JPS6215948B2 - - Google Patents

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JPS6215948B2
JPS6215948B2 JP56088997A JP8899781A JPS6215948B2 JP S6215948 B2 JPS6215948 B2 JP S6215948B2 JP 56088997 A JP56088997 A JP 56088997A JP 8899781 A JP8899781 A JP 8899781A JP S6215948 B2 JPS6215948 B2 JP S6215948B2
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JP
Japan
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pattern
storage area
wiring
soft magnetic
magnetic material
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JP56088997A
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JPS57203285A (en
Inventor
Shinya Yoshioka
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブル記憶装置に関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to magnetic bubble storage devices.

近年磁気バブル記憶素子の性能向上のため種々
の構成が提案されているがその1つの方向として
データレートを増大させるため(イ)奇、偶数番目毎
のビツトを異なつた記憶領域単位に振り分けるオ
ツドイーブン方式、(ロ)メジヤーラインのゲート間
ビツト数を本質的に1ビツトにした倍周期方式(ハ)
全くの同一パタンからなる複数の記憶領域単位を
並列駆動する方式、あるいは(ニ)これらを組合せた
もの等の提案が活発化している。その殆んどの方
式に共通していることは1記憶素子が位置的に分
離された複数の記憶領域単位で構成されているこ
とである。なお、オツド・イーブン方式の場合、
動作原理上は記憶領域単位は分離されていないが
位置的には分離されているので本明細書ではオツ
ド側、イーブン側各々を記憶領域単位(ユニツ
ト)と規定する。
In recent years, various configurations have been proposed to improve the performance of magnetic bubble memory elements, and one way to increase the data rate is (a) an odd-even method in which odd and even numbered bits are distributed to different storage area units. , (b) Double period method in which the number of bits between gates of the major line is essentially 1 bit (c)
Proposals are becoming more active for systems in which a plurality of storage area units having exactly the same pattern are driven in parallel, or (d) for a combination of these. What most of these systems have in common is that one storage element is composed of a plurality of storage area units that are separated in position. In addition, in the case of odd-even method,
Although the storage area units are not separated in terms of operating principle, they are separated in position, and therefore, in this specification, the odd side and the even side are each defined as a storage area unit.

第1図は従来の代表的なオツド・イーブン方式
の磁気バブル記憶装置の構成図である。(オツ
ド・イーブン方式の詳細については米国特許第
407−5611号明細書で述べられている。)この装置
1は書込み側にスワツプゲート11,13、読取
り側にリプリケートゲート21,23を備えた2
メジヤーライン/マイナーループ構成で左半分が
オツド側ユニツト、右半分がイーブン側ユニツト
である。本装置では磁気バブルを電流制御するた
めの機能部及びその配線部からなる導電体層と磁
気バブル転送用パタンからなる軟磁性体層は左右
同一パタンとなつている。したがつてオツド側、
イーブン側両方のユニツトに1ビツト間隔差をも
つ2つの発生器、2つの検出器が共に具備されて
いて、オツド側ユニツトとイーブン側ユニツトと
の発生器からスワツプゲート迄の1ビツトの差及
びリプリゲートゲートから検出器までの1ビツト
の差は夫々ボンデイング端子を選択することで確
保されている。すなわちオツド側ユニツトでは発
生器31と検出器41が、イーブン側ユニツトで
は発生器33と検出器43がボンデイング線で選
択活用されていて、他の発生器32,34検出器
42,44は活用されていない。なお検出器4
1,43の出力はダミー検出器45,46によつ
てノイズキヤンセルされている。このように1素
子内を複数の記憶領域単位に分割し各々を同一パ
タンの繰り返しにするということはマスク製作上
の利点が大きい。通常ステツプアンドリピータの
縮小レンズ系の解像性能からみて繰り返し単位の
10倍の大きさからなるレチクルパタンサイズはで
きるだけ小さいことが望ましく、前記のような構
成にすると素子サイズが大きくても繰り返し単位
すなわちレチクルパタンサイズは小さくて済み、
より微細パタンを採用することができ良好な動作
特性を有する磁気バブル記憶装置を実現すること
ができるからである。
FIG. 1 is a block diagram of a typical conventional odd-even type magnetic bubble storage device. (For details of the odd-even method, see U.S. Patent No.
No. 407-5611. ) This device 1 has swap gates 11 and 13 on the write side and replicate gates 21 and 23 on the read side.
It has a major line/minor loop configuration, with the left half being the odd side unit and the right half being the even side unit. In this device, the conductive layer consisting of a functional section for current controlling magnetic bubbles and its wiring section, and the soft magnetic layer consisting of a magnetic bubble transfer pattern have the same pattern on the left and right sides. Therefore, Otsudo side,
Both units on the even side are equipped with two generators and two detectors with a 1-bit interval difference, and the 1-bit difference from the generator to the swap gate between the odd side unit and the even side unit and the replica gate are detected. A one-bit difference from the gate to the detector is ensured by selecting the respective bonding terminals. That is, the generator 31 and detector 41 are selectively used in the odd side unit, and the generator 33 and detector 43 are selectively used in the even side unit, and the other generators 32, 34 and detectors 42, 44 are not used. Not yet. Note that detector 4
The outputs of 1 and 43 are subjected to noise cancellation by dummy detectors 45 and 46. In this way, dividing one element into a plurality of storage area units and repeating the same pattern in each storage area unit has a great advantage in mask production. Normally, from the viewpoint of the resolution performance of the reduction lens system of a step-and-repeater, the repetition unit is
It is desirable that the reticle pattern size, which is 10 times the size, is as small as possible, and with the above configuration, even if the element size is large, the repeating unit, that is, the reticle pattern size, can be small.
This is because it is possible to use a finer pattern and realize a magnetic bubble storage device with good operating characteristics.

しかしながら、第1図のように単に同一パタン
からなる記憶領域単位を並置するだけでは以下に
示すいくつかの欠点を有する。第一に本素子1を
マウントする配線基板2、その他駆動コイル、バ
イアス磁石等磁気バブル駆動のための諸部品(図
示されていない)を内臓したパツケージの外部端
子数を減らそうとすると配線基板2の配線パタン
に交叉部3が生じ配線基板を二層構造にせねばな
らず高価になると、素子分割数を多くしたり、ゲ
ート駆動電圧低減のため並列接続を採用しようと
すると配線基板はより多層構造になりますます高
価になること、第二に配線基板が多層構造にな
り、厚さが増すと配線基板を覆つて巻回される駆
動コイルの内部体積が増え、駆動コイルの消費電
力が大きくなること、第三にボンデイング点数が
増え信頼性、作業工数の点で好しくないこと、第
1図の例ではボンデイング箇所は40点にものぼる
こと等が挙げられる。
However, simply arranging storage area units having the same pattern side by side as shown in FIG. 1 has several drawbacks as shown below. Firstly, in an attempt to reduce the number of external terminals of a package containing a wiring board 2 on which the present device 1 is mounted, and other parts (not shown) for driving magnetic bubbles such as a drive coil and a bias magnet, the wiring board 2 When an intersection 3 occurs in the wiring pattern and the wiring board has to have a two-layer structure, making it expensive, increasing the number of element divisions or using parallel connections to reduce gate drive voltage requires the wiring board to have a more multilayer structure. Second, wiring boards have a multilayer structure, and as the thickness increases, the internal volume of the drive coil wound around the wiring board increases, increasing the power consumption of the drive coil. Thirdly, the number of bonding points increases, which is unfavorable in terms of reliability and work man-hours.In the example shown in Fig. 1, there are as many as 40 bonding points.

本発明の目的は繰り返し記憶領域単位が小さい
という利点は損わずに上記欠点を解消した新規な
導電体配線パタン構成をもつ磁気バブル記憶装置
を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a magnetic bubble storage device having a novel conductive wiring pattern configuration that eliminates the above-mentioned drawbacks without sacrificing the advantage of having a small repeating storage area unit.

本発明は、磁気バブルを電流制御するための機
能部及びその配線部からなる導電体パタンと前記
導電体パタンを覆う絶縁膜上に形成された磁気バ
ブル転送用及び電気配線用軟磁性体パタンのいず
れもが各記憶領域単位で本質的に同一パタンであ
り、前記導電体パタン配線部と電気配線用軟磁性
体パタンとの電気的接続が前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールによつて選択されることによ
つて達成される。
The present invention provides a conductor pattern consisting of a functional part and its wiring part for current control of magnetic bubbles, and a soft magnetic material pattern for magnetic bubble transfer and electrical wiring formed on an insulating film covering the conductor pattern. Both have essentially the same pattern for each storage area, and the electrical connection between the conductive pattern wiring portion and the soft magnetic material pattern for electrical wiring is selected by the contact hole provided in the insulating film. This is achieved by

すなわち、本発明は複数に分割された記憶領域
単位のパタンを同一にしたまゝ装置全体での端子
数を収束させることによつて、配線基板を簡略化
できる、配線基板との接続点数を低減できる等の
極めて有益な効果が得られる。
In other words, the present invention simplifies the wiring board and reduces the number of connection points with the wiring board by converging the number of terminals in the entire device while keeping the pattern of each divided storage area unit the same. Extremely beneficial effects can be obtained, such as:

以下本発明を図面を用いて説明する。 The present invention will be explained below using the drawings.

第2図は本発明による磁気バブル記憶装置の実
施例を示す構成図である。本装置の全体構成の動
作は従来技術として第1図で示した素子と同じで
あるので説明を省略し、ここでは本発明による部
分、特に配線関係について詳述する。
FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of a magnetic bubble storage device according to the present invention. Since the operation of the overall structure of this device is the same as that of the element shown in FIG. 1 as a conventional technique, the explanation will be omitted, and here, the parts according to the present invention, especially the wiring relation, will be explained in detail.

第2図において、破線は装置外形、一点鎖線は
記憶領域単位の境界、細線は磁気バブル電流制御
のための機能部及び配線部からなる導電体パタ
ン、太線は磁気バブル転送用及び配線用軟磁性体
パタン、小丸印は導電体パタンと軟磁性体パタン
との配線部間の電気的接続がなされている絶縁膜
のコンタクトホールを夫々示している。本実施例
では全体の配線を簡素にするため共通線を採用し
ている。書き込み側に発生器の電源線b1戻り線
b2、スワツプゲートの電源線b3戻り線b4、
読取り側にリプリケートゲートの電源線b5戻り
線b6、検出器、ダミー検出器の信号線b7、b
8戻り線b9計9本の共通線が設けられている。
但し検出器関係の信号線b7,b8はオツド側、
イーブン側共通不要部を削除している。全ての機
能部はこれらの共通線を介してボンデイング端子
に電気的接続がなされている。
In Fig. 2, the broken line is the device outline, the dashed line is the boundary of the storage area unit, the thin line is the conductive pattern consisting of the functional part and wiring part for magnetic bubble current control, and the thick line is the soft magnetic material for magnetic bubble transfer and wiring. The body patterns and small circles respectively indicate contact holes in the insulating film through which electrical connection is made between the wiring portions of the conductor pattern and the soft magnetic material pattern. In this embodiment, a common line is used to simplify the overall wiring. On the write side, generator power line b1 return line b2, swap gate power line b3 return line b4,
On the reading side, replicate gate power line b5 return line b6, detector, dummy detector signal line b7, b
A total of nine common lines (8 return lines b9) are provided.
However, the signal lines b7 and b8 related to the detector are on the external side,
Unnecessary parts common to the even side are deleted. All functional units are electrically connected to bonding terminals via these common lines.

本実施例で注目すべき点は機能部と共通線間あ
るいはボンデイング端子と共通線間との電気的接
続用配線パタンに磁気バブル転送用に用いている
軟磁性体層を兼用し、しかもその軟磁性体パタン
をオツド側、イーブン側ともに同一にしたことで
ある。すなわちオツド側ユニツト又はイーブン側
ユニツトのどちらか片側でのみしか接続しない場
合でも両側に共通に配線部を敷設し、実際に活用
する部分のみコンタクトホールを用いて選択して
いることである。発生器を代表させてその配線の
様子を説明する。オツド側、イーブン側夫々の発
生器31,33の電源側配線311,331、ボ
ンデイング端子101が共通線b1にコンタクト
ホールc1,c2,c3,c4,c5,c6、軟
磁性体配線部l1,l2,l3を介して接続され
ており、戻り配線312,332、ボンデイング
端子102が共通線b2にコンタクトホールc
7,c8,c9,c10,c11,c12、軟磁
性体配線部l4,l5,l6を介して接続されて
いる。オツド、イーブン各ユニツト間の共通線も
同様にコンタクトホールc13,c14,c1
5,c16、軟磁性体配線部l7,l8を介して
接続されている。したがつてオツド側、イーブン
側の2つの発生器の4つの電極線がボンデイング
端子では電源用101、戻り用102の1対のみ
に収束されている。又オツド側とイーブン側の軟
磁性体パタンを同一にするためオツド側にある2
つの発生器31,32には、ともに軟磁性体配線
部l1,l4,l9,l10が設けられているが
コンタクトホールはオツド用発生器31の配線部
l1,l4にしか設けられておらず不必要なイー
ブン用発生器32は活用されていない。第2図に
おいてコンタクトホールによつて終端されていな
い軟磁性体配線部が数ケ所見られるがこれらは全
てオツド側とイーブン側の軟磁性体パタンを同一
にするために敷設されたものである。
What should be noted about this embodiment is that the wiring pattern for electrical connection between the functional section and the common line or between the bonding terminal and the common line also uses the soft magnetic material layer used for magnetic bubble transfer. The magnetic material pattern is the same on both the odd and even sides. That is, even if only one side of the odd side unit or even side unit is to be connected, a common wiring section is laid on both sides, and only the portions that are actually used are selected using contact holes. The wiring will be explained using a generator as a representative. The power supply side wiring 311, 331 of the generators 31, 33 on the odd side and even side, the bonding terminal 101 are connected to the common line b1, contact holes c1, c2, c3, c4, c5, c6, soft magnetic wiring parts l1, l2 , l3, and the return wiring 312, 332 and bonding terminal 102 are connected to the common line b2 through the contact hole c.
7, c8, c9, c10, c11, c12, and are connected via soft magnetic wiring portions l4, l5, l6. The common lines between odd and even units are also connected to contact holes c13, c14, and c1.
5, c16, and are connected via soft magnetic wiring portions l7, l8. Therefore, the four electrode wires of the two generators on the odd side and even side are converged into only one pair, 101 for power supply and 102 for return, at the bonding terminal. Also, in order to make the soft magnetic material pattern on the odd side and the even side the same, there is a
The two generators 31 and 32 are both provided with soft magnetic wiring parts l1, l4, l9, and l10, but the contact holes are provided only in the wiring parts l1 and l4 of the odd generator 31, and are not included. The necessary even generator 32 is not utilized. In FIG. 2, there are several soft magnetic wiring portions that are not terminated by contact holes, but these are all laid to make the soft magnetic material patterns on the odd side and the even side the same.

コンタクトホールによる電気的接続状態の理解
を助けるために第3図を用いて説明する。第3図
は第2図に示した素子の導電体配線部201と軟
磁性体配線部206が交叉する部分203、コン
タクトホール204によつて導電体配線部201
と軟磁性体配線部206との電気的接続がなされ
ている部分205の膜断面を示す図である。スペ
ーサとしての2000ÅのSiO2207、導電体層と
しての100ÅのTaと3500ÅのAuを連続成膜し、
イオンミリングにより機能部と配線部203のパ
ターニングをし3000ÅSiO2208を成膜しコン
タクトホール204をケミカルエツチングにより
形成する。次に4000ÅのNiFeを成膜し、イオン
ミリングで磁気バブル転送路及び配線部206を
パターニングし6000Åのパツシベーシヨン用とし
てのSiO2209を付着する。最後にボンデイン
グ端子210をケミカルエツチングにより窓あけ
する。
In order to help understand the state of electrical connection by contact holes, the explanation will be made using FIG. 3. FIG. 3 shows a portion 203 where the conductive wiring portion 201 and the soft magnetic wiring portion 206 intersect with each other and a contact hole 204 of the element shown in FIG.
3 is a diagram illustrating a cross section of the film of a portion 205 where electrical connection is made between the soft magnetic wiring portion 206 and the soft magnetic wiring portion 206. FIG. 2000 Å SiO 2 207 as a spacer, 100 Å Ta and 3500 Å Au as conductor layers were successively deposited,
The functional part and wiring part 203 are patterned by ion milling, a 3000 Å SiO 2 film 208 is formed, and a contact hole 204 is formed by chemical etching. Next, a 4000 Å NiFe film is formed, a magnetic bubble transfer path and a wiring portion 206 are patterned by ion milling, and a 6000 Å SiO 2 film 209 for passivation is deposited. Finally, the bonding terminal 210 is opened by chemical etching.

第2図、第3図の説明から判るようにオツド
側、イーブン側夫々で活用したい機能部は、コン
タクトホールと軟磁性体配線部を用いて当該共通
線に接続することで選択され又使用すべきボンデ
イング端子も同様に当該共通線に接続することで
選択されているので、微細なパタンを必要とする
導電体パタンと軟磁性体パタンはオツド側、イー
ブン側同一にでき、レチクルパタンサイズが小さ
くて済む。一方コンタクトホールパタンは特に微
細な形状を必要としないのでオツド側、イーブン
側で異なつてレチクルパタンサイズが大きくなつ
ても問題とならない。又ボンデイング点数も第1
の実施例と同様18点に半減されている。
As can be seen from the explanations in Figures 2 and 3, the functional parts that are to be used on both the odd and even sides are selected and used by connecting them to the common line using contact holes and soft magnetic wiring. Since the bonding terminals to be used are also selected by connecting to the common line, the conductor pattern and soft magnetic material pattern, which require fine patterns, can be made the same on the odd and even sides, and the reticle pattern size is small. It's done. On the other hand, since the contact hole pattern does not require a particularly fine shape, there is no problem even if the reticle pattern size is large and differs between the odd side and the even side. Also, the bonding score is also the highest
As in the example above, the score was halved to 18 points.

上記実施例では共にオツド・イーブン方式で記
憶領域単位が2の場合について説明したが、本発
明はこれに限ることなく1素子を3以上の記憶領
域単位に分割するものであつても、適用でき、し
かもその効果がますます大きくなることは明らか
である。
In the above embodiments, the case where the storage area unit is two in the odd-even method is explained, but the present invention is not limited to this, and can be applied even if one element is divided into three or more storage area units. , and it is clear that the effect will become even greater.

以上述べた如く、本発明による磁気バブル記憶
装置は1装置が複数の記憶領域単位に分割されて
もボンデイング端子が収束されているので、配線
基板が簡素化され、それに伴ない駆動コイルの消
費電力が小さく又ボンデイング点数が低減でき、
経済性、信頼性の点で工業上極めて有益である。
又、本発明は1装置の分割数が増えるほど効果の
度合が大きく、今後ますます記憶容量が増大し、
性能維持改善のため分割数が増える傾向にあるの
でその効果は大きい。
As described above, in the magnetic bubble storage device according to the present invention, even if one device is divided into a plurality of storage areas, the bonding terminals are converged, so the wiring board is simplified, and the power consumption of the drive coil is accordingly simplified. is small and the number of bonding points can be reduced.
It is extremely useful industrially in terms of economy and reliability.
Furthermore, the effectiveness of the present invention increases as the number of divisions in one device increases, and the storage capacity will continue to increase in the future.
The effect is significant because the number of divisions tends to increase in order to maintain and improve performance.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、従来の磁気バブル記憶素子の構成
図、第2図、第3図は本発明による磁気バブル記
憶素子の構成図である。 1……磁気バブル記憶素子、2……配線基板、
3,203……配線交叉部、11,13……書込
みゲート、21,23……読取りゲート、31,
32,33,34……発生器、41,42,4
3,44……検出器、45,46……ダミー検出
器、101,102,210……ボンデイング端
子、311,312,331,332……発生器
配線部、201……導電体パタン、206,l1
〜l8……軟磁性体配線部、204,c1〜c1
6……コンタクトホール、207,208,20
9……絶縁膜。
FIG. 1 is a block diagram of a conventional magnetic bubble memory element, and FIGS. 2 and 3 are block diagrams of a magnetic bubble memory element according to the present invention. 1...Magnetic bubble memory element, 2...Wiring board,
3,203...Wiring intersection, 11,13...Write gate, 21,23...Read gate, 31,
32, 33, 34... Generator, 41, 42, 4
3,44...detector, 45,46...dummy detector, 101,102,210...bonding terminal, 311,312,331,332...generator wiring section, 201...conductor pattern, 206, l1
~l8...Soft magnetic wiring section, 204, c1~c1
6...Contact hole, 207, 208, 20
9...Insulating film.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 少なくとも発生器、検出器、記憶ループが具
備され、位置的に分離された記憶領域単位を複数
個有する磁気バブル記憶装置において、磁気バブ
ルを電流制御するための機能部及び配線部からな
る導電体パタンと、前記導電体パタンを覆う絶縁
膜上に形成された磁気バブル転送用軟磁性体パタ
ンのいずれもが記憶領域単位で全て同一であり、
記憶領域単位内で機能部とボンデイング端子間を
接続するための配線部及び記憶領域単位間を相互
接続するための配線部に前記軟磁性体パタンと同
一層の軟磁性体を用い、この軟磁性体パタンも記
憶領域単位で全て同一であり、前記絶縁膜に設け
られたコンタクトホールによつて各記憶領域単位
で必要な機能部が選択されていることを特徴とす
る磁気バブル記憶装置。
1. In a magnetic bubble storage device that is equipped with at least a generator, a detector, and a storage loop and has a plurality of positionally separated storage area units, a conductor consisting of a functional part and a wiring part for controlling the current of magnetic bubbles. Both the pattern and the soft magnetic material pattern for magnetic bubble transfer formed on the insulating film covering the conductor pattern are all the same in each storage area,
A soft magnetic material of the same layer as the soft magnetic material pattern is used for the wiring part for connecting between the functional part and the bonding terminal within the storage area unit and the wiring part for interconnecting the storage area units, and the soft magnetic material is A magnetic bubble storage device characterized in that the body pattern is also the same for each storage area, and a necessary functional section is selected for each storage area by a contact hole provided in the insulating film.
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