JPS62204541A - Method and apparatus for dividing wafer - Google Patents

Method and apparatus for dividing wafer

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Publication number
JPS62204541A
JPS62204541A JP61046111A JP4611186A JPS62204541A JP S62204541 A JPS62204541 A JP S62204541A JP 61046111 A JP61046111 A JP 61046111A JP 4611186 A JP4611186 A JP 4611186A JP S62204541 A JPS62204541 A JP S62204541A
Authority
JP
Japan
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wafer
tape
mask
light
predetermined
Prior art date
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Pending
Application number
JP61046111A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Mimata
巳亦 力
Tetsuo Hajime
一 哲夫
Toshishige Katai
片井 俊茂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS62204541A publication Critical patent/JPS62204541A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H01L2221/68322Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing

Abstract

PURPOSE:To divide a wafer in high reliability without displacement of the moving position of other wafer by irradiation of predetermined light on a tape through a mask formed on a light screening pattern of predetermined shape. CONSTITUTION:A transparent plastic tape 9 which reduces its bonding strength by irradiation of ultraviolet rays is bonded on a frame 8, and its adhesive surface is coated with a wafer 2 in which an element forming surface is disposed upside. After a dicing is completed, the frame 8 is fed to an irradiation unit 5. The unit 5 has 2-stage XY tables 14, 15 and an ultraviolet irradiation lamp 16, and a mask 17 formed with a light screening pattern 19 of a predetermined shape is placed on the table 14. After the mask 17 and the wafer 2 are completely positioned, only the position corresponding to the back surface of a pellet 10 of the wafer 2 is irradiated by means of the lamp 16, fed to a pickup unit 7 in the state that the bonding strength is reduced, and the pellet 10 protruded by a pin 21 is held by means of a collet 22 by vacuum suction.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造における半導体ウェハの分
割に利用して有効な技術に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a technique that is effective for use in dividing semiconductor wafers in the manufacture of semiconductor devices.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半1体ウェハの分割方法については、たとえば株式会社
工業調査会、1980年1月15日発行「IC化実装技
術」 (日本マイクロエレクトロニクス協会編)、P1
00〜P101に記載されている。ここでは、プラスチ
ック製の粘着シート上でウェハを分割して、シートを引
き延ばした後に、突き上げツールにより該シートの裏面
側からペレット部分を突き上げて、上方からコレットで
吸着する技術が紹介されている。
For information on how to divide half-unit wafers, see, for example, "IC Mounting Technology" (edited by the Japan Microelectronics Association), published by Kogyo Kenkyukai Co., Ltd., January 15, 1980, P1.
00 to P101. Here, a technology is introduced in which a wafer is divided on a plastic adhesive sheet, the sheet is stretched, and then the pellet portion is pushed up from the back side of the sheet using a push-up tool, and then adsorbed from above with a collet.

本発明者は、ウェハの分割技術について検討した。以下
は、本発明者によって検討された技術であり、その概要
は次の通りである。
The present inventor studied wafer dividing technology. The following are the techniques studied by the present inventor, and the outline thereof is as follows.

回路の高集積化が進み、ペレット上のパターンが微細化
してくると、マスクとウェハとの位置合わせに際して、
ウェハレベルでのアライメントのみでは正確な位置合わ
せ精度を出すことが困難となってくるため、ペレット単
位でアライメントを行う、いわゆるチンプアライメント
が必要となってくる。このチンブアライメントのための
7ライメントマークをウェハ上のペレットに隣接した余
領域に形成することが知られている。
As circuits become more highly integrated and the patterns on pellets become finer, alignment of the mask and wafer becomes more difficult.
Since it becomes difficult to achieve accurate positioning accuracy with only alignment at the wafer level, so-called chimp alignment, in which alignment is performed in units of pellets, becomes necessary. It is known to form seven alignment marks for this chimbu alignment in the remaining area adjacent to the pellet on the wafer.

一方、半導体装置の試作段階あるいは量産立ち上がり時
には、ペレット上に形成された素子部分と同一構造の検
査用素子をペレット領域外に多数形成して、この検査用
素子を検査することによって、ペレット上の素子部分の
形成状態を間接的に検査することが考えられる。
On the other hand, at the prototyping stage or when starting mass production of semiconductor devices, a large number of test elements having the same structure as the element part formed on the pellet are formed outside the pellet area, and these test elements are inspected. It is conceivable to indirectly inspect the formation state of the element portion.

上記のように、アライメントマークおよび検査用素子の
形成のため、ペレットの隣接部分にTEG (Test
ing Element Group)部を設けること
が知られている。このTEG部としては具体的には、た
とえば1メガバイト程度の容量を有するメモリー素子の
形成されたペレットでは、ペレット領域が縦5寓−2横
Ion程度とすると、該ペレットの短辺に隣接して幅1
.5龍程度のTEG部領域が必要となる。
As mentioned above, in order to form alignment marks and test elements, TEG (Test
It is known to provide an element group section. Specifically, for example, in a pellet on which a memory element having a capacity of about 1 megabyte is formed, if the pellet area is about 5 cm in length and 2 ions in width, the TEG part should be adjacent to the short side of the pellet. Width 1
.. A TEG area of about 5 dragons is required.

ところで、上記ウェハをペレット毎に分割する際には、
前記TEG部の幅方向の中心位置を切断して各ペレット
毎にウェハを分割することが考えられる。
By the way, when dividing the above wafer into pellets,
It is conceivable that the wafer be divided into pellets by cutting at the center position in the width direction of the TEG portion.

しかし、上記の方法では、ピックアップされたペレット
は約0o75鶴程度の幅のTEG部が付属された状態と
なっている。このTEG部の付属により、実装時のペレ
ットが不必要に大形化するのみならず、ワイヤボンディ
ングを行った際に、前記不要TEG部をジャンプさせる
ために、ワイヤのループを長くとらなければならない、
そのために、ワイヤがペレットとショートしやすくなっ
てしまうおそれがある。
However, in the above method, the picked up pellet has a TEG portion with a width of about 0.75 cm. The addition of this TEG section not only makes the pellet unnecessarily large during mounting, but also requires a long wire loop to jump the unnecessary TEG section when wire bonding is performed. ,
Therefore, there is a possibility that the wire is likely to short-circuit with the pellet.

以上の点から、ウェハの切断の際に、TEG部の両端を
切断するいわゆる二段切断を行い、ペレット部分のみを
ピックアップすることが考えられる。
From the above points, it is conceivable to perform so-called two-stage cutting in which both ends of the TEG portion are cut when cutting the wafer, and pick up only the pellet portion.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかし、前記技術によった場合、コレット等でペレット
部分を真空吸着によりピックアップする場合に、ペレッ
トをテープからはがすためのピックアップ用突き上げピ
ンによりべ゛レットを突き上げる際に、隣接されたTE
G部が吸着されたペレットとともに浮き上がったり、移
動して他のペレット表面を損傷するおそれのあることが
本発明者によって明らかにされた。
However, in the case of the above technology, when picking up the pellet part by vacuum suction with a collet or the like, when pushing up the pellet with the pick-up push-up pin for peeling the pellet from the tape, the adjacent TE
The inventor of the present invention has revealed that there is a risk that the G part may float or move together with the adsorbed pellets, damaging the surfaces of other pellets.

さらに、上記技術では、テープの全面にわたってほぼ等
しい粘着力を有しているため、所定部位のペレットをピ
ックアップする際に、ペレットと粘着テープとの分離が
容易に行われずに、テープの変形を生じ、テープ上での
ウェハ全体の位置ずれを生じ、正確な位置でのピックア
ップが困難となる場合がある。
Furthermore, in the above technology, since the adhesive force is almost equal over the entire surface of the tape, when picking up pellets at a predetermined location, the pellets and the adhesive tape cannot be easily separated, resulting in deformation of the tape. , the entire wafer may be misaligned on the tape, making it difficult to pick it up at an accurate position.

本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、
その目的は信頼性の高いウェハ分割を行うことにある。
The present invention has been made focusing on the above problems,
The purpose is to perform reliable wafer division.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本願において開示される発明のうら代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
A brief overview of the representative inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、所定光の照射により粘着力の低下する透光性
のあるテープの粘着面にウェハを被着し、該テープの粘
着面の裏面側に所定形状の遮光パターンが形成されたマ
スクを整合させて、このマスクを介して該テープに対し
て所定光の照射を行った後、ウェハ裏面の所定部位のペ
レットをピックアンプするものである。
That is, a wafer is adhered to the adhesive surface of a translucent tape whose adhesive strength decreases when irradiated with a predetermined light, and a mask on which a light-shielding pattern of a predetermined shape is formed is aligned on the back side of the adhesive surface of the tape. After irradiating the tape with a predetermined light through this mask, the pellets at a predetermined portion on the back surface of the wafer are pick-amplified.

〔作用〕[Effect]

上記した手段によれば、マスクのパターン形成次第で、
ウェハ裏面の任意の部位の粘着力のみを低下させること
が可能となるため、ピンクアップを行う際に、ピンクア
ップを行わない部分の粘着力は強く維持しておくことが
できる。したがって、ピックアンプを行わないウェハ部
分の移動を防止でき、移動によるウェハの損傷を防止で
きるとともに、ウェハ全体の位置ずれを防止でき、信頼
性の高いウェハ分割を行うことができる。
According to the above-mentioned means, depending on the pattern formation of the mask,
Since it is possible to reduce the adhesive force only at any part of the back surface of the wafer, when performing pink-up, it is possible to maintain a strong adhesive force in the area where pink-up is not performed. Therefore, it is possible to prevent the portion of the wafer that is not subjected to pick-amplification from moving, prevent damage to the wafer due to movement, prevent the entire wafer from shifting, and perform highly reliable wafer division.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の一実施例であるウェハ分割装置を示す
概略図、第2図はフレームに取付けられた状態のウェハ
を示す平面図、第3図はフレームに取付けられたマスク
を示す平面図、第4図はピ・2クアノプ時におけるウェ
ハ上のペレットとTEG部との形成状態を示す拡大部分
断面図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a wafer dividing apparatus which is an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing a wafer attached to a frame, and FIG. 3 is a plan view showing a mask attached to a frame. FIG. 4 is an enlarged partial sectional view showing the state of formation of pellets and TEG portions on a wafer during P-2 Quanop.

本実施例のウェハ分割装置1は、たとえば第1図に示す
ように、半導体ウェハ2の切断を行うダイシング部3、
紫外線4の照射を行う照射部5およびペレット10の取
り出しを行うピックアップ部7とからなる。
The wafer dividing apparatus 1 of this embodiment includes, for example, as shown in FIG. 1, a dicing section 3 for cutting a semiconductor wafer 2;
It consists of an irradiation section 5 that irradiates ultraviolet rays 4 and a pickup section 7 that takes out pellets 10.

ウェハ2は、第2図に示すようにフレーム8の状態で提
供され、このフレーム8は、四角形状のステンレス合金
からなるフレーム部材8aにUVテープ9 (Ultr
a Violet Tape)、すなわち紫外線の照射
により粘着力の低下する透明のプラスチックテープを張
設したものであり、該Uvテープ9の粘着面に素子の形
成面を上面にした状態でウェハ2が被着されている。な
お、フレーム部材8aの外周にはその所定位置に位置合
わせ用の切欠部8bおよび8Cが各々形成されている。
The wafer 2 is provided in a frame 8 as shown in FIG. 2, and this frame 8 has a UV tape 9 (Ultra
a Violet Tape), that is, a transparent plastic tape whose adhesive strength decreases when irradiated with ultraviolet rays is stretched, and the wafer 2 is attached to the adhesive surface of the UV tape 9 with the element formation side facing upward. has been done. Note that cutouts 8b and 8C for alignment are formed on the outer periphery of the frame member 8a at predetermined positions, respectively.

本実施例のウェハ2は、たとえば1メガバイトのメモリ
容量を有する半導体ペレット10を1単位として、この
ペレソ)10が縦横方向に多数形成されており、各ペレ
ット10の一辺側には、該ペレットに隣接して長方形状
のTEG部11(余領域)が形成されており、このTE
G部11の表面には、図示しないアライメントマークお
よび検査用素子が多数設けられている。
In the wafer 2 of this embodiment, a large number of semiconductor pellets 10 having a memory capacity of, for example, 1 megabyte are formed as one unit in the vertical and horizontal directions, and one side of each pellet 10 is A rectangular TEG portion 11 (remaining area) is formed adjacent to this TE
A large number of alignment marks and inspection elements (not shown) are provided on the surface of the G section 11.

前記フレーム8が、図示しない移送手段によってダイシ
ング部3のダイシングステージ12の所定位置にatさ
れると、円板状のダイシングブレード13が高速回転状
態でウェハ2上の所定位置に下降し、さらに水平方向に
移動してウェハ2のダイシング作業を行う。
When the frame 8 is moved to a predetermined position on the dicing stage 12 of the dicing unit 3 by a transfer means (not shown), the disc-shaped dicing blade 13 is lowered to a predetermined position on the wafer 2 while rotating at high speed, and then horizontally wafer 2 and performs dicing work on the wafer 2.

ここで、本実施例のダイシングは、ウェハ2の表面から
裏面までを完全に分離するいわゆるフルダイシングでは
なく、第4図に示すように裏面近傍でわずかに各ウェハ
部分が連結された状態となるように切込み23を形成す
る、いわゆるセミダイシングである。
Here, the dicing of this embodiment is not so-called full dicing in which the front surface of the wafer 2 is completely separated from the back surface thereof, but the wafer parts are slightly connected in the vicinity of the back surface as shown in FIG. This is so-called semi-dicing, in which cuts 23 are formed as shown in FIG.

また、ダイシングは各ペレット10およびTEG部11
毎にその境界領域に沿って行われる。したがって、ダイ
シング後のウェハ2の断面状態は第4図に示すように、
ベレン)10 (10a、10b)およびTEG部11
が各々ブロック状に連結された状態となっている。
In addition, dicing is performed for each pellet 10 and the TEG section 11.
each along its boundary area. Therefore, the cross-sectional state of the wafer 2 after dicing is as shown in FIG.
Belem) 10 (10a, 10b) and TEG section 11
are connected in a block-like manner.

前記ダイシングが完了した後、フレーム8は照射部5に
送られる。
After the dicing is completed, the frame 8 is sent to the irradiation section 5.

照射部5は、各々XY方向駆動手段(図示せず)を有す
る二段構造のXYテーブル14.15と、該XYテーブ
ル14.15の下方に設けられた紫外線照射ランプ16
とを有している。
The irradiation unit 5 includes a two-stage XY table 14.15 each having an XY direction drive means (not shown), and an ultraviolet irradiation lamp 16 provided below the XY table 14.15.
It has

ここで、各XYテーブル14.15は各々その中央部分
に照射窓14a、15aを有しており、この照射窓14
’a、15aは前記フレーム部材8aの内周縁部にほぼ
対応した大きさで開設されている。
Here, each XY table 14, 15 has an irradiation window 14a, 15a in its center, and this irradiation window 14.
'a, 15a are opened with a size that approximately corresponds to the inner circumferential edge of the frame member 8a.

下段のXYテーブル14には、マスク17が載置される
ようになっている。マスク17は、第3図に示すように
、透明体の石英ガラス18の表面にクロム(Cr)から
なる所定形状の遮光パターン19が形成されており、た
とえば、ホトレジスト工程に用いられるホトマスクと同
様の構造を存している。
A mask 17 is placed on the lower XY table 14. As shown in FIG. 3, the mask 17 has a light shielding pattern 19 of a predetermined shape made of chromium (Cr) formed on the surface of a transparent quartz glass 18, and is similar to a photomask used in a photoresist process, for example. It has a structure.

前記マスク19は前記ウェハ2と同様に、ステンレス合
金からなるフレーム部材20aに取付けられており、こ
のフレーム部材20aの外周にはその所定位置に位置合
わせ用の切欠部20bおよび20Cが各々形成されてい
る。
Like the wafer 2, the mask 19 is attached to a frame member 20a made of stainless steel, and cutouts 20b and 20C for alignment are formed on the outer periphery of the frame member 20a at predetermined positions. There is.

つぎに、前記フレーム8が上段のXYテーブル15にi
tされると、マスク17とウェハ2との位置合わせが行
われる。この位置合わせの方法としては、以下のように
行うことができる。
Next, the frame 8 is placed on the upper XY table 15.
t, the mask 17 and the wafer 2 are aligned. This alignment can be performed as follows.

まず、下段のXYテーブル14上でマスク17の位置決
めを行う、このマスク17の位置決めは、たとえばフレ
ーム部材20aの切欠部20b、20Cを、XYテーブ
ル15上に形成されたこの切欠形状に対応した位置決め
ビン(図示せず)に整合させることによって行う、この
ようにして決定されたマスク位置が一旦メモリされる。
First, the mask 17 is positioned on the lower XY table 14. This positioning of the mask 17 involves, for example, positioning the notches 20b and 20C of the frame member 20a in a manner corresponding to the shape of the notch formed on the XY table 15. The mask position thus determined, performed by matching to a bin (not shown), is once memorized.

つぎに、上段のXYテーブル15上にフレーム8を5X
71し、メモリされているマスク17の位置に一致する
ように上段のXYテーブル15を所定量移動させる。こ
のようにしてメモリされているマスク17の位置とウェ
ハ2との位置が一敗した状態で最適な位置合わせが完了
する。
Next, place the frame 8 5X on the upper XY table 15.
71, and moves the upper XY table 15 by a predetermined amount so as to match the memorized position of the mask 17. In this way, the optimal positioning is completed in a state where the memorized position of the mask 17 and the position of the wafer 2 are completely matched.

つぎに、下段のXYテーブル14の下方に位置された紫
外線照射ランプ16により紫外線4の照射が行われ、該
紫外線4は下段のXYテーブル14の照射窓14a、す
なわちマスク17を経て、さらに上段のXYテニブル1
5の照射窓15aを経て該XYテーブル15上に@置さ
れたフレーム8のUVテープ9の裏面側を照射するよう
になっている。
Next, the ultraviolet ray 4 is irradiated by the ultraviolet ray irradiation lamp 16 located below the lower XY table 14, and the ultraviolet 4 passes through the irradiation window 14a of the lower XY table 14, that is, the mask 17, and then passes through the upper XY table 14. XY tenible 1
The back side of the UV tape 9 of the frame 8 placed on the XY table 15 is irradiated through the irradiation window 15a of No. 5.

ここで、本実施例では、たとえば第3図に示すように、
マスク17の表面で、ウェハ2の720部11に対応す
る部位にはクロムの蒸着膜で所定形状の遮光パターン1
9が形成されているため、このパターン19部分は紫外
線4が通過されないこととなる。したがって、ウェハ2
のペレットlOの裏面に対応する部位のみが紫外線4に
よって照射され、720部11の裏面に対応する部位に
は紫外線4は照射されない、そのため、UVテープ9上
でベレン)10が被着されている部分のみ粘着力が低下
し、720部11が被着されている部分は強い粘着力を
維持した状態となっている。
Here, in this embodiment, for example, as shown in FIG.
On the surface of the mask 17, a portion corresponding to the 720 portion 11 of the wafer 2 is covered with a light shielding pattern 1 of a predetermined shape using a vapor-deposited chromium film.
9 is formed, the ultraviolet rays 4 will not pass through this pattern 19 portion. Therefore, wafer 2
Only the part corresponding to the back side of the pellet 10 is irradiated with the ultraviolet ray 4, and the part corresponding to the back side of the 720 part 11 is not irradiated with the ultraviolet ray 4. Therefore, Belene) 10 is adhered on the UV tape 9. The adhesive strength is reduced only in that part, and the part where the 720 part 11 is attached maintains a strong adhesive strength.

前記のようにフレーム8のUVテープ9上でペレット1
0の被着部分のみの粘着力が低下された状態で、フレー
ム8はピックアップ部7に移送される。
Place pellet 1 on UV tape 9 of frame 8 as described above.
The frame 8 is transferred to the pickup section 7 with the adhesive strength of only the adhered portion of the frame 8 reduced.

ピックアップ部7には、固定手段24により固定された
フレーム8の下方に突き上げビン21が位置しており、
この突き上げビン21がウェハ2の裏面の所定位置直下
に移動し、さらに上昇して、順次ペレット10の突き上
げ動作を行う、一方、フレーム8の上方にはペレットl
Oを吸着するコレット22が位置しており、突き上げビ
ン21の突き上げ動作にともなって、UVテープ9の粘
着面から突き上げられたペレット10を、該コレット2
2が下降してきて真空吸着して保持するようになってい
る。このとき、本実施例では、第4図に示すように、U
Vテープ9上のペレットIOの部分の粘着面は、紫外線
4の照射により粘着力が低下しているため、ペレットl
0(10a)はUVテープ9から容易に分離してコレッ
ト22に真空吸着される。これに対して、720部11
は前記マスク17の作用により照射部5で紫外線4が遮
られていたため、粘着力が強いままで維持されており、
UVテープ9上からは容易に分離されないようになって
いる。このため、前記コレット22によってペレット1
0が真空吸着される際に、ビックアンプされるペレット
lOに隣接された720部11はUVテープ9上の所定
位置を移動することを防止される。したがって、720
部11の移動にともなうウェハ2の損傷等を防止できる
ことになる。
In the pickup section 7, a push-up bin 21 is located below a frame 8 fixed by a fixing means 24.
This push-up bin 21 moves to a predetermined position directly below the back surface of the wafer 2, and further rises to perform the push-up operation of the pellets 10 in sequence.
A collet 22 that adsorbs O is located, and as the push-up bottle 21 pushes up, the pellet 10 pushed up from the adhesive surface of the UV tape 9 is picked up by the collet 22.
2 comes down and is held by vacuum suction. At this time, in this embodiment, as shown in FIG.
The adhesive surface of the pellet IO portion on the V-tape 9 has decreased adhesive strength due to the irradiation with ultraviolet rays 4, so the pellet l
0 (10a) is easily separated from the UV tape 9 and vacuum-adsorbed to the collet 22. On the other hand, 720 copies 11
Because the ultraviolet rays 4 were blocked by the irradiation part 5 due to the action of the mask 17, the adhesive force remained strong,
It is designed so that it cannot be easily separated from the UV tape 9. Therefore, the collet 22 makes the pellet 1
When 0 is vacuum-adsorbed, the part 720 11 adjacent to the pellet 1O subjected to big amplification is prevented from moving at a predetermined position on the UV tape 9. Therefore, 720
Damage to the wafer 2 due to movement of the portion 11 can be prevented.

さらに、720部11が強い粘着力によりUVテープ9
上に残着されているため、ウェハ2の全体の位置ずれを
も防止することができる。このことは、特に良品のペレ
ットのみをピックアップする場合に有効である。すなわ
ち、第4図に示すように、UVテープ9上から良品のペ
レット10aのみをとツクアップし、不良品ペレット1
0bについてはUVテープ9上に残着させたままの状態
にしておく場合、残着状態の不良品ベレッl−10bは
、前述のように紫外線4の照射により粘着力の低い状態
で被着されているものの、わずかな連結状態を維持して
いる周囲の720部11が強い粘着力でUVテープ9上
に被着されている。したがって、良品のベレットIOa
のみを選択的にピックアップする際にもウェハ2の全体
は位置ずれを生ずることなく、UVテープ上での所定位
置を維持した状態となっている。このため、正確な位置
でのベレット10のピックアップを行うことができる。
Furthermore, 720 parts 11 has a strong adhesive strength that makes UV tape 9
Since it remains on the top, it is possible to prevent the entire position of the wafer 2 from shifting. This is particularly effective when picking up only good pellets. That is, as shown in FIG. 4, only the good pellets 10a are picked up from the UV tape 9, and the defective pellets 1 are picked up.
If 0b is left on the UV tape 9, the defective Veret 1-10b that remains on the UV tape 9 will be adhered with low adhesive strength due to the irradiation with ultraviolet 4 as described above. However, the surrounding 720 parts 11, which maintain a slight connection state, are adhered to the UV tape 9 with strong adhesive force. Therefore, good quality Beret IOa
Even when only the wafer 2 is selectively picked up, the entire wafer 2 maintains its predetermined position on the UV tape without any displacement. Therefore, the pellet 10 can be picked up at an accurate position.

このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。
As described above, according to this embodiment, the following effects can be obtained.

(1)、所定形状の遮光パターン19が形成されたマス
ク17を介してウェハ2の被着されたUVテープ9の裏
面に紫外線4を照射することによって、UVテープ9の
粘着面上で720部11の部分は強い粘着力を維持させ
て、ベレット10の部分のみの粘着力を低下させること
ができるため、所定位置のベレット10のみのピックア
ップを容易に行うことができる。
(1) By irradiating the back side of the UV tape 9 on which the wafer 2 is attached with ultraviolet rays 4 through the mask 17 on which the light-shielding pattern 19 of a predetermined shape is formed, 720 copies are applied on the adhesive surface of the UV tape 9. Since it is possible to maintain strong adhesive force in the portion 11 and reduce the adhesive force only in the portion of the pellet 10, it is possible to easily pick up only the pellet 10 at a predetermined position.

(2ン、前記filにより、720部11はUVテープ
9上に強く残着させたままの状態で、ベレット10のみ
をピックアップすることができるため、720部11の
移動によるウェハ2の損傷を防止できる。
(2) Due to the above-mentioned fil, only the pellet 10 can be picked up while the 720 part 11 remains strongly attached to the UV tape 9, so damage to the wafer 2 due to movement of the 720 part 11 can be prevented. can.

(3)、前記(1)により、ウェハ2から良品ベレット
10aのみを選択的にピックアップする際に、ウェハ2
の全体の位置ずれを防止でき、正確な位置でのピックア
ップが可能となる。
(3) According to (1) above, when selectively picking up only the good pellets 10a from the wafer 2, the wafer 2
It is possible to prevent the entire position from shifting, and it is possible to pick up at an accurate position.

(4)、前記(11,(2+、および(3)により、信
頼性の高いウェハ分割を実現することができる。
(4) With (11, (2+), and (3) above, highly reliable wafer division can be realized.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、実施例では各
ウェハ部分は連結状態を維持する、いわゆるセミダイシ
ングによる場合について説明したが、各ウェハ部分をU
Vテープ上で完全に独立状態に分割する、いわゆるフル
ダイシングであってもよい。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor. For example, in the embodiment, a case was explained in which so-called semi-dicing was used in which each wafer part maintained a connected state, but each wafer part was
So-called full dicing, in which the wafer is divided completely independently on the V-tape, may also be used.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、いわゆる半導体装置の製造に用
いられるウェハの分割に適用した場合について説明した
が、これに限定されるものではなく、他の電子素子の製
造に用いられるウェハであってもよい。
In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to its field of application, which is the division of wafers used in the manufacture of semiconductor devices, but the present invention is not limited to this, and other It may also be a wafer used for manufacturing electronic devices.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、ウェハを所定光の照射により粘着力の低下す
る透光性のあるテープの粘着面に被着した状態でダイシ
ングし、該テープの粘着面の裏面側に所定形状の遮光パ
ターンが形成されたマスクを整合させて、このマスクを
介して該テープに対して所定光の照射を行った後、所定
部位のベレットをピックアップすることにより、マスク
に形成される遮光パターン次第で、ウェハ裏面の任意の
部位の粘着力のみを低下させることが可能となるため、
ピックアップを行う行う際に、他のウェハ部分の移動あ
るいは位置ずれ等を生じない。そのため、信頼性の高い
ウェハ分割を行うことができる。
That is, the wafer was diced while attached to the adhesive surface of a translucent tape whose adhesive strength decreased when irradiated with a predetermined light, and a light-shielding pattern of a predetermined shape was formed on the back side of the adhesive surface of the tape. After aligning the mask and irradiating the tape with a predetermined light through the mask, by picking up the pellet at a predetermined location, depending on the light-shielding pattern formed on the mask, any part of the backside of the wafer can be detected. Since it is possible to reduce only the adhesive strength of the part,
When picking up the wafer, no movement or displacement of other wafer parts occurs. Therefore, highly reliable wafer division can be performed.

【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例であるウェハ分割装置を示す
概略図、 第2図はフレームに取付けられた状態のウェハを示す平
面図、 第3図はフレームに取付けられた状態のマスクを示す平
面図、 第4図はピックアップ時におけるウェハ上のベレットと
TEC,部との形成状態を示す拡大部分断面図である。 1・・・ウェハ分割装置、2・・・ウェハ、3・・・ダ
イシング部、4・・・紫外線、5・・・照射部、7・・
・ピンクアップ部、8・・・フレーム、8a・・・フレ
ーム部材、8b、8c・・・切欠部、9・・・UVテー
プ、10・・・ペレット、IOa・・・良品ペレット、
10b・・・不良品ペレット、11・・・TBG部、1
2・・・ダイシングステージ、13・・・ダイシングブ
レード、14.15・−−XYテーブル、14a。 15a・・・照射窓、16・・・紫外線照射ランプ、1
7・・・マスク、1B・・・石英ガラス、19・・・S
m光バ9−ン、20a・・・フレーム部材、20b、2
0c・・・切欠部、21・・・突き上げビン、22・・
・コレット、23・・・切込み、24・・・固定手段。
[BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS] Fig. 1 is a schematic diagram showing a wafer dividing device which is an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a plan view showing a wafer attached to a frame, and Fig. 3 is a plan view showing a wafer attached to a frame. FIG. 4 is a plan view showing the attached mask; and FIG. 4 is an enlarged partial sectional view showing the formation of the pellet and TEC on the wafer during pickup. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Wafer dividing device, 2... Wafer, 3... Dicing part, 4... Ultraviolet rays, 5... Irradiation part, 7...
・Pink-up part, 8... Frame, 8a... Frame member, 8b, 8c... Notch, 9... UV tape, 10... Pellet, IOa... Good pellet,
10b...defective pellet, 11...TBG section, 1
2... Dicing stage, 13... Dicing blade, 14.15... XY table, 14a. 15a... Irradiation window, 16... Ultraviolet irradiation lamp, 1
7...Mask, 1B...Quartz glass, 19...S
m optical bar 9-, 20a... frame member, 20b, 2
0c... Notch, 21... Push-up bottle, 22...
-Collet, 23...notch, 24...fixing means.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、所定光の照射により粘着力の低下する透光性のある
テープの粘着面にウェハを被着した状態でウェハをダイ
シングし、該テープの粘着面の裏面側に所定形状の遮光
パターンが形成されたマスクを整合させて、このマスク
を介して該テープに対して所定光の照射を行った後、所
定部位のペレットをピックアップするウェハ分割方法。 2、前記ウェハがその表面にペレット形成領域とともに
検査素子の形成された余領域を有しており、前記マスク
が該余領域の裏面部位への所定光の照射を遮るパターン
を有することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
ウェハ分割方法。 3、照射される光が紫外線であることを特徴とする特許
請求の範囲第1項または第2項記載のウェハ分割方法。 4、所定光の照射により粘着力の低下するテープの粘着
面にウェハが被着された状態でウェハをダイシングする
ダイシング機構と、ウェハに対して所定形状の遮光パタ
ーンが形成されたマスクの位置合わせを行う位置合わせ
手段および該マスクを介してテープの粘着面の裏面に対
して所定光の照射を行う照射手段を有する照射機構と、
所定位置のペレットをテープの粘着面の裏面側から突き
上げるピックアップ用ピンを有するピックアップ機構と
を有するウェハ分割装置。 5、光の照射手段が紫外線照射手段であることを特徴と
する特許請求の範囲第4項記載のウェハ分割装置。
[Claims] 1. Dice the wafer with the wafer attached to the adhesive surface of a translucent tape whose adhesive strength decreases when irradiated with a predetermined light, and place a predetermined amount of adhesive on the back side of the adhesive surface of the tape. A wafer dividing method in which a mask on which a shaped light-shielding pattern is formed is aligned, a predetermined light is irradiated onto the tape through the mask, and then pellets at a predetermined portion are picked up. 2. The wafer has, on its front surface, an extra area where test elements are formed as well as a pellet forming area, and the mask has a pattern that blocks irradiation of a predetermined light to a back surface part of the extra area. A wafer dividing method according to claim 1. 3. The wafer dividing method according to claim 1 or 2, wherein the irradiated light is ultraviolet light. 4. Aligning the dicing mechanism that dices the wafer with the wafer attached to the adhesive surface of the tape whose adhesive strength decreases when irradiated with a predetermined light, and the mask on which a light-shielding pattern of a predetermined shape is formed on the wafer. an irradiation mechanism having an irradiation means for irradiating a predetermined light onto the back surface of the adhesive surface of the tape through the mask;
A wafer dividing apparatus comprising a pickup mechanism having a pickup pin that pushes up pellets at a predetermined position from the back side of the adhesive surface of the tape. 5. The wafer dividing apparatus according to claim 4, wherein the light irradiation means is an ultraviolet irradiation means.
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