。
The above-mentioned wafer chuck CT is used for loading and unloading the semi-solid wafer to be measured, although it is not particularly limited.
T' is selectively pushed upward relative to its reference plane. When loading and unloading the semiconductor wafer to be measured, the central portion CT' is lifted and the semiconductor wafer to be measured is attracted only at the central portion.

第5図には、上記ウェハチャックの一実施例を示す概略
断面図が示されている。同図を参照して、上記ウェハチ
ャックの構造を次に説明する。
FIG. 5 shows a schematic sectional view showing one embodiment of the wafer chuck. The structure of the wafer chuck will now be described with reference to the same figure.

ウェハチャックCTは、その表面に複数個の吸引孔2に
よって結合される空洞1を持つ。上記複数の吸引孔2の
うち、その中心点から同じ位置に配置されるものは同心
状の円形からなる溝によりそれぞれ結合される。上記空
洞1は、円筒形の空洞とされ、上記複数の吸引孔2に対
して共通に結合される。上記ウェハチャックCTの中央
部CT°は、上記類似の複数の吸引孔2゛ と空洞1゛
を持つ。この中央部CT’ は、特に制限されないが、
パルスモータPMの回転駆動によって上記ウェハチャッ
クCTの基準面に対して、その吸着面が同図で点線で示
すような位置まで持ら上げられる。これにより、同図で
点線で示したような被測定半導体ウェハ5をその中心部
のみで吸引固着し、その搬入/R出が行われる。このよ
うに中央部CT′は、ウェハチャックCTの基準面に対
して上下動することから、上記中央部CT’ の空洞1
゜は、吸引道3′を介して上記上下動のストロークより
長くされたチューブ4に導かれる。このチャーブ4は、
ウェハチャックのベースに設けられた吸引道を介して真
空バルブBB2に結合される。
The wafer chuck CT has a cavity 1 connected by a plurality of suction holes 2 on its surface. Among the plurality of suction holes 2, those arranged at the same position from the center point are connected to each other by concentric circular grooves. The cavity 1 is a cylindrical cavity, and is commonly connected to the plurality of suction holes 2. The central portion CT° of the wafer chuck CT has a plurality of suction holes 2′ and a cavity 1′ similar to the above. This central CT' is not particularly limited, but
By the rotational drive of the pulse motor PM, the suction surface of the wafer chuck CT is lifted to a position shown by the dotted line in the figure with respect to the reference surface of the wafer chuck CT. As a result, the semiconductor wafer 5 to be measured, as shown by the dotted line in the figure, is suctioned and fixed only at its center, and is carried in/out. Since the central portion CT' moves up and down with respect to the reference plane of the wafer chuck CT, the cavity 1 of the central portion CT'
゜ is guided through the suction path 3' to the tube 4, which is longer than the vertical stroke. This chive 4 is
It is coupled to a vacuum valve BB2 through a suction path provided at the base of the wafer chuck.

上記ウェハチャックC′rの空洞1は、上記ウェハチャ
ックを貫通する吸引ii4を介して、真空バルブBBI
に結合される。上記ウェハチャックCTのベースは、Z
ステージのパルスモータZDMによるZ方向の駆動が行
われる。
The cavity 1 of the wafer chuck C'r is connected to a vacuum valve BBI via a suction ii4 passing through the wafer chuck.
is combined with The base of the above wafer chuck CT is Z
The stage is driven in the Z direction by a pulse motor ZDM.

一方、トランスファアームTRAMは、第2図にその平
面図が示されているように、上記中央部CT’ に対応
した部分を除く被測定半導体ウェハの裏面において真空
吸着を行う吸着部(この実施例ではU字型とさ”ζいる
)を持つものである。このトへンスファアームTR八M
は、上記吸着部の表面をはy′水平面に沿って移動させ
るステージ機構と、それを約90@回転させて吸着部の
表面を垂直面に立てる回転機構を持っている。上記トラ
ンスファアームTRAMを水平方向に移動させるステー
ジm構は、ワイヤーWによって駆動される。
On the other hand, as shown in a plan view in FIG. 2, the transfer arm TRAM has a suction section (this embodiment This is a U-shaped arm.
has a stage mechanism that moves the surface of the suction section along the y' horizontal plane, and a rotation mechanism that rotates it approximately 90 degrees to make the surface of the suction section vertical. The stage m structure that moves the transfer arm TRAM in the horizontal direction is driven by a wire W.

すなわち、水平方向に配置された固定軸の一端に設けら
れた駆動用のパルスモータTDMに結合された駆動用の
プーリーPlと、固定軸の他端に設けられフリープーリ
ーP2とにワイヤーWがかけられ、このワイヤーWの両
端が上記固定軸と滑り対偶を持つようにされたベース(
支点)に取り付けられる。このベースには、トランスフ
ァアームTRAMが設けられる。このようなワイヤー駆
動方式は、例えば公知のXYプロッタに利用されている
。これによって、トランスファアームTRAMの支点に
は、簡単な構成によってそれを90″回転させる回転機
構を設けることができる。
That is, a wire W is connected to a driving pulley Pl connected to a driving pulse motor TDM provided at one end of a horizontally arranged fixed shaft and a free pulley P2 provided at the other end of the fixed shaft. A base (
fulcrum). A transfer arm TRAM is provided on this base. Such a wire drive method is used, for example, in a known XY plotter. As a result, the fulcrum of the transfer arm TRAM can be provided with a rotation mechanism that rotates it by 90'' with a simple configuration.

被測定年4体ウェハは、エレベータ機構に搭載されたウ
エハカセッ1−(第1図に点線で示し、第2図では実線
で示す。)に収納されている。このウェハカセットは、
周知のようにその内側両側面に複数からなるスリットが
設けられ、これらの各スリットに複数からなるウェハの
両端がそれぞれ水平方向に差し込まれる形態で収納され
る。特に制限されないが、エレベータ機構には上記のよ
うなウェハカセットが縦方向に積み重ねられて複数個搭
載される。
The four wafers to be measured are stored in a wafer cassette 1- (indicated by dotted lines in FIG. 1 and solid lines in FIG. 2) mounted on an elevator mechanism. This wafer cassette is
As is well known, a plurality of slits are provided on both inner side surfaces, and both ends of a plurality of wafers are inserted into each of these slits in a horizontal direction. Although not particularly limited, a plurality of wafer cassettes as described above are vertically stacked and mounted on the elevator mechanism.

上記エレベータ機構は、トランスフォーアーム’I” 
RA Mの水平位置に対応した位置に、測定を開始すべ
き半導体ウェハの位置が一致するように移動する。トラ
ンスファアームTRAMは、同図において右端まで移動
され、測定を開始すべき半導体ウェハをその下面から吸
着部により吸引固定して取り出すものである。
The above elevator mechanism is a transformer arm 'I'
The semiconductor wafer is moved so that the position of the semiconductor wafer at which measurement is to be started coincides with the horizontal position of the RAM. The transfer arm TRAM is moved to the right end in the figure, and takes out the semiconductor wafer on which measurement is to be started by sucking and fixing the semiconductor wafer from its lower surface using the suction section.

トランスファアームTRAMは、特に制限されないが、
上記半導体ウェハ(同図に点線で示す)を同図で左方の
所定の位置まで移動させた後、垂直に立てられウェハチ
ャックCTの基準面に対応させるものである。この状態
で、ウェハチャックCT側をそのステージ機構の制御に
よって、トランスファアームTRAMに対応した位置ま
で移動させるとともに、その中央部CT’を押し上げて
、被測定半導体ウェハの裏面に接触させる。この後、第
5図の真空バルブBB2が開かれて真空吸着を開始する
とともに、トランスフ1アームTRAM側の真空吸着を
停止させる。これにより、ランスファアームT I2 
A MとウェハチャックCTとの間での被測定半導体ウ
ェハの受け渡しが行われる。
Although the transfer arm TRAM is not particularly limited,
After the semiconductor wafer (indicated by a dotted line in the figure) is moved to a predetermined position on the left in the figure, it is vertically erected to correspond to the reference plane of the wafer chuck CT. In this state, the wafer chuck CT side is moved to a position corresponding to the transfer arm TRAM under the control of its stage mechanism, and its central portion CT' is pushed up to contact the back surface of the semiconductor wafer to be measured. Thereafter, the vacuum valve BB2 shown in FIG. 5 is opened to start vacuum suction, and at the same time, the vacuum suction on the transfer 1 arm TRAM side is stopped. As a result, transfer arm T I2
A semiconductor wafer to be measured is transferred between AM and wafer chuck CT.

この2f、、(、ランスファーアームTRAMとウェハ
チャックCTを相対的に移動させて、ウェハチャックC
Tの中央部CT’ を基準面まで下げて、上記真空パル
プBBIを開くことによってウェハチャックCTの全面
で被測定半導体ウェハを真空吸着するものである。
This 2f, (, by relatively moving the transfer arm TRAM and wafer chuck CT,
By lowering the central portion CT' of the T to the reference plane and opening the vacuum pulp BBI, the semiconductor wafer to be measured is vacuum suctioned on the entire surface of the wafer chuck CT.

上記ウェハチャックCTに吸着された被測定半導体ウェ
ハは、そのステージ機構による公知の半導体ウェハプロ
ーバと同様なアライニングを含む固定プローブとの針合
わせ(位置合わせ)動作が行われる。なお、測定が終了
した被測定半導体ウェハの搬出は、上記搬入動作とは逆
の順序により行われる。
The semiconductor wafer to be measured, which is attracted to the wafer chuck CT, is aligned with a fixed probe using the stage mechanism, which includes alignment similar to that of a known semiconductor wafer prober. The unloading of the semiconductor wafer to be measured after the measurement is performed in the reverse order of the loading operation described above.

この実施例では、上記針合わせによって半導体ウェハに
形成された半導体チップの位置が正確に規定できること
、及びウェハチャックCTとトランスファーアームTR
AMとの間での被測定半導体ウェハの受け渡しにおいて
、従来のベルヌーイチャックを用いた場合のような位置
ずれが生じないことを利用して、次のようなマーキング
機構を設けるものである。
In this embodiment, the position of the semiconductor chip formed on the semiconductor wafer can be accurately defined by the needle alignment, and the wafer chuck CT and transfer arm TR
The following marking mechanism is provided by taking advantage of the fact that when transferring a semiconductor wafer to be measured to and from an AM, positional deviation does not occur as in the case of using a conventional Bernoulli chuck.

すなわち、第2図に示すように、水平方向に配置された
XYステージX−Yに、マーカー(インカー)INKを
取り付けるものである。このマーカー用のXYステージ
は、被測定半導体ウェハの径が数インチと比較的小さい
ことより、その全面にわたって任意のポイントに上記マ
ーカーを移動させる丈の比較的小型(小移動量)のステ
ージ機構により実現される。これにより、測定終了後に
トランスファーアームTRAMに搬出された状態の被測
定半扉体ウェハにおける各チップの位置情報は、上記ウ
ェハチャックCTとトランスファア−ムTRAMとの相
対的な位置情報から、容易に算出されるものである。し
たがって、その測定結果に基づいた不良チップの位置情
報から、上記XYステージX−Yの位置制御を行うこと
によってマーカーを不良チップに対応して移動させマー
キングを行・)ものである。このマーキングの終了の後
、被測定半導体ウェハに付着されたインクは、特に制限
されないが、赤外線ランプ等からなるヒーターにり乾燥
され、再び上記エレベータ機構に搭載されたもとのウニ
バカセント(収納容器)CAAに搬入される。
That is, as shown in FIG. 2, a marker (inker) INK is attached to an XY stage X-Y arranged in the horizontal direction. Since the diameter of the semiconductor wafer to be measured is relatively small (several inches), this XY stage for markers uses a stage mechanism with a relatively small length (small amount of movement) that allows the marker to be moved to any point over the entire surface of the wafer. Realized. As a result, the positional information of each chip on the half-door wafer to be measured that has been carried out to the transfer arm TRAM after the measurement is completed can be easily obtained from the relative positional information between the wafer chuck CT and the transfer arm TRAM. It is calculated. Therefore, marking is performed by moving the marker corresponding to the defective chip by controlling the position of the XY stage X-Y based on the position information of the defective chip based on the measurement results. After this marking is completed, the ink adhered to the semiconductor wafer to be measured is dried using a heater including, but not limited to, an infrared lamp, and returned to the original Univaccent (storage container) CAA mounted on the elevator mechanism. It will be brought in.

これにより、複数個の半導体チップの同時測定を可能に
した固定プローブボードを用いた場合でも、その測定終
了後に直ちにその測定結果に従った不良マーキングを行
うことができる。これにより、半導体ウニへプローバを
マーキングのためにだけ使用する必要が無いから、半導
体ウェハプローバの稼働率の向上が図れる。また、半導
体ウェハに型品番号を1寸前したりして、その測定デー
タとの一対一対応さこせる必要がなく、ブロービング工
程での半導体つエバ及び測定データの管理を簡略化でき
るものとなる。
As a result, even when a fixed probe board that enables simultaneous measurement of a plurality of semiconductor chips is used, defective marking can be performed immediately after the measurement is completed according to the measurement results. This eliminates the need to use the prober only for marking semiconductor wafers, thereby improving the operating rate of the semiconductor wafer prober. In addition, there is no need to assign a model part number to the semiconductor wafer by one minute and make a one-to-one correspondence with the measurement data, which simplifies the management of the semiconductor wafer and measurement data in the blobbing process. .

第3図には、この発明に係る半導体ウェハプローバと高
周波テストヘッドの概略外観図が示されている。
FIG. 3 shows a schematic external view of a semiconductor wafer prober and a high frequency test head according to the present invention.

この実施例の半導体ウェハプローバにおていは、上記第
1図に示したように、ステージ機構が縦型に配置される
ことにより、上記ウェハ千ヤノクが搭載されるステージ
機構(X−Y>に対して、コントロールユニッi−CO
r−4Tは、j縦方向の積み重ね方式で結合される。ま
た、上記ウェハカセットも縦方向に積み重ね方式により
エレベータに搭載される。したがって、この実施例のよ
うに各ユニットを積み重ね方式どした場合、そのZ方向
のストロークが僅か1u以下の微少であることより、縦
型としたときの横幅を狭くでき、ステージ機構の大型化
や機能の拡張に伴って、縦方向に大きくされる結果、フ
ロアスペスを大幅に小さくできる。
In the semiconductor wafer prober of this embodiment, as shown in FIG. 1, the stage mechanism is arranged vertically, so that the stage mechanism (X-Y> On the other hand, the control unit i-CO
The r-4Ts are combined in a vertical stacking manner. Further, the wafer cassettes are also stacked vertically on the elevator. Therefore, when each unit is stacked in a stacked manner as in this embodiment, since the stroke in the Z direction is only 1 u or less, the width can be narrowed when it is vertically mounted, and the stage mechanism can be made larger. As the functionality expands, the floor space can be significantly reduced by increasing the vertical dimension.

このようにフロアスペースが小さくできると、多数の半
導体ウェハプローバを少ないフロアに設置できることの
他、多数の半環体ウエハプローバを用いて並列的な試験
を行うICテスター(コンピュータ)との距離を短くで
きる結果、その信号伝送ケーブルの長さが短くでき高速
試験を容易にできる。なお、同図において、CRTは、
針合わせ等に用いられるモニターテレビジョンてあり、
PNLは、各MifM作スイッチ類が設番ノられるもの
である。
If the floor space can be reduced in this way, a large number of semiconductor wafer probers can be installed on a small floor, and the distance to an IC tester (computer) that performs parallel tests using a large number of semicircular wafer probers can be shortened. As a result, the length of the signal transmission cable can be shortened, facilitating high-speed testing. In addition, in the same figure, the CRT is
There is a monitor television used for needle alignment, etc.
The PNL is a number in which each MifM switch is assigned.

上記のような縦型のウェハプローバにあっては、上記被
測定半導体ウェハの面が半導体ウエハプローバの側面(
垂直面)に平行な面を持つようにされる。これに応じて
固定プローブボードも同様に垂直面に平行に装填される
。このため、特に制限されないが、上記側面に設けられ
た開口部に固定ブローバボードが装填されるプローブ・
\ソド機構が設けられる。また、高周波試1験を行う場
合には、上記開口部からスプリング性を持つ高周波用の
プローブを持ち、上記半導体ウエハプローバに装填され
た固定プローブボードの電民への接抗を行う大きな重量
を持つ高周波テストヘッドT11を水平方向の移動によ
って結合させることができる。このような高周波テスト
ヘッドの位置合わせを容易にするため、半導体ウェハブ
ローバの開口部には、位置合わせガイドGDが設けられ
る。一方、高周波テストヘッドTIは、車付き脚(台車
)によってフロア上の自由に移動できるようにされる。
In the vertical type wafer prober as described above, the surface of the semiconductor wafer to be measured is the side surface of the semiconductor wafer prober (
vertical plane). Correspondingly, the fixed probe board is likewise loaded parallel to the vertical plane. For this reason, although there are no particular limitations, a probe in which a fixed blower board is loaded into the opening provided on the side surface
\Sodo mechanism will be established. In addition, when performing one high-frequency test, a high-frequency probe with a spring property is held from the opening, and a large weight is attached to the stationary probe board loaded in the semiconductor wafer prober. The high frequency test head T11 can be coupled by moving in the horizontal direction. In order to facilitate alignment of such a high frequency test head, an alignment guide GD is provided in the opening of the semiconductor wafer blower. On the other hand, the high-frequency test head TI is allowed to move freely on the floor by means of wheels (trucks).

このような構成においては、高周波テストヘッドTHの
f(fflが大きくとも比較的小さな力でもって移動で
き、上記ガ・CドGDを利用して高猜凌のらとに半導体
ウェハプローバに結合させることができる。 、 なお、上記高周波テストへソド′l’ Hは、半導体ウ
ニハブlコーバと高精度のもとで結合されたレール上を
走らせるようにするごとにより、その脱着を行うように
ず、Sものであってもい。
In such a configuration, even if f(ffl) of the high-frequency test head TH is large, it can be moved with a relatively small force, and it can be coupled to the semiconductor wafer prober using the above-mentioned gas, C, and GD. In addition, the above-mentioned high-frequency test head must be attached and detached by running it on a rail that is connected with the semiconductor unihub l cover with high precision. , it can be S.

また、固定プローブボー ドは、高周波テストヘッドT
 H側に装着するものとして、上記位置合わせガイド乃
至レール等による位置合わせg構により、固定ブ1:2
−ブボードのプローブと半4体ウェハとを接続させるも
のであってもよい。このようにすることによって、固定
プローブボードとケーブルとの間の伝送径路を短くでき
る等の利点が生じる。
The fixed probe board also supports high frequency test head T.
As a device to be installed on the H side, the fixing block 1:2
- The probe of the board may be connected to the half-quad wafer. This provides advantages such as shortening the transmission path between the fixed probe board and the cable.

上記の実施例から得られる作用効果は、下記の通りであ
る。
The effects obtained from the above examples are as follows.

(11その一部が半導体ウェハの受け渡しのために基準
面に対しで押し上げられる吸着部が設+、)られた測定
載置台と半導体ウェハの蛮送手段との間で被測足手導体
ウェハをその裏面側における上記吸着部に対応し、た思
人の部分に対応して設けられた吸着部によって吸着して
受け渡しを行うトランスファアームを利用し、このトラ
ンスファアームに吸着された状態の半導体ウェハの表面
に、マーキングを行うマーカーをX/Yステージ機構に
取り付けて、不良チップに対するマーイングを行うごと
によって、複数個の半導体チップの同時測定を可能にし
、た固定プローブボードを用いた場合でも、その測定終
了後に直ちにその測定結果に従った不良マーキングを行
うことができる。これにより、半屏体つェハプローバを
マーキングのためにだけ使用する必要が無いから、半導
体ウニ/’%ブローノくの稼働率の向上を図ることがで
きるという効果が得られる。
(11) The conductor wafer to be measured is placed between the measurement mounting table and the semiconductor wafer forwarding means (a part of which is equipped with a suction part that is pushed up against the reference surface for the transfer of the semiconductor wafer). A transfer arm is used which transfers the semiconductor wafer by suction by a suction part provided corresponding to the suction part on the back side, and the semiconductor wafer is suctioned to the transfer arm. By attaching markers for marking the surface to the X/Y stage mechanism and marking each defective chip, it is possible to measure multiple semiconductor chips simultaneously, even when using a fixed probe board. Immediately after completion of the measurement, defect marking can be performed according to the measurement results. As a result, it is not necessary to use the half-folding wafer prober only for marking, so it is possible to improve the operating rate of the semiconductor device.

(2)上記(1)により、複数チップの同時測定におい
て、半導体ウェハに製品番号を付加したりして、その測
定データとの一対一対応させる必要がなく、ブロービン
グ工程での半導体ウエノ1及び測定データの管理を簡略
化できるという効果が得られる。(3)ウェハチャック
が設けられるX/Yステージをはソ′垂直面に沿って移
動するという縦型とすることにより、ステージ機構にお
けるZ方向のストロークが僅か111i以下の微小であ
ることから、その横幅を小さくでき、これにカセットユ
ニ・ント及びコンI・ロールユニット等が縦方向の積み
重ね方式により構成できるから、半導体ウエノ1ブロー
ノくの占めるフロアスペースを小さくできるという効果
が得られる。
(2) Due to (1) above, in the simultaneous measurement of multiple chips, there is no need to add a product number to the semiconductor wafer and make a one-to-one correspondence with the measurement data. This has the effect of simplifying the management of measurement data. (3) Since the X/Y stage on which the wafer chuck is installed is a vertical type that moves along the vertical plane, the stroke in the Z direction in the stage mechanism is only 111i or less. Since the width can be reduced and the cassette unit, control unit, roll unit, etc. can be stacked vertically, the floor space occupied by one semiconductor wafer can be reduced.

(4)上記(3)により、無埃化されたフロアに多数の
半導体ウェハプローバを設置できるから、無埃化フロア
の効率的な利用が図れるとともに、テスタとの距離を短
くできるため短いケーブルを使用できるので高速テスト
が可能になるという効果が得られる。
(4) Due to (3) above, a large number of semiconductor wafer probers can be installed on a dust-free floor, making efficient use of the dust-free floor, and shortening the distance to the tester so that short cables can be used. This has the effect of enabling high-speed testing.

(Fll X / Yステージを垂直面に沿って移動す
るという縦型とすることにより、半導体ウェハを垂直に
した状態で測定を行うことができる。ことによって、空
気中の微細なゴミ等が測定中の4′i体ウェハ表面に不
着し、てしまうことが防止できる。また、測定終了の後
に半導体ウェハを水平にした状態にしてマーキングを行
うものであるので、マーキングインクの表面張力の作り
上がりによってプローブの接触端を汚染してと2まうこ
とによる接触累良を防止することができる。これによっ
て、高僧転性のもとての測定を行うとこができるという
効果が得られる。
(By making the Full It is possible to prevent the ink from adhering to the wafer surface and causing damage.Furthermore, since marking is performed with the semiconductor wafer held horizontally after the measurement is completed, the surface tension of the marking ink increases. It is possible to prevent contact failure due to contamination of the contact end of the probe.Thereby, an effect can be obtained in that the original measurement of hyperconversion can be performed.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明ζ、=上記実施例に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない節回で種々変
更可能であることはいうまでもない。例えば、第1図な
いし第2図に、おいて、プリアライメントステージを設
けて、ウエハカセ・ノドから取り出した半導体ウェハの
中心出しと、そのオリエンテーションフラットの検出を
行うようにするものであってもよい。このようなプリア
ライメントステージを設けることによって、ウェハチャ
ックトップでの半導体ウェハの位置合わせを効率よ(行
うことができる。また、トランスファアームは、半導体
ウェハの搬入用と搬出用の一対から構成されてもよい。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained based on Examples above, this invention ζ is not limited to the above Examples, and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Needless to say. For example, in FIGS. 1 and 2, a pre-alignment stage may be provided to center the semiconductor wafer taken out from the wafer cassette and to detect its orientation flat. . By providing such a pre-alignment stage, it is possible to efficiently align the semiconductor wafer on the wafer chuck top. Also, the transfer arm consists of a pair for loading and unloading the semiconductor wafer. Good too.

このように一対のトランスファアームを設けた場合には
、搬出用のトランスファアームを利用して、上記マーキ
ングを行っている間、搬入用のトランスファアームによ
り次に測定すべき半導体ウェハの取り出しと、上記プリ
アランメント等が並行して行うことができる。
When a pair of transfer arms is provided in this way, the unloading transfer arm is used to perform the above marking, while the unloading transfer arm is used to take out the semiconductor wafer to be measured next and perform the above marking. Pre-alignment etc. can be performed in parallel.

また、トランスファアームとの間で前記のような被測定
半導体ウェハの受け渡しを行うことを条件として、ウェ
ハチャックが設けられるステージ機構は、公知の半導体
ウェハプローバのそれと同様に横型であってもよい。
Further, on the condition that the semiconductor wafer to be measured is transferred to and from the transfer arm as described above, the stage mechanism provided with the wafer chuck may be a horizontal type like that of a known semiconductor wafer prober.

また、半導体ウェハとの自動針合わせのためのパターン
認識を行う擾象装置、半導体ウェハの厚みのバラツキを
測定して針圧を最適に設定するセンサー等を設けるもの
であってもよい。また、半自動半導体ウェハプローブ等
目視によって針合わせを行う場合、上記第2図の開口部
に顕微鏡又は撮象装置が設けろられるものである。
Further, it may be provided with a scanning device that performs pattern recognition for automatic needle alignment with the semiconductor wafer, a sensor that measures variations in the thickness of the semiconductor wafer, and sets the needle pressure optimally, or the like. In addition, when the needle alignment is performed visually such as with a semi-automatic semiconductor wafer probe, a microscope or imaging device is installed in the opening shown in FIG. 2 above.

この発明は、半導体ウェハプローバとして広く利用でき
るものである。
This invention can be widely used as a semiconductor wafer prober.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本廓において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。すなわち、その−・部が半導体ウェハの受け渡しのた
めにjf、卓面に対して押し上げられる吸着部が設けら
れた測定載置台と半導体ウェハの殿送手段との間で被測
定半導体ウェハをその裏面側における上記吸着部に対応
した以外の部分に対応して設けられた吸着部によって吸
着して受け渡しを行うトランスファアームを利用し、こ
のトランスファアームに吸着された状態の半導体ウェハ
の表面に0、マーキングを行うマーカーヲX/Yステー
ジ機構に取り付けて、不良チップに対するマーイングを
行うことによって、複数個の半導体チップの同時測定を
可能にした固定プローブボードを用いた場合でも、その
測定終了後に直ちにその測定結果に従った不良マーキン
グを行うことができるという効果が得られる。
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this section is as follows. That is, the - part is used for transferring the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer to be measured is placed on the back side between the measurement stage equipped with a suction part that is pushed up against the table surface and the semiconductor wafer transport means. Using a transfer arm that transfers the semiconductor wafer by suction using a suction part provided on the side corresponding to the part other than the part corresponding to the suction part, 0 and marking are performed on the surface of the semiconductor wafer that is suctioned by this transfer arm. By attaching a marker to the X/Y stage mechanism and marking defective chips, even when using a fixed probe board that enables simultaneous measurement of multiple semiconductor chips, the measurement results are immediately available after the measurement is completed. The effect is that defect marking can be performed according to the following.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、この発明に係る半導体ウエハプローバにおけ
るステージ機構の概略正面図、第2図は、そのトランス
ファアーム及びマーキング用のXYステージの概略平面
図、 第3図は、半還体つェハプローバと高周波テストヘッド
との概略外観図、 第4図は、半導体チップの配置図、 第5図は、ウェハチャックの一実施例を示す概略断面図
である。 XDM、YDM、ZDM、TDM・・パルスモータ、R
L・・レール、SB・・軸受、XBS・・Xベース、Y
BS・・Yベース、CT・・ウェハチャック、CT’ 
 ・・中央部、XGR・・Xガイドレール、XS・・X
シャフト(リードスクリュー)、YS・・Yシャフト(
リードスクリュー)、XC・・Xガイド、X−YTB・
・ステージ機構、TRAM・・トランスファアーム、I
NK・・マーカー、X−Y・・xyステージ、Pi。
FIG. 1 is a schematic front view of a stage mechanism in a semiconductor wafer prober according to the present invention, FIG. 2 is a schematic plan view of its transfer arm and an XY stage for marking, and FIG. FIG. 4 is a schematic external view of a high-frequency test head, FIG. 4 is a layout diagram of semiconductor chips, and FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a wafer chuck. XDM, YDM, ZDM, TDM...Pulse motor, R
L...Rail, SB...Bearing, XBS...X base, Y
BS...Y base, CT...wafer chuck, CT'
・・Central part, XGR・・X guide rail, XS・・X
Shaft (lead screw), YS...Y shaft (
lead screw), XC・・X guide, X-YTB・
・Stage mechanism, TRAM...Transfer arm, I
NK...marker, X-Y...xy stage, Pi.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、その一部が被測定半導体ウェハの受け渡し時に基準
面に対して持ち上げられる吸着部が設けられた測定載置
台と、上記半導体ウェハをその裏面側における上記吸着
部に対応した部分以外の部分に対応して設けられた吸着
部を持ち、その受け渡しを行うトランスファアームと、
上記トランスファアームに吸着された状態の上記半導体
ウェハに対してその表面に、マーキングを行うマーカー
が設けられるX/Yステージ機構とを具備することを特
徴とする半導体ウェハプローバ。 2、上記測定載置台は、垂直面に沿って移動するX/Y
ステージ機構に設けられ、被測定半導体ウェハの表面を
ほゞ垂直状態にして吸着するものであり、上記トランス
ファアームは、被測定半導体ウェハを水平/垂直移動さ
せる機能を持ち、マーカーが設けられるX/Yステージ
は、上記トランスファアームによってその表面がほゞ水
平状態にされて保持された半導体ウェハの表面に沿って
マーカーを移動させるものであることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の半導体ウェハプローバ。
[Claims] 1. A measurement mounting table, a part of which is provided with a suction part that is lifted with respect to a reference surface when a semiconductor wafer to be measured is transferred, and the semiconductor wafer corresponds to the suction part on the back side thereof. a transfer arm that has a suction part provided corresponding to a part other than the part to which the part is attached, and which transfers the part;
A semiconductor wafer prober comprising: an X/Y stage mechanism provided with a marker for marking a surface of the semiconductor wafer while it is attracted to the transfer arm. 2. The above measurement mounting table moves along the vertical plane in X/Y
The transfer arm is provided in the stage mechanism and attracts the surface of the semiconductor wafer to be measured in a substantially vertical state.The transfer arm has the function of horizontally/vertically moving the semiconductor wafer to be measured, and the The semiconductor according to claim 1, wherein the Y stage moves the marker along the surface of the semiconductor wafer held by the transfer arm in a substantially horizontal state. wafer prober.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0222836A (en) * 1988-07-12 1990-01-25 Nec Yamagata Ltd Probing apparatus for semiconductor
JPH0254153A (en) * 1988-08-17 1990-02-23 Nec Kyushu Ltd Device for inspecting exterior of wafer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0222836A (en) * 1988-07-12 1990-01-25 Nec Yamagata Ltd Probing apparatus for semiconductor
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