JPS6211758B2 - - Google Patents

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JPS6211758B2
JPS6211758B2 JP54093383A JP9338379A JPS6211758B2 JP S6211758 B2 JPS6211758 B2 JP S6211758B2 JP 54093383 A JP54093383 A JP 54093383A JP 9338379 A JP9338379 A JP 9338379A JP S6211758 B2 JPS6211758 B2 JP S6211758B2
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JP
Japan
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signal
pattern
thinning
section
gate
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JP54093383A
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Japanese (ja)
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JPS5617486A (en
Inventor
Atsushi Tsukumo
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5617486A publication Critical patent/JPS5617486A/en
Publication of JPS6211758B2 publication Critical patent/JPS6211758B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V30/00Character recognition; Recognising digital ink; Document-oriented image-based pattern recognition
    • G06V30/10Character recognition
    • G06V30/16Image preprocessing
    • G06V30/168Smoothing or thinning of the pattern; Skeletonisation
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V30/00Character recognition; Recognising digital ink; Document-oriented image-based pattern recognition
    • G06V30/10Character recognition

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Character Input (AREA)
  • Image Processing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は文字認識等を行なう際に文字部が交差
しているような2値パターンに対しても、交差点
付近も歪みがないように2値パターンを細線化で
きる装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention is an apparatus that can thin the binary pattern so that there is no distortion near the intersection, even when character parts intersect when performing character recognition. It is related to.

光学的文字認識において1つの有力な手法とし
て認識対象の文字を細線化し、文字線或いは端
点、分岐点、交差点等に注目する認識方式があ
り、かなりの成果をおさめている。従来の文字認
識で用いられる細線化処理で不可決な条件として
は(i)「黒点領域の連続性を保ちつつ、(ii)「線巾を
1にする」ことであり、(i)(ii)が実現されれば、多
少品質の悪いパターンでも認識方式でカバーする
ことで目的の性能に達することができた。4連
結、8連結の保証性等は上記の項目の次に位置す
る。これまでに提案された細線化処理は主に3×
3のマスクを用いて連結性を保つために2サイク
ル或いは4サイクルのサブサイクルに分けられた
並列処理〔例えば田村、森、“2値図形の並列細
線化アルゴリズム”、昭49.電子通信学会全国大会
論文集No.1539(目次には12−3情報・制御C部
門No.1359と示されているがNo.1539の誤りであ
る。)〕が多い。上記方法は用意するテーブルは実
現可能な量であり、また回路としても論理素子の
組合せで比較的簡単に実現されることから既に実
用化されている。しかし自らと上下左右斜め方向
の隣接するメツシユ情報しかなく、しかも連結性
を保つためにサブサイクルに分けていることか
ら、一本のストロークを細線化するには問題ない
が、太いストロークが交差している部分では歪み
が生じ交差点の出力が好ましくないような場合が
生じる。第1図b−1とb−2とがその例であ
り、b−1は原パターンで線幅が5のストローク
の十字交差であり、第1サイクルでは下側と右側
から、第2サイクルでは上側と左側からそれぞれ
1ビツトずつ削る2サイクルから成る細線化法を
実行すると、第1図b−2のような線幅1の出力
パターンが得られる。原パターンの中にある1、
2の数字は1回目に削られるメツシユ、2回目に
削られるメツシユを意味している。原パターンか
ら出力パターンに期待するのは第1図a−2のよ
うに線巾1のストロークが十字交差している左右
上下対称パターンであるが、サブサイクルに分か
れていることから左右(或いは上下)非対称の交
〓〓〓〓〓
差点付近では歪んだパターンが得られる。この程
度の歪みならば認識方式でカバーすることは可能
であるが、もう少し複雑なパターン、例えば第2
図b−1のような原パターンに対してはb−2の
ような歪んだパターンが出力される。第2図a−
2のパターンと比較するとこれを認識方式の側で
カバーすることはかなり困難である。
One of the leading methods in optical character recognition is a recognition method in which characters to be recognized are made into thin lines and attention is paid to character lines, end points, branch points, intersections, etc., and this method has achieved considerable success. The conditions that cannot be met in line thinning processing used in conventional character recognition are (i) ``maintaining the continuity of the black dot area, and (ii) ``setting the line width to 1''; ), it would be possible to achieve the desired performance by covering patterns with somewhat poor quality using the recognition method. Guarantees for 4-connection and 8-connection are located next to the above items. The thinning processes proposed so far are mainly 3×
Parallel processing divided into 2-cycle or 4-cycle subcycles to maintain connectivity using a mask of 3 [For example, Tamura, Mori, "Parallel thinning algorithm for binary figures", 1972. IEICE National Conference. There are many conference papers No. 1539 (the table of contents shows 12-3 Information and Control C Division No. 1359, but No. 1539 is incorrect)]. The above method has already been put into practical use because the number of tables to be prepared is of a realizable quantity and the circuit can be realized relatively easily by a combination of logic elements. However, since there is only information about the adjacent mesh in the vertical, horizontal, diagonal, and diagonal directions, and it is divided into subcycles to maintain connectivity, there is no problem in thinning a single stroke, but thick strokes may intersect. Distortion may occur where the intersection point is crossed, and the output at the intersection may be undesirable. Figure 1 b-1 and b-2 are examples of this, where b-1 is the original pattern and is a criss-cross of strokes with a line width of 5, starting from the bottom and right side in the first cycle, and in the second cycle. When a line thinning method consisting of two cycles in which one bit is removed from each of the upper and left sides is executed, an output pattern with a line width of 1 as shown in FIG. 1b-2 is obtained. 1 in the original pattern,
The number 2 means the mesh that is removed the first time and the mesh that is removed the second time. The expected output pattern from the original pattern is a symmetrical pattern in which the strokes with a line width of 1 cross each other, as shown in Figure 1 a-2, but since it is divided into subcycles, it is ) Asymmetric intersection〓〓〓〓〓
A distorted pattern is obtained near the difference point. Although it is possible to cover this degree of distortion with the recognition method, it is possible to cover more complicated patterns, such as the second one.
For the original pattern as shown in Figure b-1, a distorted pattern as shown in Figure b-2 is output. Figure 2 a-
Compared to pattern 2, it is quite difficult to cover this on the recognition method side.

本発明の目的は、文字認識で第1図a−1,a
−2、第2図a−1,a−2に示したような歪み
のない交差点をもつ高品質細線化パターンを出力
する簡単な構成から成る装置を提供することにあ
る。
The purpose of the present invention is to perform character recognition in Figure 1 a-1, a.
-2. It is an object of the present invention to provide an apparatus having a simple configuration that outputs a high quality thinning pattern having intersections without distortion as shown in FIG. 2 a-1 and a-2.

次に本発明について図を用いて詳細に説明す
る。
Next, the present invention will be explained in detail using figures.

第3図は本発明の一実施例を示すブロツク図で
ある。入力パターン量子化部1(以後量子化部1
という略称を用いる)は2次元アレイ状に入力パ
ターンを走査し、各量子化パターン位置の濃淡を
2値化して出力するもので、フライング・スポツ
ト・スキヤナ、ビジコン、CCD等、既知のOCR
用の走査機構であり、その詳細な省略する。信号
11はその出力であり、細線化部2への入力とな
る。細線化部2は入力パターンの線幅が1ビツト
或いは2ビツトになるまで細線化を行ない、その
結果を信号12として最終細線化部3(以後細線
化部3という略称を用いる)に送る。細線化部3
は線巾“2”の部分を線巾“1”に削るためのも
ので既知の細線化装置でありその詳細は省略す
る。また信号52は細線化部2から後述する制御
部5への制御信号であり、信号51は制御部5か
らの制御信号で量子化部1、細線化部2そして細
線化部3の動作の制御を行なう。最終的な細線化
が終了すると信号13として既知のパターン認識
装置(図示せず)へ出力される。
FIG. 3 is a block diagram showing one embodiment of the present invention. Input pattern quantization unit 1 (hereinafter referred to as quantization unit 1)
) scans an input pattern in a two-dimensional array, converts the shading at each quantized pattern position into a binary value, and outputs it.
This is the scanning mechanism used for this purpose, and its details will be omitted. A signal 11 is its output and becomes an input to the thinning section 2. The line thinning unit 2 thins the input pattern until the line width becomes 1 or 2 bits, and sends the result as a signal 12 to the final line thinning unit 3 (hereinafter abbreviated as line thinning unit 3). Thinning section 3
This is a known wire thinning device for cutting a portion with a wire width of “2” to a wire width of “1”, and its details will be omitted. Further, a signal 52 is a control signal from the thinning section 2 to the control section 5, which will be described later, and a signal 51 is a control signal from the control section 5, which controls the operations of the quantization section 1, the thinning section 2, and the thinning section 3. Do the following. When the final thinning is completed, it is output as a signal 13 to a known pattern recognition device (not shown).

次に本発明の主要部たる細線化部2の原理を図
を参照しながら説明する。第4a図は細線化部2
を論理的に構成した図の一例であり一時入力パタ
ーン平面X(1)細線化処理の際に一時的に、絶対
に削除されない内部パターンを格納する内部パタ
ーン平面X(2)(以後平面X(2)と略称する)と、
骨格パターンを格納する骨格パターン平面X(3)
(以後平面X(3)と略称する)と一時出力パターン
平面X(4)とから成り、6Aは平面X(1)、71A
は平面X(2)、72Aは平面X(3)、8Aは平面X
(4)を示している。第4b図は各平面×(k)(k=
1、2、3、4)を論理的に説明する図の一例で
あり、0(白)、1(黒)の2値をとるセルX
(k) (i=1〜M、j=1〜N)から成る。尚

一時入力パターン平面X(1)最外側x(1) (j

1〜N)、X(1) (j=1〜N)、X(1)
(i=1
〜M)、X(1) (i=1〜M)すべて0とする
Next, the principle of the thinning section 2, which is the main part of the present invention, will be explained with reference to the drawings. Figure 4a shows the thinning section 2.
Temporary input pattern plane X (1) Internal pattern plane X that temporarily stores internal patterns that will never be deleted during thinning processing 2) ) and
Skeletal pattern plane X that stores the skeleton pattern (3)
(hereinafter abbreviated as plane X (3) ) and temporary output pattern plane X (4) , 6A is plane X (1) , 71A
is plane X (2) , 72A is plane X (3) , 8A is plane X
(4) is shown. Figure 4b shows each plane x (k) (k=
1, 2, 3, 4) is an example of a diagram logically explaining cell X, which takes binary values of 0 (white) and 1 (black).
(k) Consists of i , j (i=1 to M, j=1 to N). still,
Temporary input pattern plane X (1) Outermost x (1) 1 , j (j
=
1~N), X (1) M , j (j=1~N), X (1) i
, 1 (i=1
~M), X (1) i , N (i=1~M) are all set to 0.

細線化アルゴリズムはパターンの周囲から連結
性を失わないように1サイクルで1ビツトずつ削
除を行なう方法である。1サイクルだけに注目す
ると、上下左右を黒ビツトに囲まれ、自らも黒ビ
ツトならばこれらを内部パターンと呼び、削除の
対象とはならず、削除される可能性を持つのは上
記の条件を満足しないビツトである。削除される
可能性を持つビツトのうち連続性を保つために削
除できないビツトがあり、これらを骨格パターン
と呼ぶ。原パターンのうち内部パターンと骨格パ
ターンに該当しないビツトのうち削除の条件を満
足するビツトを削除する。以上の処理を1サイク
ルの間に行なう。セルx(2) は、次のように決

する。なお、∧は論理積、∨は論理和を示す。
The thinning algorithm is a method of deleting one bit at a time in one cycle so as not to lose connectivity from the periphery of the pattern. If we focus on just one cycle, it is surrounded by black bits on the top, bottom, left and right, and if it is also black bits, these are called internal patterns, and are not subject to deletion, but only if the above conditions are met. Bit is not satisfied. Among the bits that can be deleted, there are some that cannot be deleted in order to maintain continuity, and these are called skeletal patterns. Of the bits of the original pattern that do not correspond to the internal pattern or skeleton pattern, the bits that satisfy the deletion conditions are deleted. The above processing is performed during one cycle. Cell x (2) i , j is determined as follows. Note that ∧ indicates logical product, and ∨ indicates logical sum.

(2) =x(1) ∧x(1) i−1∧x(1) j−1∧x(1) j+1∧x(1
i+1(1) すなわちセルx(2) はセルx(1)
黒でかつ、
上下左右4近傍が黒の点で、1ビツト細線化の際
には削除の対象にはならない。次にセルx(3)

次のように決定する。
x (2) i , j = x (1) i , j ∧x (1) i-1 , j ∧x (1) i , j-1 ∧x (1) i , j+1 ∧x (1
)
i+1 , j (1) That is, cell x (2) i , j is black, and cell x (1) i , j is black, and
The four neighboring points on the top, bottom, left and right are black dots, and are not subject to deletion during 1-bit thinning. Next, cell x (3) i , j
is determined as follows.

(3) =x(1) ∧x(2) ∧(xij) (2) ただし(xij)=(xij)∨(xij) (2−0) (xij)=x(2) i−1∧x(2) j−1∧x(2) j+1∧x(2) i+1(2
−1) (xij)=(x(1) i−1j−1∧x(1) i−1∧x(1) j−1)∨(x(1) i−
j+1∧x(1) i−1∧x(1) j+1) ∨(x(1) i+1j−1∧x(1) j−1∧x(1) i+1)∨(x(1) i+1j+1∧x
(1) j+1∧x(1) i+1)(2−2) 〓〓〓〓〓
すなわちセルx(3) は黒部のうち内部パター

ではなく(x(2) =0)かつ内部パターンと上

左右いずれも隣接していないか、記憶部6Aの上
で第4図cのマスクを満足しているもので、細線
化した後も連結性を保証するために削除してはな
らない部分である。最後にセルx(4) は削除可

のビツトのうち削除条件第4e図の(i),(iii)とそれ
ぞれその方向を変えたる通りのマスクを満たすよ
うに決定する。
x (3) i , j = x (1) i , j ∧x (2) i , j ∧(x i , j ) (2) where (x i , j )= 1 (x i , j ) ∨ 2 (x i , j ) (2-0) 1 (x i , j )=x (2) i-1 , j ∧x (2) i , j-1 ∧x (2) i , j+1 ∧x (2 ) i+1 , j (2
-1) 2 (x i , j ) = (x (1) i-1 , j-1 ∧x (1) i-1 , j ∧x (1) i , j-1 )∨(x (1) i-
1
, j+1 ∧x (1) i-1 , j ∧x (1) i , j+1 ) ∨(x (1) i+1 , j-1 ∧x (1) i , j-1 ∧x (1) i+1 , j )∨(x (1) i+1 , j+1 ∧x
(1) i , j+1 ∧x (1) i+1 , j ) (2-2) 〓〓〓〓〓
In other words, the cell x (3) i , j is not an internal pattern in the black part (x (2) i , j = 0) and is not adjacent to the internal pattern in any of the upper, lower, left, or right directions, or is the fourth cell on the storage section 6A. This part satisfies the mask shown in Figure c, and should not be deleted to ensure connectivity even after thinning. Finally, the cells x (4) i and j are determined to satisfy the deletion conditions (i) and (iii) of FIG. 4e among the bits that can be deleted, and the masks in which their directions are changed respectively.

(4) ={x(1) ∧x(2) ∧x(3) ∧g(xij)}∧x(1) (3
) ただしg(xij)=g1(xij)∨g2(xij) g1(xij)=(x(2) i+1∧x(1) i−1)∨(x(2) j+1∧x(1) j−1
) ∨(x(2) j−1∧x(1) j+1)∨(x(2) i−1∧x(1) i+1)(3−1) g2(xij)=(x(2) i−1j−1∧x(1) j+1∧(x(1) i+1∧x(1) i+1
j+1) ∨(x(2) i−1j+1∧x(1) j−1∧x(1) i+1j−1∧x(1) i+1) ∨(x(2) i+1j−1∧x(1) i−1∧x(1) j+1∧x(1) i+1) ∨(x(2) i+1j+1∧x(1) i−1j−1∧x(1) i−1∧x(1) j−1)(3−
2) この式は第4d図のマスクを満たすセルx(1)

(黒)を削除して一時出力とすることを表わして
いる。第4図dは0は白点に対応する点、1は黒
点に対応する点で、はx(1) =1なる点、□
1は
(2) =1またはx(1) =1なる点を
表わしてお
り、この他に方向を変えたり3通りのマスクを考
慮する。式(4)が、第4d図のマスク及び方向を変
えた他の3通りのマスクのみを満たす点を1から
0に変えることは以下のように保証できる。
x (4) i , j = {x (1) i , j ∧x (2) i , j ∧x (3) i , j ∧g(x i , j )}∧x (1) i , j ( 3
) However, g(x i , j )=g 1 (x i , j )∨g 2 (x i , j ) g 1 (x i , j )=(x (2) i+1 , j ∧x (1) i -1 , j )∨(x (2) i , j+1 ∧x (1) i , j-1
) ∨(x (2) i , j-1 ∧x (1) i , j+1 )∨(x (2) i-1 , j ∧x (1) i+1 , j )(3-1) g 2 (x i , j ) = (x (2) i-1 , j-1 ∧x (1) i , j+1 ∧(x (1) i+1 , j ∧x (1) i+1 ,
j+1 ) ∨(x (2) i-1 , j+1 ∧x (1) i , j-1 ∧x (1) i+1 , j-1 ∧x (1) i+1 , j ) ∨(x (2) i+1 , j−1 ∧x (1) i−1 , j ∧x (1) i , j+1 ∧x (1) i+1 , j ) ∨(x (2) i+1 , j+1 ∧x (1) i−1 , j− 1 ∧x (1) i-1 , j ∧x (1) i , j-1 ) (3-
2) This formula satisfies the mask in Figure 4d for the cell x (1) i ,
j
(black) indicates that the output will be temporarily output. In Figure 4 d, 0 is the point corresponding to the white point, 1 is the point corresponding to the black point, and is the point where x (1) i , j = 1, □
1 represents the point x (2) i , j = 1 or x (1) i , j = 1, and in addition to this, the direction is changed and three types of masks are considered. It can be guaranteed that equation (4) changes the point from 1 to 0 that satisfies only the mask in FIG. 4d and the other three masks with different directions as follows.

第4e図の(i)を満たす点について考える。の
4連結隣接ビツトは(1)式より1かである。従つ
て残り4ビツトに0と1を割り当てると、全部で
16通りになり、そのうち第4図(ii)を満たすものは
7通りある。残りの9通りパターンは第4d図の
上の9個である。0に4連結隣接していないビツ
トは1かなので□1で表わしている。
Consider points that satisfy (i) in Figure 4e. The four concatenated adjacent bits of is 1 from equation (1). Therefore, by assigning 0 and 1 to the remaining 4 bits, the total becomes
There are 16 ways, and 7 of them satisfy Figure 4 (ii). The remaining nine patterns are the upper nine in FIG. 4d. Bits that are not 4 concatenated adjacent to 0 are 1, so they are represented by □1.

同様に第4e図(iii)を満たす点について考える。
先にも述べた通りの4連結隣接ビツトは1か
であるから、第4e図(iv)のようなパターンはあり
得ない。残り2ビツトに0と1を割当てると、全
部で4通りとなり、それはすべて第4d図の下4
個である。0と4連結隣接していないビツトは1
かなので□1で表わしている。
Similarly, consider points that satisfy (iii) in Fig. 4e.
As mentioned earlier, the number of 4-connected adjacent bits is 1, so a pattern like that shown in FIG. 4e (iv) is impossible. Assigning 0 and 1 to the remaining 2 bits results in a total of 4 ways, all of which are shown in 4 below in Figure 4d.
It is individual. 0 and 4 concatenated non-adjacent bits are 1
Therefore, it is represented by □1.

すなわちx(2) =1の定義より、第4d図

満たすx(1) を削除しても連絡性が保証される

は明らかである。
That is, from the definition of x (2) i , j = 1, it is clear that connectivity is guaranteed even if x (1) i , j that satisfies Fig. 4d is deleted.

(1)、(2)、(3)式を見ると、x(k)の添字はすべて
i±l、j±l(l=−1、0、1)となつてい
るために、一見3×3の領域で処理をしているよ
うに見えるが、(2)、(3)式をすべてx(1) で表
わす
と、実際には5×5の領域で処理を行なつている
ことがわかる。3×3よりも5×5の領域で細線
化の削除の決定を行なつた方が、精度の良い細線
化が行なえるのが当然であるが、実現性の点でこ
れまでは3×3の領域で細線化処理が行なわれて
きた。すなわち、論理的には3×3の領域では最
大29の状態を用意すればよくこれは論理回路構成
の実現が可能であるが、5×5の領域では状態が
最大225となり、すべての状態を用意して論理回
路を構成することが実現困難なためであつた。そ
の為に簡単に実現できる5×5の領域の論理の設
計が求められる訳である。本発明の原理は多層化
した3×3の領域を組み合わせることで実質的に
は5×5の領域の論理を設計しており、簡単な構
成により実現できるものである。
Looking at equations (1), (2), and (3), the subscripts of x (k) are all i±l, j±l (l=-1, 0, 1), so at first glance it looks like 3 It looks like the processing is being performed in a ×3 area, but if equations (2) and (3) are all represented by x (1) n , o , the processing is actually being performed in a 5 × 5 area. I know that there is. It is natural that line thinning can be performed with higher precision if the decision to delete line thinning is made in a 5 x 5 area than in a 3 x 3 area, but in terms of feasibility, it has been Line thinning processing has been carried out in the area of . In other words, logically, in a 3 x 3 area, a maximum of 2 to 9 states can be prepared, which makes it possible to realize a logic circuit configuration, but in a 5 x 5 area, the maximum number of states is 2 to 25 , and all This is because it is difficult to construct a logic circuit by preparing states. Therefore, a logic design for a 5×5 area that can be easily realized is required. The principle of the present invention is to essentially design the logic of a 5x5 area by combining multi-layered 3x3 areas, and can be realized with a simple configuration.

以下細線化部2を装置化する第1の実施例を図
を用いて説明する。
A first embodiment in which the line thinning section 2 is incorporated into a device will be described below with reference to the drawings.

第5図は細線化部2の一例を示すブロツク図
で、パターン記憶部6と論理回路群7から成る。
記憶部6は論理的な説明の中の平面X(1),X(4)
の役割を果たし、論理回路群7は平面X(2),X(
3)と各式(1)(2)(3)を実現する論理回路群である。
FIG. 5 is a block diagram showing an example of the line thinning section 2, which consists of a pattern storage section 6 and a logic circuit group 7.
Storage unit 6 stores planes X (1) and X (4) in the logical explanation.
The logic circuit group 7 plays the role of planes X (2) , X (
3) and a group of logic circuits that realize each equation (1), (2), and (3).

第6図は記憶部6の一例を示す構成図である。
記憶部6は図のようにMXN個のシフトレジスタ
61をパターン走査に対応してアレイ状に直列に
連続したもので第3図に示す制御信号51によつ
て入力信号を量子化部1の出力信号11に決定し
第6図に示すクロツク61iにより矢印の向きに
〓〓〓〓〓
シリアルシフトする。シフトレジスタは1ビツト
の情報を持ち入力信号61s、クロツク61i、
ロード信号61jとロード入力信号76tで出力
信号61tを決定する。ロード入力信号76tは
後述する細線化出力信号であり、その否定信号は
ANDゲート82にも供給され、一方信号61t
もANDゲート82に供給され、この出力信号8
2tは細線化終了検出信号となり、ORゲート8
10に供給される。その出力810tはパターン
全体の細線化終了検出信号となる。
FIG. 6 is a configuration diagram showing an example of the storage section 6. As shown in FIG.
As shown in the figure, the storage unit 6 has MXN shift registers 61 connected in series in an array corresponding to pattern scanning, and input signals are output from the quantization unit 1 by a control signal 51 shown in FIG. The signal 11 is determined, and the clock 61i shown in FIG. 6 moves in the direction of the arrow.
Serial shift. The shift register has 1 bit of information and receives an input signal 61s, a clock 61i,
The output signal 61t is determined by the load signal 61j and the load input signal 76t. The load input signal 76t is a thinning output signal to be described later, and its negative signal is
It is also supplied to the AND gate 82, while the signal 61t
is also supplied to the AND gate 82, and this output signal 8
2t becomes the thinning end detection signal, and the OR gate 8
10. The output 810t becomes a thinning completion detection signal for the entire pattern.

第7図は記憶部6のシフトレジスタ61と8個
の隣接するシフトレジスタ61a,61b,61
c,61d,61e,61f,61g,61hの
出力を論理回路群7への入力に変換する一例を示
す構成図である。シフトレジスタ61の出力信号
61tと上下左右4連結隣接シフトレジスタ61
b,61d,61e,61gの出力信号61bt,
61dt(=61s),61et,61gtはそれぞれ
単独で論理回路群7への入力信号となる。式(2
−2)に該当する入力としてシフトレジスタ61
aの出力信号61atとシフトレジスタ61b,6
1dの出力信号61bt,61dtの否定信号が
ANDゲート62へ供給され、シフトレジスタ6
1cの出力信号61ctとシフトレジスタ61b,
61eの出力信号61bt,61etの否定信号が
ANDゲート63へ供給され、シフトレジスタ6
1ftとシフトレジスタ61d,61gの出力信号
61dt,61gtの否定信号がANDゲート64に
供給され、シフトレジスタ61hの出力信号61
gtとシフトレジスタ61e,61gの出力信号6
1et,61gtの否定信号がANDゲート65へ供給
され、各論理積信号62t,63t,64t,6
5tがそれぞれ論理回路群7への入力信号とな
る。そして次に(3−2)で必要となる信号とし
て、シフトレジスタ61a,61b,61dの出
力信号61at,61bt,61dtの否定信号をAND
ゲート66へ供給し、シフトレジスタ61b,6
1c,61eの出力信号61bt,61ct,61et
の否定信号をANDゲート67へ供給し、シフト
レジスタ61d,61f,61gの出力信号61
dt,61ft,61gtの否定信号をANDゲート68
へ供給し、シフトレジスタ61g,61h,61
eの出力信号61gt,61ht,61etの否定信号
をANDゲート69へ供給し、各ANDゲートの論
理積信号66t,67t,68t,69tがそれ
ぞれ論理回路群7へ入力信号となる。
FIG. 7 shows the shift register 61 of the storage section 6 and eight adjacent shift registers 61a, 61b, 61.
7 is a configuration diagram showing an example of converting the outputs of the circuits c, 61d, 61e, 61f, 61g, and 61h into inputs to the logic circuit group 7. FIG. The output signal 61t of the shift register 61 and the four connected adjacent shift registers 61 on the upper, lower, left and right sides
b, 61d, 61e, 61g output signal 61bt,
61dt (=61s), 61et, and 61gt each serve as input signals to the logic circuit group 7. Formula (2
-2) Shift register 61 as an input corresponding to
output signal 61at of a and shift registers 61b, 6
The negation signals of the output signals 61bt and 61dt of 1d are
AND gate 62 and shift register 6
1c output signal 61ct and shift register 61b,
The output signal 61bt of 61e and the negation signal of 61et are
It is supplied to the AND gate 63 and the shift register 6
1ft and the negative signals of the output signals 61dt and 61gt of the shift registers 61d and 61g are supplied to the AND gate 64, and the output signal 61 of the shift register 61h is supplied to the AND gate 64.
output signal 6 of gt and shift registers 61e and 61g
1et, 61gt are supplied to the AND gate 65, and the respective AND signals 62t, 63t, 64t, 6
5t are input signals to the logic circuit group 7, respectively. Then, as the signals required in (3-2), the negative signals of the output signals 61at, 61bt, and 61dt of the shift registers 61a, 61b, and 61d are ANDed.
Supplied to gate 66, shift registers 61b, 6
1c, 61e output signals 61bt, 61ct, 61et
is supplied to the AND gate 67, and output signals 61 of the shift registers 61d, 61f, 61g
AND gate 68 for negative signals of dt, 61ft, 61gt
and shift registers 61g, 61h, 61
Negation signals of output signals 61gt, 61ht, and 61et of e are supplied to an AND gate 69, and AND signals 66t, 67t, 68t, and 69t of each AND gate become input signals to the logic circuit group 7, respectively.

第8図は式(1)に該当する回路の一例であり、論
理回路群7の一部を構成している。記憶部6から
の入力信号61bt,61dt,61t,61et,6
1gtは記憶部6のシフトレジスタ61に対応する
ANDゲート71に供給され、論理積信号71t
を出す。その他のANDゲート71a,71b,
71c,71d,71e,71f,71g,71
hは記憶部6のシフトレジスタ61a,61b,
61c,61d,61e,61f,61g,61
hにそれぞれ対応するものである。式(2−1)
に該当するものとしてANDゲート71b,71
d,71e,71gの出力信号71bt,71dt,
71let,71lgtの否定信号がANDゲート回路7
10に供給され、論理積信号710tを出し、次
の層への入力となる。
FIG. 8 is an example of a circuit corresponding to formula (1), which constitutes a part of the logic circuit group 7. Input signals 61bt, 61dt, 61t, 61et, 6 from storage unit 6
1gt corresponds to shift register 61 of storage unit 6
is supplied to the AND gate 71, and the AND signal 71t
issue. Other AND gates 71a, 71b,
71c, 71d, 71e, 71f, 71g, 71
h are shift registers 61a, 61b,
61c, 61d, 61e, 61f, 61g, 61
h. Formula (2-1)
AND gates 71b, 71 as applicable to
Output signals 71bt, 71dt of d, 71e, 71g,
The negative signals of 71let and 71lgt are the AND gate circuit 7
10 and outputs an AND signal 710t, which becomes an input to the next layer.

第9図は式(2)に該当する回路の一例であり論理
回論群7の一部を構成している。信号710t,
62t,63t,64t,65tはORゲート7
3に供給され、論理和信号73tを出し、信号7
3t,61tと信号71tの否定信号がANDゲ
ート72供給され、信号72tを出す。他のOR
ゲート、ANDゲートは第8図と同様に記憶部6
のシフトレジスタ61a,61b,61c,61
d,61e,61f,61g,61hにそれぞれ
対応する。
FIG. 9 is an example of a circuit corresponding to formula (2), and constitutes a part of the logic circuit group 7. signal 710t,
62t, 63t, 64t, 65t are OR gate 7
3, outputs the OR signal 73t, and the signal 7
A negative signal of 3t, 61t and a signal 71t is supplied to an AND gate 72 to output a signal 72t. other OR
The gate and AND gate are stored in the memory section 6 as in FIG.
shift registers 61a, 61b, 61c, 61
d, 61e, 61f, 61g, and 61h, respectively.

第10a図は式(3−1)、(3−2)に該当す
る回路の一例であり、論理回路群7の一部を構成
している。記憶部6からの信号61gtの否定信号
と、信号71btをANDゲート745に供給し、
信号61etの否定信号と信号71dtをANDゲート
746に供給し、信号61dtの否定信号と信号7
1etをANDゲート747に供給し、信号61btの
否定信号と信号71gtをANDゲート748に供
給し、それぞれの信号745t,746t,74
7t,748tをORゲート7401へ供給す
る。ま信号66tと信号71htをANDゲート7
41へ供給し、信号67tと信号71ftをANDゲ
ート742へ供給し、信号68tと信号71ctを
ANDゲート743へ供給し、信号69tと信号
71atをANDゲート744tへ供給し、それぞ
れの信号741t,742t,743t,744
tをORゲート7402へ供給する。2つのORゲ
〓〓〓〓〓
ート7401,7402から出る信号7401
t,7402tをANDゲート74へ供給し、そ
の論理積信号を74tとする。第10b図は式
(3−1)(3−2)に該当する回路で第8図、第
9図に対応する例であり、第10a図に示した回
路から成つている。
FIG. 10a is an example of a circuit corresponding to equations (3-1) and (3-2), and constitutes a part of the logic circuit group 7. Supplying the negative signal of the signal 61gt from the storage unit 6 and the signal 71bt to the AND gate 745,
The negation signal of the signal 61et and the signal 71dt are supplied to the AND gate 746, and the negation signal of the signal 61dt and the signal 71dt are supplied to the AND gate 746.
1et is supplied to the AND gate 747, the negative signal of the signal 61bt and the signal 71gt are supplied to the AND gate 748, and the respective signals 745t, 746t, 74
7t and 748t are supplied to the OR gate 7401. AND gate 7 of signal 66t and signal 71ht
41, the signal 67t and the signal 71ft to the AND gate 742, and the signal 68t and the signal 71ct to the AND gate 742.
The signal 69t and the signal 71at are supplied to the AND gate 744t, and the respective signals 741t, 742t, 743t, 744
t is supplied to OR gate 7402. Two OR games〓〓〓〓〓
Signal 7401 output from ports 7401, 7402
t, 7402t are supplied to the AND gate 74, and the AND signal is set as 74t. FIG. 10b is an example of a circuit corresponding to equations (3-1) and (3-2), which corresponds to FIGS. 8 and 9, and consists of the circuit shown in FIG. 10a.

第11図は式(3)に該当する回路の一例であり、
論理回路群7の一部を構成している。記憶部6か
らの入力信号61tと信号74tと、信号71
t,72tのそれぞれの否定信号をANDゲート
75に供給し、その信号75tの否定信号と信号
61tをANDゲート76に供給し、その細線化
出力信号を76tとする。
FIG. 11 is an example of a circuit corresponding to formula (3),
It forms part of the logic circuit group 7. Input signal 61t and signal 74t from storage unit 6, and signal 71
The negative signals of t and 72t are supplied to the AND gate 75, and the negative signal of the signal 75t and the signal 61t are supplied to the AND gate 76, and the thinning output signal is set as 76t.

続いて細線化部2の動作を説明する。 Next, the operation of the thinning section 2 will be explained.

制御部5は量子化部1で得られたパターンを信
号11として記憶部6にシフトするようにして格
納動作し、パターンの格納が完了すると細線化を
開始する。なお、本実施例においては、細線化部
2で細線化処理中はシフトは行なわない。各シフ
トレジスタ61の出力によつて論理回路の出力信
号76tが定まり、信号76tと信号61tとで
細線化終了の検出を行ない、ANDゲート82の
出力信号82tがON信号のときは細線化処理が
行なわれていることを示す。従つてORゲート8
10に供給される信号のうち少なくとも1つの信
号がON信号のときには信号810tはON信号と
なり、細線化処理を継続し、ORゲートに供給さ
れるすべての信号がOFF信号のときは入力パタ
ーンと出力パターンが一致した場合で信号810
tはOFF信号となり、細線化処理終了を検出す
る。細線化処理終了を検出すると制御部5は記憶
部6に格納されている細線化処理されたパターン
をシフトしながら信号12として順次細線化部3
へ送り出す。
The control unit 5 performs a storage operation by shifting the pattern obtained by the quantization unit 1 to the storage unit 6 as a signal 11, and starts thinning when the storage of the pattern is completed. In this embodiment, the shift is not performed during the thinning process in the thinning section 2. The output signal 76t of the logic circuit is determined by the output of each shift register 61, the end of line thinning is detected using the signal 76t and the signal 61t, and when the output signal 82t of the AND gate 82 is an ON signal, the line thinning process is started. Show what is being done. Therefore OR gate 8
When at least one of the signals supplied to OR gate 10 is an ON signal, the signal 810t becomes an ON signal and continues the thinning process, and when all the signals supplied to the OR gate are OFF signals, the input pattern and output Signal 810 when the pattern matches
t becomes an OFF signal, and the end of the thinning process is detected. When the control unit 5 detects the end of the line thinning process, the control unit 5 sequentially sends the line thinning unit 3 as a signal 12 while shifting the thinned pattern stored in the storage unit 6.
send to.

細線化処理継続の場合はロード信号61jによ
りロード入力信号76tをシフトレジスタ61に
ロードし細線化処理を継続する。
If the line thinning process is to be continued, the load input signal 76t is loaded into the shift register 61 by the load signal 61j, and the line thinning process is continued.

尚、記憶部6はシフトレジスタのかわりに
PAMの書き換えによつても同様の装置が構成で
きる。
Note that the storage unit 6 is a shift register instead of a shift register.
A similar device can also be configured by rewriting PAM.

次に細線化部2を装置化する第2の実施例を説
明する。
Next, a second embodiment in which the wire thinning section 2 is incorporated into a device will be described.

前の実施例では各シフトレジスタ間をすべて論
理回路群7で連結することによつてパターンを並
列的(平面的)に処理するものであつた。
In the previous embodiment, patterns were processed in parallel (planarly) by connecting all the shift registers with the logic circuit group 7.

以下に説明する実施例は、パターンを1メツシ
ユずつ処理する点で処理時間は前者よりもおおく
かかるが、必要とする論理素子の数は少なくて済
むという利点を持つ。
The embodiment described below requires a longer processing time than the former in that the pattern is processed one mesh at a time, but has the advantage that it requires fewer logic elements.

以下図を用いて説明する。 This will be explained below using figures.

第12図は細線化部2の第2の実施例を示すブ
ロツク図である。2値パターンが信号11として
パターン抽出部6Xにシリアルシフトされて入力
される。入力されたパターンは回路部7Xによつ
て変換され、細線化されたパターンが記憶部8X
へシリアルシフトで出力される。入力されるパタ
ーンのサイズは固定のため制御部5は信号11が
抽出部6Xに入力されたときから計数を始め、パ
ターン全体の1ビツト細線化処理の終了を知るこ
とができ、制御部5へ信号52を送る。信号80
xtは出力信号である。
FIG. 12 is a block diagram showing a second embodiment of the thinning section 2. In FIG. The binary pattern is serially shifted and input as a signal 11 to the pattern extraction section 6X. The input pattern is converted by the circuit section 7X, and the thinned pattern is stored in the storage section 8X.
Output by serial shift to . Since the size of the input pattern is fixed, the control unit 5 starts counting when the signal 11 is input to the extraction unit 6X, and can know the end of the 1-bit thinning process for the entire pattern. Send signal 52. signal 80
xt is the output signal.

第13図は抽出部6Xの一例を示す構成図であ
る。抽出部6Xは図のようにシフトレジスタ61
Xをパターン走査に対応してアレイ状に直列に連
結したものであるが図に示す通り4列でよい。制
御部からの制御信号51によつて入力信号60
Xsを信号11か80Xtのいずれかに決定し、ク
ロツク信号60Xiでシリアルシフトする。制御
部は入力と同時に計数を開始する。シフトするパ
ターンの先頭ビツトがシフトレジスタ61Xhに
達したときが、パターン抽出の開始になる。
FIG. 13 is a configuration diagram showing an example of the extraction section 6X. The extraction unit 6X has a shift register 61 as shown in the figure.
Although X is connected in series in an array corresponding to pattern scanning, four rows may be used as shown in the figure. The input signal 60 is controlled by the control signal 51 from the control section.
Xs is determined to be either signal 11 or 80Xt, and serially shifted using clock signal 60Xi. The control unit starts counting at the same time as the input. Pattern extraction starts when the first bit of the pattern to be shifted reaches the shift register 61Xh.

第14図は回路部7Xのうち式(1)に対応し、x
(2) を格納するパターン平面の一例を示す構成

である。抽出部6Xからの信号61Xat,61
Xbt,61Xt,61Xct,61Xdtは式(1)のセルx
(1) j−1,x(1) i−1,x(1)
,x(1) i+1,x(1) j+1の出
力に対応し、ANDゲート710Xに供給され、
その出力は71Xa以下のシフトレジスタに、ク
ロツク信号60Xiでシフトされていく。尚、第
14図に示す通りシフトレジスタ列は3列でよく
シフトレジスタ71Xa,71Xb,71Xc,71
Xd,71Xe,71Xf,71Xg,71Xhはセル
(2) i−1j−1,x(2) j−1,x(2
i+1j−1,x(2) i−1,x
(2) i+1,x(2) i−1j+1,x(2)
j+1,x(2) i+1j+1に、シフ
トレジスタ71Xはx(2) に対応している。
FIG. 14 corresponds to equation (1) in the circuit section 7X, and x
(2) A configuration diagram showing an example of a pattern plane storing i and j . Signal 61Xat, 61 from extraction unit 6X
Xbt, 61Xt, 61Xct, 61Xdt are cell x in formula (1)
(1) i , j-1 , x (1) i-1 , j , x (1) i ,
corresponding to the outputs of j , x (1) i+1 , j , x (1) i , j+1 and supplied to the AND gate 710X;
The output is shifted to a shift register of 71Xa or less using a clock signal 60Xi. Incidentally, as shown in FIG. 14, the number of shift register rows may be three.
Xd, 71Xe, 71Xf, 71Xg, 71Xh are cells x (2) i-1 , j-1 , x (2) i , j-1 , x (2
)
i+1 , j-1 , x (2) i-1 , j , x
(2) i+1 , j , x (2) i-1 , j+1 , x (2)
i , j+1 , x (2) i+1 , j+1 , and the shift register 71X corresponds to x (2) i , j .

第15図は、回路部7Xのうち式(2)、(3)に対応
するブロツク図である。信号61Xetをセルx
(1) の出力、信号61Xt,61ct,61ft,6

〓〓〓〓〓
dt,61Xgt,61Xht,61Xit,61Xjtをセ
ルx(1) i−1j−1,x(1) j−1,x
1)
i+1j−1,x(1) i−1,x
(1) i+1,x(1) i−1j+1,x(1)
j+1,x(1) i+1j+1の出力、
信号71Xat,71Xbt,71Xct,71Xdt,7
1Xet,71Xft,71Xgt,71Xhtをセルx
(2) i−1j−1,x(2) j−1,x(2)
i+1j−1,x(2) i−1,x
(2) i+1,x(2) i−1j+1,x(2)
j+1,x(2) i+1j+1の出力に
対応させて示した図である。よつて、式(2)、(3)の
動作を行なう回路700Xを構成することは前実
施例の第7,8,9,10図等を参考にして容易
に実現できる。
FIG. 15 is a block diagram corresponding to equations (2) and (3) of the circuit section 7X. Signal 61Xet cell x
(1) Outputs of i and j , signals 61Xt, 61ct, 61ft, 6
1
〓〓〓〓〓
dt, 61Xgt, 61Xht, 61Xit, 61Xjt as cell x (1) i-1 , j-1 , x (1) i , j-1 , x (
1)
i+1 , j-1 , x (1) i-1 , j , x
(1) i+1 , j , x (1) i-1 , j+1 , x (1)
i , j+1 , x (1) i+1 , j+1 output,
Signal 71Xat, 71Xbt, 71Xct, 71Xdt, 7
1Xet, 71Xft, 71Xgt, 71Xht in cell x
(2) i-1 , j-1 , x (2) i , j-1 , x (2)
i+1 , j-1 , x (2) i-1 , j , x
(2) i+1 , j , x (2) i-1 , j+1 , x (2)
It is a diagram shown in correspondence with the outputs of i , j+1 , x (2) i +1, j+1 . Therefore, configuring the circuit 700X that performs the operations of equations (2) and (3) can be easily realized with reference to FIGS. 7, 8, 9, and 10 of the previous embodiment.

第16a図は記憶部8Xの一例を示す構成図で
ある。シフトレジスタ81Xは、シフトレジスタ
61Xe,71Xに対応しており、クロツク信号
は信号60Xiとして、記憶部6と同じサイクル
でシリアルシフトをする。シフトレジスタ81X
以降は同様のシフトレジスタを直列に連結してお
り、シフトレジスタ81Xの次のレジスタは遅延
用、シフトレジスタ82Xからシフトレジスタ8
3Xまではパターン走査に対応した配列で直列に
連結しており、パターンメモリとなる。記憶部6
に入力されたパターンは回路部7を通し1ビツト
ずつ細線化処理とシリアルシフトが行なわれて、
細線化されたパターンすなわち1ビツト細線化さ
れたパターンは記憶部8上に生成されクロツク信
号60Xiでシリアルシフトされていく。従つて
制御部5にカウンタを設置してシフトの回数を計
数することで、細線化されたパターンが記憶部8
のシフトレジスタ82Xからシフトレジスタ83
Xに格納されたことを検出することができる。
(制御部5はこの検出と、信号810Xtの情報に
よつて記憶部8Xのパターン出力信号80Xt
を、細線化部3へ送るか再び記憶部6Xへの入力
信号60Xsとするかを決定する。) 第16b図は細線化の有無を検出する回路の一
例を示している。シフトレジスタ81Xの出力信
号81Xtとシフトレジスタ61Xeの出力信号6
1XetとがANDゲート810Xに供給され信号8
10Xtを出す。信号810X1は信号81Xtと信
号61Xetとが一致したときにOFF信号になり、
信号61XetがON信号、信号81XtがOFF信号
のとき、すなわち細線化処理で1ビツトの削除が
行なわれたときにON信号となる。これらの信号
は信号52として制御部5へ送られ、入力パター
ン全体の1ビツト細線化が終了したときに、細線
化処理を繰り返すか、すなわち細線化パターン信
号80Xt(第16a図)を再び記憶部6Xへの
入力信号60Xsとするか、或いは細線化部2で
の処理を終了して信号80Xtを細線化部3へ送
るか制御する情報となる。
FIG. 16a is a configuration diagram showing an example of the storage section 8X. Shift register 81X corresponds to shift registers 61Xe and 71X, and the clock signal is serially shifted in the same cycle as that of storage section 6 as signal 60Xi. shift register 81x
After that, similar shift registers are connected in series, the register following shift register 81X is for delay, and shift register 82X to shift register 8
Up to 3X are connected in series in an arrangement compatible with pattern scanning, and serve as a pattern memory. Storage section 6
The input pattern is passed through the circuit section 7 and subjected to line thinning processing and serial shift one bit at a time.
The thinned pattern, that is, the one-bit thinned pattern, is generated on the storage section 8 and serially shifted by the clock signal 60Xi. Therefore, by installing a counter in the control unit 5 and counting the number of shifts, the thinned pattern is stored in the storage unit 8.
shift register 82X to shift register 83
It can be detected that the data is stored in X.
(The control unit 5 uses this detection and the information of the signal 810Xt to generate the pattern output signal 80Xt of the storage unit 8X.
It is determined whether to send the signal to the thinning section 3 or to input it again as the input signal 60Xs to the storage section 6X. ) FIG. 16b shows an example of a circuit for detecting the presence or absence of line thinning. Output signal 81Xt of shift register 81X and output signal 6 of shift register 61Xe
1Xet is supplied to the AND gate 810X and the signal 8
Put out 10Xt. Signal 810X1 becomes an OFF signal when signal 81Xt and signal 61Xet match,
When the signal 61Xet is an ON signal and the signal 81Xt is an OFF signal, that is, when one bit is deleted in the thinning process, it becomes an ON signal. These signals are sent as signals 52 to the control section 5, and when the 1-bit thinning of the entire input pattern is completed, the thinning process is repeated, or the thinning pattern signal 80Xt (Fig. 16a) is sent to the storage section again. This information is used to control whether to input the signal 60Xs to the line thinning unit 6X, or to terminate the processing in the line thinning unit 2 and send the signal 80Xt to the line thinning unit 3.

細線化部2の動作は構成で示した通りである。 The operation of the thinning section 2 is as shown in the configuration.

次に細線化部2を装置化する第3の実施例を説
明する。第2の実施例ではパターンの削除が行な
われなくなるまでパターン信号が抽出部6X、回
路部7X、記憶部8Xの間をサイクリツクに移動
するように構成され、削除が行なわれたかどうか
の判断を制御部で処理しなければならなかつた。
文細線化装置は文字認識等への利用を考えている
為に入力されるパターンの線幅にそれ程の変動は
考えられず、せいぜい1/2〜2〜3倍程度のもの
である。従つて入力パターンの線幅をあらかじめ
考慮して、抽出部6Xと回路部7Xを複数段用意
して最後に記憶部8Xを付加することで細線化部
2を構成することができる。これによつて第16
b図に示した細線化の有無を検出する回路は不要
になり、制御部5の構成を簡単化することができ
る。また細線化する際の連続性は保証されている
から、線幅が1或いは2になれば、以後抽出部
6X、回路部7Xを通過しても出力パターンは保
証される。
Next, a third embodiment in which the thinning section 2 is incorporated into a device will be described. In the second embodiment, the pattern signal is configured to cyclically move between the extraction section 6X, the circuit section 7X, and the storage section 8X until the pattern is no longer deleted, and the determination as to whether or not deletion has been performed is controlled. The department had to deal with it.
Since the line thinning device is intended for use in character recognition, etc., it is unlikely that the line width of the input pattern will fluctuate that much, and will be at most 1/2 to 2 to 3 times the width. Therefore, the line thinning section 2 can be configured by taking into consideration the line width of the input pattern in advance, preparing a plurality of stages of extraction sections 6X and circuit sections 7X, and finally adding a storage section 8X. With this, the 16th
The circuit for detecting the presence or absence of line thinning shown in FIG. b becomes unnecessary, and the configuration of the control section 5 can be simplified. Also, continuity is guaranteed when thinning the line, so once the line width is 1 or 2, the extraction section will be
The output pattern is guaranteed even if it passes through 6X and circuit section 7X.

以上本細線化装置の実施例を示し、細線化部2
については、3通りの実施例を示した。説明で明
らかなように各点における処理は方向性を持たな
いために分岐点附近での歪みのない高品質の細線
化パターンを得ることができ実用に供してその効
果は大なるものがある。
The embodiments of the present wire thinning device have been described above, and the thinning section 2
Regarding this, three examples were shown. As is clear from the explanation, since the processing at each point has no directionality, it is possible to obtain a high-quality thinning pattern without distortion near the branching point, which has a great effect in practical use.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図、第2図はa−1,b−1が入力パター
ン、a−2,b−2が細線化パターンの例であ
り、aは本装置による細線化処理、bは従来の装
置による細線化処理の例を示している。第3図は
本発明の細線化装置の一実施例を示すブロツク図
である。第4a図は細線化部2の論理的構成を示
すブロツク図、第4b図は、記憶部6A、論理回
路群71A、論理回路群72A、記憶部8の論理
的配置図、第4c図は(2−2)を説明するマス
クを示す図、第4d図、第4e図は細線化マスク
を示す図、第5図は細線化部2の第1実施例を示
〓〓〓〓〓
すブロツク図、第6図は記憶部6の一例を示す構
成図、第7図は、記憶部6を構成するシフトレジ
スタ間の関係の一例を示す図、第8図は論理回路
群7のうちの、式(1)に該当する回路の一例を示す
論理回路図であり、第9図は同回路群7のうち式
(2)に該当する回路の一例を示す論理回路図であ
り、第10a図、第10b図は同回路群7のうち
式(3−1)、(3−2)に該当する回路の一例を
示す論理回路図、第11図は同回路群7のうち式
(3)に該当する回路の一例を示す論理回路図であ
る。第12図は細線化部2の第2の実施例を示す
ブロツク図、第13図は抽出部6Xの一例を示す
構成図、第14図は回路部7Xのうち式(1)に該当
する回路の一例を示す構成図、第15図は、回路
部式(2)(3)に該当する回路700Xの入出力関係を
示すブロツク図、第16a図は記憶部8Xの一例
を示す構成図、第16b図は細線化終了検出回路
の一例を示す論理回路図を示している。 各図において、1は入力パターン量子化部、2
は細線化部、3は最終細線化図、5は制御部、6
Aは一時入力パターン記憶部、71Aは内部パタ
ーン平面、72Aは骨格パターン平面、8Aは一
時出力パターン記憶部、82はANDゲート、8
10はORゲート、810tはその出力信号、6
1a,61b,61c,61d,61e,61
f,61g,61hはシフトレジスタ61に隣8
連結隣接のシフトレジスタ、62,63,64,
65,66,67,68,69はANDゲート、
710,71,71a,71b,71c,71
d,71e,71f,71g,71hはANDゲ
ート、72はANDゲート、73はORゲート、7
41,742,743,744,745,74
6,747,748はそれぞれANDゲート、7
401,7402,74はORゲート、75,7
6はANDゲート、6Xはパターン抽出部、7X
は回路部、8Xは一時出力パターン記憶部、61
X,61Xa,61Xb,61Xc,61Xd,61
Xe,61Xf,61Xg,61Xh,61Xi,61Xj
はシフトレジスタ、710XはANDゲート、7
1X,71Xa,71Xb,71Xc,71Xd,71
Xe,71Xf,71Xg,71Xhはシフトレジス
タ、81Xはシフトレジスタ、82X,83Xは
シフトレジスタ、810XはANDゲートを示
す。 〓〓〓〓〓
In Figures 1 and 2, a-1 and b-1 are input patterns, and a-2 and b-2 are examples of thinning patterns, where a is the thinning process performed by this device and b is the thinning process performed by the conventional device. An example of line thinning processing is shown. FIG. 3 is a block diagram showing an embodiment of the wire thinning device of the present invention. FIG. 4a is a block diagram showing the logical configuration of the thinning section 2, FIG. 4b is a logical layout diagram of the storage section 6A, logic circuit group 71A, logic circuit group 72A, and storage section 8, and FIG. 4c is ( 2-2), FIG. 4d and FIG. 4e are diagrams showing a thinning mask, and FIG. 5 is a diagram showing a first embodiment of the thinning section 2.
6 is a block diagram showing an example of the storage section 6, FIG. 7 is a diagram showing an example of the relationship between shift registers configuring the storage section 6, and FIG. is a logic circuit diagram showing an example of a circuit corresponding to formula (1), and FIG. 9 is a logic circuit diagram showing an example of a circuit corresponding to formula (1).
10a and 10b are logic circuit diagrams showing an example of a circuit corresponding to (2), and FIGS. The logic circuit diagram shown in FIG. 11 is the formula of the same circuit group 7.
FIG. 3 is a logic circuit diagram showing an example of a circuit corresponding to (3). FIG. 12 is a block diagram showing a second embodiment of the thinning section 2, FIG. 13 is a configuration diagram showing an example of the extraction section 6X, and FIG. 14 is a circuit corresponding to formula (1) in the circuit section 7X. FIG. 15 is a block diagram showing the input/output relationship of the circuit 700X corresponding to circuit equations (2) and (3). FIG. 16a is a block diagram showing an example of the storage section 8X. FIG. 16b shows a logic circuit diagram showing an example of a thinning end detection circuit. In each figure, 1 is an input pattern quantization unit, 2
is the thinning section, 3 is the final thinning diagram, 5 is the control section, 6
A is a temporary input pattern storage section, 71A is an internal pattern plane, 72A is a skeleton pattern plane, 8A is a temporary output pattern storage section, 82 is an AND gate, 8
10 is an OR gate, 810t is its output signal, 6
1a, 61b, 61c, 61d, 61e, 61
f, 61g, 61h are 8 adjacent to shift register 61
Concatenated adjacent shift registers, 62, 63, 64,
65, 66, 67, 68, 69 are AND gates,
710, 71, 71a, 71b, 71c, 71
d, 71e, 71f, 71g, 71h are AND gates, 72 is an AND gate, 73 is an OR gate, 7
41,742,743,744,745,74
6,747,748 are AND gates, 7
401, 7402, 74 are OR gates, 75, 7
6 is AND gate, 6X is pattern extraction section, 7X
is the circuit section, 8X is the temporary output pattern storage section, 61
X, 61Xa, 61Xb, 61Xc, 61Xd, 61
Xe, 61Xf, 61Xg, 61Xh, 61Xi, 61Xj
is a shift register, 710X is an AND gate, 7
1X, 71Xa, 71Xb, 71Xc, 71Xd, 71
Xe, 71Xf, 71Xg, 71Xh are shift registers, 81X is a shift register, 82X, 83X are shift registers, and 810X is an AND gate. 〓〓〓〓〓

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 入力された2値パターンの連続性を保ちなが
ら、原パターンの各点において上下左右と各点の
領域から内部パターンを作り、原パターンと内部
パターンの3×3の領域から骨格パターンを作る
ことによつて、原パターンと内部パターンと骨格
パターンとから、上下左右斜め45゜方向について
対称性を持つた削除条件で、1ビツトずつ削る1
ビツト細線化処理をして新たな原パターンとし、
すべての線幅が2ビツト以下となる迄繰り返して
前記処理を行なう第1の細線化部と、前記第1の
細線化部の出力を受け線幅を1ビツトにする第2
の細線化部とを含み構成されることを特徴とする
細線化装置。
1. While maintaining the continuity of the input binary pattern, create an internal pattern from the top, bottom, left, right, and area of each point at each point of the original pattern, and create a skeletal pattern from the 3 × 3 area of the original pattern and the internal pattern. 1 bit by bit is removed from the original pattern, internal pattern, and skeleton pattern under deletion conditions that are symmetrical in the vertical, horizontal, and diagonal directions at 45 degrees.
Bit thinning processing is performed to create a new original pattern,
a first line thinning section that repeatedly performs the above processing until all line widths are 2 bits or less; and a second line thinning section that receives the output of the first line thinning section and reduces the line width to 1 bit.
A thinning device comprising a thinning section.
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