JPS62204590A - Manufacture of ceramic wiring board - Google Patents
Manufacture of ceramic wiring boardInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はセラミック基板ｌこ金属皮膜からなる配線が
形成されたセラミック配線基板を製造する方法に関する
ものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a method of manufacturing a ceramic wiring board in which wiring made of a metal film is formed on a ceramic board.
従来、セラミック配線基板の製造方法としては、薄膜法
、厚膜法、直接結合法（特開昭５２−５７９１４号公報
）などがある。薄膜法は蒸着によりセラミック基板に金
属皮膜を設けたのち、その金属皮膜を選択的にエツチン
グすることにより配線を形成する方法である。また、厚
膜法はセラミック基板の平面全面に貴金属の粒子を含む
ペース１４印刷し、焼成することによって、セラミック
基板に金属皮膜を設けたのち、金属皮膜を選択的にエツ
チングすることにより配線を形成し、またはセラミック
基板の平面に上記ペーストを配線バタン状に印刷し、焼
成することによって配線を形成する方法である。きらに
、直接結合法は第２図に示すように、セラミック基板１
上に配線バタン状に打ち抜かれかつ表面が酸化鋼となっ
た金属銅５を設け、セラミック基板１を酸素を含む不活
性気体中で加熱して、セラミック基板１と金属銅５とを
接合する方法である。Conventionally, methods for manufacturing ceramic wiring boards include a thin film method, a thick film method, and a direct bonding method (Japanese Unexamined Patent Publication No. 57914/1983). The thin film method is a method in which a metal film is provided on a ceramic substrate by vapor deposition, and then the metal film is selectively etched to form wiring. In addition, in the thick film method, a metal film is provided on the ceramic substrate by printing paste 14 containing noble metal particles on the entire flat surface of the ceramic substrate and firing, and then wiring is formed by selectively etching the metal film. Alternatively, the paste is printed in a wiring pattern on the flat surface of a ceramic substrate, and the wiring is formed by firing. In the direct bonding method, as shown in Fig. 2, the ceramic substrate 1 is
A method of bonding the ceramic substrate 1 and the metal copper 5 by providing a metal copper 5 punched in the shape of a wiring baton and having an oxidized steel surface on top, and heating the ceramic substrate 1 in an inert gas containing oxygen. It is.
しかしながら、薄、換法ｔこおいては、蒸着によりセラ
ミック基板に金属皮膜を設けるので、量産性が悪く、ま
たセラミック基板に貴金属からなる金属被膜を設ける場
合には、その間にＣｒ。However, in this thin alternative method, the metal coating is provided on the ceramic substrate by vapor deposition, which is difficult to mass-produce, and when a metal coating made of a noble metal is provided on the ceramic substrate, Cr is added between the layers.
Ｔｉなどの比抵抗の大きい金属層を設けないと強固な接
合が得られず、比抵抗の大きい金ｐＡ層を設けた場合に
は、電気伝導性が低下してしまい、しかもセラミック基
板の平面および側面に同時に金属皮膜を設けることがで
きないので、平面および側面ｌこ配線を有するセラミッ
ク配線基板を製造するのが面倒である。また、厚膜法に
おいては、ペーストにガラス成分が含まれているため、
配線の比抵抗が大きくなるとともに、配線バタン状にペ
ーストを印刷し、焼成するととζこよって配線を形成す
る場合には、配線の幅が１００μｍ以上となって、配線
を細密化することができず、しかもセラミック基板の平
面および側面に同時にペーストを印刷することができな
いので、平面および側面に配線を有するセラミック配線
基板を製造するのが面倒である。さらに、直接結合法に
おいては、セラミック基板１上に配線バタン状に打ち抜
いた金属銅５を設ける必要があるので、配線を細密化す
ることができず、またバタンに囲まれかつ独立した状態
のパタンを形成することができず、さらに金属銅５の全
表面がセラミック基板１と接合せずに非接合部が生じて
、金属銅５の一部がセラミック基板１から浮き上がった
状態となるので、歩留まりが低く、しかもセラミック基
板１の平面および側面に同時に金属銅５とを接合するこ
とができないので、平面および側面に配線を有するセラ
ミック配線基板を製造するのが面倒である。A strong bond cannot be obtained unless a metal layer with a high resistivity such as Ti is provided, and if a gold pA layer with a high resistivity is provided, the electrical conductivity decreases and the flat surface of the ceramic substrate and Since metal coatings cannot be provided on the side surfaces at the same time, it is troublesome to manufacture ceramic wiring boards having flat and side wiring. In addition, in the thick film method, since the paste contains glass components,
As the specific resistance of the wiring becomes larger, when wiring is formed by printing paste in the shape of a wiring pattern and baking it, the width of the wiring becomes 100 μm or more, making it possible to make the wiring finer. Moreover, it is difficult to manufacture a ceramic wiring board having wiring on the flat surface and side surfaces because the paste cannot be printed on the flat surface and side surfaces of the ceramic substrate at the same time. Furthermore, in the direct bonding method, it is necessary to provide the metal copper 5 punched in the shape of a wiring baton on the ceramic substrate 1, so the wiring cannot be made finer, and the pattern is surrounded by battens and is independent. Furthermore, the entire surface of the metal copper 5 is not bonded to the ceramic substrate 1, resulting in a non-bonded area, and a portion of the metal copper 5 is lifted from the ceramic substrate 1, resulting in a decrease in yield. Since the metal copper 5 cannot be bonded to the flat surface and side surfaces of the ceramic substrate 1 at the same time, it is troublesome to manufacture a ceramic wiring board having wiring on the flat surface and side surfaces.
この発明は上述の問題点を解決するためになされたもの
で、配線の接合強度を高くすることができ、量産性が良
く、歩留まりが高く、電気伝導性が良く、かつ配線を細
密化することができ、しかもセラミック基板の平面およ
び側面に配線を有するセラミック配線基板を容易に製造
することができるセラミック配線基板の製造方法を提供
することを目的とする。This invention was made in order to solve the above-mentioned problems, and it is possible to increase the bonding strength of the wiring, have good mass productivity, high yield, good electrical conductivity, and make the wiring finer. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a ceramic wiring board that can easily manufacture a ceramic wiring board that has wiring on the plane and side surfaces of the ceramic substrate.
この目的を達成するため、この発明においては、アルカ
リ金属水酸化物を必須成分としかつ共融点を有する混合
物の溶融液を用いてセラミック基板を粗化したのち、化
学メッキにより上記セラミック基板に金属皮膜を設け、
その金属皮膜を選択的にエツチングして配線を形成する
。In order to achieve this object, in the present invention, a ceramic substrate is roughened using a melt of a mixture containing an alkali metal hydroxide as an essential component and having a eutectic point, and then a metal film is applied to the ceramic substrate by chemical plating. established,
The metal film is selectively etched to form wiring.
このセラミック配線基板の製造方法においては、セラミ
ック基板を粗化したのち金属皮膜を形成するから、セラ
ミック基板のアルミナ粒子に微細孔が形成され、金属皮
膜がその微細孔内に入り込むので、化学メッキによりセ
ラミック基板に金属皮膜を設けたとしても、機械的に強
固にセラミック基板と金属皮膜とが接合する。In this method of manufacturing a ceramic wiring board, a metal film is formed after the ceramic board is roughened, so fine pores are formed in the alumina particles of the ceramic board, and the metal film enters the fine pores, so chemical plating Even if a metal film is provided on the ceramic substrate, the ceramic substrate and the metal film are mechanically strongly bonded.
また、化学メッキによりセラミック基板に金属皮膜を設
けるから、金属被膜の一部がセラミック基板から浮き上
がった状態となることがなく、さらにセラミック基板と
金属被膜との間に比抵抗の大きい金属層を設ける必要が
なく、またセラミック基板の平面および側面に同時に金
属皮膜を設けることができる。さらに、金属皮膜を選択
的にエツチングして配線を形成するから、セラミック基
板の平面および側面に同時に配線を形成することができ
る。また、アルカリ金属水酸化物を必須成分としかつ共
融点を有する混合物の溶融液を用いてセラミック基板を
粗化するので、低温度でセラミック基板を粗化すること
が可能である。In addition, since the metal film is applied to the ceramic substrate by chemical plating, a part of the metal film does not stand up from the ceramic substrate, and furthermore, a metal layer with high resistivity is provided between the ceramic substrate and the metal film. This is not necessary, and metal coatings can be provided on the flat surface and side surfaces of the ceramic substrate at the same time. Furthermore, since the wiring is formed by selectively etching the metal film, the wiring can be formed simultaneously on the plane and side surfaces of the ceramic substrate. Furthermore, since the ceramic substrate is roughened using a melt of a mixture that includes an alkali metal hydroxide as an essential component and has a eutectic point, it is possible to roughen the ceramic substrate at a low temperature.
〔実施例〕
実施例１
、＠１図はこの発明に係るセラミック配線基板の製造方
法の説明図である。この製造方法においては、第１図（
ａ）に示すような９９．７．９６％アルミナ含有セラミ
ック基板１を４５ｗｔ％のＮａＯＨ。[Example] Example 1, @1 Figure is an explanatory diagram of a method for manufacturing a ceramic wiring board according to the present invention. In this manufacturing method, as shown in Fig. 1 (
A ceramic substrate 1 containing 99.7.96% alumina as shown in a) was heated with 45 wt% NaOH.
５５ｗｔ チのＮａＩからなる混合物の浴融液により
、温度２５０°０１時間５分の条件で粗化する。つぎに
、２００ｍ１のＨ２ＳＯ４、全体を１１とする量の水か
らなる洗浄液により、室温超音波照射、時間１時間の条
件で酸洗浄する。つぎに、２５ｍ１のコンディショナ１
１７５（シップレイ社製）、全体を１１とする量の水か
らなる調整液により、温度８０°Ｃ１時間１５分の条件
でセラミック基板１の表面の調整、脱脂を行なう。つぎ
に、２７０ｇのキャタプリツタ４０４．１００ｍ１
のキャタボジット４４（シップレイ社製）、全体を１１
とする量の水からなる触媒処理液により、温度４５°Ｃ
時間５分の条件で、セラミック基板１の表面に触媒／ｉ
！２を形成する（第１図（ｂ））。つぎに、１０ｇのＣ
ｕ５Ｏａ ・５ Ｒ２０、４０、！ｉ’のＥＤＴＡ２Ｎ
ａ、ｐＨを１２３とする量のＮａＯＨ，５０ｍＪ のα
・α′−ジピリジル、１００ｍＡ’の非イオン界面活性
剤、 ４ｍｌの３７％−ホルマリン、全体を１４とす
る量の水からなる化学メッキ液により、温度６５°Ｃの
条件で、セラミック基板１の表面に厚さが５μｍの金属
皮膜６を形成する（第１図（Ｃ））。つぎに、セラミッ
ク基板１を脱脂、酸洗浄したのち、セラミック基板１の
表面にＯＭ Ｒ８５（１００ｃｐ ）（東京応化社製）
からなるレジスト４をスピンナ塗布により２μｍの厚さ
に塗布し、３０ｍＪの露光を行なって、レジスト４Ｉこ
配線バタンを形成する（第１図（ｄ））。つぎに、ｓｏ
ｏ ｇの塩化第二鉄、全体を１１とする量の水からなる
エツチング液により、温度５０°０１時間１分の条件で
、金属皮膜３を選択的にエツチングして配線を形成する
（第１図（ｅ））。つぎに、０ＭＲ８３専用剥離（Ｓ−
５０２）（東京応化社製）により、温度１１０°Ｃ１時
間１５分の条件でレジスト４を剥離する（第１図（ｆ）
）。なお、必要とすれば上記工程中に水流、乾燥などの
工程を入れてもよいことは言うまでもない。Roughening is carried out using a bath melt of a mixture of 55 wt NaI at a temperature of 250° C. for 1 hour and 5 minutes. Next, acid cleaning is performed using a cleaning solution consisting of 200 ml of H2SO4 and 11 parts of water under room temperature ultrasonic irradiation for 1 hour. Next, 25m1 conditioner 1
175 (manufactured by Shipley) and a conditioning liquid consisting of water in a total amount of 11, the surface of the ceramic substrate 1 was conditioned and degreased at a temperature of 80° C. for 1 hour and 15 minutes. Next, 270g of caterpillar 404.100m1
Catabosite 44 (manufactured by Shipley), total 11
A catalyst treatment solution consisting of water in an amount of
Catalyst/i was applied to the surface of the ceramic substrate 1 for 5 minutes.
! 2 (Fig. 1(b)). Next, 10g of C
u5Oa ・5 R20, 40,! i' EDTA2N
a, a quantity of NaOH to adjust the pH to 123, 50 mJ α
・The surface of the ceramic substrate 1 was coated at a temperature of 65°C with a chemical plating solution consisting of α'-dipyridyl, 100 mA' of nonionic surfactant, 4 ml of 37% formalin, and water in a total amount of 14. A metal film 6 having a thickness of 5 μm is formed on the surface (FIG. 1(C)). Next, after degreasing and acid cleaning the ceramic substrate 1, OMR85 (100 cp) (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) is applied to the surface of the ceramic substrate 1.
A resist 4 consisting of the following is applied to a thickness of 2 μm using a spinner coating, and exposed to light at 30 mJ to form a wiring pattern (FIG. 1(d)). Next, so
The metal film 3 is selectively etched using an etching solution consisting of 0 g of ferric chloride and water in a total amount of 11 at a temperature of 50°C for 1 hour and 1 minute to form wiring (first step). Figure (e)). Next, remove 0MR83 (S-
502) (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.), the resist 4 was peeled off at a temperature of 110°C for 1 hour and 15 minutes (Fig. 1(f)).
). It goes without saying that steps such as water flow and drying may be added to the above steps if necessary.
このような製造方法によってセラミック配線基板を製造
した場合には、幅が約５μｍの配線を形成することがで
き、また配線がセラミック基板１から浮き上がることも
なく、さらｌこ９９７チアルミナ含有セラミツク基板に
おいては４６にｇ／ｍｒｌ、９６％アルミナ含有セラミ
ック基板においては５．２ ＃ ／ ｇｄの十分な接合
強度が得られた。When a ceramic wiring board is manufactured by such a manufacturing method, a wiring having a width of approximately 5 μm can be formed, and the wiring does not rise from the ceramic substrate 1. A sufficient bonding strength of 46 g/mrl was obtained for the ceramic substrate containing 96% alumina, and 5.2 #/gd for the ceramic substrate containing 96% alumina.
実施例２
４７．５ｗｔ％のＮａＯＨ，１６，１ｗｔ％のＮａＢｒ
、３２．９ｗｔ％のＮａＩ 、 ３．５ ｗ ｔ％のＮ
ａｚＣＯ３からなる混合物の溶融液により、温度２６０
°Ｃ１時間５分の条件でセラミック基板１を粗化する。Example 2 47.5 wt% NaOH, 16.1 wt% NaBr
, 32.9 wt% NaI, 3.5 wt% N
With the melt of the mixture consisting of azCO3, the temperature of 260
The ceramic substrate 1 is roughened under the conditions of 1 hour and 5 minutes at °C.
その他は実施例１と同様である。The rest is the same as in Example 1.
この場合には、９９７％アルミナ含有セラミック基板に
おいては５．４ ｋｇ／ ｍｔｊｔ 、 ９６ ％アル
ミナ含有セラミック基板においては４．８ ｋｇ／ ａ
ｔｉという高い接合強度が得られ、しかも配線を微細化
することができる。In this case, 5.4 kg/mtjt for a ceramic substrate containing 997% alumina and 4.8 kg/mtjt for a ceramic substrate containing 96% alumina.
A high bonding strength of ti can be obtained, and the wiring can be miniaturized.
実施例３
セラミック基板１として９９７チアルミナ含有セラミツ
ク基板を用い、１．１ｗｔ％のＫ ＯＨ，６２，９ｗｔ
％のＫＩからなる混合物の溶融液により、温度２５０°
Ｃ１時間５分の条件でセラミック基板１の粗化を行なう
。その他は実施例１と同様である。Example 3 A ceramic substrate containing 997 thialumina was used as the ceramic substrate 1, and 1.1 wt% KOH, 62.9 wt.
% KI at a temperature of 250°
The ceramic substrate 1 is roughened under the conditions of C1 time and 5 minutes. The rest is the same as in Example 1.
この場合、５．５ ｋｇ ７−という高い接合強度が得
られ、配線を微細化することができる。In this case, a high bonding strength of 5.5 kg 7- can be obtained, and the wiring can be miniaturized.
実施例４
セラミック基板１として９９７％アルミナ含有セラミッ
ク基板を用い、７９ｗｔ％のＮａＯＨ，２１ｗｔ％のＮ
ａ Ｂ ｒからなる混合物の溶融液により、温度２６
０°Ｃ９時間５分の条件でセラミック基板１の粗化を行
なう。その他は実施例１と同様である。Example 4 A ceramic substrate containing 997% alumina was used as the ceramic substrate 1, 79 wt% NaOH, 21 wt% N
A temperature of 26
The ceramic substrate 1 is roughened at 0° C. for 9 hours and 5 minutes. The rest is the same as in Example 1.
この場合には、低温度でセラミック基板１の粗化が可能
であり、５．１１ｃｇ／ｍ−という高い接合強度が得ら
れ、配線を微細化することができる。In this case, the ceramic substrate 1 can be roughened at a low temperature, a high bonding strength of 5.11 cg/m<-> can be obtained, and the wiring can be made finer.
実施例５
セラミック基板１として９９７％アルミナ含有セラミッ
ク基板を用い、７９ｗｔ％のＮ ａ Ｏ）（，２１ｗｔ
チのＮａＢｒからなる混合物の溶融液により、温度２６
０°Ｃ９時間５分の条件でセラミック基板１を粗化し、
３．５．９の硝酸銀、硝酸銀を溶解する量のアンモニア
水（比重０．９９ ） 、全量を１００ｍ１とする量の
水からなる調液により触媒層２を形成し、１１ｍ１の３
８チホルマリン、９５ｍ１ｌの９９％アルコール、３．
９ｍｄの水からなる還元液で還元する。その他は実施例
１と同様である。Example 5 A ceramic substrate containing 997% alumina was used as the ceramic substrate 1, and 79wt% NaO) (,21wt
The temperature of 26
Roughening the ceramic substrate 1 at 0°C for 9 hours and 5 minutes,
The catalyst layer 2 was formed by preparing a solution consisting of silver nitrate of 3.5.9, ammonia water (specific gravity 0.99) in an amount to dissolve the silver nitrate, and water in an amount to make the total volume 100 ml.
8 formalin, 95ml 99% alcohol, 3.
Reduce with a reducing solution consisting of 9 md of water. The rest is the same as in Example 1.
この場合にも、低温度でセラミック基板１を粗化するこ
とができ、５．３にｇ／−という高い接合強度が得られ
た。In this case as well, the ceramic substrate 1 could be roughened at low temperature, and a high bonding strength of 5.3 g/- was obtained.
そして、混合物の成分としてＮａＢｒ、ＮａＩのような
アルカリ金属ハロゲン化物を用いれば、混合物の溶融液
の粘度がより低減し、セラミック基板の主成分とアルカ
リ金属水酸化物との反応性を促進すると考えられ、セラ
ミック基板の粗化を促進し、より強固にセラミック基板
と金属皮膜とを接合することができる。It is believed that if an alkali metal halide such as NaBr or NaI is used as a component of the mixture, the viscosity of the molten mixture will be further reduced and the reactivity between the main component of the ceramic substrate and the alkali metal hydroxide will be promoted. This can promote roughening of the ceramic substrate and more firmly bond the ceramic substrate and metal film.
なお、上述実施例においては、セラミック基板１の全面
にレジスト４を塗布したのち、露光によりレジスト４に
配線パタンを形成したが、セラミック基板１に印刷によ
り配線バタン状のレジストを塗布してもよい。In the above-mentioned embodiment, after applying the resist 4 to the entire surface of the ceramic substrate 1, a wiring pattern was formed on the resist 4 by exposure, but a wiring pattern resist may also be applied to the ceramic substrate 1 by printing. .
以上説明したように、この発明に係るセラミック配線基
板の製造方法においては、機械的に強固にセラミック基
板と金属皮膜とが接合するから、セラミック基板と配線
との接合強度を高くすることができ、また化学メッキに
よりセラミック基板ζこ金属皮膜を設けるから、エナ雄
性がよく、金属被膜の一部がセラミック基板から浮き上
がった状態となることがないので、歩留まりが高く、セ
ラミック基板と金属破膜との間に比抵抗の大きい金属層
を設ける必要がないため、電気伝導性がよく、かつ金属
皮膜を選択的にエツチングして配線を形成するから、配
線を細密化することができる。また、セラミック基板の
平面および側面に同時に金属皮膜を設けることができ、
かつセラミック基板の平面および側面に同時に配線を形
成することができるので、セラミック基板の平面および
側面に配線を有するセラミック配線基板を容易に製造す
ることができる。しかも、セラミック基板を低温度で粗
化することができるので、粗化に際してセラミック基板
にクラックが発生することがない。このように、この発
明の効果は顕著である。As explained above, in the method for manufacturing a ceramic wiring board according to the present invention, since the ceramic substrate and the metal film are mechanically and firmly bonded, the bonding strength between the ceramic substrate and the wiring can be increased. In addition, since the metal film is applied to the ceramic substrate by chemical plating, it has good enamel masculinity and no part of the metal film is lifted off the ceramic substrate, resulting in a high yield and the ability to separate the ceramic substrate from the broken metal film. Since there is no need to provide a metal layer with a high specific resistance between them, electrical conductivity is good, and since the wiring is formed by selectively etching the metal film, the wiring can be made finer. In addition, metal coatings can be provided on the flat surface and side surfaces of the ceramic substrate at the same time.
Moreover, since wiring can be formed on the flat surface and side surfaces of the ceramic substrate at the same time, it is possible to easily manufacture a ceramic wiring board having wiring on the flat surface and side surfaces of the ceramic substrate. Furthermore, since the ceramic substrate can be roughened at a low temperature, cracks will not occur in the ceramic substrate during roughening. As described above, the effects of this invention are remarkable.
＄１図はこの発明ｌこ係るセラミック配線基板の製造方
法の説明図、第２図は従来の製造方法により製造された
セラミック配線基板を示す図である。
１・・・セラミック基板
３・・・金属皮膜
代理人弁理士 小 川 勝 男ゝこ。FIG. 1 is an explanatory diagram of a method for manufacturing a ceramic wiring board according to the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing a ceramic wiring board manufactured by a conventional manufacturing method. 1...Ceramic substrate 3...Metal film Patent attorney Masaru Ogawa.
Claims (3)
有する混合物の溶融液を用いてセラミック基板を粗化し
たのち、化学メッキにより上記セラミック基板に金属皮
膜を設け、その金属皮膜を選択的にエッチングして配線
を形成することを特徴とするセラミック配線基板の製造
方法。1. After roughening the ceramic substrate using a melt of a mixture containing an alkali metal hydroxide as an essential component and having a eutectic point, a metal film is provided on the ceramic substrate by chemical plating, and the metal film is selectively etched. A method of manufacturing a ceramic wiring board, characterized in that wiring is formed using a method of manufacturing a ceramic wiring board.
金属ハロゲン化物とを必須成分とするものを用いたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のセラミック配
線基板の製造方法。2. 2. The method of manufacturing a ceramic wiring board according to claim 1, wherein the mixture contains an alkali metal hydroxide and an alkali metal halide as essential components.
上記アルカリ金属ハロゲン化物としてＮａＢｒを用いる
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のセラミッ
ク配線基板の製造方法。3. Using NaOH as the alkali metal hydroxide,
3. The method of manufacturing a ceramic wiring board according to claim 2, wherein NaBr is used as the alkali metal halide.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61046157A JPS62204590A (en) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | Manufacture of ceramic wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61046157A JPS62204590A (en) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | Manufacture of ceramic wiring board |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62204590A true JPS62204590A (en) | 1987-09-09 |
Family
ID=12739160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61046157A Pending JPS62204590A (en) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | Manufacture of ceramic wiring board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62204590A (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4519163Y1 (en) * | 1966-06-16 | 1970-08-04 | ||
| JPS4961520A (en) * | 1972-10-12 | 1974-06-14 | ||
| JPS5348183U (en) * | 1976-09-28 | 1978-04-24 | ||
| JPS5341847Y1 (en) * | 1970-06-15 | 1978-10-09 |
-
1986
- 1986-03-05 JP JP61046157A patent/JPS62204590A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS4519163Y1 (en) * | 1966-06-16 | 1970-08-04 | ||
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