JPS62204542A - Method and apparatus for dividing wafer - Google Patents

Method and apparatus for dividing wafer

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Publication number
JPS62204542A
JPS62204542A JP61046213A JP4621386A JPS62204542A JP S62204542 A JPS62204542 A JP S62204542A JP 61046213 A JP61046213 A JP 61046213A JP 4621386 A JP4621386 A JP 4621386A JP S62204542 A JPS62204542 A JP S62204542A
Authority
JP
Japan
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wafer
irradiation
tape
spot
pellet
Prior art date
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Pending
Application number
JP61046213A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Mimata
巳亦 力
Tokio Iguchi
井口 時男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP61046213A priority Critical patent/JPS62204542A/en
Publication of JPS62204542A publication Critical patent/JPS62204542A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To divide a wafer in high reliability by picking up only a pellet of a position which is subjected to spot irradiation to prevent the wafer from damaging due to the movement of the wafer. CONSTITUTION:A transparent plastic tape 9 which reduces its bonding strength by irradiation of ultraviolet rays is bonded on a frame 8, and its adhesive surface is coated with a wafer 2 in which an element forming surface is disposed upside. After a dicing is completed, the frame 8 is fed to an irradiation unit 5. The unit 5 has a framelike XY table 15 having an irradiation window 14 and an ultraviolet irradiation lamp 16. The position of the wafer 2 is detected, and spot irradiation of ultraviolet rays 4 is selectively performed by means of the lamp 16. After the irradiation of the ultraviolet rays 4 is performed predetermined times, the frame 8 is fed to a pickup unit 7. A lifting pin 18 sequentially moves the back surface of the wafer 2 on which spot irradiation of the rays 4 is performed by means of the unit 5 to protrude only good pellets 6. They are sucked by vacuum by means of a collet 19.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造における半導体ウェハの分
割に通用して有効な技術に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a technique commonly and effectively used for dividing semiconductor wafers in the manufacture of semiconductor devices.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体ウェハの分割技術については、たとえば株式会社
工業調査会、1980年1月15日発行「IC化実装技
術」 (日本マイクロエレクトロニクス協会線)、P1
00〜PIOIに記載されており、ここでは、プラスチ
ック製の粘着シート上でウェハを分割して、シートを引
き延ばした後に突き上げツールにより該シートの裏面側
からペレット部分を突き上げて、上方からコレットで吸
着する技術が紹介されている。
Regarding semiconductor wafer dividing technology, see, for example, Kogyo Kenkyukai Co., Ltd., "IC Mounting Technology" (Japan Microelectronics Association), January 15, 1980, P1.
00 to PIOI, and here, after dividing the wafer on a plastic adhesive sheet and stretching the sheet, the pellet portion is pushed up from the back side of the sheet using a push-up tool, and then adsorbed from above with a collet. The technology to do this is introduced.

本発明者は、ウェハの分割技術について検討した。以下
は、公知とされた技術ではないが、本発明者によって検
討された技術であり、その概要は次の通りである。
The present inventor studied wafer dividing technology. Although the following is not a publicly known technique, it is a technique studied by the present inventor, and its outline is as follows.

すなわち、ウェハの分割に際して、ウェハをアルミニウ
ム合金等からなるフレーム部材に張設さ−れた粘着テー
プに被着した状態で、ダイシングおよびピックアンプを
行うことが知られている。
That is, it is known that when dividing a wafer, dicing and pick amplifier are performed while the wafer is adhered to an adhesive tape stretched over a frame member made of an aluminum alloy or the like.

ところで、ピックアップを行う際には、粘着テープの粘
着力が強すぎると、ピックアップされるペレットが粘着
テープから容易に離脱せず、そのために粘着テープが変
形し、ウェハ全体の位置ずれを生じる場合がある。
By the way, when picking up wafers, if the adhesive strength of the adhesive tape is too strong, the pellets being picked up will not easily separate from the adhesive tape, which may deform the adhesive tape and cause misalignment of the entire wafer. be.

このため、粘着テープとしてUVテープ(UltraV
iolet Tape)とよばれる、紫外線の照射によ
り粘着力を低下させることの可能な透明のプラスチック
テープにウェハを被着させて作業を行うことが考えられ
る。
For this reason, UV tape (UltraV
One possibility is to attach the wafer to a transparent plastic tape called iolet tape, whose adhesive strength can be reduced by irradiation with ultraviolet light.

すなわち、ダイシング時は強い粘着力を維持しておき、
ピックアップの直前に、当該UVテープの裏面側に紫外
線を照射して粘着力を低下させ、ペレットのピックアッ
プを容易にするものである。
In other words, maintain strong adhesive strength during dicing.
Immediately before pick-up, the back side of the UV tape is irradiated with ultraviolet rays to reduce the adhesive strength and make it easier to pick up the pellets.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ところが、上記技術では、紫外線の照射によりUVテー
プの粘着面全体の粘着力が低下してしまうため、ペレッ
トをピックアップする際に、隣接されるペレットも同時
に粘着面から離脱してしまう場合がある。特に、ペレッ
トの隣接部分にTBG部(Testing [!Iem
ent Group)とよばれる検査素子形成領域が設
けられている場合には、ペレットとは独立にダイシング
されている該TBG部がペレットのピックアップにとも
ない移動して、他のウェハ表面を損傷するおそれもある
However, in the above technique, the adhesive strength of the entire adhesive surface of the UV tape decreases due to ultraviolet irradiation, so when picking up a pellet, adjacent pellets may also separate from the adhesive surface at the same time. In particular, the TBG region (Testing [!Iem
If a test element formation area called an ent group is provided, there is a risk that the TBG portion, which is diced independently of the pellet, may move as the pellet is picked up and damage other wafer surfaces. be.

本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、
その目的は信頼性の高いウェハ分割技術を提供すること
にある。
The present invention has been made focusing on the above problems,
The purpose is to provide a reliable wafer splitting technique.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、ウェハを所定光の照射により粘着力の低下す
る透光性のあるテープの粘着面に被着した状態でダイシ
ングし、該テープの粘着面の裏面側より選択的に所定部
位にのみ所定光のスポット照射を行い、該スポット照射
の行われた部位のペレットのみをピックアップするもの
である。
That is, a wafer is diced while being adhered to the adhesive surface of a translucent tape whose adhesive strength decreases when irradiated with a predetermined light, and a predetermined light is selectively applied only to predetermined areas from the back side of the adhesive surface of the tape. This method performs spot irradiation and picks up only the pellets in the area where the spot irradiation was performed.

〔作用〕[Effect]

上記した手段によれば、所定光のスポット照射により、
テープの粘着面のうち、必要な部分のみの粘着力を低下
させかつ、その他の部分は強い粘着力を維持させておく
ことができるため、必要なペレットのみのピックアップ
を他の部分に影響を与えることなく容易に行うことがで
きる。
According to the above-mentioned means, by spot irradiation with the predetermined light,
Because it is possible to reduce the adhesive strength of only the necessary parts of the tape's adhesive surface while maintaining strong adhesive strength on other parts, it is possible to pick up only the necessary pellets without affecting other parts. It can be easily done without.

〔実施例1〕 第1図は本発明の一実施例であるウェハ分割装置を示す
概略図、第2図はフレームに取付けられた状態のウェハ
を示す平面図である。
[Embodiment 1] FIG. 1 is a schematic diagram showing a wafer dividing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing a wafer attached to a frame.

本実施例1のウェハ分割袋rIt1は、たとえば第1図
に示すように、ウェハ2の切断を行うダイシング部3、
紫外線4の照射を行う照射部5およびペレット6の取り
出しを行うピックアップ部7とからなる。
The wafer division bag rIt1 of the first embodiment includes, for example, a dicing section 3 for cutting the wafer 2, as shown in FIG.
It consists of an irradiation section 5 that irradiates ultraviolet rays 4 and a pickup section 7 that takes out pellets 6.

ウェハ2は、第2図に示すようにフレーム8の状態で提
供され、このフレーム8は四角形状のステンレス合金か
らなるフレーム部材8aにUVテ−プ9 (Ultra
 Vio!eL Tape)、すなわち紫外線4の照射
により粘着力の低下する透明のプラスチックテープを張
設したものであり、該UVテープ9の粘着面に素子の形
成面を上面にした状態でウェハ2が取付けられている。
The wafer 2 is provided in a frame 8 as shown in FIG. 2, and this frame 8 has a UV tape 9 (Ultra
Vio! eL Tape), that is, a transparent plastic tape whose adhesive strength decreases when irradiated with ultraviolet rays 4 is stretched, and the wafer 2 is attached to the adhesive surface of the UV tape 9 with the surface on which the elements are formed facing upward. ing.

本実施例1のウェハ2は、たとえば1メガバイトのメモ
リ容量を有するペレット6を1単位として、このペレッ
ト6が縦横方向に多数形成されており、各ペレット6の
長方形状の隣接領域にはTEG部10が形成されている
。このTEG部10の表面には図示しないアライメント
マークおよび検査用素子等が多数形成されている。ここ
でたとえば検査用素子とは、ペレット6上に形成される
所定の素子と同一工程で、同一構造に形成されるもので
あり、該検査用素子を検査することにより、ペレット6
上の素子の形成状態を間接的に検査することが可能なも
のである。
In the wafer 2 of the first embodiment, a large number of pellets 6 having a memory capacity of, for example, 1 megabyte are formed as one unit in the vertical and horizontal directions, and the rectangular adjacent area of each pellet 6 has a TEG section. 10 are formed. On the surface of this TEG section 10, a large number of alignment marks, inspection elements, etc. (not shown) are formed. Here, for example, the test element is formed in the same process and with the same structure as a predetermined element formed on the pellet 6, and by testing the test element, the pellet 6
It is possible to indirectly inspect the formation state of the upper element.

このTBG部としては具体的には、たとえば1メガバイ
ト程度の容量を有するメモリー素子の形成されたペレッ
トでは、ベレンHn域が縦5鶴。
Specifically, for this TBG portion, for example, in a pellet in which a memory element having a capacity of about 1 megabyte is formed, the Belen Hn region has five vertical cranes.

横10++■程度とすると、該ペレットの短辺に隣接し
て幅1.5龍程度のTEC部領域が必要となる。
If the width is about 10++■, a TEC region with a width of about 1.5 mm is required adjacent to the short side of the pellet.

前記フレーム8が、図示しない移送手段によってダイシ
ング部3のダイシングステージ11の所定位置にfi!
置されると、円板状のダイシングブレード12が高速回
転状態でウェハ2の所定位置に下降して、さらに水平方
向に移動してウェハ2のダイシング作業を行う。
The frame 8 is moved fi! to a predetermined position on the dicing stage 11 of the dicing unit 3 by a transfer means (not shown).
Once placed, the disk-shaped dicing blade 12 descends to a predetermined position on the wafer 2 while rotating at high speed, and further moves in the horizontal direction to perform dicing of the wafer 2.

ここで、本実施例のダイシングは、ウェハ2の表面から
裏面までを完全に分離するいわゆるフルダイシングでは
なく、表面から裏面近傍までの切込みを形成して、この
裏面部分では各ウェハ部分がわずかに連結されている、
いわゆるセミダイシングである。
Here, the dicing of this embodiment is not so-called full dicing in which the front surface of the wafer 2 is completely separated from the back surface, but a cut is formed from the front surface to the vicinity of the back surface, and each wafer portion is slightly separated from the back surface portion. are connected,
This is so-called semi-dicing.

また、ダイシングは各ペレット5およびTEG部10毎
に、その境界領域に沿って行われる。したがって、ダイ
シング後の状態はペレット6およびTEC部IOが各々
ブロック状態で連結された構造となっている。
Further, dicing is performed for each pellet 5 and TEG section 10 along the boundary area thereof. Therefore, after dicing, the pellet 6 and the TEC part IO are connected in a block state.

前記のようにしてダイシングが完了した後、フレーム8
は照射部5に送られる。
After dicing is completed as described above, the frame 8
is sent to the irradiation section 5.

照射部5は、中央に照射窓14の開設された枠状のXY
テーブル15と、該XYテーブル15の下方に設けられ
た紫外線照射ランプ16とを有している。XYテーブル
15の照射窓14は前記フレーム部材8aの内周縁部に
ほぼ対応した大きさで開設されており、これと整合する
ようにXYテーブル15上にフレーム8が!3!zされ
る。したがって、ウェハ2の粘着されたUVテープ9の
裏面側は、XYテーブル15の照射窓14より下方向に
露出された状態となっている。
The irradiation unit 5 is a frame-shaped XY with an irradiation window 14 in the center.
It has a table 15 and an ultraviolet irradiation lamp 16 provided below the XY table 15. The irradiation window 14 of the XY table 15 is opened in a size that approximately corresponds to the inner peripheral edge of the frame member 8a, and the frame 8 is placed on the XY table 15 so as to match this! 3! z will be done. Therefore, the back side of the UV tape 9 adhered to the wafer 2 is exposed downward from the irradiation window 14 of the XY table 15.

紫外線照射ランプ16は、その照射レンズ16aが上方
に位置するXYテーブル15の照射窓14を斜め方向か
ら臨むように取付けられており、照射窓14の所定位置
に紫外線4をビーム状にスポット照射できる構造となっ
ている。
The ultraviolet ray irradiation lamp 16 is installed so that its irradiation lens 16a faces the irradiation window 14 of the XY table 15 located above from an oblique direction, and can irradiate a spot of ultraviolet 4 in the form of a beam onto a predetermined position of the irradiation window 14. It has a structure.

XYテーブル15上にフレーム8が載置されると、図示
しない制御部によりウェハ2の位置検出が行われ、該検
出情報にもとづいて、XYテーブル15が作動してUV
テープ9の裏面の所定位置に紫外線照射ランプ16によ
り選択的に順次紫外線4がスポット照射される。
When the frame 8 is placed on the XY table 15, a control unit (not shown) detects the position of the wafer 2, and based on the detected information, the XY table 15 operates to
Ultraviolet rays 4 are selectively and sequentially spot-irradiated onto predetermined positions on the back surface of the tape 9 by an ultraviolet irradiation lamp 16.

このスポット照射部位は、本実施例1では予め検出され
ている良品ペレット6の裏面に対応するUVテープ9の
部分である。1箇所での紫外線4の照射時間は、短時間
で十分であり、このような紫外線4の照射が所定の回数
だけ行われたのち、フレーム8はピックアップ部7に送
られる。
In the first embodiment, this spot irradiation region is a portion of the UV tape 9 corresponding to the back surface of the non-defective pellet 6 that has been detected in advance. A short time is sufficient for the irradiation time of the ultraviolet rays 4 at one location, and after such irradiation with the ultraviolet rays 4 has been performed a predetermined number of times, the frame 8 is sent to the pickup section 7.

ピックアップ部7においては、固定手段17により固定
されたフレーム8の下方に、突き上げピン18が位置し
ている。この突き上げピン18は、前記照射部5で紫外
線4がスポット照射されたウェハ2の裏面部分を順次移
動して、当該ペレット部分、すなわち良品ペレット6の
みを突き上げる。
In the pickup section 7, a push-up pin 18 is located below the frame 8 fixed by the fixing means 17. The push-up pins 18 sequentially move over the back surface portions of the wafer 2 that have been spot-irradiated with the ultraviolet rays 4 by the irradiation unit 5, and push up only the pellet portions, that is, the good pellets 6.

この突き上げ動作により、ペレット6はUVテープ9の
粘着面から離脱してペレット6の上方に位置するコレッ
ト19に真空吸着される。このとき、本実施例1では、
ピックアップされる部位のペレット6の部分のみが紫外
線4のスポット照射により粘着力が低下しているため、
該ペレット6はU■テープ9から容易に分離してコレッ
ト19に真空吸着される。一方、ピックアップを行わな
いその他の部分、すなわちTEG部10あるいは不良品
ペレット部分に対応するUVテープ9の部分はいぜんと
して強い粘着力を維持している。したがって、これらT
BG部10等は、コレット19による良品ペレット6の
部分のピックアップの際にもUVテープ9上の所定位置
で強い粘着力により残着された状態となっている。した
がって、前記TBG部10や不良品ペレット部分の移動
によるウェハ2の損傷等を防止できる。
By this pushing-up operation, the pellet 6 separates from the adhesive surface of the UV tape 9 and is vacuum-adsorbed by the collet 19 located above the pellet 6. At this time, in the first embodiment,
Because only the portion of the pellet 6 that is to be picked up has decreased adhesive strength due to spot irradiation with ultraviolet 4,
The pellet 6 is easily separated from the U-tape 9 and vacuum-adsorbed onto the collet 19. On the other hand, other portions of the UV tape 9 that are not picked up, ie, portions of the UV tape 9 corresponding to the TEG portion 10 or the defective pellet portion, still maintain strong adhesive strength. Therefore, these T
Even when the collet 19 picks up the non-defective pellet 6 portion, the BG portion 10 remains attached at a predetermined position on the UV tape 9 due to strong adhesive force. Therefore, damage to the wafer 2 due to movement of the TBG section 10 or defective pellets can be prevented.

また、粘着力の低下した良品ペレット6の部分のみを選
択的にピックアップし、その他の部分は強い粘着力でU
Vテープ9上に残着させおくため、UVテープ9上での
ウェハ2全体の位置ずれを防止でき、正確な位置でのペ
レット6のピックアップが可能となり、ピックアップミ
スを防止できる。
In addition, only the part of the good pellet 6 with reduced adhesive strength is selectively picked up, and the other parts are picked up with strong adhesive strength.
Since the pellets remain on the V-tape 9, it is possible to prevent the entire wafer 2 from shifting on the UV tape 9, and it is possible to pick up the pellets 6 at an accurate position, thereby preventing pick-up mistakes.

このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。
As described above, according to this embodiment, the following effects can be obtained.

(1)、紫外線照射ランプ16により、UVテープ9の
裏面の良品ペレット6に対応する部位のみに選択的に紫
外線4をスポット照射することにより、ウェハ2の良品
ペレット6以外の部分は強い粘着力を維持した状態でU
Vテープ9上に残着されているため、良品ペレット6の
みを容易にピックアップすることができる。
(1) By selectively spot-irradiating ultraviolet light 4 only on the part corresponding to the good pellet 6 on the back side of the UV tape 9 using the ultraviolet irradiation lamp 16, the parts of the wafer 2 other than the good pellet 6 have strong adhesive strength. U while maintaining
Since they are left on the V-tape 9, only good pellets 6 can be easily picked up.

(2)、前記(1)により、TEG部10あるいは不良
品ペレット部分はUVテープ9上に強く残着させたまま
の状態で、良品ペレット6のみをピックアップすること
ができるため、TEG部10あるいは不良品ペレットの
移動によるウェハ2の損傷を防止できる。
(2) According to (1) above, only the good pellets 6 can be picked up while the TEG section 10 or the defective pellet remains strongly attached to the UV tape 9. Damage to the wafer 2 due to movement of defective pellets can be prevented.

(3)、前記(11により、ウェハ2から良品ペレット
6のみをピックアップする際に、他の部分が強い粘着力
でUVテープ9上に被着されているため、ウェハ2の全
体の位置ずれを防止でき、ピックアップミスを防止でき
る。
(3) According to (11) above, when picking up only the good pellets 6 from the wafer 2, since the other parts are adhered to the UV tape 9 with strong adhesive force, the entire position of the wafer 2 may be misaligned. It is possible to prevent pickup mistakes.

(4)、前記+11. (21および(3)により、信
顛性の高いウェハ分割を実現することができる。
(4), above +11. (21 and (3)) makes it possible to achieve highly reliable wafer division.

〔実施例2〕 第3図は本発明の他の実施例であるウェハ分割装置に適
用されるピックアップ部を示す概略図である。
[Embodiment 2] FIG. 3 is a schematic diagram showing a pickup section applied to a wafer dividing apparatus according to another embodiment of the present invention.

本実施例2はピックアップ部21により紫外線4のスポ
ット照射をも行うものである。
In the second embodiment, the pickup section 21 also performs spot irradiation with ultraviolet 4 rays.

すなわち、本実施例2のピックアップ部21は突き上げ
ピン22を有しており、この突き上げピン22には紫外
線照射ランプ23が内蔵されている。前記突き上げピン
22は、たとえば石英等の透光性を有するピン本体24
に突設された多数のピン部25を有しており、内蔵され
た紫外線照射ランプ23より発せられた紫外線4がピン
本体24を通過してさらにピン部25すなわち突き上げ
方向に対して紫外線4のスポット照射が可能な構造とな
っている。
That is, the pickup section 21 of the second embodiment has a push-up pin 22, and the push-up pin 22 has a built-in ultraviolet irradiation lamp 23. The push-up pin 22 is made of a translucent pin body 24 made of quartz or the like.
It has a large number of pin parts 25 protruding from the pin part 25, and the ultraviolet rays 4 emitted from the built-in ultraviolet irradiation lamp 23 pass through the pin body 24 and are further directed toward the pin parts 25, that is, in the pushing up direction. The structure allows for spot irradiation.

一方、フレーム28は実施例1と同様にアルミニウム合
金からなるフレーム部材28aにUVテープ29が張設
され、該UVテープ29の粘着面上にウェハ32がその
回路形成面を上面にした状態で取付けられたものである
が、本実施例2のウェハ32は実施例1のウェハ2とは
異なり、TF。
On the other hand, in the frame 28, a UV tape 29 is stretched on a frame member 28a made of an aluminum alloy as in the first embodiment, and a wafer 32 is attached on the adhesive surface of the UV tape 29 with its circuit forming surface facing upward. However, unlike the wafer 2 of Example 1, the wafer 32 of Example 2 is TF.

0部10は形成されていない。Part 0 10 is not formed.

ピックアップ部21には、フレーム2日はダイシングを
完了した状態で提供され、ピックアンプ部21の図示し
ない制御部には予め当該ウェハ32のペレット36に関
する良否情報が入力されている。この制御部の良否情報
に基づいてフレーム28が順次XY所定方向に移動され
て、突き上げピン22が選択的にウェハ32中の良品ペ
レット36a部分の直下に位置される0次に突き上げピ
ン22に内蔵された紫外線照射ランプ23により所定の
良品ペレット36aの部分のUVテープ29の粘着面の
裏面側に対して、紫外線4のスポット照射が行われる。
The pickup unit 21 is provided with the frame in a state where dicing has been completed on the second day, and quality information regarding the pellets 36 of the wafer 32 is inputted in advance to a control unit (not shown) of the pick amplifier unit 21. The frame 28 is sequentially moved in the XY predetermined directions based on the quality information of the control unit, and the push-up pins 22 are selectively installed in the zero-order push-up pins 22 located directly below the non-defective pellets 36a in the wafer 32. The ultraviolet ray irradiation lamp 23 then irradiates a spot of ultraviolet 4 onto the back side of the adhesive surface of the UV tape 29 in a portion of a predetermined non-defective pellet 36a.

このスポット照射により、当該照射部分のUVテープ2
9の粘着力は著しく低下する。
By this spot irradiation, the UV tape 2 of the irradiated area
The adhesive strength of No. 9 is significantly reduced.

前記スポット照射が完了した後に、突き上げピン22が
前記スポット照射大向に突き上げ動作を行い、当該照射
部分の良品ペレッI−36aがUVテープ29から離脱
して該良品ペレット36aの上方に位置するコレット(
図示せず)に真空吸着される。
After the spot irradiation is completed, the push-up pin 22 performs a push-up operation toward the direction of the spot irradiation, and the good pellet I-36a in the irradiated area is separated from the UV tape 29, and the collet is located above the good pellet 36a. (
(not shown) is vacuum-adsorbed.

このとき、実施例1と同様に、ピックアップされる部位
のペレット部分すなわら良品ペレット36aの部分のみ
が紫外線4のスポット照射によりその粘着力が低下して
いるため、当該良品ペレット36aは突き上げピン22
の突き上げ動作によって、UVテープ29の粘着面から
容易に離脱される。またその他のビックアンプされない
部分、たとえば不良品ペレット36bの部分は紫外線4
の照射がおこなわれないため、強い粘着力を維持した状
態でUVテープ29上に被着されている。
At this time, as in Example 1, only the portion of the pellet to be picked up, that is, the portion of the good pellet 36a, has its adhesive strength reduced by the spot irradiation with the ultraviolet 4, so the good pellet 36a is not pushed up by the push-up pin. 22
By pushing up the UV tape 29, it is easily separated from the adhesive surface of the UV tape 29. In addition, other parts that are not subjected to big amplification, such as the part of the defective pellet 36b, are exposed to ultraviolet 4
Since no irradiation is performed, the UV tape 29 is adhered to the UV tape 29 while maintaining its strong adhesive strength.

したがって、良品ペレット36aのみをピックアップす
る場合に、隣接される不良品ペレット36b等のウェハ
部分に影響を与えることなくピックアップ作業を行うこ
とができる。
Therefore, when picking up only the good pellets 36a, the pick-up operation can be performed without affecting the adjacent wafer portions such as the defective pellets 36b.

このように、本実施例2においても実施例1と同様の効
果を得ることができる。
In this way, the same effects as in the first embodiment can be obtained in the second embodiment as well.

さらに、本実施例2によれば、突き上げピン22に紫外
線照射ランプ23が内蔵されているため、紫外線4の照
射工程とピックアップ工程とを同一機構で行うことが可
能となり、フレーム28の移送等を合理化でき、効率の
良好なウェハ分割を行うことができる。
Furthermore, according to the second embodiment, since the push-up pin 22 has the ultraviolet irradiation lamp 23 built-in, it is possible to perform the ultraviolet 4 irradiation process and the pick-up process with the same mechanism, and the transfer of the frame 28, etc. It is possible to rationalize and perform efficient wafer division.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、各実施例では
、いずれもダイシングについては、各ウェハ部分の境界
に沿って切込みを形成し、連結状態を維持する、いわゆ
るセミダイシングによる場合について説明したが、各ウ
ェハ部分を完全に独立状態に分断する、いわゆるフルダ
イシングであってもよい。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. For example, in each of the embodiments, so-called semi-dicing, in which cuts are formed along the boundaries of each wafer part to maintain a connected state, has been described; So-called full dicing, in which the wafer is divided into independent parts, may also be used.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、いわゆる半導体装置の製造に用
いられるウェハの分割に適用した場合について説明した
が、これに限定されるものではなく、他の電子素子の製
造に用いられるウェハであってもよい。
In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to its field of application, which is the division of wafers used in the manufacture of semiconductor devices, but the present invention is not limited to this, and other It may also be a wafer used for manufacturing electronic devices.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、ウェハを所定光の照射により粘着力の低下す
る透光性のあるテープの粘着面に被着した状態でダイシ
ングし、該テープの粘着面の裏面側より選択的に所定部
位にのみ所定光のスポット照射を行い、該スポット照射
の行われた部位のペレットのみをピックアップすること
により、ピックアップを行わないウェハ部分のテープは
強い粘着力を維持させておくことができるため、ピック
アップの際のウェハの位置ずれあるいはウェハ部分の移
動による損傷を防止でき、信頬性の高いウェハ分割を行
うことができる。
That is, a wafer is diced while being adhered to the adhesive surface of a translucent tape whose adhesive strength decreases when irradiated with a predetermined light, and a predetermined light is selectively applied only to predetermined areas from the back side of the adhesive surface of the tape. By performing spot irradiation and picking up only the pellets in the area where the spot irradiation was performed, the tape on the part of the wafer that is not being picked up can maintain strong adhesive strength, so the wafer can be Damage due to misalignment or movement of wafer parts can be prevented, and wafer division can be performed with high reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例であるウェハ分割装置を示す
概略図、 第2図は本実施例に用いられるウェハを取付けた状態の
フレームを示す平面図、 第3図は本発明の他の実施例であるウェハ分割装置に適
用されるピックアップ部を示す概略図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a wafer dividing apparatus which is an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing a frame with a wafer attached thereto used in this embodiment, and FIG. FIG. 2 is a schematic diagram showing a pickup section applied to a wafer dividing apparatus according to an embodiment of the present invention.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、所定光の照射により粘着力の低下する透光性のある
テープの粘着面にウェハを被着した状態でウェハをダイ
シングし、該テープの粘着面の裏面側より選択的に所定
部位にのみ所定光のスポット照射を行い、該スポット照
射の行われた部位のペレットのみをピックアップするウ
ェハ分割方法。 2、所定光のスポット照射を、テープの裏面に対して斜
め方向から行うことを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載のウェハ分割方法。 3、スポット照射される光が紫外線であることを特徴と
する特許請求の範囲第1項または第2項記載のウェハ分
割方法。 4、所定光の照射により粘着力の低下する透光性のある
テープの粘着面にウェハを被着した状態でウェハをダイ
シングするダイシング機構と、該ウェハの被着されたテ
ープの裏面側の任意に選択した所定部位に対して所定光
のスポット照射を行う照射機構と、該所定光のスポット
照射が行われた部位のペレットをテープの粘着面の裏面
側から突き上げるピックアップ用ピンを備えたピックア
ップ機構とを有するウェハ分割装置。 5、前記照射機構がテープの粘着面の裏面の被照射部位
に対して斜め方向から所定光のスポット照射を行う光源
であることを特徴とする特許請求の範囲第4項記載のウ
ェハ分割装置。 6、前記照射機構がピックアップ用ピンと一体構造とな
っていることを特徴とする特許請求の範囲第4項記載の
ウェハ分割装置。 7、光のスポット照射手段が紫外線スポット照射手段で
あることを特徴とする特許請求の範囲第4項、第5項ま
たは第6項記載のウェハ分割装置。
[Claims] 1. Dice the wafer with the wafer adhered to the adhesive surface of a translucent tape whose adhesive strength decreases when irradiated with a predetermined light, and select from the back side of the adhesive surface of the tape. A wafer dividing method in which a spot of predetermined light is irradiated only on a predetermined region, and only pellets in the region where the spot irradiation is performed are picked up. 2. The wafer dividing method according to claim 1, wherein the spot irradiation of the predetermined light is performed from an oblique direction with respect to the back surface of the tape. 3. The wafer dividing method according to claim 1 or 2, wherein the spot irradiated light is ultraviolet light. 4. A dicing mechanism that dices a wafer with the wafer adhered to the adhesive surface of a translucent tape whose adhesive strength decreases when irradiated with a predetermined light, and an arbitrary dicing mechanism on the back side of the tape to which the wafer is adhered an irradiation mechanism that performs spot irradiation of a predetermined light onto a predetermined region selected in the above, and a pickup mechanism that includes a pick-up pin that pushes up the pellet at the region where the spot irradiation of the predetermined light has been performed from the back side of the adhesive surface of the tape. A wafer dividing device comprising: 5. The wafer dividing apparatus according to claim 4, wherein the irradiation mechanism is a light source that irradiates a spot of predetermined light from an oblique direction onto an irradiated area on the back side of the adhesive surface of the tape. 6. The wafer dividing apparatus according to claim 4, wherein the irradiation mechanism has an integral structure with a pickup pin. 7. The wafer dividing apparatus according to claim 4, 5 or 6, wherein the light spot irradiation means is an ultraviolet spot irradiation means.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5972154A (en) * 1995-06-28 1999-10-26 Sony Corporation Methods of dicing flat workpieces
KR20010038913A (en) * 1999-10-28 2001-05-15 마이클 디. 오브라이언 Device for Picking Up Semiconductor Chip Unit
JP2011054650A (en) * 2009-08-31 2011-03-17 Nitto Denko Corp Method and device for peeling protective tape

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