JPS62172788A - Manufacture of ceramics wiring substrate - Google Patents

Manufacture of ceramics wiring substrate

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JPS62172788A
JPS62172788A JP1499286A JP1499286A JPS62172788A JP S62172788 A JPS62172788 A JP S62172788A JP 1499286 A JP1499286 A JP 1499286A JP 1499286 A JP1499286 A JP 1499286A JP S62172788 A JPS62172788 A JP S62172788A
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JP
Japan
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plating
layer
heat treatment
ceramic substrate
minutes
Prior art date
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JP1499286A
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Japanese (ja)
Inventor
吉沢 出
悟 小川
昇 山口
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] この発明は、電子基材として使用されるセラミック配線
基板の製造技術の分野に属する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention belongs to the field of manufacturing technology for ceramic wiring boards used as electronic substrates.

[背景技術] セラミックスへのメタライジングには、テレフンケン法
、活性金属法、厚膜法、薄膜法、メッキ法等、従来より
種々の方法がとられている。この中で、めっき法は、 (1)金属単体をセラミック基体に直接メタライズでき
るために、得られる金属層は高導電性を示す。
[Background Art] Various methods have been used for metallizing ceramics, such as the Telefunken method, the active metal method, the thick film method, the thin film method, and the plating method. Among these, the plating method: (1) Since a metal element can be directly metallized on a ceramic substrate, the resulting metal layer exhibits high conductivity.

(2)金属層の膜厚制御が広範囲にわたって容易に行え
る。
(2) The thickness of the metal layer can be easily controlled over a wide range.

(3)  スルーホールのメタライジングも容易で、信
頼性が高い。
(3) Through-hole metallization is easy and highly reliable.

(4)微細パターン形成が可能である。(4) Fine pattern formation is possible.

等のメリットがある。There are other benefits.

セラミックス配線基板をめっき法で製造するには、従来
より次のようなプロセスで行っている。
Conventionally, ceramic wiring boards are manufactured using the plating method using the following process.

以下、従来の製造プロセスを第2図に示したブロック図
に従って説明する。
The conventional manufacturing process will be explained below with reference to the block diagram shown in FIG.

■ 焼結したセラミックス基板を準備する。■ Prepare a sintered ceramic substrate.

焼結基板の材質としては、アルミナ、フォルステライト
、ステアタイト、ジルコン、ムライト、コージライト、
チタニア等の酸化物系セラミンクを主として使用するが
、炭化物系および窒化物系セラミックスも使用できる。
Sintered substrate materials include alumina, forsterite, steatite, zircon, mullite, cordierite,
Oxide ceramics such as titania are mainly used, but carbide and nitride ceramics can also be used.

■ セラミックス基板両面の粗化処理を行う。■ Perform roughening treatment on both sides of the ceramic substrate.

これは、アンカー効果を有効に作用させるために行うも
のである。粗化処理に用いる処理剤としては、H3PO
4、ホウ砂、V2O5、HF、アルカリ金属化合物等の
溶液または、融液が挙げられるがいずれを使用するかに
ついては、特に指定はない。
This is done to make the anchor effect work effectively. As a processing agent used for roughening treatment, H3PO
4. Examples include solutions or melts of borax, V2O5, HF, alkali metal compounds, etc., but there is no particular specification as to which one to use.

これらの処理剤を高温に保持し、その中にセラミックス
基体を浸漬するか、または、常温の処理剤にセラミック
スス基体を浸漬して、その基体を加熱処理するという方
法で粗面化処理を行う。
Surface roughening treatment is carried out by holding these treatment agents at high temperatures and immersing the ceramic substrate in it, or by immersing the ceramic substrate in treatment agents at room temperature and heat-treating the substrate. .

■ セラミックス基体表面を温水、水、酸等で洗浄後、
よく水洗し乾燥する。
■ After cleaning the ceramic substrate surface with hot water, water, acid, etc.
Wash thoroughly and dry.

■ 前もって基体表面に触媒付与を行ったのち、化学め
っきでセラミックス基体表面およびスルーホールがある
場合、スルーホールの内壁面にも金属層を形成する。
(2) After applying a catalyst to the substrate surface in advance, a metal layer is formed by chemical plating on the ceramic substrate surface and, if there are through holes, also on the inner wall surfaces of the through holes.

触媒付与は、普通、塩化第一スズ溶液と塩化パラジウム
溶液を用いたセンシタイジングーアクチベーション法に
より、セラミ・/クス基体表面に金属パラジウムを析出
させるものである。その後、化学銅、あるいは、化学ニ
ッケルめっきを行う。
Catalyst application usually involves depositing metallic palladium on the surface of the ceramic/cus substrate by a sensitizing-activation method using a stannous chloride solution and a palladium chloride solution. After that, chemical copper or chemical nickel plating is performed.

■ 高周波回路や、ディジタル信号回路のように微弱電
力用の配線基板として使用する場合には、前記■の化学
めっきだけで充分であるが、大電力用の配線基板として
用いる場合には、さらに金属層の厚みを必要があり、電
解めっきを施すことにより厚みを増やす。電解めっきで
は、化学めっき表面を充分に活性化した後、銅メッキ、
あるいは、ニッケルめっきを行う。
■ When used as a wiring board for low power such as high frequency circuits or digital signal circuits, chemical plating described in (■) above is sufficient, but when used as a wiring board for high power, further metal plating is required. It is necessary to increase the thickness of the layer, and the thickness is increased by applying electrolytic plating. In electrolytic plating, after sufficiently activating the chemically plated surface, copper plating,
Alternatively, perform nickel plating.

■ 回路パターンの形成を行う。形成方法は一般に用い
られているサブトラクティブ法による。
■ Form the circuit pattern. The formation method is a commonly used subtractive method.

回路形成は、サブトラクティブ法以外に、アディティブ
法、セミアディティブ法も勿論通用できる。これらの方
法で回路形成を行う場合には、上記プロセス■、■の簡
にめっきレジストを所望のパターン通りに施すというプ
ロセスを付は加えればよい。
In addition to the subtractive method, additive methods and semi-additive methods can also be used for circuit formation. When forming a circuit using these methods, it is sufficient to add a process of applying a plating resist in a desired pattern to the above processes (1) and (2).

このように、■〜■のプロセスを経て、セラミックス配
線基板が得られる。
In this way, a ceramic wiring board is obtained through the processes ① to ②.

配線基板は、部品の半田付け、ICのグイボンド、ワイ
ヤーボンド、あるいは、金属部品のろう付けなど、後工
程において高温高熱にさらされるため、その耐熱性、特
に、セラミックス基体と金属層との密着安定性が重要な
評価項目の一つとなっている。
Wiring boards are exposed to high temperatures in subsequent processes such as soldering of components, bonding and wire bonding of ICs, and brazing of metal parts, so its heat resistance, especially the stability of the adhesion between the ceramic substrate and the metal layer, is important. gender is one of the important evaluation items.

上述したプロセスで作成した配線基板のうち化学めっき
だけで15μm以下という比較的薄い金属層を形成した
配線基板では、250〜700℃で、10分程度の熱処
理を行っただけでも密着性は非常に安定するが、電解め
っきを用いて、金属層を厚くした配線基板においては、
250℃、10分という熱処理において、セラミックス
基体と化学めっき層との界面で「ふくれ」が発生し、こ
の現像はめっきの厚みが厚くなる程、顕著となり、重大
な問題となっていた。
Among the wiring boards created using the above-mentioned process, on the wiring boards where a relatively thin metal layer of 15 μm or less was formed only by chemical plating, the adhesion was extremely strong even after heat treatment at 250 to 700°C for about 10 minutes. However, in wiring boards with thick metal layers using electrolytic plating,
During the heat treatment at 250°C for 10 minutes, "blurring" occurred at the interface between the ceramic substrate and the chemically plated layer, and this development became more pronounced as the plating became thicker, posing a serious problem.

[発明の目的] この発明は、このような現状に鑑みてなされたものであ
り、めっき法によってセラミックス基体表面に形成され
る金属層の厚みを厚くしても、熱処理時に「ふくれ」が
発生せず、セラミックス基体とめっき金属層との密着力
が安定しているセラミックス配線基板を製造することを
目的としている。
[Purpose of the Invention] This invention was made in view of the current situation, and it is possible to solve the problem that "blister" does not occur during heat treatment even if the thickness of the metal layer formed on the surface of the ceramic substrate by the plating method is increased. First, the purpose is to manufacture a ceramic wiring board in which the adhesion between the ceramic substrate and the plated metal layer is stable.

[発明の開示] 前述したように、熱処理によって発生する「ふくれ」の
主要因は、種々の分析の結果、メッキ工程中に、セラミ
ックス基体およびめっき層との界面に取めのこされた水
であることがわかった。
[Disclosure of the Invention] As mentioned above, various analyzes have revealed that the main cause of "blister" caused by heat treatment is water trapped at the interface between the ceramic substrate and the plating layer during the plating process. I found out something.

すなわち、セラミックス基体とめっき層との界面に残存
する水が、熱処理によって気化するためであると考えら
れる。化学めっきだけしか施していない場合のように比
較的めっき層が薄ければ、ガスがめつき層を通過して抜
は出すが、電解めっきを用いてめっき層を厚くした場合
は、ガスが、めっき層を抜は出すことができず、「ふく
れ」が発生するのである。たとえば、電解めっきを用い
た場合、基板の粗面化伏態や析出させるめっき層の種類
、物性の違いによって異なるが、20μm以上のめっき
屓で「ふくれ」が発生するものかあった。
That is, it is thought that this is because water remaining at the interface between the ceramic substrate and the plating layer is vaporized by the heat treatment. If the plating layer is relatively thin, such as when only chemical plating is applied, gas will pass through the plating layer and be extracted, but if the plating layer is thickened using electrolytic plating, the gas will pass through the plating layer. The layer cannot be pulled out, and ``blister'' occurs. For example, when electrolytic plating is used, "blistering" may occur in plating layers of 20 μm or more, although this varies depending on the surface roughening state of the substrate, the type of deposited plating layer, and physical properties.

「ふくれ」の発生は、上述した配線基板の製造プロセス
■〜■には無関係であって、これを抑えるには、■、■
のプロセスに工夫を加える必要がある。めっき液を使う
限り、セラミックス基体と、析出するめっき層との界面
に水が残存することは避けられないため、いかに水を抜
き出して、めっき層の厚みを増やしていけるかが鍵とな
る。
The occurrence of "blister" has nothing to do with the above-mentioned wiring board manufacturing process ■ to ■, and to suppress this,
It is necessary to add some innovation to the process. As long as a plating solution is used, it is inevitable that water will remain at the interface between the ceramic substrate and the deposited plating layer, so the key is how to extract the water and increase the thickness of the plating layer.

この発明は、このような問題点を解決し、前記の目的を
達成するため、セラミックス基体にめっき法でメタライ
ジングするに当たり、まず化学めっきを施した後、さら
に電解めっきによってメタライジング層を厚くするとい
う方法において、電解めっき前または電解めっきを薄く
施した後に、−担、非酸化性雰囲気あるいは真空中で熱
処理を行って、セラミックス基体と化学めっき層との界
面に残存する水を離脱させ、再び電解めっきを施すとい
う操作を少なくとも一回は行うということを特徴とする
セラミックス配線基板の製法を、その要旨としている。
In order to solve these problems and achieve the above-mentioned object, this invention, when metallizing a ceramic substrate by a plating method, first performs chemical plating and then further thickens the metallizing layer by electrolytic plating. In this method, before electrolytic plating or after electrolytic plating is applied thinly, heat treatment is performed in a non-oxidizing atmosphere or vacuum to remove water remaining at the interface between the ceramic substrate and the chemically plated layer, and then the electrolytic plating is applied again. The gist is a method for manufacturing a ceramic wiring board, which is characterized by performing electrolytic plating at least once.

以下に、この発明を、本発明によるセラミックス配線基
板の製造プロセスを例示するブロフク図と共に実施例を
挙げて説明する。
Hereinafter, the present invention will be described by way of examples along with diagrams illustrating the manufacturing process of a ceramic wiring board according to the present invention.

〔実施例1〕 250〜360′Cに加熱したリン酸に3〜10分間浸
漬して粗面化した96%焼結Ax203基板の表面に、
センシシタイジングーアクチベーション法によって金属
パラジウムを付与し、その後、通常の化学銅めっきを約
3μm施した。このサンプルをAとする。
[Example 1] On the surface of a 96% sintered Ax203 substrate that had been roughened by immersing it in phosphoric acid heated to 250 to 360'C for 3 to 10 minutes,
Metallic palladium was applied by a sensitizing-activation method, and then ordinary chemical copper plating was applied to a thickness of about 3 μm. Let this sample be A.

サンプルAを窒素雰囲気中で250〜l083℃、好ま
しくは100〜1083℃で5〜60分間熱処理を行い
、さらに、化学めっきを施すべき表面を充分活性した後
、硫酸銅浴で電解めっきを施し、トータルのめっき厚み
が18.35.70μmの3種のサンプルを作成した。
Sample A is heat treated in a nitrogen atmosphere at 250 to 1083°C, preferably 100 to 1083°C for 5 to 60 minutes, and further, after sufficiently activating the surface to be chemically plated, electroplating is performed in a copper sulfate bath, Three types of samples with a total plating thickness of 18, 35, and 70 μm were prepared.

これらのサンプルをBとする。These samples are designated as B.

窒素雰囲気中での熱処理を行わない他は、サンプルBと
同じ条件で作成したサンプルCを用意し、同時に窒素雰
囲気中で700℃、10分間の熱処理を施したところ、
サンプルBは、Al1203基板とめっき屓との密着力
は安定しており外観に変化がみられないが、サンプルC
では、A1203基板と化学めっきとの界面で「ふくれ
」が発生した。
Sample C was prepared under the same conditions as sample B, except that heat treatment in a nitrogen atmosphere was not performed, and at the same time heat treatment was performed at 700 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere.
In sample B, the adhesion between the Al1203 substrate and the plating layer is stable and there is no change in appearance, but in sample C
In this case, "blister" occurred at the interface between the A1203 substrate and the chemical plating.

〔実施例2〕 250〜360℃に加熱したリン酸に3〜10分間浸漬
して粗面化した96%焼結AA203基板の表面に、セ
ンシタイジングーアクチベーション法によって金属パラ
ジウムを付与し、その後、通常の化学めっきを、約1μ
m施した。
[Example 2] Metallic palladium was applied by a sensitizing-activation method to the surface of a 96% sintered AA203 substrate that had been roughened by immersing it in phosphoric acid heated to 250 to 360°C for 3 to 10 minutes, and then, Approximately 1μ of normal chemical plating
m was given.

化学めっき表面の活性化を充分に行った後、さらに、硫
酸銅浴において電解めっきを5μm行った。このサンプ
ルをDとする。
After sufficiently activating the chemically plated surface, electrolytic plating was further performed to a thickness of 5 μm in a copper sulfate bath. Let this sample be D.

サンプルDを窒素雰囲気中で250〜1083°C1好
ましくは700〜1083°Cで5〜60分間、熱処理
を行い、さらに、めっき表面の活性化を充分に行って、
再び硫酸銅電解めっきを施し、トータル厚みが18.3
5.70μmの3種のサンプルを調整した。これらのサ
ンプルをEとする。
Sample D is heat-treated in a nitrogen atmosphere at 250 to 1083°C, preferably 700 to 1083°C, for 5 to 60 minutes, and the plated surface is sufficiently activated.
Copper sulfate electrolytic plating is applied again, total thickness is 18.3
Three types of samples of 5.70 μm were prepared. Let these samples be E.

窒素雰囲気中での熱処理を行わない他は、サンプルEと
同じ条件で作成したサンプルFを用意し、同時に、窒素
雰囲気中で700℃、10分間の熱処理を行ったところ
、サンプルEは11203基板とめっき層との密着力は
安定しており外観に変化は見られないが、サンプルFで
はAl2O3基板と化学めっきとの界面で「ふくれ」が
発生した。
Sample F was prepared under the same conditions as sample E except that heat treatment in a nitrogen atmosphere was not performed, and at the same time heat treatment was performed at 700°C for 10 minutes in a nitrogen atmosphere. Although the adhesion with the plating layer was stable and no change in appearance was observed, in sample F, "blurring" occurred at the interface between the Al2O3 substrate and the chemical plating.

〔実施例3〕 実施例1に示したサンプルBおよび実施例2に示したサ
ンプルEを窒素雰囲気中で700°c−1083℃で5
〜60分間熱処理を施した後、めっき表面層を充分に活
性化させ硫酸銅浴にて電解銅めっきを行い、トータルの
めっき厚を150μmとした。
[Example 3] Sample B shown in Example 1 and Sample E shown in Example 2 were heated at 700°C-1083°C for 5 minutes in a nitrogen atmosphere.
After heat treatment for ~60 minutes, the plating surface layer was sufficiently activated and electrolytic copper plating was performed in a copper sulfate bath to give a total plating thickness of 150 μm.

これらのサンプルを窒素雰囲気中で700℃、10分間
熱処理を施したところ「ふくれ」は発生せず密着力も安
定していた。このように、電解めっき一熱処理のプロセ
スを複数回繰り返すことによってめっき層の厚みを増す
ことができた。
When these samples were heat-treated at 700° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere, no “blister” occurred and the adhesion was stable. In this way, the thickness of the plating layer could be increased by repeating the process of electrolytic plating and heat treatment multiple times.

〔実施例4〕 実施例1に示したサンプルAおよび実施例2に示したサ
ンプルDを真空中(10〜10  Pa)で250〜1
083℃、5〜60分間熱処理を施した後、めっき表面
層を充分に活性化させて硫酸銅浴にて電解銅めっきを施
し、トータルめっき厚が18.35.50μmの31f
fiのサンプルを調整した。これらのサンプルをそれぞ
れG、Hとする。
[Example 4] Sample A shown in Example 1 and sample D shown in Example 2 were heated to 250 to 1 in vacuum (10 to 10 Pa).
After heat treatment at 083℃ for 5 to 60 minutes, the plating surface layer was sufficiently activated and electrolytic copper plating was applied in a copper sulfate bath, resulting in a total plating thickness of 31F of 18.35.50 μm.
The fi sample was prepared. Let these samples be G and H, respectively.

真空中で熱処理を行ったものは、非酸化性雰囲気中で7
00℃、10分間の熱処理を行っても、「ふくれ」は発
生せず、密着力も安定であった。
For those heat-treated in vacuum, the
Even after heat treatment at 00°C for 10 minutes, no "blurring" occurred and the adhesion was stable.

〔実施例5〕 実施例4に示したサンプルG、Hを窒素雰囲気中で70
0℃、10分間の熱処理施した後、めっき表面層を充分
に活性化させ、硫酸銅浴にて電解銅めっきを行いトータ
ルのめっき厚を150μmとした。
[Example 5] Samples G and H shown in Example 4 were heated for 70 minutes in a nitrogen atmosphere.
After heat treatment at 0° C. for 10 minutes, the plating surface layer was sufficiently activated and electrolytic copper plating was performed in a copper sulfate bath to give a total plating thickness of 150 μm.

これらのサンプルを窒素雰囲気中で700℃、10分間
の熱処理を行っても「ふくれ」は発生せず、密着力も安
定であった。
Even when these samples were heat-treated at 700° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere, “blister” did not occur and the adhesion was stable.

[発明の効果] 以上のように、セラミックス基体に化学めっきを施した
後、さらに電解めっきによって厚くメタライジング層を
形成する際、電解めっきの前または、電解めっきを薄く
施した後−担、非酸化性雰囲気あるいは真空中で熱処理
を行ってセラミックス基体と化学めっき層との界面に残
存する水を離脱させ、再び電解めっきを施すという操作
を少なくとも1回は行うことによって、熱に対するセラ
ミックス基体とめっき層の密着力が安定しており、「ふ
くれ」を発生しない、セラミックス配線基板を製造する
ことができる。
[Effects of the Invention] As described above, when forming a thick metallizing layer by electrolytic plating after chemically plating a ceramic substrate, it is possible to form a thick metallizing layer by electrolytic plating before electrolytic plating or after thinly electrolytic plating. Heat treatment is performed in an oxidizing atmosphere or vacuum to remove water remaining at the interface between the ceramic substrate and the chemical plating layer, and electrolytic plating is performed again at least once. It is possible to manufacture a ceramic wiring board that has stable layer adhesion and does not cause "bulges."

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明実施例に係るセラミックス配線基板の
製造プロセスを示すブロック図、第2図は、従来めっき
法によるセラミックス配線基板の製造プロセスを示すブ
ロック図である。 特許出願人   松下電工株式会社 代理人弁理士  竹元敏丸(ほか2名)第1図 第2図
FIG. 1 is a block diagram showing a manufacturing process for a ceramic wiring board according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing a manufacturing process for a ceramic wiring board using a conventional plating method. Patent applicant Matsushita Electric Works Co., Ltd. Patent attorney Toshimaru Takemoto (and 2 others) Figure 1 Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)セラミックス基体にめっき法でメタライジングす
るに当たり、まず化学めっきを施した後、さらに電解め
っきによってメタライジング層を厚くする方法において
、電解めっき前または、電解めっきを薄く施した後に一
担、非酸化性雰囲気あるいは真空中で熱処理を行い、再
び電解めっきを施すという操作を少なくとも一回は行う
ことを特徴とするセラミックス配線基板の製法。
(1) When metallizing a ceramic substrate by plating, first chemical plating is applied and then electrolytic plating is used to thicken the metallizing layer. A method for manufacturing a ceramic wiring board, characterized by performing heat treatment in a non-oxidizing atmosphere or vacuum, and then performing electrolytic plating again at least once.
JP1499286A 1986-01-27 1986-01-27 Manufacture of ceramics wiring substrate Pending JPS62172788A (en)

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CN102762037A (en) * 2011-04-29 2012-10-31 比亚迪股份有限公司 Ceramic circuit board and manufacturing method thereof
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