JPS6212686B2 - - Google Patents
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- JPS6212686B2 JPS6212686B2 JP54052522A JP5252279A JPS6212686B2 JP S6212686 B2 JPS6212686 B2 JP S6212686B2 JP 54052522 A JP54052522 A JP 54052522A JP 5252279 A JP5252279 A JP 5252279A JP S6212686 B2 JPS6212686 B2 JP S6212686B2
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、バイポーラトランジスタを用いた
スイツチング電力増幅回路において、電源電圧に
対する出力の直線性を良好にできるようにした電
力増幅回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a switching power amplifying circuit using bipolar transistors, which is capable of achieving good output linearity with respect to a power supply voltage.
従来、バイポーラスイツチングトランジスタを
用いて、Ｄ級電力増幅回路やインバータ回路など
を構成すると、出力の大きさに対して、最適励振
入力を与えないと、最高の効率で動作しなかつ
た。特に、Ｄ級電力増幅回路の電源電圧を変化さ
せて変調を行うような場合、励振段にも若干の変
調を行わなければ、直線性や効率が悪化する。 Conventionally, when bipolar switching transistors are used to construct class D power amplifier circuits, inverter circuits, etc., the circuits cannot operate at maximum efficiency unless an optimum excitation input is applied to the output size. In particular, when modulation is performed by changing the power supply voltage of a class D power amplifier circuit, linearity and efficiency will deteriorate unless some modulation is also performed at the excitation stage.
第１図は従来のＤ級増幅回路を被変調電力増幅
部に使用した場合の変調回路を示す回路図であ
る。この第１図における１は搬送波入力端子であ
り、励振用の増幅器２の入力端に接続されてい
る。増幅器２は低圧電源端子３に加える電圧を変
化させると、励振出力が変化するものである。 FIG. 1 is a circuit diagram showing a modulation circuit in which a conventional class D amplifier circuit is used in a modulated power amplification section. 1 in FIG. 1 is a carrier wave input terminal, which is connected to the input terminal of an excitation amplifier 2. In FIG. The amplifier 2 changes its excitation output when the voltage applied to the low voltage power supply terminal 3 changes.
また、４，５はそれぞれスイツチングパワート
ランジスタであり、Ｄ級増幅回路を構成してお
り、増幅器２の出力をマツチング回路７、入力ト
ランス６を通して駆動されるようになつている。
マツチング回路７はＴ型のマツチング回路であつ
て、駆動電流を正弦波にするために挿入されてい
る。また、入力トランス６はスイツチングパワー
トランジスタ４，５のベースに逆位相で駆動電流
を与えるものである。ここで、励振入力がある
と、スイツチングパワートランジスタ４，５は交
互にスイツチングするものである。 Furthermore, numerals 4 and 5 are switching power transistors, respectively, and constitute a class D amplifier circuit, and the output of the amplifier 2 is driven through a matching circuit 7 and an input transformer 6.
The matching circuit 7 is a T-type matching circuit, and is inserted to make the drive current a sine wave. Further, the input transformer 6 provides drive currents to the bases of the switching power transistors 4 and 5 in opposite phases. Here, when there is an excitation input, the switching power transistors 4 and 5 alternately switch.
８は変調信号入力端子であつて、変調信号増幅
器９の入力端に接続されている。変調信号増幅器
９は変調信号入力端子８から導入された変調信号
を増幅して、変調トランジスタ１０のベースに出
力を送出し、変調トランジスタ１０により直列変
調を行うようになつている。 8 is a modulation signal input terminal, which is connected to the input terminal of the modulation signal amplifier 9. The modulation signal amplifier 9 amplifies the modulation signal introduced from the modulation signal input terminal 8 and sends an output to the base of the modulation transistor 10, so that the modulation transistor 10 performs series modulation.
変調トランジスタ１０のコレクタは高圧正電源
端子１１に接続され、正の電圧が加えられ、この
電圧は変調トランジスタ１０によつて変調信号入
力に応じて電圧降下して、Ｄ級増幅回路に加えら
れ、Ｄ級増幅回路、すなわち、スイツチングパワ
ートランジスタ４のエミツタおよびスイツチング
パワートランジスタ５のコレクタより直列共振回
路１３を通して出力端子１２に変調された信号が
現われるようになつている。 The collector of the modulation transistor 10 is connected to the high-voltage positive power supply terminal 11, and a positive voltage is applied thereto, and this voltage is dropped by the modulation transistor 10 according to the modulation signal input, and is applied to the class D amplifier circuit. A modulated signal appears at the output terminal 12 through the series resonant circuit 13 from the emitter of the switching power transistor 4 and the collector of the switching power transistor 5 in the class D amplifier circuit.
送信機の場合は、出力端子１２がアンテナや整
合器に接続される。そして、Ｄ級電力増幅回路の
出力端と出力端１２間の出力回路に挿入された直
列共振回路１３はＤ級増幅回路を効率よく動作さ
せ、しかも、高周波スプリアスを除去するための
ものである。 In the case of a transmitter, the output terminal 12 is connected to an antenna or a matching box. The series resonant circuit 13 inserted into the output circuit between the output end of the class D power amplifier circuit and the output end 12 is used to operate the class D amplifier circuit efficiently and to eliminate high frequency spurious signals.
ところで、バイポーラスイツチングトランジス
タ４，５を使用した上述のようなＤ級増幅回路に
おいては、そのベース電流は出力に応じて最適に
調整されなければ効率と直線性が悪化することに
なる。すなわち、キヤリアのレベル（無変調時）
で最高の効率で動作するように、励振レベルを調
整すると、正変調側で励振不足となり、バイポー
ラスイツチングトランジスタ４，５の飽和電圧が
上昇して、直線性が悪くなる。また、正変調のピ
ークでも励振不足にならない程度に十分励振を与
えると、無変調時には過励振となり、バイポーラ
スイツチングトランジスタ４，５のベースの蓄積
電荷の影響でスイツチングタイムが大きくなつ
て、効率が低下する。そのため、励振段にも変調
を行う必要が生じる。なお、１４はこの励振段に
変調を行うためのトランスであり、低電圧電源端
子３と励振用増幅器２との間に１次側が挿入さ
れ、２次側は変調トランジスタ１０のエミツタに
接続されている。 By the way, in the above-described class D amplifier circuit using bipolar switching transistors 4 and 5, efficiency and linearity will deteriorate unless the base current is optimally adjusted according to the output. In other words, the carrier level (when not modulated)
If the excitation level is adjusted so as to operate at the highest efficiency, excitation will be insufficient on the positive modulation side, the saturation voltage of the bipolar switching transistors 4 and 5 will increase, and linearity will deteriorate. Furthermore, if enough excitation is applied to avoid insufficient excitation even at the peak of positive modulation, overexcitation will occur when no modulation occurs, and the switching time will increase due to the influence of the accumulated charge in the bases of bipolar switching transistors 4 and 5, resulting in reduced efficiency. decreases. Therefore, it becomes necessary to modulate the excitation stage as well. Note that 14 is a transformer for modulating this excitation stage, the primary side of which is inserted between the low voltage power supply terminal 3 and the excitation amplifier 2, and the secondary side connected to the emitter of the modulation transistor 10. There is.
このようなバイポーラスイツチングトランジス
タ４，５を使用したＤ級増幅器においては、効率
と変調の直線性を改善するために、必ず励振段に
も変調を行う必要があり、負荷変動によつても、
励振レベルを最適に調整しなければならない欠点
があつた。 In a class D amplifier using such bipolar switching transistors 4 and 5, in order to improve efficiency and linearity of modulation, it is necessary to modulate the excitation stage as well.
The drawback was that the excitation level had to be adjusted optimally.
この発明は、上記従来の欠点を除去するために
なされたもので、被変調電力増幅回路内に、負荷
電流に応じて自動的にベース駆動電流を制御する
ように工夫して、励振段に変調を行わなくても良
好な変調の直線性と高い効率を得ることができる
とともに、負荷インピーダンスの変動に対しても
影響を受けることのない電力増幅回路を提供する
ことを目的とする。 This invention was made in order to eliminate the above-mentioned drawbacks of the conventional technology.The present invention is designed to automatically control the base drive current according to the load current in the modulated power amplifier circuit to modulate the excitation stage. It is an object of the present invention to provide a power amplification circuit that can obtain good modulation linearity and high efficiency without performing the above steps, and is not affected by changes in load impedance.
以下、この発明の電力増幅回路の実施例につい
て図面に基づき説明する。第２図はその一実施例
を示す回路図である。第２図の１０１は搬送波入
力端子であつて、スイツチングアンプなどの電圧
源出力特性の方形波信号が加えられるものであ
る。搬送波入力端子１０１はパルストランス１０
２の１次巻線１０２Ｐの一端に接続されている。
１次巻線１０２Ｐの他端はアースされている。 Embodiments of the power amplifier circuit of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 2 is a circuit diagram showing one embodiment thereof. Reference numeral 101 in FIG. 2 is a carrier wave input terminal to which a square wave signal having output characteristics of a voltage source such as a switching amplifier is applied. The carrier wave input terminal 101 is a pulse transformer 10
It is connected to one end of the primary winding 102P of No. 2.
The other end of the primary winding 102P is grounded.
パルストランス１０２はプツシユプル形のスイ
ツチング増幅回路を構成するバイポーラスイツチ
ングトランジスタ１０３，１０４のベースに逆位
相でベース駆動電流を与えるためのもので、２つ
の２次巻線１０２S1，１０２S2を有している。２
次巻線１０２S1の一端はバイポーラスイツチング
トランジスタ１０３のベースに接続されており、
この２次巻線１０２S1の他端は抵抗１０５とダイ
オード１１１の並列回路を通して、このバイポー
ラスイツチングトランジスタ１０３のエミツタに
接続されている。ダイオード１１１に並列にトラ
ンジスタ１０９のエミツタおよびコレクタが接続
されている。 The pulse transformer 102 is used to apply base drive currents in opposite phases to the bases of the bipolar switching transistors 103 and 104 constituting a push-pull type switching amplifier circuit, and has two secondary windings 102S 1 and 102S 2 . ing. 2
One end of the next winding 102S 1 is connected to the base of the bipolar switching transistor 103,
The other end of the secondary winding 102S 1 is connected to the emitter of the bipolar switching transistor 103 through a parallel circuit of a resistor 105 and a diode 111. The emitter and collector of transistor 109 are connected in parallel to diode 111 .
同様にして、パルストランス１０２の２次巻線
１０２S2の一端はバイポーラスイツチングトラン
ジスタ１０４のベースに接続されている。２次巻
線１０２S2の他端は抵抗１０６とダイオード１１
２の並列回路を介してバイポーラスイツチングト
ランジスタ１０４のエミツタに接続されている。
ダイオード１１２に並列にトランジスタ１１０の
エミツタコレクタが接続されている。 Similarly, one end of the secondary winding 102S 2 of the pulse transformer 102 is connected to the base of the bipolar switching transistor 104. The other end of the secondary winding 102S 2 is a resistor 106 and a diode 11.
It is connected to the emitter of the bipolar switching transistor 104 through two parallel circuits.
The emitter collector of transistor 110 is connected in parallel to diode 112.
上記抵抗１０５，１０６は出力電流が小さいと
きのバイポーラスイツチングトランジスタ１０
３，１０４の順方向ベース電流を与えるためのも
のであり、ダイオード１１１，１１２はバイポー
ラスイツチングトランジスタ１０３，１０４の逆
方向ベースバイアスを加え、このバイポーラスイ
ツチングトランジスタ１０３，１０４を短時間で
ターンオフするためのものである。 The resistors 105 and 106 are the bipolar switching transistors 10 when the output current is small.
The diodes 111 and 112 apply a reverse base bias to the bipolar switching transistors 103 and 104, and turn off the bipolar switching transistors 103 and 104 in a short time. It is for.
バイポーラスイツチングトランジスタ１０３の
エミツタは抵抗１０７を通して、バイポーラスイ
ツチングトランジスタ１０４のコレクタに接続さ
れており、このコレクタは抵抗を通して上記トラ
ンジスタ１０９のベースに接続されている。バイ
ポーラスイツチングトランジスタ１０４のエミツ
タは抵抗１０８を通してアースされており、その
アース点に抵抗を通してトランジスタ１１０のベ
ースが接続されている。 The emitter of bipolar switching transistor 103 is connected through a resistor 107 to the collector of bipolar switching transistor 104, which is connected through a resistor to the base of transistor 109. The emitter of bipolar switching transistor 104 is grounded through resistor 108, and the base of transistor 110 is connected to the ground point through the resistor.
抵抗１０７，１０８はそれぞれバイポーラスイ
ツチングトランジスタ１０３，１０４のコレクタ
電流（出力電流）を電圧に変換するためのもので
ある。この抵抗１０７，１０８によつて変換され
た電圧が上記トランジスタ１０９，１１０のベー
スに与えるようになつている。 Resistors 107 and 108 are for converting the collector currents (output currents) of bipolar switching transistors 103 and 104, respectively, into voltages. The voltage converted by the resistors 107 and 108 is applied to the bases of the transistors 109 and 110.
バイポーラスイツチングトランジスタ１０３の
コレクタは変調信号端子１１３に接続されてい
る。変調信号端子１１３には正電圧が与えられる
ようになつている。また、バイポーラスイツチン
グトランジスタ１０４のコレクタはコンデンサ、
Ｔ型マツチング回路１１５を通して出力端子１１
４に接続されている。 The collector of bipolar switching transistor 103 is connected to modulation signal terminal 113. A positive voltage is applied to the modulation signal terminal 113. In addition, the collector of the bipolar switching transistor 104 is a capacitor,
Output terminal 11 through T-type matching circuit 115
Connected to 4.
次に、以上のように構成されたこの発明の電力
増幅回路の動作について説明する。まず、搬送波
入力端子１０１にスイツチングアンプなどの電圧
源出力特性の方形波信号が加えられると、この方
形波信号はパルストランス１０２の２次巻線１０
２S1，１０２S2により、バイポーラスイツチング
トランジスタ１０３，１０４のベースに逆位相で
駆動電流を与えるが、このとき、抵抗１０５，１
０６は出力電流が小さいときの順方向ベース電流
を与える。 Next, the operation of the power amplifier circuit of the present invention configured as described above will be explained. First, when a square wave signal with output characteristics of a voltage source such as a switching amplifier is applied to the carrier wave input terminal 101, this square wave signal is applied to the secondary winding 10 of the pulse transformer 102.
2S 1 and 102S 2 apply drive currents in opposite phases to the bases of bipolar switching transistors 103 and 104, but at this time, resistors 105 and 102
06 gives the forward base current when the output current is small.
これにより、バイポーラスイツチングトランジ
スタ１０３，１０４のコレクタにコレクタ電流が
流れるが、このコレクタ電流は抵抗１０７，１０
８によつてそれぞれ電圧に変換され、この電圧は
トランジスタ１０９，１１０のベースに与えられ
る。したがつて、トランジスタ１０９，１１０が
オンとなる。この結果、バイポーラスイツチング
トランジスタ１０３，１０４の出力電流がより大
きいときは、出力電流の大きさに応じて、バイポ
ーラスイツチングトランジスタ１０３，１０４の
コレクタ抵抗が変化し、ほぼ出力電流に比例した
順方向ベース電流を与える。そして、バイポーラ
スイツチングトランジスタ１０３，１０４の逆方
向ベースバイアスはダイオード１１１，１１２に
より低インピーダンスで加えられるため、バイポ
ーラスイツチングトランジスタ１０３，１０４は
短時間でターンオフする。 As a result, a collector current flows through the collectors of the bipolar switching transistors 103 and 104, but this collector current flows through the resistors 107 and 10.
8, respectively, and this voltage is applied to the bases of transistors 109 and 110. Therefore, transistors 109 and 110 are turned on. As a result, when the output current of the bipolar switching transistors 103, 104 is larger, the collector resistance of the bipolar switching transistors 103, 104 changes according to the magnitude of the output current, and the forward direction is approximately proportional to the output current. Gives base current. Since the reverse base bias of the bipolar switching transistors 103 and 104 is applied at low impedance by the diodes 111 and 112, the bipolar switching transistors 103 and 104 are turned off in a short time.
このようにして、変調信号端子１１３に与えら
れた正電圧に応じて、直線的に変調された変調信
号をＴ型マツチング回路１１５を経て、出力端子
１１４から得ることができる。また、負荷が重く
なり、バイポーラスイツチングトランジスタ１０
３，１０４のコレクタ電流が増加した場合も、自
動的に順方向ベース駆動電流が増加し、飽和電圧
が上昇するのを防ぐため、安定した動作をする。 In this manner, a linearly modulated modulation signal can be obtained from the output terminal 114 via the T-type matching circuit 115 in response to the positive voltage applied to the modulation signal terminal 113. In addition, the load becomes heavy, and the bipolar switching transistor 10
Even when the collector current of No. 3,104 increases, the forward base drive current automatically increases to prevent the saturation voltage from increasing, resulting in stable operation.
上記Ｔ型マツチング回路１１５はバイポーラス
イツチングトランジスタ１０３，１０４の負荷電
流を正弦波にし、しかも、スイツチング電圧波形
の位相と一致させることにより、スイツチング過
渡期のコレクタ電流を最小にし、スイツチング損
失を低減させる。そして、ベース電流の大きいと
きでも、その電流は出力電流（正弦波）に比例し
ているため、スイツチング過渡期、特に、ターン
オフ直前において非常に小さくなるため、励振入
力が方形波でも、バイポーラスイツチングトラン
ジスタ１０３，１０４が同時にオン状態になら
ず、高い効率で安定な動作を実現することができ
る。 The T-type matching circuit 115 makes the load current of the bipolar switching transistors 103 and 104 a sine wave, and also matches the phase of the switching voltage waveform, thereby minimizing the collector current during the switching transition period and reducing switching loss. . Even when the base current is large, the current is proportional to the output current (sine wave), so it becomes very small during the switching transition period, especially just before turn-off, so even if the excitation input is a square wave, bipolar switching Transistors 103 and 104 are not turned on at the same time, making it possible to achieve highly efficient and stable operation.
したがつて、この発明の電力増幅回路を放送
機、送信機の励振変調回路の被変調部に使用する
ことにより、簡単な構成で、直線性、効率の良好
な装置を実現できるものである。 Therefore, by using the power amplifier circuit of the present invention in a modulated section of an excitation modulation circuit of a broadcaster or transmitter, a device with a simple configuration and good linearity and efficiency can be realized.
以上詳述した第１の実施例では、以下に列挙す
るごとき利点を有する。 The first embodiment described in detail above has the following advantages.
(1) 電源電圧の変化に対する出力の直線性が良好
なため、被変調部として使用すると、励振段に
変調を行う必要がないため、回路を単純化する
ことができる。すなわち、前段変調回路を不要
とすることができる。(1) Since the linearity of the output with respect to changes in the power supply voltage is good, when used as a modulated section, there is no need to modulate the excitation stage, so the circuit can be simplified. In other words, it is possible to eliminate the need for a pre-stage modulation circuit.
(2) 励振波形が方形波で動作するため、励振段の
出力に同調回路を設ける必要がなく、高帯域化
され、多周波切換の無線機に使用すると構成が
簡単になり、調整、取扱いが容易になる。(2) Since the excitation waveform operates with a square wave, there is no need to provide a tuning circuit for the output of the excitation stage, and when used in high-band, multi-frequency switching radio equipment, the configuration is simple and adjustment and handling are easy. becomes easier.
(3) ベース電流がコレクタ電流に応じて変化する
ため、負荷インピーダンスの変動に対して強
く、インバータ回路として使用すると、安定し
た信頼性の高い動作を期待できる。(3) Since the base current changes according to the collector current, it is resistant to changes in load impedance, and when used as an inverter circuit, stable and highly reliable operation can be expected.
(4) 前段変調が不要なため同じような真空管や
SIT、FETを使用した前段変調の回路を持たな
い装置の置換回路に利用し易い。(4) No pre-stage modulation is required, so similar vacuum tubes and
Easy to use as a replacement circuit for equipment that does not have a pre-modulation circuit using SIT or FET.
以上詳述したように、この発明の電力増幅回路
によれば、バイポーラスイツチングトランジスタ
を用いてプツシユプル増幅回路を形成し、この増
幅回路の出力電流を検出し、この出力電流に相関
してバイポーラスイツチングトランジスタのベー
ス駆動電流の順方向電流を強制的に制御するよう
にしたので、励振段で変調を行う必要がなくな
り、電源電圧の変化に対する出力の直線性が良好
になり、かつ効率も良効となる。 As detailed above, according to the power amplifier circuit of the present invention, a push-pull amplifier circuit is formed using bipolar switching transistors, the output current of this amplifier circuit is detected, and the bipolar switch is activated in correlation with this output current. Since the forward current of the base drive current of the switching transistor is forcibly controlled, there is no need for modulation in the excitation stage, resulting in good output linearity with respect to changes in power supply voltage and good efficiency. becomes.
これにともない、被変調電力増幅回路として使
用すると、特性のよい励振変調を行うことができ
る。また、負荷の変化に対して影響が受けにくく
安定であるので、インバータ回路にも利用できる
などの利点を有する。 Accordingly, when used as a modulated power amplifier circuit, excitation modulation with good characteristics can be performed. Furthermore, since it is stable and is not easily affected by changes in load, it has the advantage that it can also be used in inverter circuits.
第１図は従来のＤ級増幅回路を被変調電力増幅
部に使用した変調回路を示す回路図、第２図はこ
の発明の電力増幅回路の一実施例を示す回路図で
ある。
１０１……搬送波入力端子、１０２……パルス
トランス、１０３，１０４……バイポーラスイツ
チングトランジスタ、１０５，１０６，１０７，
１０８……抵抗、１０９，１１０……トランジス
タ、１１３……変調信号端子。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a modulation circuit using a conventional class D amplifier circuit as a modulated power amplifying section, and FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the power amplifying circuit of the present invention. 101... Carrier wave input terminal, 102... Pulse transformer, 103, 104... Bipolar switching transistor, 105, 106, 107,
108...Resistor, 109, 110...Transistor, 113...Modulation signal terminal.
Claims (1)
より夫々逆位相でベース・エミツタ間に与えられ
て相補にオン・オフする２個のバイポーラスイツ
チングトランジスタのプツシユプル動作により、
電源端子よりの直流供給電力を高周波電力に変換
して出力する高周波電力増幅回路において、上記
バイポーラスイツチングトランジスタの各々のエ
ミツタに直列に各々電流検出用低抵抗素子を接続
するとともに、上記トランスの２組の２次巻線の
各々一端を各々のバイポーラスイツチングトラン
ジスタのベースに夫々接続し、該巻線の他の一端
は各々抵抗を介して各バイポーラスイツチングト
ランジスタのエミツタに接続し、さらに、バイポ
ーラスイツチングトランジスタと逆の型の補助ト
ランジスタを、バイポーラスイツチングトランジ
スタのエミツタとエミツタを共通にして前記巻線
とバイポーラスイツチングトランジスタ間の前記
抵抗に各々並列に接続し、その補助トランジスタ
のベースに上記低抵抗素子の降下電圧を与えるご
とく接続したことを特徴とする電力増幅回路。1 A high-frequency input signal from the input terminal is applied between the base and emitter in opposite phases by a transformer, and the push-pull operation of two bipolar switching transistors turns on and off in a complementary manner.
In a high frequency power amplifier circuit that converts DC power supplied from a power supply terminal into high frequency power and outputs the same, a low resistance element for current detection is connected in series to each emitter of the bipolar switching transistor, and One end of each of the secondary windings of the set is connected to the base of each bipolar switching transistor, the other end of the winding is connected to the emitter of each bipolar switching transistor through a resistor, and An auxiliary transistor of the opposite type to the switching transistor is connected in parallel to the resistor between the winding and the bipolar switching transistor with the emitters of the bipolar switching transistor in common, and the base of the auxiliary transistor is connected to the resistor as described above. A power amplifier circuit characterized in that a low resistance element is connected to give a voltage drop.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5252279A JPS55145410A (en) | 1979-05-01 | 1979-05-01 | Power amplifying circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5252279A JPS55145410A (en) | 1979-05-01 | 1979-05-01 | Power amplifying circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55145410A JPS55145410A (en) | 1980-11-13 |
| JPS6212686B2 true JPS6212686B2 (en) | 1987-03-20 |
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ID=12917068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5252279A Granted JPS55145410A (en) | 1979-05-01 | 1979-05-01 | Power amplifying circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55145410A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103107784A (en) * | 2011-11-09 | 2013-05-15 | 中国科学院微电子研究所 | class-D radio frequency power amplifying circuit |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4825471A (en) * | 1971-08-04 | 1973-04-03 | ||
| JPS536819A (en) * | 1976-07-08 | 1978-01-21 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Transistor chopper device for electric motor vehicle |
-
1979
- 1979-05-01 JP JP5252279A patent/JPS55145410A/en active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4825471A (en) * | 1971-08-04 | 1973-04-03 | ||
| JPS536819A (en) * | 1976-07-08 | 1978-01-21 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Transistor chopper device for electric motor vehicle |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55145410A (en) | 1980-11-13 |
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