JPS62201414A - Laser drawing device - Google Patents

Laser drawing device

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JPS62201414A
JPS62201414A JP61043759A JP4375986A JPS62201414A JP S62201414 A JPS62201414 A JP S62201414A JP 61043759 A JP61043759 A JP 61043759A JP 4375986 A JP4375986 A JP 4375986A JP S62201414 A JPS62201414 A JP S62201414A
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sample stage
sample
polygon mirror
laser
stage
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JP61043759A
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Shoji Tanaka
田中 勝爾
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Shibaura Machine Co Ltd
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Toshiba Machine Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To correct the shear of a beam irradiating position due to yawing of a sample stage and to improve drawing accuracy by detecting the position of a sample stage at real time and deflecting a laser beam on the basis of the detected result. CONSTITUTION:When a sample 20 is scanned by laser beam in the X direction on the basis of the rotation of the polygon mirror and the blanking control of the beams is executed in accordance with pattern data to be drawn while continuously moving a sample stage 19 mounting the sample 20 in the Y direction, a required pattern can be drawn on the sample 20. In this case, the Y direction of the sample stage 19 is measured by an MSS27, a difference between the measuring position and a position to be originally set up is calculated in each scan of a beam and the setting position of a reflecting mirror 12b is varied by a PZ21 in accordance with the difference to correct the beam irradiating position in the Y direction. On the other hand, the shear of the sample stage 19 in the X direction is detected by a GS28 and the beam is deflected in the X direction by an AOD14 in accordance with the detecting value.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、レーザビームを用いて試料上に所望パターン
を描画するレーザ描画装置に係わり、特にPCB基板等
の直接描画に適したレーザ描画装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a laser drawing apparatus for drawing a desired pattern on a sample using a laser beam, and particularly to a laser drawing apparatus suitable for direct drawing on PCB substrates, etc. .

〔発明の技術的背景とその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

近年、P CB (Print C1rcuit Bo
ard )等の試料に直接的にパターンを描画するもの
として、レーザビームを利用したレーザ描画装置が開発
されている。この装置は、試料を一方向に連続移動しな
がら、この移動方向と直交する方向にレーザビームを走
査し、ビームの0N−OFFを制御することにより、所
謂ラスクスキャン方式でパターンを描画するものである
。そして、大面積の試料であっても比較的短時間で描画
できると云う特徴を有している。
In recent years, P CB (Print C1rcuit Bo
A laser drawing device using a laser beam has been developed to directly draw a pattern on a sample such as ard). This device draws a pattern using the so-called rusk scan method by continuously moving the sample in one direction, scanning the laser beam in a direction perpendicular to the direction of movement, and controlling the ON/OFF state of the beam. be. Another feature is that even a large-area sample can be drawn in a relatively short time.

このようなレーザ描画装置において採用されているビー
ムの補正制御方式には、大別して2通りある。第1の方
式は、描画ビームとは別に基準ビームを用い、この基準
ビームで描画ビームの走査方向と平行に配置したミラー
スケールを照射する。
There are roughly two types of beam correction control methods employed in such laser drawing apparatuses. The first method uses a reference beam separate from the drawing beam, and uses this reference beam to irradiate a mirror scale arranged parallel to the scanning direction of the drawing beam.

ここで、ミラースケールは反射部と非反射部とが交互に
配置された一種のリニアスケールであり、これにより反
射された基準ビームをフォトセンサで検知する。そして
、フォトセンサで検出された信号を直接に又は細分化し
、これをブランキング用の同期信号として用いるもので
ある。第2の方式は、特開昭57−150817号公報
にあるように、描画ビームの各走査位置における偏向補
正量を予めメモリにストアし、実際の描画時にその補正
量を読出してビームの走査方向及びその走査方向と直交
する方向に対し描画ビームの偏向補正を行うものである
Here, the mirror scale is a type of linear scale in which reflective parts and non-reflective parts are arranged alternately, and the reference beam reflected by the mirror scale is detected by a photosensor. Then, the signal detected by the photosensor is directly or subdivided and used as a synchronization signal for blanking. The second method, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-150817, stores the amount of deflection correction at each scanning position of the drawing beam in a memory in advance, reads out the correction amount at the time of actual drawing, and reads it out in the scanning direction of the beam. And the deflection of the drawing beam is corrected in a direction perpendicular to the scanning direction.

しかしながら、この種の装置にあっては次のような聞届
があった。即ち、第1の方式では、光学系歪みやポリゴ
ンミラーの回転ムラに起因する誤差要因を除去すること
はできるが、ステージのヨーイングに伴う誤差は補正さ
れない。さらに、補正のための光学系を備えなければな
らず、このためスプリッタ、ターニングミラー、精密リ
ニアスケール、Fθレンズ及び集光用光ファイバ等の多
くの部品を要し、これらの取付けや光路調整等に高度な
熟練技術を要する。また、第2の方式では、ポリゴンミ
ラーの回転ムラやステージのヨーイング等による誤差を
防止することはできず、描画精度の低下を招いた。
However, the following reports have been made regarding this type of device. That is, in the first method, error factors caused by optical system distortion and uneven rotation of the polygon mirror can be removed, but errors caused by yawing of the stage are not corrected. Furthermore, it is necessary to have an optical system for correction, which requires many parts such as a splitter, turning mirror, precision linear scale, Fθ lens, and optical fiber for focusing, and it is difficult to install these parts, adjust the optical path, etc. requires highly skilled technology. Further, in the second method, it is not possible to prevent errors due to uneven rotation of the polygon mirror, yawing of the stage, etc., resulting in a decrease in drawing accuracy.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、試料ステージのヨーイング等に起因す
るビーム照射位置のずれを補正することができ、描画精
度の向上をはかり得るレーザ描画装置を提供することに
ある。
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and its purpose is to provide a laser drawing system that can correct the deviation of the beam irradiation position caused by yawing of the sample stage, etc., and that can improve the drawing accuracy. The goal is to provide equipment.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明の骨子は、試料ステージの位置をリアルタイムで
検出し、この検出情報に基づいてレーザビームを偏向す
ることにより、試料ステージの位置ずれを補正すること
にある。
The gist of the present invention is to correct the positional deviation of the sample stage by detecting the position of the sample stage in real time and deflecting the laser beam based on this detected information.

即ち本発明は、試料ステージ上に配置された試料にレー
ザビームを照射して該試料上に所望パターンを描画する
レーザ描画装置において、前記試料ステージを一方向(
Y方向)に連続移動する手段と、レーザ発振器からのレ
ーザビームを反射し該反射ビームを前記試料上に照射す
るポリゴンミラーと、このポリゴンミラーを回転せしめ
上記反射ビームを前記試料ステージの移動方向と略直交
する方向(X方向)に走査する手段と、描画すべきデー
タに応じて前記ポリゴンミラー上に照射されるビームを
ブランキングする手段と、前記試料ステージの位置を検
出する手段と、この検出手段により得られた試料ステー
ジの検出位置と本来あるべき設定位置との差分を求め、
この差分に応じて前記ビームを偏向する手段とを設ける
ようにしたものである。
That is, the present invention provides a laser drawing apparatus that irradiates a sample placed on a sample stage with a laser beam to draw a desired pattern on the sample.
a polygon mirror that reflects a laser beam from a laser oscillator and irradiates the reflected beam onto the sample; and a polygon mirror that rotates the polygon mirror to direct the reflected beam in the direction of movement of the sample stage. means for scanning in a substantially orthogonal direction (X direction); means for blanking the beam irradiated onto the polygon mirror according to data to be drawn; means for detecting the position of the sample stage; Find the difference between the detection position of the sample stage obtained by the method and the original set position,
A means for deflecting the beam according to this difference is provided.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。 Hereinafter, details of the present invention will be explained with reference to illustrated embodiments.

第1図は本発明の一実施例に係わるレーザ描画装置の基
本、構成を示す図である。図中一点鎖線の右側が描画装
置本体であり、左側がその制御部である。
FIG. 1 is a diagram showing the basic structure of a laser drawing apparatus according to an embodiment of the present invention. In the figure, the right side of the dashed line is the main body of the drawing apparatus, and the left side is the control section thereof.

描画装置本体は、レーザビームを放射するArレーザ(
レーザ発振器)11、ビームの光路を変える反射鏡12
a、〜、12d、ビームをブランキングする音響光学変
調器(以下AOMと略記する)13、ビームを試料20
上でX方向に微小偏向する音響光学偏向器(以下AOD
と略記する) 14、ビームを反射して試料20上でX
方向に走査するポリゴンミラー15、Fθレンズ16、
シリンドリカルレンズ17、対物ミラー18及び試料2
0を載置する試料ステージ19等から構成されている。
The main body of the drawing device uses an Ar laser (
laser oscillator) 11, reflecting mirror 12 that changes the optical path of the beam
a, ~, 12d, an acousto-optic modulator (hereinafter abbreviated as AOM) 13 that blanks the beam, and a sample 20 that blanks the beam.
An acousto-optic deflector (hereinafter referred to as AOD) that minutely deflects in the X direction
(abbreviated as) 14. Reflect the beam and
A polygon mirror 15 that scans in the direction, an Fθ lens 16,
Cylindrical lens 17, objective mirror 18 and sample 2
It consists of a sample stage 19 on which 0 is placed, etc.

反射ミラー12bには、該ミラー12bの設置角度を可
変する第1のピエゾ素子(以下PZと略記する)21が
取付けられており、このPZ21に印加する電圧により
、ビームの経路が試料20上でY方向に微小偏向される
。ポリゴンミラー15は、第1のモータ22により回転
駆動されるが、ポリゴンミラー15の回転軸には該ミラ
ー15の回転量を検出するロータリーエンコーダ23が
設けられている。対物ミラー18には、試料20上に照
射されるビームが集束するようにミラー18の設置位置
を移動する第2のモータ24及びミラー18の設置角度
を微小可変する第2のPZ25が設けられている。試料
ステージ19は、第3のモータ26によりY方向に連続
移動されるものであり、試料ステージ19の下面側には
、該ステージ19のY方向位置を検出する磁気スケール
用のセンサ(以下MSSと略記する)27が設けられて
いる。試料ステージ19のY方向に平行な一側面には、
ステージ19のX方向のヨーイングを検出するためのギ
ャップセンサ(以下GSと略記する)28が設けられて
いる。また、試料ステージ19には後述する如き基準マ
ーク及び受光素子等からなるピッチセンサ29が設けら
れている。
A first piezo element (hereinafter abbreviated as PZ) 21 that changes the installation angle of the mirror 12b is attached to the reflection mirror 12b, and a voltage applied to this PZ 21 changes the beam path on the sample 20. It is slightly deflected in the Y direction. The polygon mirror 15 is rotationally driven by a first motor 22, and a rotary encoder 23 is provided on the rotation axis of the polygon mirror 15 to detect the amount of rotation of the mirror 15. The objective mirror 18 is provided with a second motor 24 that moves the installation position of the mirror 18 so that the beam irradiated onto the sample 20 is focused, and a second PZ 25 that slightly varies the installation angle of the mirror 18. There is. The sample stage 19 is continuously moved in the Y direction by a third motor 26, and a magnetic scale sensor (hereinafter referred to as MSS) is provided on the lower surface side of the sample stage 19 to detect the position of the stage 19 in the Y direction. (abbreviated) 27 is provided. On one side of the sample stage 19 parallel to the Y direction,
A gap sensor (hereinafter abbreviated as GS) 28 is provided to detect the yawing of the stage 19 in the X direction. Further, the sample stage 19 is provided with a pitch sensor 29 consisting of a reference mark, a light receiving element, etc. as described later.

一方、制御部は、基本的にはCPU41、磁気テープ装
置42、磁気ディスク装置43、描画パターン処理回路
44、走査制御回路45、補正制御回路46、駆動制御
回路47及び各種ドライバ(以下DRVと略記する) 
48a、〜、48d等から構成されている。描画制御回
路44は、ダイレクトメモリアクセス回路(DMA)、
  ビット変換器及びブランキング信号発生器等からな
るもので、CPU41から与えられる描画データ及び走
査制御回路45から与えられるシフトクロック等に基づ
いてブランキング信号を発生する。そして、描画制御回
路44で作られたブランキング信号に試づいてD RV
 48aにより前記AOM13が駆動される。走査制御
回路45はエンコーダ23からのパルス信号に基づいて
シフトクロックを発生すると共に、描画パターン処理回
路44及び補正制御回路46に所定の制御指令を送出す
る。
On the other hand, the control unit basically includes a CPU 41, a magnetic tape device 42, a magnetic disk device 43, a drawing pattern processing circuit 44, a scanning control circuit 45, a correction control circuit 46, a drive control circuit 47, and various drivers (hereinafter abbreviated as DRV). do)
It is composed of 48a, . . . , 48d, etc. The drawing control circuit 44 includes a direct memory access circuit (DMA),
It consists of a bit converter, a blanking signal generator, etc., and generates a blanking signal based on drawing data given from the CPU 41 and a shift clock given from the scan control circuit 45. Then, using the blanking signal generated by the drawing control circuit 44, the D RV
The AOM 13 is driven by 48a. The scan control circuit 45 generates a shift clock based on the pulse signal from the encoder 23, and also sends predetermined control commands to the drawing pattern processing circuit 44 and the correction control circuit 46.

補正制御回路46は、各種偏向走査及び偏向補正を行う
もので、各種センサ27.〜,29の検出信号に基づい
てD RV 48b、48cに補正量を出力する。そし
て、DRV48bl::より前記A OD 14が駆動
サレ、。
The correction control circuit 46 performs various deflection scans and deflection corrections, and controls various sensors 27 . Based on the detection signals of . Then, the AOD 14 is driven by DRV48bl::.

DRV48cl;:より前記P Z 21,25が駆動
サレル。
DRV48cl;: The above P Z 21, 25 are drive salles.

また、駆動制御回路47は各種モータを駆動制御するも
のであり、この回路47の信号を入力したD RV 4
8dにより前記モータ22,24.28が駆動されるも
のとなっている。
Further, the drive control circuit 47 controls the drive of various motors, and the D RV 4 to which the signals of this circuit 47 are input
The motors 22, 24, and 28 are driven by the motor 8d.

次に、レーザ描画装置本体とその制御部の具体的な構造
及び作用について、更に詳しく説明する。
Next, the specific structure and operation of the laser drawing apparatus main body and its control section will be explained in more detail.

第2図は描画装置本体の概略構成を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a schematic configuration of the main body of the drawing apparatus.

なお、第2図の構成は第1図と一部異なっているが、こ
れは第2図の装置が試料20の表裏両面に描画すること
を想定した例であるからであり、下側の光学系を除去す
れば第1図と実質的に同一のものである。Y方向に移動
可能な試料ステ−ジ19上には、PCB等の試料20が
載置されている。試料ステージ19は、第3図に側断面
図を第4図に平面図を示す如く、矩形状の板体に試料2
0より小径の窓IQaを形成したもので、その上面にガ
ラス板31a、31bで試料20を挟み込んで試料20
を固定保持するものとなっている。なお、上側のガラス
板31aはクランプ32に固定され、クランプ32と共
に回動するものとなっている。試料ステージ19は、ナ
ツト33及びこのナツト33に螺合するボールネジ34
を介してモータ26に接続されている。そして、モータ
2Bの回転により、試料ステージ19はY方向に連続移
動されるものとなっている。
The configuration in FIG. 2 is partially different from that in FIG. 1, but this is because the device in FIG. If the system is removed, it is substantially the same as FIG. A sample 20 such as a PCB is placed on a sample stage 19 that is movable in the Y direction. The sample stage 19 has a rectangular plate with a sample 2 on it, as shown in a side sectional view in FIG. 3 and a plan view in FIG.
A window IQa with a diameter smaller than 0 is formed, and the sample 20 is sandwiched between glass plates 31a and 31b on the upper surface of the window IQa.
It is intended to be held fixed. Note that the upper glass plate 31a is fixed to a clamp 32 and rotates together with the clamp 32. The sample stage 19 includes a nut 33 and a ball screw 34 screwed into the nut 33.
It is connected to the motor 26 via. The sample stage 19 is continuously moved in the Y direction by the rotation of the motor 2B.

一方、レーザ発振器11から放射されたレーザビームは
、反射ミラー12aで反射されたのちビームブランキン
グのためのAOM13に照射される。
On the other hand, the laser beam emitted from the laser oscillator 11 is reflected by the reflection mirror 12a and then irradiated onto the AOM 13 for beam blanking.

AOM13を通過したレーザビームは、A OD 14
を通過する際に偏向されて反射ミラーL2bに照射され
る。反射ミラーtzbには図示しないが前記PZ21が
接続されており、ミラー12bで反射したビームはビー
ムを上下に切換えるためのA OD 35に照射される
。ここで、第2図の装置は試料20の上下両面に描画す
ることを想定した例であり、前記反射ミラー12bの代
りにA OD 35を用いたものである。A OD 3
5により、例えば上方向に切換えられたビームは、反射
ミラーL2dにより反射され、ポリゴンミラー15に照
射される。ポリゴンミラー15で反射されたレーザビー
ムは、Fθレンズ1B及び図示しないシリンドリカルレ
ンズを通り、さらに対物ミラー18で反射されて、前記
試料20の上面に照射結像されるものとなっている。ま
た、AOD35にて下側に切換えられたレーザビームは
、上記と同様に反射ミラー12d’、 ポリゴンミラー
15′。
The laser beam passing through AOM13 is AOD14
When passing through, it is deflected and irradiated onto the reflecting mirror L2b. Although not shown, the PZ 21 is connected to the reflection mirror tzb, and the beam reflected by the mirror 12b is irradiated onto the AOD 35 for switching the beam up and down. Here, the apparatus shown in FIG. 2 is an example assuming that drawing is performed on both the upper and lower surfaces of the sample 20, and an AOD 35 is used in place of the reflecting mirror 12b. AOD 3
5, the beam switched upward, for example, is reflected by the reflecting mirror L2d and irradiated onto the polygon mirror 15. The laser beam reflected by the polygon mirror 15 passes through the Fθ lens 1B and a cylindrical lens (not shown), is further reflected by the objective mirror 18, and is irradiated and imaged onto the upper surface of the sample 20. Further, the laser beam switched downward by the AOD 35 is directed to the reflecting mirror 12d' and the polygon mirror 15' in the same way as above.

Fθレンズ1B’を介して試料20の下面に照射結像さ
れるものとなっている。
The beam is irradiated and imaged onto the lower surface of the sample 20 via the Fθ lens 1B'.

ポリゴンミラー15は、高精度に鏡面仕上げされた例え
ば8面の反射面を有するもので、空気軸受36により支
承された回転軸37の上下にそれぞれ固定されている。
The polygon mirror 15 has, for example, eight reflective surfaces that are mirror-finished with high precision, and is fixed to the top and bottom of a rotating shaft 37 supported by an air bearing 36, respectively.

ここで、ポリゴンミラー15は回転軸37に確実に固定
される必要があり、望ましくはポリゴンミラー15を回
転軸37と一体に形成すればよい。回転軸37はパルス
モータ22に直結して接続されている。従って、モータ
22の回転により、ポリゴンミラー15は所定の回転数
で回転する。この回転により、前記試料20上に照射さ
れるレーザビームは、ステージ19の移動方向(Y方向
)と直交するX方向に走査されるものとなっている。ま
た、モータ22の下部には、後述する如く該モータ22
の回転角度、即ちポリゴンミラー15の回転角度を検出
するロータリーエンコーダ23が設けられている。
Here, the polygon mirror 15 needs to be securely fixed to the rotation shaft 37, and preferably the polygon mirror 15 may be formed integrally with the rotation shaft 37. The rotating shaft 37 is directly connected to the pulse motor 22. Therefore, the rotation of the motor 22 causes the polygon mirror 15 to rotate at a predetermined number of rotations. Due to this rotation, the laser beam irradiated onto the sample 20 is scanned in the X direction orthogonal to the moving direction (Y direction) of the stage 19. In addition, at the bottom of the motor 22, as described later, the motor 22
A rotary encoder 23 is provided to detect the rotation angle of the polygon mirror 15, that is, the rotation angle of the polygon mirror 15.

第5図は制御部の要部構成、特に走査制御回路45及び
補正制御回路4Bを示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing the main structure of the control section, particularly the scanning control circuit 45 and the correction control circuit 4B.

走査制御回路45は、モード指定部(以下MODと略記
する)51.描画開始位置DSPがセットされるレジス
タ52.アドレスユニットAUがセットされるレジスタ
531代数演算ユニット(以下ALUと略記する)54
.ラッチ回路55.Y位置カウンタユニット56.X位
置カウンタユニット57゜位相ロック回路(以下PLL
と略記する)587分周回路59及びアンドゲート81
,62等から構成される。前記第1図の試料ステージ1
9のY方向に関する移動に関して、MSS27からY位
置カウンタユニット56に対し、1ミクロンの移動量毎
に1パルスで実際の移動量が入力され、そこで計数され
る。
The scan control circuit 45 includes a mode specifying section (hereinafter abbreviated as MOD) 51. Register 52 in which the drawing start position DSP is set. Register 531 where address unit AU is set Algebraic operation unit (hereinafter abbreviated as ALU) 54
.. Latch circuit 55. Y position counter unit 56. X position counter unit 57° phase lock circuit (hereinafter referred to as PLL)
) 587 frequency divider circuit 59 and AND gate 81
, 62, etc. Sample stage 1 in Fig. 1 above
9 in the Y direction, the actual amount of movement is input from the MSS 27 to the Y position counter unit 56 in the form of one pulse for every 1 micron of movement, and is counted there.

38は試料ステージ19の原点位置信号を発する磁気ス
イッチであり、このスイッチ38からの原点信号は前記
Y位置カウンタユニット5Bの内容をクリアするように
なっている。ラッチ回路55は、Y位置カウンタユニッ
ト5Bの内容がその最小単位量変化する毎に、その後の
値を保持する。ALU54は、バス50からそれぞれレ
ジスタ52.53に対し指令され、これらのレジスタ5
2.53から与えられる値B(描画の際のY方向スター
ト位置)及び描画のスキャンピッチ(1アドレスユニツ
ト)Cを入力し、BとCの累積値ΣCとの和(B+ΣC
)を求め、この和(B+ΣC)とラッチ回路の値Aとを
比較する。この比較出力ΔY ΔY−(B+ΣC) −A はライン80aを介してD/A変換器(以下DACと略
記する) 81に与えられ、このD A C81の出力
は増幅器82を経て前記PZ21に与えられる。これに
より、レーザビームのY方向位置を補正するようになっ
ている。この操作をフローチャートで示したのが第6図
である。ここで、Dは最大補正量であり、ΔYがこの補
正mDより大きいときは、試料ステージ19が移動して
ΔYがD以下になるのを待つことになる。
Reference numeral 38 denotes a magnetic switch that generates an origin position signal for the sample stage 19, and the origin signal from this switch 38 clears the contents of the Y position counter unit 5B. The latch circuit 55 holds the subsequent value each time the contents of the Y position counter unit 5B change by the minimum unit amount. The ALU 54 is commanded from the bus 50 to registers 52 and 53, respectively.
2.53, input the value B (start position in the Y direction for drawing) and the scanning pitch (1 address unit) C for drawing, and calculate the sum of the cumulative value ΣC of B and C (B+ΣC
) is calculated, and this sum (B+ΣC) is compared with the value A of the latch circuit. This comparison output ΔY ΔY-(B+ΣC) -A is given to a D/A converter (hereinafter abbreviated as DAC) 81 via a line 80a, and the output of this DAC 81 is given to the PZ 21 via an amplifier 82. . This corrects the position of the laser beam in the Y direction. FIG. 6 is a flowchart showing this operation. Here, D is the maximum correction amount, and when ΔY is larger than this correction mD, the sample stage 19 is moved to wait until ΔY becomes equal to or less than D.

つまり、レーザビームの1スキヤン毎に描画開始位置の
設定値が試料ステージ19の実際のY方向位置と比較さ
れ、これらの差に応じて前記PZ21により反射ミラー
12bの設置角度が可変され、上記差分だけビームがY
方向に偏向されることになる。このため、試料ステージ
19に移動速度の変化やY方向のヨーイング等があって
も、ビーム照射位置のずれは未然に防止されることにな
る。
In other words, the set value of the drawing start position is compared with the actual position of the sample stage 19 in the Y direction for each scan of the laser beam, and the installation angle of the reflecting mirror 12b is varied by the PZ 21 according to the difference between them, and the above-mentioned difference is Only the beam is Y
It will be deflected in the direction. Therefore, even if there is a change in the moving speed of the sample stage 19 or yawing in the Y direction, the beam irradiation position can be prevented from shifting.

ポリゴンミラー15と一体になって回転するエンコーダ
23は、第7図(a)(b)に示す如く構成されている
。即ち、前記回転軸37と一体になって回転する円板体
64にポリゴンミラー15のフェース面を検知するため
の窓部65及び回転角度検出用の窓部6Bが形成され、
それぞれの窓部65,8Bに対向して光センサ67;8
8が設けられている。ここで、窓部65はポリゴンミラ
ー15のフェース面に対応して一定ピッチ(45度間隔
)で8個設けられている。但し、第1のフェースを特定
するために、窓部65の1個は2つの開口から形成され
ている。また、窓部6Bは一定ピッチで8000個、つ
まり1つのフェースに対して1000個設けられている
。従って、円板体64の部材をクロム、窓部65,8B
の部材をガラスとしておけば、円板体B4の内部に光源
を配置することにより、光センサ87,88ではポリゴ
ンミラー15のフェース面及び回転角度に対応したパル
ス信号が出力されることになる。
The encoder 23, which rotates integrally with the polygon mirror 15, is constructed as shown in FIGS. 7(a) and 7(b). That is, a window portion 65 for detecting the face surface of the polygon mirror 15 and a window portion 6B for detecting the rotation angle are formed on the disk body 64 that rotates integrally with the rotation shaft 37.
Optical sensors 67; 8 are located opposite the respective windows 65 and 8B.
8 is provided. Here, eight windows 65 are provided at a constant pitch (45 degree intervals) corresponding to the face surface of the polygon mirror 15. However, in order to specify the first face, one of the window portions 65 is formed from two openings. Further, 8000 window portions 6B are provided at a constant pitch, that is, 1000 window portions are provided for one face. Therefore, the members of the disc body 64 are made of chromium, and the window parts 65 and 8B are made of chrome.
If the member is made of glass, the optical sensors 87 and 88 will output pulse signals corresponding to the face surface and rotation angle of the polygon mirror 15 by arranging a light source inside the disc body B4.

エンコーダ23からは、第8図に示す如くポリゴンミラ
ー15の各反射面に対応して出力されるエンコーダフェ
ースパルスEFPとエンコーダパルスECPがミラー1
5の回転と同期して発せられ、描画方向のX位置カウン
タユニット57に入力されている。このX位置カウンタ
ユニット57は、第8図に示すポリゴンミラー15のフ
ェースを特定するフェースカウンタFACE CTRと
各フェース信号発生後の32個のエンコーダパルスEC
Pを経たのち、640個のエンコーダパルスECPが与
えられている間出力をゲート61へ与える計数部を有す
る。また、X位置カウンタユニット57からの信号Pは
エンコーダフェースパルスEFP到来毎に前記ALU5
4に対し比較指令を行う。また、ALU54からゲート
61に対しレディ信号Qが入力されている。この信号Q
はALU54での演算結果(ΔY)が出力されている間
、即ちY方向の補正がなされていると云うことを示す条
件信号である。ゲート61の出力は第8図に示すDRA
W X (描画範囲を特定する信号)として、前記描画
パターン処理回路44に与えられる。この描画パターン
処理回路44では、上記信号DRAW Xの到着回数を
計数し、試料ステージ19上におけるY方向の描画範囲
を確認するために用いる。
The encoder 23 outputs an encoder face pulse EFP and an encoder pulse ECP corresponding to each reflective surface of the polygon mirror 15 as shown in FIG.
It is emitted in synchronization with the rotation of 5 and is input to the X position counter unit 57 in the drawing direction. This X position counter unit 57 includes a face counter FACE CTR that specifies the face of the polygon mirror 15 shown in FIG. 8, and 32 encoder pulses EC after each face signal is generated.
After passing through P, it has a counting section that provides an output to the gate 61 while 640 encoder pulses ECP are applied. Further, the signal P from the X position counter unit 57 is sent to the ALU 5 every time the encoder face pulse EFP arrives.
A comparison command is given to 4. Further, a ready signal Q is input from the ALU 54 to the gate 61. This signal Q
is a condition signal indicating that the calculation result (ΔY) from the ALU 54 is being output, that is, that correction in the Y direction is being performed. The output of the gate 61 is the DRA shown in FIG.
It is given to the drawing pattern processing circuit 44 as W.sub.X (signal for specifying the drawing range). This drawing pattern processing circuit 44 counts the number of arrivals of the signal DRAW X, and uses it to confirm the drawing range in the Y direction on the sample stage 19.

エンコーダパルスECPはP L L 58に与えられ
、ここで逓倍される。逓倍の値はM OD 51からの
指示により選択されるようになっており、本例では画素
の大きさが1.0.5A−U(アドレス二二ット)に応
じてそれぞれ128倍、256倍とされている。
The encoder pulse ECP is provided to PLL 58 where it is multiplied. The multiplication value is selected according to instructions from the MOD 51, and in this example, the pixel size is 128 times and 256 times, respectively, depending on the pixel size of 1.0.5 A-U (address 2 bits). It is said to be twice as much.

分周器59でPLL58の出力パルスの周波数をl/4
に分周する。従って、エンコーダパルスECPはPLL
58及び分周器59により、最終的に128/4−32
逓倍されることになる。分周器59の出力はゲート62
に入力され、信号DRAW Xの存在下でシフトクロッ
ク信号SCKとして描画パターン処理装置44に入力さ
れる。そして、このシフトクロックSCKが、レーザビ
ームの試料ステージ19上への照射・非照射を指令する
ブランキング信号を発生させるためのタイミング信号と
して用いられる。
The frequency of the output pulse of the PLL 58 is set to l/4 by the frequency divider 59.
Divide the frequency into Therefore, the encoder pulse ECP is
58 and frequency divider 59, finally 128/4-32
It will be multiplied. The output of the frequency divider 59 is the gate 62
and is input to the drawing pattern processing device 44 as the shift clock signal SCK in the presence of the signal DRAWX. This shift clock SCK is used as a timing signal for generating a blanking signal that instructs whether or not to irradiate the sample stage 19 with the laser beam.

ここで、PLL回路58及び分周器59を用いたのは、
エンコーダパルスECPの分解能がその製作上、ブラン
キング信号を直接発生させる程細かくできないため、エ
ンコーダパルスECPの逓倍を行い、且つその際各シフ
トクロックパルスSCKが相続くエンコーダパルスEC
P間でその位相が大きくずれるのを防ぐために位相をロ
ックする機能を利用しているのである。いずれにしても
このシフトクロック信号SCKは、エンコーダ23の回
転にムラ(ワウフラッタ等)があってもそれに応じたタ
イミングで発生されるので、その回転ムラに基づくX方
向の描画位置におけるブランキング信号のずれを防ぐこ
とが可能である。
Here, the PLL circuit 58 and frequency divider 59 are used because
Because the resolution of the encoder pulse ECP is not fine enough to directly generate a blanking signal due to its manufacturing, the encoder pulse ECP is multiplied, and in this case, each shift clock pulse SCK is converted into a successive encoder pulse EC.
A phase locking function is used to prevent the phase from shifting significantly between P's. In any case, this shift clock signal SCK is generated at a timing that corresponds to any unevenness in the rotation of the encoder 23 (such as wow and flutter), so the blanking signal at the drawing position in the X direction based on the rotational unevenness is generated. It is possible to prevent misalignment.

このようにエンコーダパルスECPに基づいてビームブ
ランキングのタイミングを制御しているので、ポリゴン
ミラー15の回転ムラ等に起因する描画精度の低下を防
止することが可能となる。即ち、従来のように基準クロ
ック信号に基づいてビームブランキングのタイミングを
制御するのでは、ポリゴンミラー15の回転数が一定の
場合問題ないが、ポリゴンミラー15の回転数が僅かで
も変わると試料20上のビーム照射位置が大きくずれる
ことになる。例えば、ポリゴンミラー15の回転数が減
少した場合、試料20上に照射されるビームは実際の位
置よりも遅れてブランキング制御されることになり、描
画パターンが正規のパターンよりも伸長したものとなる
。逆に、ポリゴンミラー15の回転数が増大した場合、
試料20上に照射されるビームは実際の位置よりも速く
ブランキング制御されることになり、描画パターンが正
規のパターンよりも縮小したものとなる。これらの描画
パターンの伸長或いは縮小は、各スキャン毎に同一であ
れば問題ないが、上記回転ムラは一部のスキャン時にお
いて発生するものであるから、描画精度の著しい低下と
なる。これに対し本実施例では、エンコータ23のエン
コーダパルスECP、つまりポリゴンミラー15の回転
に同期した信号によりシフトクロックSCKを作成し、
このシフトクロックSCKに基づいてビームブランキン
グを制御して、いるので、ポリゴンミラー15の回転数
が変化しても、試料20上に照射されるビームは正規の
位置でブランキング制御されることになり、これにより
ポリゴンミラー15の回転ムラに起因する描画精度の低
下が未然に防止されることになる。
Since the timing of beam blanking is controlled based on the encoder pulse ECP in this way, it is possible to prevent a decrease in drawing accuracy due to uneven rotation of the polygon mirror 15 or the like. That is, if the timing of beam blanking is controlled based on the reference clock signal as in the past, there is no problem if the rotation speed of the polygon mirror 15 is constant, but if the rotation speed of the polygon mirror 15 changes even slightly, the sample 20 The upper beam irradiation position will be significantly shifted. For example, if the rotational speed of the polygon mirror 15 decreases, the beam irradiated onto the sample 20 will be subjected to blanking control later than the actual position, and the drawn pattern will become longer than the normal pattern. Become. Conversely, when the rotation speed of the polygon mirror 15 increases,
The beam irradiated onto the sample 20 is subjected to blanking control faster than the actual position, and the drawn pattern becomes smaller than the regular pattern. There is no problem if the expansion or contraction of these drawing patterns is the same for each scan, but since the rotational unevenness occurs during some scans, the drawing accuracy is significantly reduced. In contrast, in this embodiment, the shift clock SCK is created using the encoder pulse ECP of the encoder 23, that is, a signal synchronized with the rotation of the polygon mirror 15.
Since the beam blanking is controlled based on this shift clock SCK, even if the rotation speed of the polygon mirror 15 changes, the beam irradiated onto the sample 20 will be blanked at the normal position. As a result, deterioration in drawing accuracy due to uneven rotation of the polygon mirror 15 can be prevented.

補正制御回路4Bは、フェースポジションアドレスFP
Aがセットされるレジスタフ11選択指令回路72.コ
ーダ73.基準マーク信号発生器74.セレクタ75.
メモリ7B、ANDゲート77.78及びORゲート7
9等から構成されている。エンコーダ23からのエンコ
ーダパルスECP及びエンコーダフェースパルスEFP
はコーグ73に入力されており、該コーグ73からはラ
イン80bにおいてポリゴンミラー15の各フェースの
番号とそのフェース上での位置を表わす信号FPA’を
逐次与える。一方、レジスタ71に与えられるFPAは
I10バス50に現われるフェース番号と同フェース上
での位置とを表わす指令値であり、基準マーク信号発生
器74に入力されている。
The correction control circuit 4B has a face position address FP.
A is set in the register 11 selection command circuit 72. Coda 73. Reference mark signal generator 74. Selector 75.
Memory 7B, AND gate 77, 78 and OR gate 7
It is composed of 9 mag. Encoder pulse ECP and encoder face pulse EFP from encoder 23
is input to the cog 73, which sequentially gives a signal FPA' representing the number of each face of the polygon mirror 15 and the position on the face on a line 80b. On the other hand, FPA given to the register 71 is a command value representing the face number appearing on the I10 bus 50 and the position on the same face, and is inputted to the reference mark signal generator 74.

基準マーク信号発生器74は、前記CPU41からライ
ン80cを介して指定されたフェース番号及び同フェー
ス上での位置FPAを受入れ、そのFPAにコーグ73
の出力FPA’が一致したときANDゲート77に対し
ライン80dを介して出力を与える。ANDゲート77
はCPU41から後述する校正出力CALが与えられて
いる条件下で、基準マーク信号発生器74からの出力を
通過させる。そして、基準マーク信号発生器74の出力
がORゲート79を経て、校正時のブランキング信号B
Lとなる。このブランキング信号BLは、増幅器83を
経て前記AOM13に与えられ、このAOM13により
レーザビームの試料ステージ19上への照射・非照射が
制御される。なお、正規の描画時のブランキング信号は
、描画パターン処理回路44からゲート78.79を介
して送られる。
The reference mark signal generator 74 receives the designated face number and position FPA on the face from the CPU 41 via the line 80c, and assigns the Korg 73 to the FPA.
When the outputs FPA' of the two match, an output is provided to the AND gate 77 via a line 80d. AND gate 77
passes the output from the reference mark signal generator 74 under the condition that a calibration output CAL, which will be described later, is provided from the CPU 41. Then, the output of the reference mark signal generator 74 passes through an OR gate 79, and outputs a blanking signal B during calibration.
It becomes L. This blanking signal BL is applied to the AOM 13 via the amplifier 83, and the AOM 13 controls irradiation/non-irradiation of the laser beam onto the sample stage 19. Note that the blanking signal during normal drawing is sent from the drawing pattern processing circuit 44 via gates 78 and 79.

一方、基準マーク信号発生器74からは、ライン80e
を介してライン80dへの出力より少し遅れてサンプル
ホールド用のタイミング信号が、サンプルホールド回路
(以下SHと略記する)84に与えられる。この5H8
4は、前記CAL信号の条件のもとで与えられるブラン
キング信号(ECPパルス2ビット分)によって与えら
れるレーザビームが後述する基準マークを通過し、そこ
に配置された受光素子(PD)93で受光され、その出
力が積分器85で積分された値を前記タイミング信号で
ホールドする。そして、5H84でホールドされた値は
A/D変換器(以下ADCと略記する)86でデジタル
量に変換され、CPU41からのリード信号Rに応答し
てう・イン801’からCPU41に送られる。
On the other hand, a line 80e is output from the reference mark signal generator 74.
A timing signal for sample and hold is applied to a sample and hold circuit (hereinafter abbreviated as SH) 84 with a slight delay from the output to line 80d. This 5H8
4, a laser beam given by a blanking signal (2 bits of ECP pulse) given under the conditions of the CAL signal passes through a reference mark (described later), and a photodetector (PD) 93 placed there. The received light is integrated by an integrator 85, and the value is held using the timing signal. The value held by the 5H84 is converted into a digital quantity by an A/D converter (hereinafter abbreviated as ADC) 86, and is sent from the input 801' to the CPU 41 in response to a read signal R from the CPU 41.

同時に、このリード信号Rにより積分器85を構成する
コンデンサに蓄えられた電荷を放電させるよう指令する
ようになっている。
At the same time, this read signal R is used to issue a command to discharge the charge stored in the capacitor constituting the integrator 85.

さらに、コーグ73からはマークタイミングパルスMT
Pが基準マーク信号発生器74に与えられている。この
信号MTPは、コーダ73内のカウンタの計数状態が遷
移状態を脱した後発せられるものであり、前述したライ
ン80bとライン80c上のデータの比較(一致してい
るか否か)を指令するものである。セレクタ75は、コ
ーグ73又はCPU41から与えられるフェース番号或
いは同フェース上での位置を表わす信号FPAを選択指
令部72からの信号に応じて選択するものである。メモ
リ7Bは、セレクタ75の出力をそのアドレス端子AD
R9で受け、またそのデータ入力端子DINにはI10
バス50を介してCPU41から与えられる値ΔXFP
が入力されるようになっている。
Furthermore, from Korg 73, mark timing pulse MT
P is provided to the reference mark signal generator 74. This signal MTP is generated after the counting state of the counter in the coder 73 exits the transition state, and instructs to compare the data on the aforementioned line 80b and line 80c (to determine whether they match or not). It is. The selector 75 selects a face number given from the Korg 73 or the CPU 41 or a signal FPA representing a position on the face in response to a signal from the selection command unit 72. The memory 7B inputs the output of the selector 75 to its address terminal AD.
R9 receives it, and its data input terminal DIN receives I10.
Value ΔXFP given from CPU 41 via bus 50
is now entered.

メモリ7Bの出力側のライン80gはD A C87に
与えられ、信号加算部8Bを介して前記A OD 14
に与えられる。従って、A OD 14はメモリ7Bか
ら出力される値と試料ステージ19のX方向の揺ぎ(Y
方向移動中)を測定するG S 28の検出出力ΔX 
yawとの和を補正値ΔXとして出力、即ちレーザビー
ムをΔXだけ偏向させるよう作用する。ここで、G S
 28は試料ステージ19のX方向のヨーイングを測定
するものであり、G52gの出力に基づいてA OD 
14によりビーム照射位置がX方向に補正されるので、
試料ステージ19のX方向のヨーイングに起因するビー
ム照射位置のずれを未然に防止することが可能となる。
A line 80g on the output side of the memory 7B is given to the D A C 87, and the A OD 14 is applied via the signal adder 8B.
given to. Therefore, A OD 14 is a combination of the value output from the memory 7B and the vibration of the sample stage 19 in the X direction (Y
Detection output ΔX of GS 28 that measures direction movement)
yaw is output as a correction value ΔX, that is, it acts to deflect the laser beam by ΔX. Here, G S
28 measures the yawing of the sample stage 19 in the X direction, and A OD is measured based on the output of G52g.
Since the beam irradiation position is corrected in the X direction by 14,
It becomes possible to prevent the beam irradiation position from shifting due to yawing of the sample stage 19 in the X direction.

次に、ピッチセンサ29及びこれを用いた光学系型の補
正方法(校正方法)について説明する。
Next, the pitch sensor 29 and an optical system type correction method (calibration method) using the pitch sensor 29 will be explained.

第9図(a)〜(C)はピッチセンサの構造を説明する
ための図である。ピッチセンサ29は基準マーク部と受
光素子とで形成されている。即ち、第9図(a)に示す
如く試料ステージ19上にX方向に沿って配置された薄
板体9■に一定間隔で40個の微小スリット(基準マー
ク)92が設けられている。そして、これらのスリット
92に対向するように、試料ステージ19の裏面側には
第9図(b)に同図(a)の矢視A−A断面を示す如く
複数のフォトダイオード(以下PDと略記する)93が
配置されている。
FIGS. 9(a) to 9(C) are diagrams for explaining the structure of the pitch sensor. The pitch sensor 29 is formed of a reference mark portion and a light receiving element. That is, as shown in FIG. 9(a), 40 minute slits (reference marks) 92 are provided at regular intervals in a thin plate member 92 placed on the sample stage 19 along the X direction. On the back side of the sample stage 19, facing these slits 92, there are a plurality of photodiodes (hereinafter referred to as PD) as shown in FIG. (abbreviated) 93 are arranged.

なお、図示はしないが、試料ステージ19には薄板体9
1よりも小径の開口が設けられており、薄板体91はこ
の開口を閉塞するように取着されている。
Although not shown, the sample stage 19 includes a thin plate member 9.
1 is provided, and the thin plate member 91 is attached so as to close this opening.

また、複数のPD93を用いる代りに、スリット92の
下側部分にそれぞれ光ファイバーの一端を配置し、該フ
ァイバーの他端を光結合して単一のPD93に光を導く
ようにしてもよい。ここで、スリット92の間隔は、前
記エンコーダパルスECPに対して、第9図(C)に示
す如くエンコーダパルスE CP 16個に対応するも
のとなっている。なお、上記薄板体91は必ずしも一体
のものでなくともよく、複数個の分割部分からなり各分
割部分の相互位置(X方向)を調節して取付けるように
しておけば、各スリット間隔をより精度良く設定できる
Further, instead of using a plurality of PDs 93, one end of each optical fiber may be arranged in the lower part of the slit 92, and the other end of the fiber may be optically coupled to guide light to a single PD 93. Here, the interval between the slits 92 corresponds to 16 encoder pulses E CP as shown in FIG. 9(C). Note that the thin plate body 91 does not necessarily have to be a single piece; if it is made up of a plurality of divided parts and is attached by adjusting the mutual position (X direction) of each divided part, the spacing between each slit can be adjusted more precisely. Can be set well.

まず、CPU41からゲート77に校正出力CALを与
えておく。CPU41からライン80cを介して基準マ
ーク信号発生器74に基準マーク位置に対応するミラー
位置(フェース番号と同フェース上での位置)FPAが
与えられ、その位置に実際のエンコーダフェースパルス
EFP及びエンコーダパルスECPが到来したとき基準
マーク信号発生器74によりブランキング信号(ここで
は、ビームをONするアンブランキング信号)を2ビツ
トの間発生させ、対応する基準マーク付近をレーザビー
ムにて照射しPD93にて受光させる。その際、CPU
41からはライン80hを介してレーザビームをX方向
にΔXFPだけ偏向させる指令が与えられる。第1O図
には1つの基準マーク位置のスリット92(3ビツト分
開口している)に対し同じポリゴンミラー15のフェー
ス番号に関して、八X 5 。
First, a calibration output CAL is given from the CPU 41 to the gate 77. The mirror position (position on the same face as the face number) FPA corresponding to the reference mark position is given from the CPU 41 to the reference mark signal generator 74 via the line 80c, and the actual encoder face pulse EFP and encoder pulse are sent to that position. When the ECP arrives, the reference mark signal generator 74 generates a blanking signal (in this case, an unblanking signal that turns on the beam) for 2 bits, and the vicinity of the corresponding reference mark is irradiated with a laser beam, and the PD93 Let it receive light. At that time, the CPU
41 gives a command to deflect the laser beam in the X direction by ΔXFP via line 80h. In FIG. 1O, the face number of the same polygon mirror 15 is 8X 5 for the slit 92 (open by 3 bits) at one reference mark position.

ΔX 、〜、Δx20の如く少しずつ異なる数10個の
ΔXFPをCPU41から逐次与え、スリット中心を測
定するプロセスを示す。同図のスリット端S1+32の
間に介在する出力波形部分(斜線部)が実際のPD93
の出力であって、これらはその都度積分されCPU側へ
ライン80fを介して読取られる。
The process of measuring the slit center by sequentially giving tens of slightly different ΔXFP from the CPU 41, such as ΔX, to Δx20, is shown. The output waveform part (shaded part) interposed between the slit ends S1+32 in the same figure is the actual PD93.
These are integrated in each case and read out via line 80f to the CPU side.

第11図はCPU41の中で読取られたセンサデータか
ら第10図のスリット92の中央位置に対応するΔXF
Pの値を算出する様子を説明する図であって、第11図
で横軸はΔXFPの値を示し、縦軸は読取られた各ΔX
F、に対応する積分値を示す。プロットした波形は台形
を示し、その上底部分は第10図のΔX  〜、ΔX1
3に対応している。第11図でス10″ リット92の中央に対応するΔXFPの値は次のステッ
プで判定する。まず、台形の高さの最大値の172に対
応する斜線α、β上の点位置P  、Pβα を求め、同点P  、PβのΔXFPの値をΔXo。
FIG. 11 shows ΔXF corresponding to the center position of the slit 92 in FIG. 10 from the sensor data read in the CPU 41.
11 is a diagram illustrating how the value of P is calculated, and in FIG. 11, the horizontal axis shows the value of ΔXFP, and the vertical axis shows the value of each ΔX
The integral value corresponding to F is shown. The plotted waveform shows a trapezoid, and its upper base is ΔX ~, ΔX1 in Figure 10.
It corresponds to 3. The value of ΔXFP corresponding to the center of the slit 92 in FIG. Find the value of ΔXFP of the same point P and Pβ as ΔXo.

α ΔX とする。次いで、 (Δχ +Δx)/2 e         t を計算する。この値が、測定対象としている基準マーク
の中央位置にレーザビームを照射するための補正量であ
る。そして、この補正量は各マーク(40個)全てに亙
って測定され、且つ算出される。
Let α ΔX be. Then, calculate (Δχ +Δx)/2 et . This value is the correction amount for irradiating the laser beam to the center position of the reference mark to be measured. Then, this correction amount is measured over all 40 marks and calculated.

また、CPU4Lでは各マーク間の位置における補正量
をも直線補間演算によって求めるようにしている。これ
により、X方向での640個の描画位置(ECP換算)
における各補正データが、CPU41からアドレス指定
されながらメモリ7Bに送られるようになっている。
Further, the CPU 4L also calculates the correction amount at the position between each mark by linear interpolation calculation. As a result, 640 drawing positions in the X direction (ECP conversion)
Each correction data in is sent to the memory 7B while being addressed by the CPU 41.

以下、この測定の操作を下記に示す第1表乃至第3表を
参照して説明する。
Hereinafter, the operation of this measurement will be explained with reference to Tables 1 to 3 shown below.

第1表に示すΔXFPテーブルを自動的に埋めるのが校
正動作である。ポリゴンミラー15の各フェース(FO
r  Fl + 〜、F7)毎に試料ステージ19上(
基準はエンコーダ)での位置(P、Pl。
The calibration operation is to automatically fill in the ΔXFP table shown in Table 1. Each face of the polygon mirror 15 (FO
r Fl + ~, F7) on the sample stage 19 (
The reference is the position (P, Pl) at the encoder).

〜、P   )に対して、A OD 14に制御値を与
えて位置修正すべき量ΔXFPを決定することになる。
~, P), a control value is given to AOD 14 to determine the amount of position correction ΔXFP.

この第1表のうち、○印を付けたP  、P016” 
′ P  は試料ステージ19上のピッチセンサ29を用い
て自動測定する位置であり、中間のP、P2゜〜、P 
  P   〜、P  、P   ・・・は直線補間1
5’    17°       31    33”
演算で求める。このΔXFPテーブルは補正制御回路4
Gにあるメモリ76と同じであり、校正動作中はCPU
4Lの主メモリにある。校正動作が完了するとΔXpl
)の内容は磁気ディスク装置42に保存される。描画時
には、磁気ディスク装置42に保存されているΔXFP
を補正制御回路4Bのメモリ76に格納する。
In this Table 1, P marked with ○, P016”
'P is the position automatically measured using the pitch sensor 29 on the sample stage 19, and the intermediate P, P2° ~, P
P ~, P, P... are linear interpolation 1
5' 17° 31 33"
Find it by calculation. This ΔXFP table is used by the correction control circuit 4.
It is the same as the memory 76 in G, and the CPU
Located in 4L main memory. When the calibration operation is completed, ΔXpl
) is stored in the magnetic disk device 42. When drawing, ΔXFP stored in the magnetic disk device 42
is stored in the memory 76 of the correction control circuit 4B.

第2表のDFnテーブルは、CPU41の主メモリに一
時的に持つもので、ピッチセンサ29の第17−りを用
いて測定された測定値を埋めるテーブルである。A O
D 14に制御値を与えΔXoなるビーム位置変位を、
ビームが第1マーク通過時に与えた時にPD93から得
る出力がFO+  F2+ 〜。
The DFn table in Table 2 is temporarily stored in the main memory of the CPU 41 and is a table filled with measured values measured using the 17th pitch sensor 29. A O
By giving a control value to D14, the beam position displacement becomes ΔXo,
The output obtained from the PD93 when the beam passes the first mark is FO+ F2+ ~.

Flに対してそれぞれ D   、D O,81,0” D  であったとする。次に、ΔXiなるビーム7.0 変位を与えて同様にD   、D   、〜”7.1o
、t      i、i を求める。ΔX に対応するD   、Dn     
  O,n   l・n I  ID  まで求まると
、前記第10図及び第11図に示7、n した方法で第1マークの中間位置をアドレスし得るAO
D補正値を計算で求め、その解がΔXo、。。
Suppose that Fl is D, D O, 81,0"D, respectively. Next, give a beam displacement of ΔXi of 7.0 and similarly change D, D, ~"7.1o
, t i,i . D, Dn corresponding to ΔX
Once O,n l・n I ID is determined, the AO that can address the intermediate position of the first mark is obtained using the method shown in FIGS. 10 and 11 above.
The D correction value is calculated and the solution is ΔXo. .

ΔX  、〜、ΔX  となる。これで、第1表1.0
     7,0 のΔX テーブルのP に対応したΔXFPが埋めFP
           O られる。
ΔX , ~, ΔX . Now Table 1 1.0
The ΔXFP corresponding to P in the ΔX table of 7,0 fills in the FP
O can be done.

第3表は、第2表と同様の目的のものであるが、第2マ
ーク以降(P −16,32,〜、 840 )で用い
る。第3表は第2マークの例であるが、AOD出力に関
しては第1マークで求めた解を流用し、これを中心に少
ない範囲の変化量ΔX、〜ΔX、をI        
 J 与えている。即ち、第1マークと第2マーク間では、光
学系歪みによる位置誤差は僅かであるため、このように
すれば短時間に必要なデータだけを採集できる。第3マ
ークの場合は、第2マークでの結果を用いる。第1表に
戻って、上記のプロセスを経ると、ΔX テーブルのp
、plG、〜。
Table 3 has the same purpose as Table 2, but is used after the second mark (P-16, 32, -, 840). Table 3 is an example of the second mark, but for the AOD output, the solution obtained for the first mark is used, and the amount of change ΔX, ~ΔX, in a small range is calculated around this I
J is giving. That is, since the positional error due to optical system distortion is small between the first mark and the second mark, by doing this, only the necessary data can be collected in a short time. In the case of the third mark, the result for the second mark is used. Returning to Table 1, after going through the above process, the ΔX table p
, plG, ~.

FP           O P  は埋められる。最後に直線補間演算をして空欄を
埋め、磁気ディスク装置42に保存すれば自動校正は完
了する。
FP O P is filled. Finally, the automatic calibration is completed by performing linear interpolation calculations to fill in the blanks and storing them in the magnetic disk device 42.

以下、この校正操作を第12図及び第13図のフローチ
ャートを参照して、更に詳しく説明する。まず、第12
図のフローチャートに示す如くフェースポジションアド
レスFPAから各フェース毎のPQを選択して基準マー
ク発生器74に出力する(第1ステツプ)。CPU41
の主メモリのFOr〜、F7のp(p)アドレスにΔx
oをう0    0.0 イトする(第2ステツプ)。ポリゴンミラー15の1回
転におけるPD93の検出出力をリードし、DFnテー
ブルのΔXo欄を埋める (第3ステツプ)。次いで、
第2及び第3ステツプに戻り、上記メモリのF。、〜、
F7のP(P)アト00、ル スにΔX1をライトし、ポリゴンミラー15の1回転に
おけるPD93の検出出力をリードしDFnテーブルの
Δx1欄を埋める。これを繰返して、DFnテーブルの
ΔX n欄まで埋める。次いで、解ΔX  、ΔX  
、〜、ΔX  を求め、XFPO,01,07,0 テーブルのPo欄を埋める(第4ステツプ)。
This calibration operation will be explained in more detail below with reference to the flowcharts of FIGS. 12 and 13. First, the 12th
As shown in the flowchart in the figure, PQ for each face is selected from the face position address FPA and output to the reference mark generator 74 (first step). CPU41
Δx at the p(p) address of F7, FOr~ of the main memory of
Write o (second step). The detection output of the PD 93 during one rotation of the polygon mirror 15 is read and the ΔXo column of the DFn table is filled in (third step). Then,
Returning to the second and third steps, F of the above memory. ,~,
Write ΔX1 to P(P) at 00 and Lux of F7, read the detection output of PD93 during one rotation of polygon mirror 15, and fill in the Δx1 column of the DFn table. Repeat this to fill up to the ΔX n column of the DFn table. Then, the solutions ΔX, ΔX
, ~, ΔX is determined and the Po column of the XFPO,01,07,0 table is filled in (fourth step).

ここまでで、XFPテーブルのPo欄の埋込みが完了す
る。次いで、第1ステツプに戻り、前記フェースポジシ
ョンアドレスFPAから各フェース毎のPI3を選択し
て基準マーク発生器74に出力する。そして、上記した
第2及び第3ステツプを繰返して第4ステツプで解ΔX
  、ΔXO,161,18° ′ ΔX7,1Bを求めXFPテーブルのP2O欄を埋める
Up to this point, the embedding of the Po column of the XFP table is completed. Next, the process returns to the first step, and PI3 for each face is selected from the face position address FPA and outputted to the reference mark generator 74. Then, by repeating the second and third steps described above, the solution ΔX is obtained in the fourth step.
, ΔXO,161,18° ′ ΔX7,1B and fill in the P2O column of the XFP table.

これらの操作を順次繰返して、XFPテーブルのP  
欄まで埋める。
By repeating these operations sequentially,
Fill in the columns.

なお、上記のフローチャートでは第2マーク以降も第1
マークと同一の方法で行ったが、実際には第2マーク以
降は第13図のフローチャートに示す如く前の解を利用
する。即ち、1つ前のマークにおける補正量ΔXに基づ
いてΔXの範囲をΔX1〜Δxj (i<j)に設定し
、ΔXの数を少なくする。第1ステツプは先と同様であ
り、第2ステツプにおいて、第2マークでは、CPU4
1の主メモリのFo、〜、F7のP1Bアドレスに下記
に示す如くΔX++ΔXをライトする。
In addition, in the above flowchart, the second mark and subsequent marks are also the same as the first mark.
The same method as for the mark was used, but in reality, from the second mark onwards, the previous solution is used as shown in the flowchart of FIG. That is, the range of ΔX is set to ΔX1 to Δxj (i<j) based on the correction amount ΔX for the previous mark, and the number of ΔX is reduced. The first step is the same as before, and in the second step, at the second mark, the CPU4
ΔX++ΔX is written to the P1B address of Fo, . . . , F7 of the main memory No. 1 as shown below.

Δχ  +ΔX     →  (F     ’)t
        o、o           o、t
eΔX 、 +ΔX     →   (F     
)1      1.0          1.1B
Δχ  +ΔX     →  (F    )1  
    7.0          7,1B次いで、
第3ステツプにおいて、ポリゴンミラー15の1回転に
おけるP、D93の検出出力をリードし、DPnテーブ
ルのΔX、+ΔX欄を埋める。次いで、上記第2及び第
3のステップを繰返してDFnテーブルのΔXj+ΔX
欄まで埋める。次いで、第4ステツプで先と同様にして
XFPテーブルのP1o欄を埋める。
Δχ +ΔX → (F')t
o, o o, t
eΔX, +ΔX → (F
)1 1.0 1.1B
Δχ +ΔX → (F)1
7.0 7,1B then,
In the third step, the detection outputs of P and D93 in one rotation of the polygon mirror 15 are read, and the ΔX and +ΔX columns of the DPn table are filled in. Next, repeat the second and third steps to obtain ΔXj+ΔX of the DFn table.
Fill in the columns. Next, in the fourth step, the P1o column of the XFP table is filled in the same manner as before.

次いで、i、jを再設定(第5ステツプ)したのち、第
1ステツプに戻り、上述した操作を繰返すことにより、
X テーブルのP  欄まで埋めFP       6
40 る。この場合、第2マーク以降ではΔXの数が少なくな
るので、マーク中心位置検出時間が第12図のフローチ
ャートに示した操作の場合よりも大幅に短くなる。
Next, after resetting i and j (fifth step), return to the first step and repeat the above operations to obtain
Fill in the P column of the X tableFP 6
40 Ru. In this case, since the number of ΔX decreases after the second mark, the mark center position detection time becomes significantly shorter than in the case of the operation shown in the flowchart of FIG. 12.

このようにポリゴミラ−15の回転角度に対する実際の
ビーム照射位置と本来あるべき照射位置との差を求め、
この差分(補正量ΔX)をメモリ7Bに記憶しておき、
実際の描画時にポリゴンミラー15の回転角度に応じて
A OD 14によりビームのX方向偏向位置ずれを補
正しているので、光学系の歪みに起因するビーム照射位
置のずれを未然に防止することが可能となる。つまり、
ポリゴンミラー15の製作誤差やFθレンズ16の製作
誤差等に起因する再現性のある光学歪みの誤差補正が可
能となる。なお、ポリゴンミラー15の各フェース面の
加工精度が極めて良好で、各フェース面におけるP 、
〜、P  のそれぞれに対応する補正量ΔXが略等しい
場合、1つのフェース面に対して上述の校正操作を行い
、全てのフェース面における補正量を同じにしてもよい
In this way, the difference between the actual beam irradiation position and the original irradiation position with respect to the rotation angle of the polygon mirror 15 is determined,
This difference (correction amount ΔX) is stored in the memory 7B,
During actual drawing, the AOD 14 corrects the deviation in the X-direction deflection position of the beam according to the rotation angle of the polygon mirror 15, so it is possible to prevent deviations in the beam irradiation position due to distortion of the optical system. It becomes possible. In other words,
It becomes possible to reproducibly correct errors in optical distortion caused by manufacturing errors of the polygon mirror 15, manufacturing errors of the Fθ lens 16, and the like. Note that the processing accuracy of each face surface of the polygon mirror 15 is extremely good, and P on each face surface,
When the correction amounts ΔX corresponding to each of .

かくして本実施例によれば、試料20を載置した試料ス
テージ19をY方向に連続移動しながら、ボリボンミラ
−15の回転によりレーザビームを試料20上でX方向
に走査すると共に、描画すべきパターンデータに応じて
ビームをブランキング制御することにより、試料20上
に所望パターンを描画することができる。そしてこの場
合、ビームのブランキングのタイミングを制御する手段
としてポリゴンミラー15の回転速度に同期したエンコ
ーダパルスECPから作成したシフトクロックSCKを
用いているので、ビームのブランキングがポリゴンミラ
ー15の回転に同期して行われることになる。
Thus, according to this embodiment, while the sample stage 19 on which the sample 20 is mounted is continuously moved in the Y direction, the laser beam is scanned on the sample 20 in the X direction by rotating the voribon mirror 15, and the pattern to be drawn is By controlling the beam blanking according to the data, a desired pattern can be drawn on the sample 20. In this case, since the shift clock SCK created from the encoder pulse ECP synchronized with the rotation speed of the polygon mirror 15 is used as a means for controlling the timing of beam blanking, the beam blanking is controlled by the rotation of the polygon mirror 15. It will be done synchronously.

このため、ポリゴンミラー15の回転速度が変化しても
、試料20上でビームがブランキングされる位置が可変
する等の不都合はない。従って、ポリゴンミラー15の
回転ムラに起因するビーム照射位置のX方向ずれを防止
することができ、描画精度の向上をはかり得る。しかも
、光学系歪みに関する補正データを、前述した手法(ピ
ッチセンサ29へのビーム走査、各マーク位置における
補正量ΔXの算出及び直線補間演算等)により求め、こ
れを予めメモリ76に記憶させておき、実際の描画時に
A OD 14にてこれを補正しているので、光学系の
歪みに起因するビーム照射位置のずれを確実に防止する
ことができる。また、試料ステージ19のヨーイングに
関しては、MSS27により試料ステージ19のY方向
位置を測定し、ビームの1スキヤン毎にこのn1定位置
と本来あるべき位置との差を求め、この差分に応じてP
Z21により反射ミラー12bの設置角度を可変してビ
ームの照射位置をY方向に補正している。このため、試
料ステージ19のY方向に関するヨーイングに起因して
ビーム照射位置にY方向のずれを生じることはない。さ
らに、試料ステージ19のX方向のヨーイングに関して
は、G S 2gにより試料ステージ19のX方向のず
れを検出し、この検出値に応じて前記A OD 14に
よりビームをX方向に偏向している。このため、試料ス
テージ19にX方向のヨーイングがあっても、ビーム照
射位置のX方向のずれが生じるのを未然に防止すること
ができる。
Therefore, even if the rotational speed of the polygon mirror 15 changes, there is no problem such as the position where the beam is blanked on the sample 20 changing. Therefore, it is possible to prevent the beam irradiation position from shifting in the X direction due to uneven rotation of the polygon mirror 15, and it is possible to improve drawing accuracy. Moreover, correction data regarding optical system distortion is obtained by the above-described method (beam scanning to the pitch sensor 29, calculation of the correction amount ΔX at each mark position, linear interpolation calculation, etc.) and is stored in the memory 76 in advance. Since this is corrected by the AOD 14 during actual drawing, it is possible to reliably prevent deviation of the beam irradiation position due to distortion of the optical system. Regarding the yawing of the sample stage 19, the MSS 27 measures the Y-direction position of the sample stage 19, calculates the difference between this n1 fixed position and the original position for each scan of the beam, and adjusts the position of the sample stage 19 according to this difference.
Z21 changes the installation angle of the reflection mirror 12b to correct the beam irradiation position in the Y direction. Therefore, the beam irradiation position does not shift in the Y direction due to yawing of the sample stage 19 in the Y direction. Furthermore, regarding the yawing of the sample stage 19 in the X direction, the shift of the sample stage 19 in the X direction is detected by G S 2g, and the beam is deflected in the X direction by the A OD 14 according to this detected value. Therefore, even if the sample stage 19 yawing in the X direction, it is possible to prevent the beam irradiation position from shifting in the X direction.

上記した理由から本実施例によれば、ポリゴンミラー1
5の回転ムラ、光学系歪み及び試料ステージ19のヨー
イング等に対するビーム照射位置のずれを未然に防止す
ることができ、描画精度の著しい向上をはかり得る。ま
た、光学系の歪みを補正するために従来のように描画ビ
ームとは別の基準ビームを用いる必要もないので、光学
系の構成が複雑化するような不都合もなく、極めて実用
的である。
For the reasons mentioned above, according to this embodiment, the polygon mirror 1
It is possible to prevent deviations in the beam irradiation position due to rotational irregularities, optical system distortion, yawing of the sample stage 19, etc., and the drawing accuracy can be significantly improved. Further, since there is no need to use a reference beam separate from the drawing beam as in the conventional method to correct distortion of the optical system, there is no problem of complicating the configuration of the optical system, and this is extremely practical.

なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記レーザビームのX方向位置ずれ補正を
行う手段としてはAODに限るものではなく、ポリゴン
ミラーの回転速度に対し十分に応答性が速く、レーザビ
ームをX方向に偏向し得るものであればよい。さらに、
レーザビームのY方向位置ずれ補正を行う手段としては
反射ミラー及びピエゾ素子の組合わせに限るものではな
く、レーザビームを安定してY方向に偏向し得るもので
あればよい。また、実施例ではエンコーダパルスECP
を逓倍してシフトクロックSCKを作成したが、この逓
倍数は描画すべきパターンの最小寸法(アドレスユニッ
トの大きさ等)に応じて適宜変更可能である。さらに、
エンコーダパルスECPの分解能をブランキング信号を
直接発生できる程細かくできる場合、上記の逓倍処理は
必ずしも必要なく、エンコーダパルスECPを直接ブラ
ンキング信号として用いてもよい。
Note that the present invention is not limited to the embodiments described above. For example, the means for correcting the X-direction positional deviation of the laser beam is not limited to an AOD, but any means that has a sufficiently fast response to the rotational speed of the polygon mirror and can deflect the laser beam in the X-direction can be used. good. moreover,
The means for correcting the positional deviation of the laser beam in the Y direction is not limited to a combination of a reflecting mirror and a piezo element, and any means that can stably deflect the laser beam in the Y direction may be used. In addition, in the embodiment, the encoder pulse ECP
Although the shift clock SCK was created by multiplying the number, this multiplication number can be changed as appropriate depending on the minimum dimension of the pattern to be drawn (size of address unit, etc.). moreover,
If the resolution of the encoder pulse ECP can be made fine enough to directly generate a blanking signal, the above multiplication process is not necessarily necessary, and the encoder pulse ECP may be used directly as a blanking signal.

また、実施例では試料ステージの1回の移動により描画
すべき面の全面を描画するようにしたが、描画すべき領
域を複数のフレームに分割し、フレーム毎に描画するよ
うにしてもよい。つまり、1回の試料ステージのY方向
連続移動により1フレームを描画し、次いで試料ステー
ジをX方向にビーム走査幅分だけステップ移動した後、
再び試料ステージをY方向に連続移動しながら次のフレ
ームを描画する、所謂ハイブリッドラスクスキャン方式
であってもよい。この場合、ポリゴンミラーによるビー
ム走査幅を短くできるので、ポリゴンミラーによるビー
ム走査幅を実施例と同様にすればより大きな(フレーム
数倍)の試料の直接描画が可能となる。
Further, in the embodiment, the entire surface to be drawn is drawn by one movement of the sample stage, but the region to be drawn may be divided into a plurality of frames and drawn for each frame. In other words, one frame is drawn by one continuous movement of the sample stage in the Y direction, and then the sample stage is moved stepwise in the X direction by the beam scanning width.
A so-called hybrid rask scan method may be used in which the next frame is drawn while continuously moving the sample stage in the Y direction again. In this case, since the beam scanning width by the polygon mirror can be shortened, if the beam scanning width by the polygon mirror is made the same as in the embodiment, it is possible to directly write a larger sample (multiple the number of frames).

また、X方向位置ずれ検出器はギヤップセンサに限るも
のではなく、試料ステージのX方向の位置ずれをリアル
タイムで検出し得るものであればよい。さらに、Y方向
位置検出器は磁気スケール用のセンサに限るものではな
く、試料ステージのY方向立置を高精度に検出できるも
の、例えばレーザ干渉計であってもよい。また、描画す
べき試料はPCB基板に限るものではなく、ディスプレ
イ装置のパネル等、比較的大きな面に直接パターンを描
画する必要のあるものに適用することが可能である。そ
の他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して
実施することができる。
Further, the X-direction positional deviation detector is not limited to a gap sensor, and may be any device that can detect the positional deviation of the sample stage in the X-direction in real time. Further, the Y-direction position detector is not limited to a sensor for a magnetic scale, but may be a device that can detect the upright position of the sample stage in the Y-direction with high precision, such as a laser interferometer. Further, the sample to be drawn is not limited to a PCB substrate, and the present invention can be applied to a panel of a display device, etc., which requires a pattern to be drawn directly on a relatively large surface. In addition, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

[発明の効果〕 以上詳述したように本発明によれば、試料ステージの位
置を検出し、この検出情報に基づきレーザビームを微小
偏向して試料ステージの位置ずれを補正しているので、
試料ステージのヨーイング等に起因するビーム照射位置
のずれを未然に防止することができ、描画精度の向上を
はかり得る。
[Effects of the Invention] As detailed above, according to the present invention, the position of the sample stage is detected and the laser beam is slightly deflected based on this detection information to correct the positional deviation of the sample stage.
It is possible to prevent deviations in the beam irradiation position due to yawing of the sample stage, etc., and improve drawing accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例に係わるレーザ描画装置の基
本構成を示す図、第2図は同実施例における描画装置本
体の概略構成を示す斜視図、第3図は試料ステージの構
造を示す側断面図、第4図は試料ステージの構造を示す
平面図、第5図は同実施例における制御部の要部構成を
示すブロック図、第6図はステージヨーイングの補正動
作を示すフローチャート、第7図はロータリーエンコー
ダの具体的構成を示す模式図、第8図はエンコーダの出
力パルス及びこれに基づくシフトクロック等の作成方法
を説明するための信号波形図、第9図はピッチセンサの
具体的構成を示す模式図、第1θ図及び第11図はそれ
ぞれ基準マークの中心位置測定方法を説明するための模
式図、第12図及び第13図はそれぞれ光学系歪みの補
正量を求めるための動作を示すフローチャートである。 11・・・レーザ発振器、12a、〜、12d・・・反
射ミラー、13・・・音響光学変調器(AOM) 、1
4・・・音響光学偏向器(AOD) 、15・・・ポリ
ゴンミラー、19・・・試料ステージ、20・・・試料
、21.25・・・ピエゾ素子(P Z)22.24.
28・・・モータ、23・・・ロータリーエンコーダ、
27・・・マグネスケール用のセンサ(MSS)、28
・・・ギャップセンサ(GS)、29・・・ピッチセン
サ、41・・・CPU、44・・・描画パターン処理回
路、45・・・走査制御回路、46・・・補正制御回路
、47・・・駆動制御回路。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第3図 第4図 第6図 (a) (b) 第7図 (a) (b) (C) 第9図 第10図
FIG. 1 is a diagram showing the basic configuration of a laser drawing device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing a schematic structure of the main body of the drawing device in the same embodiment, and FIG. 3 is a diagram showing the structure of a sample stage. 4 is a plan view showing the structure of the sample stage, FIG. 5 is a block diagram showing the main configuration of the control section in the same embodiment, and FIG. 6 is a flowchart showing the stage yawing correction operation. Fig. 7 is a schematic diagram showing the specific configuration of the rotary encoder, Fig. 8 is a signal waveform diagram for explaining the output pulse of the encoder and a method of creating shift clocks based on this, and Fig. 9 is a specific diagram of the pitch sensor. Figures 1θ and 11 are schematic diagrams for explaining the method of measuring the center position of the reference mark, and Figures 12 and 13 are diagrams for determining the amount of correction for optical system distortion, respectively. It is a flowchart showing the operation. 11... Laser oscillator, 12a, -, 12d... Reflection mirror, 13... Acousto-optic modulator (AOM), 1
4... Acousto-optic deflector (AOD), 15... Polygon mirror, 19... Sample stage, 20... Sample, 21.25... Piezo element (PZ) 22.24.
28...Motor, 23...Rotary encoder,
27... Magnescale sensor (MSS), 28
... Gap sensor (GS), 29... Pitch sensor, 41... CPU, 44... Drawing pattern processing circuit, 45... Scanning control circuit, 46... Correction control circuit, 47...・Drive control circuit. Applicant's representative Patent attorney Takehiko Suzue Figure 3 Figure 4 Figure 6 (a) (b) Figure 7 (a) (b) (C) Figure 9 Figure 10

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)試料ステージ上に配置された試料にレーザビーム
を照射して該試料上に所望パターンを描画するレーザ描
画装置において、前記試料ステージを一方向(Y方向)
に連続移動する手段と、レーザ発振器からのレーザビー
ムを反射し該反射ビームを前記試料上に照射するポリゴ
ンミラーと、このポリゴンミラーを回転せしめ上記反射
ビームを前記試料ステージの移動方向と略直交する方向
(X方向)に走査する手段と、描画すべきデータに応じ
て前記ポリゴンミラー上に照射されるビームをブランキ
ングする手段と、前記試料ステージの位置を検出する手
段と、この検出手段により得られた試料ステージの検出
位置と本来あるべき設定位置との差分を求め、この差分
に応じて前記ビームを偏向する手段とを具備してなるこ
とを特徴とするレーザ描画装置。
(1) In a laser drawing device that irradiates a sample placed on a sample stage with a laser beam to draw a desired pattern on the sample, the sample stage is moved in one direction (Y direction).
a polygon mirror that reflects a laser beam from a laser oscillator and irradiates the reflected beam onto the sample; and a means for rotating the polygon mirror to direct the reflected beam substantially orthogonally to the moving direction of the sample stage. means for scanning in the direction (X direction); means for blanking the beam irradiated onto the polygon mirror according to data to be drawn; means for detecting the position of the sample stage; 1. A laser drawing apparatus comprising means for determining a difference between a detected position of a sample stage and an originally set position of the sample stage, and deflecting the beam in accordance with this difference.
(2)前記試料ステージの位置を検出する手段は該ステ
ージのX方向位置ずれ量を検出するX方向位置検出器で
あり、前記レーザビームを偏向する手段は上記検出され
た試料ステージのX方向位置ずれ量に応じてビームを試
料上でX方向に微小偏向し、前記試料ステージのX方向
位置ずれを補正することである特許請求の範囲第1項記
載のレーザ描画装置。
(2) The means for detecting the position of the sample stage is an X-direction position detector that detects the amount of positional deviation of the stage in the X-direction, and the means for deflecting the laser beam is the detected position of the sample stage in the X-direction. 2. The laser drawing apparatus according to claim 1, wherein the beam is minutely deflected in the X direction on the sample according to the amount of deviation to correct the positional deviation of the sample stage in the X direction.
(3)前記X方向位置検出器は、前記試料ステージのY
方向と平行な側面との間隔を測定するギャップセンサで
あることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載のレー
ザ描画装置。
(3) The X-direction position detector is a Y position detector of the sample stage.
3. The laser drawing device according to claim 2, wherein the laser drawing device is a gap sensor that measures a distance between a side surface parallel to the direction.
(4)前記試料ステージのX方向位置ずれを補正する手
段は、前記ポリゴンミラーに照射されるビームの光路中
に音響光学偏向器を設け、この偏向器に上記ずれ量に応
じた信号を印加することである特許請求の範囲第2項記
載のレーザ描画装置。
(4) The means for correcting the positional deviation of the sample stage in the X direction includes providing an acousto-optic deflector in the optical path of the beam irradiated to the polygon mirror, and applying a signal corresponding to the amount of deviation to the deflector. A laser drawing apparatus according to claim 2.
(5)前記試料ステージの位置を検出する手段は該ステ
ージのY方向位置を検出するY方向位置検出器であり、
前記レーザビームを偏向する手段は該ビームの1走査毎
に上記検出器による試料ステージの検出位置と設定位置
との差を求め、この差に応じてビームを試料上でY方向
に微小偏向し、前記ステージのY方向位置ずれを補正す
ることである特許請求の範囲第1項記載のレーザ描画装
置。
(5) The means for detecting the position of the sample stage is a Y-direction position detector that detects the Y-direction position of the stage;
The means for deflecting the laser beam determines the difference between the detected position of the sample stage by the detector and the set position for each scan of the laser beam, and minutely deflects the beam in the Y direction on the sample according to this difference, 2. The laser drawing apparatus according to claim 1, wherein a positional shift of the stage in the Y direction is corrected.
(6)前記Y方向位置検出器は、磁気スケール用のセン
サであることを特徴とする特許請求の範囲第5項記載の
レーザ描画装置。
(6) The laser drawing apparatus according to claim 5, wherein the Y-direction position detector is a sensor for a magnetic scale.
(7)前記試料ステージのY方向位置ずれを補正する手
段は、前記ポリゴンミラーに照射されるビームの光路中
に反射ミラー及びこのミラーの設置角度を可変するピエ
ゾ素子を設け、このピエゾ素子に上記ずれ量に応じた信
号を印加することである特許請求の範囲第5項記載のレ
ーザ描画装置。
(7) The means for correcting the displacement of the sample stage in the Y direction includes a reflecting mirror and a piezo element that changes the installation angle of the mirror in the optical path of the beam irradiated to the polygon mirror, and the piezo element is attached to the 6. The laser drawing apparatus according to claim 5, wherein a signal corresponding to the amount of deviation is applied.
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