JPS62170139A - Electron beam blanking device - Google Patents
Electron beam blanking deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は、電子ビームを偏向してブランキング・アパー
チャで阻止することによって、該電子ビームをブランキ
ングする電子ビーム・ブランキング装置であり、特に、
ブランキング時において、ブランカによる偏向方向と逆
方向の直流偏向磁界と電子ビームの光軸に直交する面内
を回転する円偏向磁界とを重畳発生する手段を有するこ
とにより、ブランキング中に電子ビームをブランキング
・アパーチャ孔を中心にして円状に回転走査させ、それ
により汚れ（コンタミ）が円状に付着するようにし、電
子ビームを安定化させることのできる電子ビーム・ブラ
ンキング装置である。[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention is an electron beam blanking device that blanks an electron beam by deflecting the electron beam and blocking the electron beam with a blanking aperture.
During blanking, the electron beam is This is an electron beam blanking device that can rotate and scan the electron beam in a circular manner around the blanking aperture hole, thereby causing contamination to adhere in a circular manner and stabilizing the electron beam.
本発明は、ブランキング時に電子ビームがブランキング
・アパーチャ孔の周囲に円状に照射されるようにするこ
とにより、安定な電子ビームを得ることのできる電子ビ
ーム・ブランキング装置に関する。The present invention relates to an electron beam blanking device that can obtain a stable electron beam by irradiating the electron beam circularly around a blanking aperture hole during blanking.
ストロボ電子ビーム装置などの電子ビーム・プローバ、
電子ビーム露光装置、電子顕微鏡等において、電子ビー
ムが試料に照射されすぎないようにする電子ビーム・ブ
ランキング装置が用いられている。Electron beam probers such as strobe electron beam devices,
2. Description of the Related Art Electron beam blanking devices are used in electron beam exposure devices, electron microscopes, and the like to prevent excessive irradiation of a sample with an electron beam.
従来の電子ビーム・ブランキング装置においては、第４
図（ａ）に示すようなブランカが電子ビームの光軸に沿
って配置され、その下方に光軸上にブランキング・７パ
ーチヤ孔を有するブランキング・アパーチャが配置され
ている。そして、第４図偽）に示すようなブランカ電圧
を、同図（ａ）のブランカに供給する。今、ブランカ電
圧がＯボルトのときはブランカは動作せず、電子ビーム
はそのままブランキング・アパーチャ孔を通過する。一
方、ブランカ電圧が負電圧の時は、ブランカによって電
子ビームはブランキング・アパーチャ上のＡ点に照射さ
れ、ブランキング・アパーチャ孔を通過することができ
ずブランキングされる。この動作により、電子ビームを
ブランキングすることができる。In conventional electron beam blanking equipment, the fourth
A blanker as shown in Figure (a) is arranged along the optical axis of the electron beam, and below it is arranged a blanking aperture having seven blanking percha holes on the optical axis. Then, a blanker voltage as shown in FIG. 4(false) is supplied to the blanker in FIG. 4(a). Now, when the blanker voltage is O volts, the blanker does not operate and the electron beam passes through the blanking aperture hole as it is. On the other hand, when the blanker voltage is a negative voltage, the electron beam is irradiated by the blanker to point A on the blanking aperture, and is blanked because it cannot pass through the blanking aperture hole. This operation allows blanking of the electron beam.
上記従来の電子ビーム・ブランキング装置において、ブ
ランキング・アパーチャ上の電子ビームが照射されるＡ
点には、第４図に示すようにコンタミと呼ばれる炭化水
素の汚れが付着する。そしてこの汚れがチャージ・アッ
プすると、その静電力で電子ビームがＡ点の方向に影響
を受は不安定になりやすい問題点を有していた。In the above conventional electron beam blanking device, the electron beam on the blanking aperture is irradiated with A
As shown in FIG. 4, hydrocarbon stains called contamination adhere to the spots. When this dirt is charged up, the electron beam is influenced in the direction of point A by the electrostatic force and tends to become unstable.
本発明は上記問題点を除くために、電子ビームがブラン
キング・アパーチャ孔を通過しないブランキング期間に
おいては、電子ビームがブランキング・アパーチャ孔を
中心にしてその周囲に円状に回転して照射されるように
することにより、汚れを対称に付着させ安定な電子ビー
ムを得ることのできる電子ビーム・ブランキング装置を
提供することを目的とする。In order to eliminate the above-mentioned problems, the present invention has been developed so that during the blanking period when the electron beam does not pass through the blanking aperture hole, the electron beam rotates in a circle around the blanking aperture hole and irradiates it. An object of the present invention is to provide an electron beam blanking device that can cause dirt to adhere symmetrically and obtain a stable electron beam.
本発明は、上記問題点を除くために、光軸に沿って配置
される偏向手段（１）、互いに直交する２つの偏向コイ
ル（２，３）と、ブランキング・アパーチャ（４）と、
ブランキング時に前記偏向手段（１）に所定の偏向電圧
（１４）を供給する偏向電圧発生手段（５）と、前記偏
向コイル（２゜３）に対してブランキング時に互いに９
０度の位相差を有する正弦波状の励磁電流を供給する励
磁電流発生手段（６〜９）と、ブランキング時に前記偏
向コイル（２）が前記偏向手段（１）による偏同方向と
逆方向の偏向を与えるように該偏向コイル（２）に対し
て所定の直流励磁電流を重畳させる直流励磁電流重畳手
段（１０）とによって構成される。In order to eliminate the above problems, the present invention includes a deflection means (1) arranged along the optical axis, two deflection coils (2, 3) orthogonal to each other, and a blanking aperture (4).
a deflection voltage generating means (5) that supplies a predetermined deflection voltage (14) to the deflection means (1) during blanking;
excitation current generating means (6 to 9) that supplies a sinusoidal excitation current having a phase difference of 0 degrees; and during blanking, the deflection coil (2) is deflected in the same direction and in the opposite direction by the deflection means (1). A DC excitation current superimposing means (10) superimposes a predetermined DC excitation current on the deflection coil (2) so as to provide deflection.
上記手段において、ブランキング時には前記励磁電流発
生手段（６〜９）と直流励磁電流重畳手段（１０）によ
って前記偏向コイル（２，３）において発生される回転
磁界により、電子ビームがブランキング・アパーチャ（
４１）を中心にして円状に回転走査される。それにより
コンタミの汚れも上記軌跡に沿って円状に対称に付着す
るため、その汚れ部分のチャージ・アップによる電子ビ
ーム（１７）への影響は最小限に抑えることができる。In the above means, during blanking, the rotating magnetic field generated in the deflection coils (2, 3) by the excitation current generation means (6 to 9) and the DC excitation current superimposition means (10) causes the electron beam to pass through the blanking aperture. (
41) is rotated and scanned in a circular manner. As a result, the contamination stains also adhere circularly and symmetrically along the above-mentioned locus, so that the influence on the electron beam (17) due to the charge-up of the contaminated portions can be minimized.
以下、本発明の実施例につき詳細に説明を行う。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
（電子ビーム・ブランキング装置の構成（第１図））第
１図は、本発明による電子ビーム・ブランキング装置の
構成図である。電子ビーム１７の光軸１８に沿ってブラ
ンカ１が配置され、続いて光軸１８に直交する平面内で
互いに直交する主偏向コイル２、副偏向コイル３が配置
され、その下方に光軸位置にブランキング・アパーチャ
孔４１を有するブランキング・アパーチャ４が配置され
る。(Configuration of electron beam blanking device (FIG. 1)) FIG. 1 is a configuration diagram of an electron beam blanking device according to the present invention. A blanker 1 is arranged along the optical axis 18 of the electron beam 17, followed by a main deflection coil 2 and a sub-deflection coil 3 which are orthogonal to each other in a plane perpendicular to the optical axis 18, and below the blanker 1 are arranged at the optical axis position. A blanking aperture 4 having a blanking aperture hole 41 is arranged.
一方、電子ビームゲート信号１１はブランカ・ドライバ
５に入力すると共に、スイッチ９．１０の制御入力に人
力する。ブランカ・ドライバ５からは偏向電圧１４が出
力され、ブランカ１ （片側はアースに接続される）を
駆動する。オフセット電圧１３はスイッチ１０の入力端
子ａに入力し、同じく入力端子すにはアース電圧が入力
し、スイッチ１０の出力は主偏向コイル・ドライバ６の
第１の入力に入力する。また、正弦波状発振電圧１２は
スイッチ９の入力端子Ｃに入力し、同じく入力端子ｄに
はアース電位が入力し、スイッチ９の出力は主偏向コイ
ル・ドライバ６の第２の入力に入力すると共に、９０度
移相器８を介して副偏向コイル・ドライバ７に入力する
。主偏向コイル・ドライバ６、及び副偏向コイル・ドラ
イバ７の各出力の主偏向コイル励磁電流１５．及び副偏
向コイル励磁電流１６は、各々主偏向２、及び副偏向コ
イル３ （共に片側はアースに接続されている）を駆動
する。また、スイッチ９及びｌＯにおいては、電子ビー
ムゲート信号１１がオン（１）の時は各出力端子が各々
入力端子す及びｄに接続されオフ（０）の時は各出力端
子が各々入力端子ａ及びＣに接続される。On the other hand, the electron beam gate signal 11 is input to the blanker driver 5 and also to the control input of the switch 9.10. A deflection voltage 14 is output from the blanker driver 5 and drives the blanker 1 (one side of which is connected to ground). The offset voltage 13 is input to the input terminal a of the switch 10, the ground voltage is also input to the input terminal a, and the output of the switch 10 is input to the first input of the main deflection coil driver 6. Further, the sinusoidal oscillation voltage 12 is input to the input terminal C of the switch 9, the ground potential is input to the input terminal d, and the output of the switch 9 is input to the second input of the main deflection coil driver 6. , are input to the sub-deflection coil driver 7 via a 90 degree phase shifter 8. Main deflection coil excitation current 15 of each output of main deflection coil driver 6 and sub-deflection coil driver 7. and the sub-deflection coil excitation current 16 drive the main deflection coil 2 and the sub-deflection coil 3 (both of which are connected to ground on one side), respectively. In the switches 9 and 10, when the electron beam gate signal 11 is on (1), each output terminal is connected to the input terminals a and d, and when it is off (0), each output terminal is connected to the input terminal a. and C.
（電子ビーム・ブランキング装置の動作（第１図〜第３
図））
次に、上記構成の電子ビーム・ブランキング装置の動作
につき、第２図の動作波形図、及び第３図の説明図を用
いて説明を行う。(Operation of electron beam blanking device (Figures 1 to 3)
(Figure)) Next, the operation of the electron beam blanking device having the above configuration will be explained using the operational waveform diagram in FIG. 2 and the explanatory diagram in FIG. 3.
まず、電子ビームゲート信号１１がオン（１）の時には
、ブランカ・ドライバ５は第２図に示すようにＯボルト
の偏向電圧１４をブランカ１に供給する。この結果、ブ
ランカ１は非動作となる。First, when the electron beam gate signal 11 is on (1), the blanker driver 5 supplies a deflection voltage 14 of O volts to the blanker 1 as shown in FIG. As a result, blanker 1 becomes inactive.
またこの時、前記のようにスイッチ９，１０は各々入力
端子す及びｄ側に接続されるため、主、副偏向コイル・
ドライバ６．７にはアース電位（０ポルト）が入力する
。この結果、主、副偏向コイル２．３も非動作となる。Also, at this time, since the switches 9 and 10 are connected to the input terminals S and d, respectively, as described above, the main and sub deflection coils
A ground potential (0 port) is input to the driver 6.7. As a result, the main and sub deflection coils 2.3 also become inactive.
上記動作により、電子ビーム１７は何の偏向も受けずに
ブランキング・アパーチャ孔４１を通過することができ
る。The above operation allows the electron beam 17 to pass through the blanking aperture hole 41 without receiving any deflection.
次に、電子ビームゲート信号１１がオフ（０）の時には
、ブランカ・ドライバ５は第２図に示すように負の偏向
電圧１４をブランカ１に供給する。Next, when the electron beam gate signal 11 is off (0), the blanker driver 5 supplies a negative deflection voltage 14 to the blanker 1 as shown in FIG.
またこの時、スイッチ９．１０は各々入力端子ａ。At this time, switches 9 and 10 each have input terminal a.
Ｃ側に接続されるため、主偏向コイル・ドライバ６には
正弦波状発振電圧１２、及びオフセット電圧１３が入力
する。その結果、主偏向コイル・ドライバ６は第２図に
示すように、オフセット電流Ｉを重畳した正弦波状の主
偏向コイル励磁電流１５を出力する。また、副偏向コイ
ル・ドライバ７には正弦波状発振電圧１２を、９０度移
相器８に通した電圧が入力する。その結果、副偏向コイ
ル・ドライバ７は第２図に示すように、主偏向コイル励
磁電流１５の正弦波成分に対して９０度位相が遅れた正
弦波状の副偏向コイル励磁電流１６を出力する。Since it is connected to the C side, a sinusoidal oscillation voltage 12 and an offset voltage 13 are input to the main deflection coil driver 6. As a result, the main deflection coil driver 6 outputs a sinusoidal main deflection coil excitation current 15 on which the offset current I is superimposed, as shown in FIG. Further, a voltage obtained by passing the sinusoidal oscillation voltage 12 through a 90-degree phase shifter 8 is input to the sub-deflection coil driver 7 . As a result, the sub-deflection coil driver 7 outputs a sinusoidal sub-deflection coil excitation current 16 whose phase is delayed by 90 degrees with respect to the sinusoidal component of the main deflection coil excitation current 15, as shown in FIG.
上記動作により、第２図の偏向電圧１４、及び主、副偏
向コイル励磁電流１５．１６は、各々ブランカ１、及び
主、副偏向コイル２，３を動作させる。即ち、まず、ブ
ランカ１により電子ビーム１７はブランキング・アパー
チャ孔４１ （光軸位置）からはずされる。次に、主偏
向コイル２においては主偏向コイル励磁電流１５のオフ
セット電流Ｉにより、ブランカ１による偏向方向と逆方
向の偏向を発生する直流磁界が発生される。この時、そ
の電界方向は磁界と電界の直交関係から、ブランカ１の
偏向方向に直交している。それに加えて、主偏向コイル
２及び副偏向コイル３により互いに９０度位相のずれた
正弦波状の磁界が発生し、その合成磁界として電子ビー
ムの光軸と垂直な面内を回転する回転磁界が発生する。By the above operation, the deflection voltage 14 and the main and sub-deflection coil excitation currents 15 and 16 shown in FIG. 2 operate the blanker 1 and the main and sub-deflection coils 2 and 3, respectively. That is, first, the electron beam 17 is removed from the blanking aperture hole 41 (optical axis position) by the blanker 1. Next, in the main deflection coil 2, an offset current I of the main deflection coil excitation current 15 generates a DC magnetic field that causes deflection in a direction opposite to the direction of deflection by the blanker 1. At this time, the direction of the electric field is perpendicular to the direction of deflection of the blanker 1 due to the orthogonal relationship between the magnetic field and the electric field. In addition, the main deflection coil 2 and the sub-deflection coil 3 generate sinusoidal magnetic fields that are 90 degrees out of phase with each other, and as a combined magnetic field, a rotating magnetic field that rotates in a plane perpendicular to the optical axis of the electron beam is generated. do.
上記動作の結果、電子ビームゲート信号１１がオフ（０
）となるブランキング時においては、ブランキングにお
ける偏向方向と逆方向の直流偏向磁界と電子ビームの光
軸と垂直な面内を回転する磁界を重畳することにより、
電子ビーム１７は、第３図に示すようにブランキング・
アパーチャ孔４１を中心にしてその周囲に円状に回転走
査される。As a result of the above operation, the electron beam gate signal 11 is turned off (0
), by superimposing a DC deflection magnetic field in the opposite direction to the deflection direction during blanking and a magnetic field rotating in a plane perpendicular to the optical axis of the electron beam.
The electron beam 17 is blanked and
Rotation scanning is performed around the aperture hole 41 in a circular manner.
以上に動作により、ブランキング・アパーチャ４上を電
子ビーム１７が走査することによって付着する汚れ（コ
ンタミ）Ｂは、第３図に示すように円状になる。この汚
れＢの部分はチャージ・アップし、その静電力が電子ビ
ーム１７に影響を及ぼすが、光軸１８が通過するブラン
キング・アパーチャ孔４１に対して対称に汚れが付着し
ているため、電子ビーム１７が一方向のみに影響を受け
ることが少なく、結果的にビームが安定する。As a result of the above-described operations, the contamination B that adheres as the electron beam 17 scans the blanking aperture 4 becomes circular as shown in FIG. 3. This part of dirt B charges up and its electrostatic force affects the electron beam 17, but since the dirt is attached symmetrically to the blanking aperture hole 41 through which the optical axis 18 passes, the electron The beam 17 is less likely to be influenced only in one direction, resulting in a stable beam.
本発明によれば、ブランキング時において付着するブラ
ンキング・アパーチャ上の電子ビームの走査による汚れ
をブランキング・アパーチャ孔に対して円状に対称に付
着するたようにできるため、そのチャージ・アップの静
電力による電子ビームのドリフト等の不安定性を低減さ
せることができる。According to the present invention, the dirt caused by scanning the electron beam on the blanking aperture that adheres during blanking can be caused to adhere circularly and symmetrically with respect to the blanking aperture hole, thereby reducing the charge-up. It is possible to reduce instability such as electron beam drift due to electrostatic force.
第１図は、本発明による電子ビーム・ブランキング装置
の構成図、
第２図は、本発明による電子ビーム・ブランキング装置
の動作波形図、
第３図は、ブランキング・アパーチャ上の電子ビーム軌
跡の説明図、
第４図（ａｌ、 （ｂｌは、従来の電子ビーム・ブラン
キングそ説明図である。
１・・・ブランカ、
２・・・主偏向コイル、
３・・・副偏向コイル、
４・・・ブランキング・アパーチャ、
５・・・ブランカ・ドライバ、
６・・・主偏向コイル・ドライバ、
７・・・副偏向コイル・ドライバ、
８・・・９０度移相器、
９．１０・ ・ ・スイッチ、
１１・・・電子ビームゲート信号、
１２・・・正弦波発振電圧、
１３・・・オフセット電圧、
１４・・・偏向電圧、
１５・・・主偏向コイル励磁電流、
１６・・・副偏向コイル励磁電流、
１７・・・電子ビーム、
１８・・・光軸、
４１・・・ブランキング・アパーチャ孔。
特許出願人 富士通株式会社
木鉋明（てよ３電菩ひム・ブラレ警−７６のａｓ’ｉ参
夜明（て↓る宛吾と一〕、・フ）〕キシグ膚良ぷ【の１
ウイ乍１芝ガら１１Ｍ％ ２ 図
ｉ ３ 図
（Ｃ１）
名〔来の電きビーム・ブランヤシフ党（置の宮り明図第
４図FIG. 1 is a block diagram of an electron beam blanking device according to the present invention. FIG. 2 is an operational waveform diagram of the electron beam blanking device according to the present invention. FIG. 3 is a diagram showing the electron beam on the blanking aperture. Explanatory diagram of the locus, Figure 4 (al, (bl is an explanatory diagram of conventional electron beam blanking). 1...Blanker, 2...Main deflection coil, 3...Sub deflection coil, 4... Blanking aperture, 5... Blanker driver, 6... Main deflection coil driver, 7... Sub deflection coil driver, 8... 90 degree phase shifter, 9.10・ ・ ・Switch, 11... Electron beam gate signal, 12... Sine wave oscillation voltage, 13... Offset voltage, 14... Deflection voltage, 15... Main deflection coil excitation current, 16... - Sub-deflection coil excitation current, 17... Electron beam, 18... Optical axis, 41... Blanking aperture hole. Patent applicant: Teyo 3 Den Bohim Burale Police-76's as'i visit to dawn
Wii 1 Shibaga et al. 11M% 2 Figure i 3 Figure (C1) Name [Next Electric Beam Branyasiv Party (Okinomiya Akira Figure 4
Claims (1)
れ該電子ビーム（１７）を該光軸（１８）に直交する平
面内の所定の一方向に偏向を行う偏向手段（１）と、 該偏向手段（１）の下方に配置され前記光軸（１８）上
にブランキング・アパーチャ孔（４１）を有するブラン
キング・アパーチャ（４）と、ブランキング時に前記偏
向手段（１）に所定の偏向電圧（１４）を供給する偏向
電圧発生手段（５）と、 前記ブランキング・アパーチャ（４）の上方に配置され
ブランキング時における前記偏向手段（１）による偏向
方向と逆方向の偏向を与える直流偏向磁界と前記光軸（
１８）に直交する平面内を回転する磁界とを重畳発生し
ブランキング時に前記電子ビーム（１７）を前記ブラン
キング・アパーチャ孔（４１）を中心にして前記ブラン
キング・アパーチャ（４）上を円状に回転走査させる磁
界発生手段（２、３、６〜１０）とを有することを特徴
とする電子ビーム・ブランキング装置。 ２）前記磁界発生手段（２、３、６〜１０）は、前記光
軸（１８）に直交する平面内において互いに直交する２
つの偏向コイル（２、３）と、該偏向コイル（２、３）
に対してブランキング時に互いに９０度の位相差を有す
る正弦波状の励磁電流を供給する励磁電流発生手段（６
〜９）と、ブランキング時に前記偏向コイル（２）が前
記偏向手段（１）による偏向方向と逆方向の偏向を与え
るように該偏向コイル（２）に対して所定の直流励磁電
流を重畳させる直流励磁電流重畳手段（１０）とによっ
て構成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の電子ビーム・ブランキング装置。 ３）前記偏向電圧発生手段（５）、前記励磁電流発生手
段（６〜９）、及び前記直流励磁電流重畳手段（１０）
は、ブランキング時以外においては出力を発生せず、前
記偏向手段（１）及び前記偏向コイル（２、３）を非動
作状態にして前記電子ビーム（１７）が前記ブランキン
グ・アパーチャ孔（４１）を通過するように動作するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載及び第２項記
載の電子ビーム・ブランキング装置。[Claims] 1) A device arranged along the optical axis (18) of the electron beam (17) and deflecting the electron beam (17) in a predetermined direction in a plane perpendicular to the optical axis (18). a blanking aperture (4) arranged below the deflection means (1) and having a blanking aperture hole (41) on the optical axis (18); a deflection voltage generating means (5) for supplying a predetermined deflection voltage (14) to the deflection means (1); and a deflection voltage generating means (5) arranged above the blanking aperture (4) to deflect the deflection by the deflection means (1) during blanking. A DC deflection magnetic field that gives a deflection in the opposite direction and the optical axis (
18) is superimposed with a magnetic field rotating in a plane orthogonal to the plane, and during blanking, the electron beam (17) is caused to move in a circle over the blanking aperture (4) with the blanking aperture hole (41) as the center. 1. An electron beam blanking device comprising magnetic field generating means (2, 3, 6 to 10) for rotationally scanning the electron beam. 2) The magnetic field generating means (2, 3, 6 to 10) are arranged in two orthogonal directions in a plane perpendicular to the optical axis (18).
one deflection coil (2, 3);
excitation current generating means (6
~9), superimposing a predetermined DC excitation current on the deflection coil (2) so that the deflection coil (2) gives deflection in a direction opposite to the direction of deflection by the deflection means (1) during blanking; The electron beam blanking device according to claim 1, characterized in that it is constituted by a DC excitation current superimposing means (10). 3) The deflection voltage generating means (5), the exciting current generating means (6 to 9), and the DC exciting current superimposing means (10)
does not generate an output except during blanking, and with the deflection means (1) and the deflection coils (2, 3) inactive, the electron beam (17) is directed to the blanking aperture hole (41). 2. The electron beam blanking device according to claim 1, wherein the electron beam blanking device operates so as to pass through the electron beam.
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| JPS62170139A true JPS62170139A (en) | 1987-07-27 |
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|---|---|
| JP (1) | JPS62170139A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011090844A (en) * | 2009-10-21 | 2011-05-06 | Jeol Ltd | Sample processing method and sample processing device |
| US9881764B2 (en) | 2016-01-09 | 2018-01-30 | Kla-Tencor Corporation | Heat-spreading blanking system for high throughput electron beam apparatus |
-
1986
- 1986-01-22 JP JP1125086A patent/JPS62170139A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011090844A (en) * | 2009-10-21 | 2011-05-06 | Jeol Ltd | Sample processing method and sample processing device |
| US9881764B2 (en) | 2016-01-09 | 2018-01-30 | Kla-Tencor Corporation | Heat-spreading blanking system for high throughput electron beam apparatus |
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