JPS6220215A - 光電面およびその製造方法 - Google Patents
光電面およびその製造方法Info
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- JPS6220215A JPS6220215A JP60159766A JP15976685A JPS6220215A JP S6220215 A JPS6220215 A JP S6220215A JP 60159766 A JP60159766 A JP 60159766A JP 15976685 A JP15976685 A JP 15976685A JP S6220215 A JPS6220215 A JP S6220215A
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J40/00—Photoelectric discharge tubes not involving the ionisation of a gas
- H01J40/02—Details
- H01J40/04—Electrodes
- H01J40/06—Photo-emissive cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/12—Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、特に近赤外において大きな光感度を有し、か
つ光感度の劣化が少ない銀と酸化銀とカリウムとナトリ
ウムとセシウムとからなる光電面およびその光電面の製
造方法に関する。
つ光感度の劣化が少ない銀と酸化銀とカリウムとナトリ
ウムとセシウムとからなる光電面およびその光電面の製
造方法に関する。
(従来の技術)
赤外線領域において光感度を有する光電面として、銀と
酸素とセシウム(Ag−0−Cs)で形成されたものが
知られている。
酸素とセシウム(Ag−0−Cs)で形成されたものが
知られている。
このような光電面については、アルフレッド・ゾンマー
によって書かれた「フォトエミソシブマテリアルズ」
(ジョンワイリー アイド ザンスインク1.968)
に集成されている。
によって書かれた「フォトエミソシブマテリアルズ」
(ジョンワイリー アイド ザンスインク1.968)
に集成されている。
前記著w134ページから140ページによれば、銀の
薄膜の最適な厚さは100オングストロームないし20
0オングストロームである。
薄膜の最適な厚さは100オングストロームないし20
0オングストロームである。
これらの記述に基づいて光電面を製造すると、赤外線領
域において光感度を有する光電面が得られる。この光電
面は波長が1.2ミクロンまで光感度をもつ。
域において光感度を有する光電面が得られる。この光電
面は波長が1.2ミクロンまで光感度をもつ。
本件発明者は、前記銀と酸素とセシウム(Ag−O−C
s)で形成された光電面よりも、より長い波長領域に感
度をもつ、銀と酸化銀とカリウムとセシウムからなる光
電面とその製造方法(特公昭59−11181号)を提
案している。
s)で形成された光電面よりも、より長い波長領域に感
度をもつ、銀と酸化銀とカリウムとセシウムからなる光
電面とその製造方法(特公昭59−11181号)を提
案している。
この光電面は前記銀と酸素とセシウム(Ag−0−Cs
)光電面の感度を有する領域ではより高い感度をもち、
さらに波長が1.7μm程度までの光感度を有している
。
)光電面の感度を有する領域ではより高い感度をもち、
さらに波長が1.7μm程度までの光感度を有している
。
(発明が解決しようとする問題点)
前記本件発明に係る光電面は赤外線領域にがなりの光感
度を持っているが、分光分析装置等で使用するときに利
得の変動があると言う問題が指摘されている。
度を持っているが、分光分析装置等で使用するときに利
得の変動があると言う問題が指摘されている。
本発明の目的は、赤外領域に前記光電面と同等またはそ
れ以上の感度をもち利得の変動が少ない光電面とその製
造方法を提供することにある。
れ以上の感度をもち利得の変動が少ない光電面とその製
造方法を提供することにある。
(問題を解決するための手段)
前記目的を達成するために、本発明による光電面は、銀
と酸化銀とカリウムとナトリウムとセシウムとから構成
されている。
と酸化銀とカリウムとナトリウムとセシウムとから構成
されている。
また前記光電面の製造方法は、透明な基板の表面に銀を
蒸着する銀層形成工程と、酸素雰囲気を導入して、放電
を発生させ、前記銀層の表面を酸化して酸化銀層を形成
する酸化I11’ti形成工程と、前記基板および銀層
を加熱し、前記酸化銀層にカリウムを蒸着するカリウム
層形成工程と、前記カリウム層を加熱し、ナトリうムを
蒸着するナトリウム層形成工程と、前記ナトリウム層に
銀を蒸着する他の銀層形成工程と、前記他の銀層の上に
セシウムを蒸着するセシウム層形成工程と、前記セシウ
ム層の上にさらに他の銀層を形成する工程とから構成さ
れている。
蒸着する銀層形成工程と、酸素雰囲気を導入して、放電
を発生させ、前記銀層の表面を酸化して酸化銀層を形成
する酸化I11’ti形成工程と、前記基板および銀層
を加熱し、前記酸化銀層にカリウムを蒸着するカリウム
層形成工程と、前記カリウム層を加熱し、ナトリうムを
蒸着するナトリウム層形成工程と、前記ナトリウム層に
銀を蒸着する他の銀層形成工程と、前記他の銀層の上に
セシウムを蒸着するセシウム層形成工程と、前記セシウ
ム層の上にさらに他の銀層を形成する工程とから構成さ
れている。
(実施例)
以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明する
。
。
第2図は、本発明による光電面が形成されるべき光電管
の製造過程における断面図である。
の製造過程における断面図である。
光電管1は有底円筒状の気密容器2を有する。
気密容器2はガラス壁から形成されている。
光電面4は、気密容器2のフェースプレートまたは光電
面基板3の容器2の内面側に形成される。
面基板3の容器2の内面側に形成される。
光電面4に対向して板状の陽極5が設けられている。
気密容器2の側壁の内壁で前記基板3から陽極5に至る
部分に薄いクロム層6が設けられている。
部分に薄いクロム層6が設けられている。
このクロム層6は光電面4に電流を供給するための導体
であり、前記容器2の側面から入射する不要な光を遮蔽
する役割も果たす。
であり、前記容器2の側面から入射する不要な光を遮蔽
する役割も果たす。
陽極5の光電面4と対向する面にニクロム線に固定され
た組粒7が配置されている。
た組粒7が配置されている。
前記ニクロム線の一端は導入線13に、他端ば陽極5に
接続されている。
接続されている。
前記光電面基板に対向するステム面8と陽極5との間に
ナトリウム容器9とセシウム容器10とカリウム容器1
1を設置しである。
ナトリウム容器9とセシウム容器10とカリウム容器1
1を設置しである。
ステム面8には環状に導入線12.13.14.。
15.16,17.18.19および20が植設されて
いる。
いる。
ステム面8の中心には排気管21が設けられている。
光電面4はクロム層6を経て導入線20に電気的に接続
されている。
されている。
陽極5ば導入線12に電気的に接続されている。
ナトリウム容器9であるタンタル箔の円筒の巾にはクロ
ム酸ナトリウム、ジルコニウムおよびタングステンが含
まれている。
ム酸ナトリウム、ジルコニウムおよびタングステンが含
まれている。
ナトリウム容器9の一端は導入線18に、他端は19に
接続されている。
接続されている。
セシウム容器10であるタンタル箔の円筒の中にはクロ
ム酸セシウム、ジルコニウムおよびタングステンが含ま
れている。
ム酸セシウム、ジルコニウムおよびタングステンが含ま
れている。
セシウム容器10の一端は16に、他端は17に接続さ
れている。
れている。
カリウム容器11であるタンタル箔の円筒の中にはクロ
ム酸カリウム、ジルコニウムおよびタングステンが含ま
れており、カリウム容器11の一端は14に、他端ば1
5に接続されている。
ム酸カリウム、ジルコニウムおよびタングステンが含ま
れており、カリウム容器11の一端は14に、他端ば1
5に接続されている。
排気管21を介して気密容器内から排気し、その中を1
0−”)−ルの真空度に保つ。
0−”)−ルの真空度に保つ。
光電面4を形成する工程中において、必要に応じて、そ
れまでに形成された光電面層の感度を測定する。
れまでに形成された光電面層の感度を測定する。
それまでに形成された面の光感度の測定ば、陽極5に光
電面4に対し50ないし150ボルトの電圧を印加して
おき、適当な標準の光で励起されて発生した光電子を陽
極5で補収し、導入線12からとり出して測定する。
電面4に対し50ないし150ボルトの電圧を印加して
おき、適当な標準の光で励起されて発生した光電子を陽
極5で補収し、導入線12からとり出して測定する。
次に第2図を参照して光電面を形成するだめの工程を説
明する。
明する。
(1)管1の内部を浄化するために、管1を外部から加
熱する。加熱温度は300℃、加熱時間ばは約1時間で
ある。
熱する。加熱温度は300℃、加熱時間ばは約1時間で
ある。
(2)管1を室温まで冷却後、組粒7からフェースプレ
ート3の内壁に銀を蒸着する。
ート3の内壁に銀を蒸着する。
この蒸着は銀の薄膜が赤紫色を呈するまで続けて、停止
する。
する。
(3)管1内へ純粋な酸素を導入し、酸素ガスを高周波
電界で放電させることにより銀薄膜を酸化する。このと
きの酸素ガス圧は約1トールである。
電界で放電させることにより銀薄膜を酸化する。このと
きの酸素ガス圧は約1トールである。
高周波電界は図示してない高周波電圧発生器の出力端の
一つを陽極5に接続し、他の出力端をフェースプレート
3の外壁に近づけた電極に接続することによって行う。
一つを陽極5に接続し、他の出力端をフェースプレート
3の外壁に近づけた電極に接続することによって行う。
(4)酸素を排気する。
(5)管1を200°Cに加熱する。
なお、この温度は150℃から250℃の範囲であれば
よい。
よい。
(6)導入線14と導入線15との間に電圧を加えるこ
とにより、カリウム容器11からカリウムを放出させる
。
とにより、カリウム容器11からカリウムを放出させる
。
カリウムは金y層に吸着する。カリうムの供給は銀層が
赤色になるまで続ける。
赤色になるまで続ける。
このとき光電面4が形成されて光感度は頂点を観測する
ことができる。
ことができる。
(7)次に導入線18と導入線19との間に電圧を加え
てナトリうム容器9からナトリウムを放出させる。
てナトリうム容器9からナトリウムを放出させる。
ナトリウムは光電面4に吸着する。ナトリウムの吸着は
光電面感度が頂点になるまで続ける。
光電面感度が頂点になるまで続ける。
(8)次に組粒7に導入線12と導入線13によって通
電する。
電する。
光電面4の光感度が零になることが観測される。
(9)管1を100 ’Cに加熱する。
なお、この温度は70℃から150℃の間であれば良い
。
。
QO) 次に導入線16と導入線17との間に電圧を
加えてセシウム容器10からセシウムを放出させる。セ
シウムは光電面4に吸着される。
加えてセシウム容器10からセシウムを放出させる。セ
シウムは光電面4に吸着される。
セシウムの吸着は光電面4が灰色になるまで続ける。
(11)管1を摂氏190℃に加熱する。この温度は1
70°Cから250 ”cの間であればよい。この温度
で加熱する時間は30分である。
70°Cから250 ”cの間であればよい。この温度
で加熱する時間は30分である。
(12)管1を室温に冷却する。
(13)再び光電面に銀を蒸着する。この銀の蒸着は光
電感度を観測しながら行い、最大値を経過した直後に中
止する。
電感度を観測しながら行い、最大値を経過した直後に中
止する。
(14)その後、光電管1を排気装置から封じて切り取
り光電管を完成する。
り光電管を完成する。
前記工程で、第1図に示すように透明な光電面基板の上
に銀層、酸化銀層、カリウム層、ナトリウム層、他の銀
層、セシウム層、さらに他の銀層からなる光電面を持つ
光電管が得られる。
に銀層、酸化銀層、カリウム層、ナトリウム層、他の銀
層、セシウム層、さらに他の銀層からなる光電面を持つ
光電管が得られる。
前記工程により形成された光電面(I)と、先に本件発
明者が提案した前記銀と酸化銀とカリウムとセシウムか
らなる光電面(II)と、前述した銀と酸素とセシウム
(Ag−0−Cs)で形成された光電面(I[r)の分
光感度特性を第3図に示す。
明者が提案した前記銀と酸化銀とカリウムとセシウムか
らなる光電面(II)と、前述した銀と酸素とセシウム
(Ag−0−Cs)で形成された光電面(I[r)の分
光感度特性を第3図に示す。
このグラフは、片対数方眼紙の横軸を波長、縦軸を対数
目盛で単位入射エネルギー当りの光電流出力として示し
たものである。
目盛で単位入射エネルギー当りの光電流出力として示し
たものである。
本発明による光電面が前記いずれの光電面よりも(憂れ
た特性を有していることが理解できる。
た特性を有していることが理解できる。
第4図は、本発明による光電面と先に本件発明者が提案
した前記銀と酸化銀とカリウムとセシウムからなる光電
面(If)の寿命特性を比較して示したグラフである。
した前記銀と酸化銀とカリウムとセシウムからなる光電
面(If)の寿命特性を比較して示したグラフである。
光電面のみが異なる同一形状の光電管を製造し、光電面
4と陽極5の間に250ボルトを印加し、0.1ルーメ
ンの白色電球の発光光を入射させ、陽極5より出力電流
を経過時間と共にプロットしたものである。
4と陽極5の間に250ボルトを印加し、0.1ルーメ
ンの白色電球の発光光を入射させ、陽極5より出力電流
を経過時間と共にプロットしたものである。
なお前記出力電流の初期値を1として正規化して示しで
ある。
ある。
(発明の効果)
以上説明したように本発明方法によれば銀層を酸化しカ
リウムとナトリウムと銀とセシウムを付与することによ
って、長波長で光感度を有すると共に光感度の劣化が極
めて少ない新規な光電面が提供できる。
リウムとナトリウムと銀とセシウムを付与することによ
って、長波長で光感度を有すると共に光感度の劣化が極
めて少ない新規な光電面が提供できる。
この光電面は長い波長側に感度をもち安定した動作をす
るものであるから、赤外線領域の計測に広く利用できる
。
るものであるから、赤外線領域の計測に広く利用できる
。
第1図は本発明による光電面の実施例を示す一部拡大断
面図である。 第2図は、本発明による光電面が形成される光電管の製
造過程における断面図である。 第3図は本発明による光電面の分光感度特性と、従来の
光電面の分光感度特性を比較して示したグラフである。 第4図は本発明による光電面と、従来の光電面の寿命特
性を比較して示したグラフである。 l・・・光電管 2・・・気密容器3・・・光
電面基板 4・・・光電面5・・・陽極
6・・・薄いクロム層7・・・組粒 8・
・・ステム面9・・・ナトリウム容器 10・・・セシ
ウム容器11・・・カリウム容器 12.13,14..15,16.17,18.19お
よび20・・・導入線 21・・・排気管 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 壽 ′A−1図 第2図
面図である。 第2図は、本発明による光電面が形成される光電管の製
造過程における断面図である。 第3図は本発明による光電面の分光感度特性と、従来の
光電面の分光感度特性を比較して示したグラフである。 第4図は本発明による光電面と、従来の光電面の寿命特
性を比較して示したグラフである。 l・・・光電管 2・・・気密容器3・・・光
電面基板 4・・・光電面5・・・陽極
6・・・薄いクロム層7・・・組粒 8・
・・ステム面9・・・ナトリウム容器 10・・・セシ
ウム容器11・・・カリウム容器 12.13,14..15,16.17,18.19お
よび20・・・導入線 21・・・排気管 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 壽 ′A−1図 第2図
Claims (9)
- (1)銀と酸化銀とカリウムとナトリウムとセシウムと
からなる光電面。 - (2)透明な基板の上に形成された銀層と、前記銀層の
表面に形成された酸化銀層と、前記酸化銀層の上に形成
されたカリウム層と、前記カリウム層の上に形成された
ナトリウム層と、前記ナトリウム層の上に形成された銀
層と、前記銀層の上に形成されたセシウム層と、前記セ
シウム層の上に形成された銀層から構成された光電面。 - (3)透明な基板の表面に銀を蒸着する銀層形成工程と
、酸素雰囲気を導入して、放電を発生させ、前記銀層の
表面を酸化して酸化銀層を形成する酸化銀層形成工程と
、前記基板および銀層を加熱し、前記酸化銀層にカリウ
ムを蒸着するカリウム層形成工程と、前記カリウム層を
加熱し、ナトリウムを蒸着するナトリウム層形成工程と
、前記ナトリウム層に銀を蒸着する他の銀層形成工程と
、前記他の銀層の上にセシウムを蒸着するセシウム層形
成工程と、前記セシウム層の上にさらに他の銀層を形成
する工程とから構成した光電面の製造方法。 - (4)前記酸化銀層形成工程は、容器内に導入されたほ
ぼ1トールの酸素雰囲気内で行われる放電によるもので
ある特許請求の範囲第3項記載の光電面の製造方法。 - (5)前記カリウム層形成工程は前記基板およびすでに
形成された層を70℃以上250℃以下の範囲内に加熱
し、カリウムを光電感度が最高になるまで蒸着するもの
である特許請求の範囲第3項記載の光電面の製造方法。 - (6)前記ナトリウム層形成工程は前記基板およびすで
に形成された層を70℃以上250℃以下の範囲内に加
熱しナトリウムを光電感度が最高になるまで蒸着するも
のである特許請求の範囲第3項記載の光電面の製造方法
。 - (7)前記他の銀層形成工程はすでに形成された層に銀
を光電感度が零になるまで蒸着するものである特許請求
の範囲第3項記載の光電面の製造方法。 - (8)前記セシウム層形成工程は、すでに形成された層
の上にセシウムを光感度が最高になるまで蒸着するもの
である特許請求の範囲第3項記載の光電面の製造方法。 - (9)前記さらに他の銀層を形成する工程は、すでに形
成された層を150℃以上250℃以下まで加熱したの
ち室温にまで冷却し、その後感光装置に光感度が最高に
なるまで銀を蒸着するものである特許請求の範囲第3項
記載の光電面の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60159766A JPS6220215A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光電面およびその製造方法 |
US06/872,289 US4725758A (en) | 1985-07-19 | 1986-06-10 | Photocathode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60159766A JPS6220215A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光電面およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6220215A true JPS6220215A (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=15700798
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60159766A Pending JPS6220215A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光電面およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4725758A (ja) |
JP (1) | JPS6220215A (ja) |
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US5973259A (en) * | 1997-05-12 | 1999-10-26 | Borealis Tech Ltd | Method and apparatus for photoelectric generation of electricity |
US6720654B2 (en) * | 1998-08-20 | 2004-04-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electronic devices with cesium barrier film and process for making same |
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JPS59114745A (ja) * | 1982-12-21 | 1984-07-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電面およびその製造方法 |
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---|---|---|---|---|
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NL233704A (ja) * | 1957-12-06 | |||
SU434515A1 (ru) * | 1972-12-15 | 1974-06-30 | Л. А. Щекина , Н. Н. Горчакова Московский завод электровакуумных приборов | Способ изготовления массивного фотокатода |
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JPS5911181A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-20 | Ube Ind Ltd | 酵素自殺基質 |
-
1985
- 1985-07-19 JP JP60159766A patent/JPS6220215A/ja active Pending
-
1986
- 1986-06-10 US US06/872,289 patent/US4725758A/en not_active Expired - Lifetime
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JPS57205947A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-17 | Hamamatsu Tv Kk | Photoelectric screen and its manufacture |
JPS59114745A (ja) * | 1982-12-21 | 1984-07-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電面およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4725758A (en) | 1988-02-16 |
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