JPS62196622A - Collimater lens for semiconductor laser - Google Patents

Collimater lens for semiconductor laser

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JPS62196622A
JPS62196622A JP4005786A JP4005786A JPS62196622A JP S62196622 A JPS62196622 A JP S62196622A JP 4005786 A JP4005786 A JP 4005786A JP 4005786 A JP4005786 A JP 4005786A JP S62196622 A JPS62196622 A JP S62196622A
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JP
Japan
Prior art keywords
lens
semiconductor laser
optical axis
emitting point
light emitting
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Application number
JP4005786A
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Japanese (ja)
Inventor
Masaru Noguchi
勝 野口
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS62196622A publication Critical patent/JPS62196622A/en
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Abstract

PURPOSE:To reduce return light to a semiconductor laser emitting point by forming the beam projecting end face of a collimater lens consisting of a refractive index distribution type rod lens obliquely from the optical axis of the lens. CONSTITUTION:In the collimater lens 20 consisting of the refractive index distribution type rod lens, the optical axis 21 of the lens 20 is arranged so as to coincide with the beam projecting axis 12 of the semiconductor laser 10. Laser beams 14 radiated from the light emitting point 10a of the laser 10 are turned to parallel beams 14' by the lens 20. Although the incident end face 20a of the lens 20 is vertical to the optical axis 21, the outgoing end face 20b is obliquely formed with an angle phi from the optical axis 21. Thereby, the beams 14'' reflected by the outgoing end faces 20b are advanced to the semiconductor laser 10 side through an optical path different from that of the incident beams to the collimeter lens 20. Thereby, the beams 14'' are not returned to the light emitting point 10a.

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の分野) 本発明は半導体レーザから射出された発散ビームを平行
ビーム化するコリメータレンズ、特に詳細には半導体レ
ーザ発光点への戻り光を低減できるようにした半導体レ
ーザ用コリメータレンズに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of the Invention) The present invention relates to a collimator lens that converts a diverging beam emitted from a semiconductor laser into a parallel beam, and more specifically to a semiconductor laser capable of reducing light returning to a light emitting point of a semiconductor laser. This invention relates to a laser collimator lens.

(発明の技術的背景および先行技術) 従来より、光ビームを光偏向器により偏向して走査する
光走査装置が、例えば各種走査記録装置、走査記録装置
等において広く実用に供されている。
(Technical Background and Prior Art of the Invention) Conventionally, optical scanning devices that scan by deflecting a light beam with an optical deflector have been widely put into practical use, for example, in various scanning recording devices, scanning recording devices, and the like.

このような光走査装置において光ビームを発生する手段
の1つとして、半導体レーザが従来から用いられている
。この半導体レーザは、ガスレーザ等に比べれば小型、
安価で消!2電力も少なく、また駆動電流を変えること
によって直接変調が可能である等、数々の長所を有して
いる。
Semiconductor lasers have been conventionally used as one means for generating light beams in such optical scanning devices. This semiconductor laser is small compared to gas lasers, etc.
Disappear cheaply! It has many advantages, such as low power consumption and direct modulation by changing the drive current.

周知のようにこの半導体レーザから発せられる光ビーム
は発散ビームであるので、上記のような各種走査記録装
置や読取装置を始め該半導体装置ザを用いる多くの装置
にあっては、この発散ビームをコリメータレンズに通し
て平行ビーム化している。このコリメータレンズとして
は通常の凸レンズの他、屈折率分布形ロッドレンズ(我
が国においては「セルフォックレンズ」なる商品名でよ
く知られている)が用いられることも多い。つまりこの
ようなロッドレンズは小型かつ安価であり、先に述べた
ように小型かつ安価であるという半導体レーザの特長を
活かす上で極めて適しているのである。
As is well known, the light beam emitted from this semiconductor laser is a diverging beam, so many devices that use this semiconductor laser, including the various scanning recording devices and reading devices mentioned above, use this diverging beam. It passes through a collimator lens and becomes a parallel beam. As this collimator lens, in addition to a normal convex lens, a gradient index rod lens (well known in Japan under the trade name "Selfoc lens") is often used. In other words, such a rod lens is small and inexpensive, and is extremely suitable for taking advantage of the characteristics of semiconductor lasers, which are small and inexpensive as described above.

ところがこのようなロッドレンズをコリメータレンズと
して用いる場合、半導体レーザ発光点への戻り光が多く
、そのために半導体レーザのノイズが大きくなるという
問題がある。以下、この点について第2図を参照して詳
しく説明する。半導体レーザ10と、前述のようなロッ
ドレンズからなるコリメータレンズ11は、ビーム射出
軸12とレンズ光軸13とが揃うように配置されている
。コリメータレンズ11の入射端面11aと出射端面1
1bはそれぞれ、レンズ光軸13に対して垂直とされて
いる。
However, when such a rod lens is used as a collimator lens, there is a problem that a large amount of light returns to the semiconductor laser light emitting point, which increases the noise of the semiconductor laser. This point will be explained in detail below with reference to FIG. The semiconductor laser 10 and the collimator lens 11 made of a rod lens as described above are arranged so that the beam emission axis 12 and the lens optical axis 13 are aligned. Entrance end surface 11a and exit end surface 1 of collimator lens 11
1b are perpendicular to the lens optical axis 13, respectively.

半導体レーザ10の発光点10aから射出されるレーザ
ビームは発散ビーム14であり、この発散ビーム14は
コリメータレンズ11に入射し、該レンズ11によって
平行ビーム14′ とされる。ここで上記入射端面11
aおよび出射端面11bにおいては、ビームの一部が反
射する。図示の通り、入射端面11aで反射した光が発
光点10aに戻る率は低いが、出射端面11bで反射し
た光が発光点10aに戻る率は極めて高い。すなわち両
端面11a、11bの光反射率をともにRとし、半導体
レーザ10とコリメータレンズ11との相対位置が理想
的に調整されているとすれば、出射端面11bから発光
点10aに戻る光の光lは、半導体レーザ10から射出
されたビームの光量に対して(1−R)2 Rの割合と
なる。例えばR−0,005の場合、戻り光の割合は約
0.005に達する。
The laser beam emitted from the light emitting point 10a of the semiconductor laser 10 is a diverging beam 14, which enters the collimator lens 11 and is converted into a parallel beam 14' by the collimator lens 11. Here, the incident end face 11
A part of the beam is reflected at the output end face 11b. As shown in the figure, the rate at which light reflected at the input end face 11a returns to the light emitting point 10a is low, but the rate at which light reflected at the output end face 11b returns to the light emitting point 10a is extremely high. That is, if the light reflectances of both end surfaces 11a and 11b are both R, and the relative positions of the semiconductor laser 10 and the collimator lens 11 are ideally adjusted, then the light returning from the output end surface 11b to the light emitting point 10a is l is a ratio of (1-R)2R to the amount of light emitted from the semiconductor laser 10. For example, in the case of R-0,005, the proportion of returned light reaches approximately 0.005.

(発明の目的) 本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり
、半導体レーザ発光点への戻り光を低減することができ
る半導体レーザ用コリメータレンズを提供することを目
的とするものである。
(Object of the Invention) The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a collimator lens for a semiconductor laser that can reduce the return light to the semiconductor laser light emitting point. It is.

(発明の構成) 本発明の半導体レーザ用コリメータレンズは、前述のよ
うな屈折率分布形ロッドレンズからなるコリメータレン
ズにおいて、そのビーム出射端面をレンズ光軸に対して
斜めに形成したことを特徴とするものである。
(Structure of the Invention) The collimator lens for a semiconductor laser of the present invention is characterized in that, in the collimator lens made of the gradient index rod lens as described above, the beam output end face is formed obliquely with respect to the optical axis of the lens. It is something to do.

(実施態様) 以下、図面に示す実ram様に基づいて本発明の詳細な
説明する。
(Embodiments) Hereinafter, the present invention will be described in detail based on an actual RAM shown in the drawings.

第1図は本発明の一実施態様による半導体レーザ用コリ
メータレンズを示すものである。屈折率分布形ロッドレ
ンズからなるコリメータレンズ20は、そのレンズ光軸
21が半導体レーザ10のビーム射出軸12と揃うよう
に配置されている。半導体レーザ10の発光点10aか
ら射出されたレーザビーム(発散ビーム)14は、この
コリメータレンズ20によって平行ビーム14′ とさ
れる。ここでコリメータレンズ20の入射端面20aは
レンズ光軸21に対して垂直とされているが、出射端面
20bはレンズ光軸21に対して角度φだけ斜めに形成
されている。
FIG. 1 shows a collimator lens for a semiconductor laser according to one embodiment of the present invention. The collimator lens 20 made of a gradient index rod lens is arranged so that its optical axis 21 is aligned with the beam emission axis 12 of the semiconductor laser 10. A laser beam (divergent beam) 14 emitted from the light emitting point 10a of the semiconductor laser 10 is converted into a parallel beam 14' by the collimator lens 20. Here, the entrance end surface 20a of the collimator lens 20 is perpendicular to the lens optical axis 21, but the exit end surface 20b is formed obliquely to the lens optical axis 21 by an angle φ.

そのため、この出射端面20bにおいて反射したビーム
14″は、コリメータレンズ20への入射ビームとは異
なった光路を経て半導体レーザ10側に進むことになり
、半導体レーザ発光点10aには戻らない。このように
コリメータレンズ20からの反射光が発光点10aに戻
らなければ、前述のように半導体レーザ10が戻り光に
よってノイズを生じることがない。
Therefore, the beam 14'' reflected at the output end face 20b travels to the semiconductor laser 10 side through a different optical path from that of the beam incident on the collimator lens 20, and does not return to the semiconductor laser light emitting point 10a. If the reflected light from the collimator lens 20 does not return to the light emitting point 10a, the semiconductor laser 10 will not generate noise due to the returned light as described above.

以下、上記出射端面20bのレンズ光軸21に対する傾
きφの好ましい値について述べる。コリメータレンズ2
0として、日本板硝子(株)製のセルフォックレンズW
20E15B083 Nを用いる。このセルフォックレ
ンズの仕様は以下の通りである。
A preferred value of the inclination φ of the exit end face 20b with respect to the lens optical axis 21 will be described below. Collimator lens 2
0, SELFOC lens W manufactured by Nippon Sheet Glass Co., Ltd.
20E15B083N is used. The specifications of this SELFOC lens are as follows.

・レンズの長さZ −3,163m ・メリディオナル光線に対する屈折率分布n  (r 
 )  −1,599sech  (0,298)  
r−1,599(1−0,0444r 2 )・直径2
.0im ・ピッチ数0.15 屈折率分布形ロッドレンズの屈折率分布はn(r)=n
o<I  Ar2/2) (noはレンズ光軸における屈折率、rはレンズ光軸か
らの距離、Aは定数) なる式で近似でき、この場合メリディオナル光線の軌跡
は第3図のようになる。そしてこのときの光線マトリッ
クスは、次式で与えられる。
・Lens length Z -3,163m ・Refractive index distribution n (r
) -1,599sec (0,298)
r-1,599 (1-0,0444r 2 )・Diameter 2
.. 0im ・Pitch number 0.15 The refractive index distribution of the gradient index rod lens is n(r)=n
o<I Ar2/2) (no is the refractive index on the lens optical axis, r is the distance from the lens optical axis, and A is a constant) It can be approximated by the formula, and in this case, the trajectory of the meridional ray will be as shown in Figure 3. . The ray matrix at this time is given by the following equation.

上述のセルフォックレンズを用いる場合、no =  
1,599、p、 = 0.0888 、Z = 3.
163m5+であるから上記(1)式より、 第4図図示のように、入ti4端而20aにおいてレン
ズ光軸21から0.5JllIの位置に角度θ1で入射
したメリディオナル光線が、出射端面20bにおいてレ
ンズ光軸21からr2の距離の位置で角度Q(rad)
で出射し、コリメートされるとする。この場合(2式よ
り、 ;、  r2=lIO,294+ t、698θ。
When using the above-mentioned Selfoc lens, no =
1,599, p = 0.0888, Z = 3.
163m5+, so from the above equation (1), as shown in FIG. Angle Q (rad) at a distance r2 from the optical axis 21
Suppose that the beam is emitted at and collimated. In this case (from equation 2, ;, r2=lIO, 294+t, 698θ.

Q−−0,193+ 0.58801 よって 12票0.8513 (履)、θt = 0.
3282  (rad )この場合発光点10aを置く
べき位IS(入射端面20aからの距離)は、 S =r  1 /lan  θ 1 −  L468
2   (ago>次に第5図図示のように出II面2
0bがレンズ光軸21に対して微小角φだけ傾いた場合
を考える。
Q--0,193+ 0.58801 Therefore, 12 votes 0.8513 (wear), θt = 0.
3282 (rad) In this case, the position IS (distance from the incident end surface 20a) where the light emitting point 10a should be placed is: S = r 1 /lan θ 1 - L468
2 (ago> Next, as shown in Figure 5, exit II side 2
Consider a case where 0b is tilted by a small angle φ with respect to the lens optical axis 21.

この場合、出射端面20bで反射してコリメータレンズ
20内を半導体レーザ10側に進むビーム14″は、出
射端面201)の近傍ではレンズ光軸21に対して2φ
の角度をなす。この角度は、コリメータレンズ20の外
側の角度としては、近似的に3φとなる(つまりセルフ
ォックレンズの屈折率を平均的に1.5とすると、1.
5X 2φ−3φである)。前記(2)式より、 したがってこの(3式より、 (勾式より ri −0,5006−5,094φθ1
−0.3286 +  1.764φ  ・・・(61
(9式より r1’ −−0,5006−5,094φ
θ1 ’ =−0,3286+  1.764φ・・・
(カ一方戻りビーム14″の集束点とビーム射出軸12
との間の距離Δは、 Δ=(r、’tanθ1 rttanθ1゛)/(ta
n (31−tan θt  ’  )      −
(8)以上の(6)、(7)および(8)式から上記φ
とΔの値が定まる。ここで傾きφの具体的数値を挙げ、
そのときの距離Δを求める。
In this case, the beam 14'' that is reflected by the output end face 20b and travels inside the collimator lens 20 toward the semiconductor laser 10 is 2φ with respect to the lens optical axis 21 in the vicinity of the output end face 201).
form an angle. This angle is approximately 3φ as the outside angle of the collimator lens 20 (that is, assuming the average refractive index of the Selfoc lens is 1.5, 1.5φ).
5X 2φ-3φ). From the above equation (2), therefore, from this (3 equation), (from the gradient equation ri −0,5006−5,094φθ1
-0.3286 + 1.764φ...(61
(From formula 9 r1' −−0,5006−5,094φ
θ1' = -0,3286+ 1.764φ...
(On the other hand, the focus point of the returning beam 14″ and the beam exit axis 12
The distance Δ between is Δ=(r,'tanθ1 rttanθ1゛)/(ta
n (31-tan θt') −
(8) From the above equations (6), (7) and (8), the above φ
and the value of Δ is determined. Here, we give a specific value of the slope φ,
Find the distance Δ at that time.

、φ= 0,002 radのとき rl −0,4904tm、  θ1−0.3321 
radrl  ’  m+  0.5108 、、  
θ、’  −−0,3251rad、°、Δ−(−0,
1762+  0.1653  >/  0.6819
−一 0.016履 以下同様にして φ−0,004radのとき  Δ=−0,032aw
φ−0,006radのとき  Δ−−− 0.04+
38φ−0,0tOradのとき  Δ−−0.080
mφ−0,015radのとき  Δ−−0,120m
φ−0,02radのとき  Δ−−0,160am以
上求めた傾きφと距離Δとの関係は第6図に示すような
ものとなる。
, when φ=0,002 rad, rl -0,4904tm, θ1-0.3321
radrl' m+ 0.5108,,
θ,' −−0,3251rad, °, Δ−(−0,
1762+ 0.1653 >/ 0.6819
-1 0.016 rad or less Similarly, when φ-0,004 rad Δ=-0,032 aw
When φ-0,006rad Δ−−− 0.04+
When 38φ-0,0tOrad Δ--0.080
When mφ-0,015rad Δ--0,120m
When φ-0.02 rad, Δ-0.160 am or more The relationship between the slope φ and the distance Δ is as shown in FIG.

半導体レーザ10の発光点10aの大きさは通常、PN
接合面に沿った方向に2〜5μm、PN接合面に垂直な
方向にQ、2〜0.8μmの範囲にある。
The size of the light emitting point 10a of the semiconductor laser 10 is usually PN.
Q is in the range of 2 to 5 μm in the direction along the bonding surface and 2 to 0.8 μm in the direction perpendicular to the PN bonding surface.

一方コリメータレンズ20の出射端面20bで反射して
半導体レーザ10側に戻るビーム14″は、コリメータ
レンズ(セルフォックレンズ)20の収差、半導体レー
ザ10から射出されたレーザビーム14の波長バラツキ
等によりかなりボケで、上記発光点10aの面積の数倍
(3〜5倍)になる。そこで安全をみて、上記距離Δを
発光点サイズの10倍程度すなわち50μm程度とれば
、発光点10aに戻り光が入射するのを防止できる。前
記第6図より、Δ−50μmのとき φ−0.0062
 rad = 6.2mradである。すなわちコリメ
ータレンズ20の出射端面20bの傾きφを5mrad
以上に設定すれば、発光点10aに上記戻り光が入射す
ることを確実に防止できることになる。
On the other hand, the beam 14'' that is reflected by the output end surface 20b of the collimator lens 20 and returns to the semiconductor laser 10 side is considerably affected by the aberration of the collimator lens (Selfoc lens) 20, the wavelength variation of the laser beam 14 emitted from the semiconductor laser 10, etc. The blur will be several times (3 to 5 times) the area of the light emitting point 10a.For safety reasons, if the distance Δ is set to about 10 times the light emitting point size, that is, about 50 μm, the light will return to the light emitting point 10a. From the above figure 6, when Δ-50μm, φ-0.0062
rad = 6.2 mrad. That is, the inclination φ of the output end surface 20b of the collimator lens 20 is set to 5 mrad.
With the above settings, it is possible to reliably prevent the return light from entering the light emitting point 10a.

なお勿論ながらφ−5m rad以上という上記の値は
、発光点10aの大きさやビーム14″のボケの程度等
が前述のような範囲にある場合の望ましい値であり、こ
れらの条件が変われば当然傾きφの望ましい値も変わる
ものである。
Of course, the above value of φ-5m rad or more is a desirable value when the size of the light emitting point 10a, the degree of blur of the beam 14'', etc. are within the ranges mentioned above, and if these conditions change, it will naturally change. The desired value of the slope φ also varies.

(発明の効果) 以上詳細に説明した通り本発明の半導体レーザ用コリメ
ータレンズによれば、半導体レーザ発光点に戻り光が入
射することが確実に防止でき、この戻り光による半導体
レーザのノイズ発生を抑えることが可能となる。
(Effects of the Invention) As described above in detail, the collimator lens for a semiconductor laser of the present invention can reliably prevent returning light from entering the semiconductor laser light emitting point, and can prevent the generation of noise in the semiconductor laser due to this returning light. It is possible to suppress it.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施態様による半導体レーザのコリ
メータレンズを示す概略側面図、第2図は従来のコリメ
ータレンズを示す概略側面図、 第3.4および5図は本発明のコリメータレンズの効果
を説明するための説明図、 第6図は本発明に係る半導体レーザビーム射出軸から戻
り光集束点までの距離と、ロッドレンズ出射端面傾きと
の関係を示すグラフである。 10・・・半導体レーザ 10a・・・半導体レーザの
発光点20・・・コリメータレンズ 20b・−・コリメータレンズの出射端面21・・・レ
ンズ光軸
FIG. 1 is a schematic side view showing a collimator lens for a semiconductor laser according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic side view showing a conventional collimator lens, and FIGS. 3.4 and 5 are a schematic side view showing a collimator lens of the present invention. FIG. 6 is a graph showing the relationship between the distance from the semiconductor laser beam emission axis to the return light focusing point and the inclination of the rod lens emission end surface according to the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Semiconductor laser 10a... Light emitting point of semiconductor laser 20... Collimator lens 20b... Outgoing end surface 21 of collimator lens... Lens optical axis

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 屈折率分布形ロッドレンズからなり、半導体レーザから
射出された発散ビームを平行ビームとする半導体レーザ
用コリメータレンズにおいて、ビーム出射端面がレンズ
光軸に対して斜めに形成されていることを特徴とする半
導体レーザ用コリメータレンズ。
A collimator lens for a semiconductor laser consisting of a gradient index rod lens and converting a diverging beam emitted from a semiconductor laser into a parallel beam, characterized in that a beam emitting end face is formed obliquely with respect to the optical axis of the lens. Collimator lens for semiconductor laser.
JP4005786A 1986-02-25 1986-02-25 Collimater lens for semiconductor laser Pending JPS62196622A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH021707U (en) * 1988-06-17 1990-01-08
JPH03111804A (en) * 1989-09-27 1991-05-13 Anritsu Corp Low-reflection collimation optical device
JPH0520015U (en) * 1991-08-29 1993-03-12 日本電気株式会社 Receptacle type optical module

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