JPS62192280A - 電子ビ−ム溶接機のシ−ムトラツカ− - Google Patents

電子ビ−ム溶接機のシ−ムトラツカ−

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JPS62192280A
JPS62192280A JP3329786A JP3329786A JPS62192280A JP S62192280 A JPS62192280 A JP S62192280A JP 3329786 A JP3329786 A JP 3329786A JP 3329786 A JP3329786 A JP 3329786A JP S62192280 A JPS62192280 A JP S62192280A
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JP
Japan
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electron
signal
electron beam
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welding
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Seiichi Tsukamoto
塚本 清一
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野J 本発明は、1L子ビーム溶接慎の自動化に関し、特に、
″電子ビームと、被濯接物の溶接線との位置−+− ズレ量を、偏向走査にエリ得られた反射電子の信号によ
り検出し、それを補正するシームトラッカーに関する。
〔従来の技術3 従来の、この種装置の構成を示すブロックダイヤグラム
が第2図である。図で、1は′電子ビーム9の加速電源
で1′で接地される。6は37−ドで6′で接地される
。3はフィラメント(カソード)5の加熱型の、2は、
ウェネルト4にバイアス電圧を供給するバイアス電分、
4Oは主レンズコイル7にレンズ電流を供給するレンズ
重分、41け補正レンズコイル8にレンズ電流全供給す
る、補正レンズ電源24 、24’は被溶接物で、その
接合部は溶接線22として示されている。2oは溶接点
で電子ビーム9が被溶接物24に照射され溶接を実行し
ている点である。被溶接物24は31で接地された試料
台30の土に固定され、図示されない駆動系により矢印
の方向に移動される。溶接の完了した、溶接ビ・−ドけ
21として示される。
12は反射ML子23の検出アンテナである。46はシ
ームトラッカー制御部で、偏向コイル10のV軸に、鋸
歯状波発振器44お工びアンプ42を介して、偏向電流
合流し、電子ビーム9を溶接点から未溶接部分に先行さ
せ先行ビーム11とし、偏向コイル10のH軸に、鋸歯
状波発振器45お工びアンプ43全介して、偏向電流5
0全流し、先行ビーム11を溶接線22を横切る様に偏
向走査させ、溶接接合部における反射電子23の減少金
、切り込みパルス53として作成し、偏向走査タイムカ
ウンター47のストップ13号として送り込む、52は
波形整形器である。さらにシームトラッカー制御部46
は、タイムカウンター47に鋸歯状波発生器に与える走
査指令信号と、第3図に示す様な関係にある、タイム力
つ/メスタートパルス51全出し、偏向スタートから、
接合部に相当する切込みパルス53まで走査するに要し
た時間toを時間値54として受取り、同じく第3図で
tlとして示した、偏向スタートから偏向市流50がゼ
ロすなわち、′重子ビーム11が走査方向のオリジナル
ポイントラ通過するまでの時間との差t。
−t1′!i−求め、走査速度Vを垂じてビーム11と
、溶接線22との位置ズレ量を算出して、鋸歯状波発生
器45に対してl)Cオフセットデータ分与え最終的に
は、電子ビーム9を、位置ズレを補正する方向にシフト
させる。尚、溶接を実行させる時は、電子ビームの被溶
接物に対す焦点の位置は、被溶接物表面ではなく、被溶
接物の内部又は、手前に結ばせて、被溶接物表面では若
干焦点をずらす方が、溶接の仕上り状態が良好である事
が知られており、焦点をずらすのが一般的である。とこ
ろが、鮮明な切シ込みパルス53孕得るためVCは、定
歪時のビームrj:、出来る限り細く絞る心安がある。
この為、補正レンズ8に対(〜て、補正レンズ電源41
を介して、シームトラッカー副側j部46は、走査期間
中は、あらかじめ定められた量だけ、補正レンズ電流を
流し、焦点を被溶接物の表面に結ばせる。上記のシステ
ムに工す、溶接?極めて短時間中断して間欠的に走査し
、補正信号を作り出し、ビームを偏向させて位置ズレ會
補正するのである。
〔発明が解決しようとする問題点J ところが、上記システムでは、反射電子検出信号53を
得る過程で、ノイズの除去手段は、波形整形器52は設
けであるものの、その方法は、アナログ的積分法又はコ
ンビーータを用いたデジタル的積分法によるもので、必
らずしも満足の出来るソN比が得られるものではなかっ
た。加えて溶接ビーム電流そのものを利用して走査を行
うため、被溶接物の板厚が増加して、溶接電力が増加す
ると、走査中に被溶接物の表面が融けて、反射電子信号
に欠落を生じ、トラッキング精度を劣化させていた。
〔問題点全解決するための手段J この発明は、かかる問題を解決すべく構成したもので、
偏向走査期間中に電子ビーム電流を高速でパルス制御し
、これと同期して反射電子検出信号をサンプリングして
、反射電子信号53のS/N比を向上させると共に、走
査期間中のビームをパルス制御する事で、平均熱入力を
下げ、走査期間中に被溶接物表面が溶融して、反射電子
信号に欠落が生じない様にしたものである。
〔実施例〕
第1図は、この発明の一実施例を示すプロ、ツクダイヤ
グラムで、第2図のそれと同一の構成要素には、同一番
号を付しであるので、説明を省略する。図で101はパ
ルス発生器で、シームトラッカー制御部46から走査期
間中に出される信号にニジ発振を開始して、ビームパル
ス制御回路102により、ウェネルト4にかかるバイア
ス電圧をパルス制御してビーム電流をパルス化すると共
に、これと同期してサンプリング制御回路100を動作
させて、反射電子23による検出信号103を、選択的
に抽出する。この様子を、偏向走査と関連して図示した
ものが第4図である。図で、ビーム電流が偏向走査の期
間パルス状に制御されるため、検出信号103もパルス
状になる、これをサンプリング回路100お工び波形整
形器52を通して、反射電子検出信号53を得る、尚、
パルスの数は、説明をわかり易くするため大幅に少なく
してめるが、実際は、1偏向走査期間に数百パルス必要
であることは申すまでもない。
〔発明の効果〕
これにzp、反射電子検出信号53のソN比が、大幅に
向上する事は、ロックインアンプ等の実例および、通信
理論一般からも明らかである。又、走査時の熱入力の減
少もパルスのデー−ティファクターを05とすれば、熱
入力は半分になり、さらには、反射電子検出信号53の
ソN比の向上とあいまって、パルスのピーク高さ、すな
わち、走査時のビームのピーク電流も低く抑える事が出
来るため、トラッキング制御の分解能が向上し、トラッ
キング精度が向上するわけである。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例のブロックダイヤグラムを
示す図、第2図は従来のこの種装置のブロックダイヤグ
ラムを示す図、第3図は従来のこの種装置の動作を説明
する図、第4図はこの発明の装置の動作全説明する図で
ある。 図で1は加速電源、2はバイアス電源、3はフィラメン
ト電倣、4はウェネルト、5はフィラメント、6はアノ
ード、7は主レンズコイル、8は補正レンズコイル、9
は電子ビーム、10は偏向コイル、11は偏向コイルに
より未溶接部に偏向された先行ビーム、20は溶接点、
21は溶接ビード、23は反射電子、24は被溶接物、
30は試料台、31はその接地点である。40は主レン
ズ電源、41は補正レンズ電源、42はV111]アン
プ、43はH軸アンプ、44. 、45は各々V軸とH
軸の鋸歯状及発振器、46はシームトラッカー制御部。 47は偏向走査スタートから溶接接合点にビームが到達
するまでの時間ヲ測足するタイムカウンターで51は、
そのスタート信号、53は反射電子検出信号でストップ
信号となる。52は波形整形器、101はパルス発振器
で、サンプリング回路100お工ひビームパルス制御回
路102塔3 図 第lL  図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  溶接ビームを溶接線に沿って未溶接方向に先行させて
    、未溶接溶接線を横切る方向に偏向走査し、被溶接物表
    面からの反射電子の量が、溶接接合部において低下する
    ととを検出して、溶接接合部と電子ビームとの位置ズレ
    を補正するシームトラッカーで、偏向走査期間にビーム
    電流をパルス状に制御する手段と、それに同期して、反
    射電子検出アンテナからの検出信号をサンプリングする
    検出手段を有する事を特徴とするシームトラッカー。
JP3329786A 1986-02-17 1986-02-17 電子ビ−ム溶接機のシ−ムトラツカ− Granted JPS62192280A (ja)

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JP3329786A JPS62192280A (ja) 1986-02-17 1986-02-17 電子ビ−ム溶接機のシ−ムトラツカ−

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Publication Number Publication Date
JPS62192280A true JPS62192280A (ja) 1987-08-22
JPH0545356B2 JPH0545356B2 (ja) 1993-07-08

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ID=12382611

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Cited By (3)

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RU2495737C1 (ru) * 2012-02-21 2013-10-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина" Способ контроля электронно-лучевой сварки
RU2760201C1 (ru) * 2020-12-30 2021-11-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ") Способ электронно-лучевой сварки с осцилляцией луча

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55122693A (en) * 1979-01-12 1980-09-20 Steigerwald Strahltech Method and device for controlling position of charge carrierrbeam in charge carrierrbeam machine tool

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JPH0545356B2 (ja) 1993-07-08

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