JPS6217735Y2 - - Google Patents

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JPS6217735Y2
JPS6217735Y2 JP7735879U JP7735879U JPS6217735Y2 JP S6217735 Y2 JPS6217735 Y2 JP S6217735Y2 JP 7735879 U JP7735879 U JP 7735879U JP 7735879 U JP7735879 U JP 7735879U JP S6217735 Y2 JPS6217735 Y2 JP S6217735Y2
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pulse
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  • Measuring Volume Flow (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Measurement Of Velocity Or Position Using Acoustic Or Ultrasonic Waves (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は一つの放電用ゲートスイツチを共用す
る複数の負荷例えば超音波変換器に出力一定の高
電圧パルスを高速で切換え供給する定出力パルス
発生回路に関する。パルストランスを利用し、そ
の一次捲線の励磁期間を制御して効率よく高電圧
を発生し、またコンデンサの充電電圧を負饋還回
路を利用し一定に制御することを特徴とするもの
で例えば超音波を利用する探傷機および流量計の
パルス発生器に適用して好適なものである。 パルス出力を利用して精度よく計測を行なう場
合に定出力のパルスが要求される。例えば超音波
探傷機や超音波流量計の超音波出力パルスとして
超音波変換器の駆動パルスが定出力であることが
先づ要求される。また定出力パルス発生の安定化
高圧電源のみならず計測の再現性を保持するため
に電源の変動、周囲温度による構成部品の特性変
化、負荷の変動等の影響を防止するためには高価
な安定化電源を必要とする。従来の計測機器にお
いては安定化電源は大形で相当の費用を要し、近
年の小型軽量化に対して一大溢路となつていた。 本考案の目的は従来の安定化高圧電源のように
安定化された高電圧を常時保持することなくパル
ストランスと負饋還回路とを利用し、安定化され
た高電圧を必要とする都度間歇的に発生すること
ができる消費電力の少ない小型で安価な定出力パ
ルス発生回路を提供しようとするものである。 以下に図面にもとづいて詳細に説明する。第
1,2図は従来のパルス発生回路の1実施例を示
す回路図である。第1図において超音波変換器1
と2とこれらとそれぞれ並列に接続される抵抗器
8と9と充電用コンデンサ6と7、高電圧供給端
子60と61、電流阻止用ダイオード11と12
および放電用ゲートスイツチ5がこの順番を順方
向とするようにそれぞれ直列に接続され放電用ゲ
ートスイツチ5を共用して2組のパルス発生回路
を形成する。高電圧供給端子60と61には安定
化高圧電源の端子V2が抵抗器を介して接続さ
れ、さらにこれら端子には陽極が接続され陰極が
接地される回路切換用スイツチ3と4とがそれぞ
れ接続される。放電用ゲートスイツチ5の陽極に
は抵抗器を介して安定化高圧電源の端子V1が接
続される。スイツチ3,4および5は何れもシリ
コン制御整流器(SCRという)でそれらの制御
端子13,14,15にはSCRをターンONまた
はOFFするに十分な信号が適時加えられる。端
子V1の電圧は端子V2の電圧より大きく設定され
る。さて端子13への入力信号がHレベルすなわ
ちターンONするに必要なレベルであり、端子1
4への入力信号がLレベルすなわちターンOFF
するに必要なレベルであるとすると回路切換スイ
ツチ3はON、回路切替スイツチ4はOFFとな
る。充電用コンデンサ7は端子V2の電圧まで充
電され、充電用コンデンサ6は残留電荷を回路切
換スイツチ3を通じて放電する。しかる後端子1
5に入力信号がHレベルで到来すると放電ゲイト
スイツチ5はONとなり充電用コンデンサ7の電
荷は放電ゲイトスイツチ5と抵抗器9を通じて流
れ超音波変換器2に出力パルスが供給される。第
2図は第1図におけるSCRの代りにトランジス
タを利用した例である。第2図において第1図と
同一物品は同一番号を用い、同一構成は説明を省
略する。安定化高圧電源の端子VHは回路切換用
スイツチ3′と4′とダイオードを介して高圧供給
端子60と61にそれぞれ接続される。端子13
と14とはそれぞれトランジスタを介して回路切
換用スイツチ3′と4′とを制御する。さて端子1
3にHレベル、端子14にLレベルの信号が入力
すると回路切換スイツチ3′はOFF、回路切換ス
イツチ4′はONになる。充電用コンデンサ7は電
圧VHまで充電され、充電用コンデンサ6は充電
を阻止される。しかる後端子15にHレベルの信
号が入力すると放電用ゲイトスイツチ5′はONと
なり充電用コンデンサ7の電荷は放電用ゲイトス
イツチ5′と抵抗器9を通じて流れ超音波変換器
2に出力パルスが供給される。第1図に示すよう
に回路切換用スイツチ3または4においては
SCRを利用するためSCRがONとなる期間は抵抗
を通じて端子V2から電流が流れるため電力消費
が第2図に示す回路より大きい。しかしながら何
れも安定化高圧電源を必要とする。 第3図は本考案になる定出力パルス発生回路の
1実施例の回路図である。第1図と同一物品は同
一番号を付す。第3図においてパルストランス
0は同一コアに一次捲線23と二次捲線21およ
び22が巻かれ、二次捲線は一次捲線の十数倍か
ら数十倍に選らばれる。一次捲線23は励磁スイ
ツチ25と直流電源27と直列に接続される。励
磁スイツチ25はパルス巾制御回路24の出力に
よつて一次捲線23の励磁期間を制御する。パル
ス巾制御回路24は例えば単安定マルチバイブレ
イタからなり入力端子16、出力端子17および
リセツト端子18をもつ。放電用ゲートスイツチ
5に並列に設けられた充電電圧検出器26は例え
ばポテンシオメータからなり、その中央部から分
割される電圧出力を受け基準電圧VRと比較する
電圧比較回路19はその出力をリセツト端子18
へ送る。パルス巾制御回路24の出力端子17は
励磁スイツチ25の制御端子に接続される。高電
圧供給端子60と61にそれぞれ陰極を接続され
る整流ダイオード28と29は陽極を二次捲線2
1と22の一端に接続され、他端は回路切換用ス
イツチ3と4とを介して接地される。回路切換用
スイツチ3と4とは制御信号の入力端子13と1
4をそれぞれもつ。第3図に示す定出力パルス発
生回路の動作を第7図のタイミングチヤートで説
明する。第7図において端子13と14に信号A
とBとが供給されると、時刻toで回路切換用スイ
ツチ3はOFFとなり回路切換用スイツチ4はON
となる。時刻t1で入力端子16に信号Cが供給さ
れるとパルス巾制御回路24は出力端子17をH
レベルとする出力パルスDを発生すべく動作す
る。出力端子17がHレベルの期間、励磁スイツ
チ25はONとなり一次捲線23に直流電源27
により励磁電流が流れる。従つて二次捲線21と
22とにはトランスの捲線比に応じ昇圧された超
電力を誘起する。回路切換用スイツチ4は今ON
であるから二次捲線22に誘起された高圧電圧は
整流ダイオード29、抵抗9を通じ充電用コンデ
ンサ7を充電する。回路切換用スイツチ3は
OFFであるから充電用コンデンサ6は充電され
ない。充電用コンデンサ7の充電電圧はFに示す
ように時間と共に増加する。この電圧は充電電圧
検出器26により分割され電圧比較回路19に入
力し基準電圧VRと比較される。今充電電圧検出
器26の分割比を1/Kとするとき、充電電圧
K・VRとなつた時刻t2で電圧比較回路19は出
力パルスEを生じ、リセツト端子18を経てパル
ス巾制御回路24の出力をリセツトしてLレベル
とする。例えば単安定マルチバイブレータのタイ
ムコンスタントによるパルス巾twよりもパルス
出力の巾を小さく選ぶことは勿論のことである。
励磁スイツチ25はONからOFFに変わり、一次
捲線23の励磁電流を遮断する。従つて充電用コ
ンデンサ7の充電は停止され以後は一定電圧を保
持することになる。その後時刻t3で端子15にH
レベルのトリガ信号Jが供給されると放電用ゲー
トスイツチ5がONとなり、充電用コンデンサ7
の電荷は抵抗器9を通じて流れ、超音波変換器2
に出力パルスMを供給する。さらに時刻t4で端子
13と14の信号AとBを反転すれば回路切換用
スイツチ3はON、同じく4はOFFとなり、励磁
スイツチ25のONにより充電用コンデンサ6は
充電され、前述と同じ動作によつて超音波変換器
1に出力パルスNを供給する。このようにして端
子13と14に供給される信号AとBの切換によ
つて放電用ゲートスイツチ5を共用して形成され
る2つのパルス発生回路を選択切換えて超音波変
換器に定出力パルスを供給することができる。ま
た放電用ゲートスイツチ5を共用して形成される
パルス発生回路は複数個容易に設定されるもので
回路切換用スイツチを制御することにより任意の
超音波変換器に定出力パルスの供給が可能であ
る。また出力パルスMおよびNは電圧比較回路1
9の基準電圧VRと比較されているから例えば直
流電源27の電圧が低下して二次捲線21または
22の誘起電圧が低下してもパルス巾制御回路2
4のパルス出力Dは充電電圧がK・VRに到達す
るまでHレベルの状態を保持する。すなわち充電
電圧検出器26、電圧比較器19、パルス巾制御
回路24、励磁スイツチ25およびパルストラン
20は充電電圧Fについて負帰還制御ループ系
を構成することにより、このループ系を構成する
素子および負荷の変動の影響を受けない特徴を有
する。 第4図は第3図のパルストランス20の代りに
一次捲線として2捲線をもつパルストランス30
を使用した本考案になる定出力パルス発生回路の
別の実施例を示す回路図である。第4図に示す回
路はパルス発生回路切換手段を有する高電圧供給
回路としてパルストランス30の2巻線をもつ一
次捲線31と32と、この一次捲線の両端と接地
間に接続され、パルス巾制御回路24の出力と2
つの端子13と14からの入力信号とを受けるア
ンド回路34と35の出力によつてそれぞれ駆動
される励磁スイツチ3と4と、一次捲線の中間点
と接地間とに接続される直流電源27と、高電圧
供給端子60と61にそれぞれ陰極を接続される
整流ダイオード38と39と、これら整流ダイオ
ードの陽極に両端を接続される二次捲線33と、
この二次捲線33の両端にそれぞれ陰極が接続さ
れ、かつ陽極が接地されるダイオード36と37
とを具えた定出力パルス発生回路である。第7図
のタイミングチヤートを利用して第3図における
動作と相違する点につき説明する。端子13と1
4にはそれぞれ信号AとBが供給され、パルス巾
制御回路24の出力とアンド回路34と35を介
して励磁スイツチ3と4とを制御する。すなわ
ち、信号AまたはBがHレベルで、かつパルス巾
制御回路24の出力がHレベルである期間のみ励
磁スイツチ3または4はONとなる。今時刻t0
端子13と14に信号AとBとが供給され、時刻
t1で端子16に信号Cが与えられると、回路切換
スイツチ3はOFF、同じく4はONになる。パル
ストランス30の一次捲線32には電源27を通
じて電流が流れるので、二次捲線33には黒丸点
で示される極性に高電圧を誘起する。この高電圧
はダイオード36,39抵抗9を通じて充電用コ
ンデンサ7を充電する。その状態は第7図Fに示
すように時間と共に充電電圧は増加する。充電用
コンデンサ6はダイオード37,38に阻止され
充電されない。時刻t3で端子15にパルス信号J
が与えられると放電ゲートスイツチ5はONとな
り充電用コンデンサ7の電荷は抵抗9を通じて流
れ超音波変換器2に出力パルスMを供給する。時
刻t4で端子13と14の信号AとBとを反転すれ
ば二次捲線の誘起電圧の極性は反転して以下同様
にして出力パルスNは超音波変換器1に供給され
る。第5図と第6図は第3図と第4図におけるパ
ルストランス2030の代りにパルストランス
4070とを利用したものである。いずれもパ
ルストランスの一次捲線にバイアス電流を流がし
て磁化特性の全域を有効に利用することを特徴と
する本考案になる定出力パルス発生回路の1実施
例の回路図である。第5図に示す回路はパルス発
生回路切換手段を有する高電圧供給回路の一部と
して一端を接地されるパルストランス40の一次
捲線41と、一次捲線41の他端に接続され励磁
期間をパルス巾制御回路24の出力により制御さ
れる励磁スイツチ25と、励磁スイツチ25と直
列に接続される直流電源の正電位端子V+と、一
次捲線41の他端に陽極を接続される電流阻止ダ
イオード43と電流阻止ダイオード43の陰極に
高抵抗44を介して接続される上記直流電源の負
電位端子V-とを具える定出力パルス発生回路で
ある。第5図において一次捲線41には接地端子
から電流阻止ダイオード43、抵抗器44を介し
て負電位端子V-へ常時微少バイアス電流が流さ
れている。パルストランス40のコアは第8図に
示すように磁場の強さは−H1にバイアスされて
おり、磁束の密度−B1を生ずる。このとき励磁
スイツチ25例えばトランジスタが導通すると一
次捲線41には直流電源の正電位端子V+を通じ
バイアス電流とは逆方向に電流が流れる。このと
き負電位端子V-へも電流が分流されるが抗器4
4が高抵抗であるので少量で無視できる。従つて
パルストランスのコアは磁場の強さ−H1から
0,0から+H1への経路に沿つてバイアスされ
磁束密度は+Bに到達する。二次捲線42には磁
束密度の変化−B1から0,0から+Bに相応し
た起電力が誘起され、整流ダイオード29、回路
切換用スイツチ4、抵抗器9を通じて充電用コン
デンサ7を充電する。端子15に第7図に示す信
号Jが与えられれば放電用スイツチ5はONとな
り、以下同様にして出力パルスMを発生する。な
お、励磁スイツチ25を一次捲線41の一端と接
地間に設けても全く同様な結果となる。すなわ
ち、第3図および第4図における実施例では第8
図に示すパルストランスの磁化曲線の第1象限の
みを利用しているが第5図における実施例では磁
化曲線の全領域を利用するもので効率は高く、パ
ルストランスの捲線比を下げさらに小形化が可能
で漂遊容量も小さく、漏洩磁束も少く高性能化す
ることができる特徴がある。 第6図に示す回路はパルス発生回路切換手段を
有する高電圧供給回路の一部としてパルストラン
70の2巻線の一端が共に接地される一次捲線
31と32と、一次捲線31と32の他端と直流
電源の正電位端子V+との間に接続されパルス巾
制御回路24の出力と2つの端子13と14から
の制御信号とのアンド出力によりそれぞれ駆動さ
れる励磁スイツチ3と4と、励磁スイツチとそれ
ぞれ直列に接続される直流電源の正電位端子V+
と、一次捲線31と32の他端にそれぞれ陽極が
接続される電流阻止ダイオード45と46と、電
流阻止ダイオード45と46の陰極にそれぞれ高
抵抗47と48とを介して接続される上記直流電
源の負電位端子とを具える定出力パルス発生回路
である。この回路の動作ならびに効果は第5図に
おいて説明したので省略する。 以上のように本考案によれば従来のような大型
にして高価な安定化高圧電源を必要とせず非安定
低電圧電源をもつて回路構成素子の影響をうけ
ず、温度変化、電源変動および負荷変動に対して
極めて安定な定出力の高速パルスを発生し、複数
のパルス発生回路から任意の回路を選択切換えて
超音波変換器に定出力パルスを供給できる小型で
安価な定出力パルス発生器を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は従来のパルス発生回路の
回路図、第3図は本考案になる定出力パルス発生
回路の1実施例を示す回路図、第4図は本考案に
なる定出力パルス発生回路の別の実施例を示す回
路図、第5図と第6図はそれぞれ第3図と第4図
においてパルストランスの一次捲線にバイアス電
流を流がして磁化曲線の全領域を利用することを
特徴とする本考案になる定出力パルス発生回路の
実施例を示す回路図、第7図は第3図と第4図に
示す回路の動作を説明する回路要所のタイミング
チヤート説明図、第8図はパルストランスの磁化
曲線の説明図である。 1ないし2……超音波変換器、3ないし4……
回路切換用スイツチ、5……放電ゲートスイツ
チ、6ないし7……充電用コンデンサ、8ないし
9……抵抗器、11ないし12……電流阻止ダイ
オード、13ないし16……端子、19……電圧
比較回路、VR……基準電圧、203040
70……パルストランス、24……パルス巾制
御回路、25……励磁スイツチ、26……充電電
圧検出器、27……直流電源、28ないし29…
…整流ダイオード。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 複数の超音波変換器にそれぞれ並列に接続さ
    れた抵抗器に充電用コンデンサと、電流阻止用
    ダイオードを順方向に接続しかつ放電用ゲート
    スイツチが直列に接続された回路を並列に接続
    し、上記放電用ゲートスイツチを共用して形成
    される複数のパルス発生回路と、上記放電用ゲ
    ートスイツチに並列に設けられ、上記充電用コ
    ンデンサの充電電圧を検出する検出器と、 この検出器の出力電圧を基準電圧と比較する
    電圧比較回路と、 入力信号を受け出力パルスを発生し上記電圧
    比較回路の出力信号でパルス巾をリセツトする
    パルス巾制御回路によりパルストランスの一次
    捲線の励磁スイツチを制御して二次捲線に高電
    圧を誘起させるとともに、上記各充電用コンデ
    ンサと電流阻止用ダイオードの陽極との各接続
    点に陰極を接続した整流用ダイオードを介して
    上記の何れか一つの二次捲線を回路切換用スイ
    ツチにより選択して接続するようにした高電圧
    供給回路とを具備し、 上記放電用ゲートスイツチを駆動して放電さ
    せ、上記超音波変換器に一定の高電圧を供給す
    ることを特徴とする定出力パルス発生回路。 (2) 高電圧供給回路として、 上記パルストランスの一次捲線の両端と接地
    間に接続され上記パルス巾制御回路の出力と2
    つの制御信号のアンド出力によつてそれぞれ駆
    動される2つの励磁スイツチと上記一次捲線の
    中間点と接地間とに接続される上記直流電源と
    よりなる一次捲線側回路と、2つの上記電流阻
    止用ダイオードのそれぞれの陽極間に接続され
    る上記パルストランスの二次捲線とこの二次捲
    線の両端にそれぞれ陰極が接続されかつ陽極が
    接地される2つのダイオードとからなる二次捲
    線側回路とを具備する実用新案登録請求の範囲
    第1項記載の定出力パルス発生回路。 (3) 高電圧供給回路の一次捲線側回路として、一
    端を接地される上記パルストランスの一次捲線
    と、この一次捲線の他端に接続され励磁期間を
    上記パルス巾制御回路の出力により制御される
    励磁スイツチと、この励磁スイツチと直列に接
    続される上記直流電源の正電位端子と、上記一
    次捲線の他端に陽極を接続される電流阻止ダイ
    オードと、この電流阻止ダイオードの陰極に接
    続される上記直流電源の負電位端子とを具備し
    上記一次捲線の励磁期間に流れる電流とは逆方
    向の微少電流を常時バイアス電流として流がす
    ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第1
    項記載の定出力パルス発生回路。 (4) 高電圧供給回路の一次捲線側回路として、 上記パルストランスの一次捲線の中間点は接
    地され、この一次捲線の両端と上記直流電源の
    正電位端子との間にそれぞれ上記励磁スイツチ
    を設け、この励磁スイツチを上記パルス巾制御
    回路の出力と2つの制御信号のアンド出力によ
    つてそれぞれ駆動するとともに、上記一次捲線
    の両端にそれぞれ電流阻止ダイオードの陽極を
    接続し、陰極には上記直流電源の負電位端子を
    接続して上記一次捲線の励磁期間に流れる電流
    とは逆方向の微少電流を常時バイアス電流とし
    て流がすことを特徴とする実用新案登録請求の
    範囲第2項記載の定出力パルス発生回路。
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