JPS6211327B2 - - Google Patents

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JPS6211327B2
JPS6211327B2 JP52111399A JP11139977A JPS6211327B2 JP S6211327 B2 JPS6211327 B2 JP S6211327B2 JP 52111399 A JP52111399 A JP 52111399A JP 11139977 A JP11139977 A JP 11139977A JP S6211327 B2 JPS6211327 B2 JP S6211327B2
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JP
Japan
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lens
optical system
semiconductor laser
information processing
processing device
Prior art date
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JP52111399A
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Japanese (ja)
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JPS5445156A (en
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Keiji Kataoka
Seiji Yonezawa
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光学的情報処理装置、特に半導体レー
ザを用いてデイスク上に記録されたドツト情報を
再生するのに好適な光学系を有する光学的情報処
理装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an optical information processing apparatus, and more particularly to an optical information processing apparatus having an optical system suitable for reproducing dot information recorded on a disk using a semiconductor laser.

デイスク上に記録されたドツト情報は通常、1
μmφから2μmφ程度の大きさを有し、デイス
ク上にらせんあるいは同心円状に記録されてい
る。したがつて、上記ドツト情報より信号を正確
に再生するためには、レーザ光を1μmφ(半値
幅)程度の円形状スポツトに絞りこむ必要があ
る。
The dot information recorded on the disk is usually 1
It has a size of about .mu.m.phi. to 2 .mu.m.phi. and is recorded in a spiral or concentric form on the disk. Therefore, in order to accurately reproduce the signal from the dot information, it is necessary to focus the laser beam into a circular spot with a diameter of about 1 μm (half width).

レーザ光の光源として半導体レーザ光源を用い
るビデオデイスク再生装置においては、従来、半
導体レーザ発光領域が1μm×1μmの正方形状
をした埋めこみヘテロ構造のものが用いられ、第
1図に示す光学系においてデイスク上に1μmφ
程度のスポツトを得ていた。ここで、1は半導体
レーザ光源、2は第1のレンズ(カツプリングレ
ンズ)、3は第2のレンズ(オブジエクテイブレ
ンズ)、4は絞りこんだ光スポツト、5はデイス
クである。かかる光学的情報処理装置において用
いられる光学系においては、例えばカツプリング
レンズ及びオブジエクテイブレンズは共に、倍率
25倍、N.A.(開口数)0.4のものが用いられてい
る。しかし、1μm×1μmの発光領域をもつレ
ーザを用いると、絞りこんだスポツト4は円形状
になる利点があるが、発光領域が小さいためレー
ザ光出力が小さいという欠点が存在する。しか
も、発光領域が小さいと高倍率でしかも高いN.
A.のレンズが必要となるので、光学系の調整、
特にカツプリングレンズの位置の調整が困難であ
るという欠点も生じる。即ち、高いN.A.のカツ
プリングレンズを用いるため焦点深度が浅くな
り、半導体レーザとカツプリングレンズの位置合
わせに高精度が要求され、位置調整が困難であ
る。したがつて、ドツト情報より信号を再生する
場合、安定でしかも高い信号対雑音比を有する信
号が得られない欠点があつた。かかる点を考慮
し、発光領域が縦方向1μm、横方向が3μmか
ら5μmの大きさをもち、大きなレーザ出力を放
射する半導体レーザを光源に用いることが提案さ
れている。しかし、この種の半導体レーザからの
ビームは大きな発散角を有し、しかもその拡り角
は縦方向と横方向で異なるビームであつて楕円状
の分布をもつため、このようなレーザビームをそ
のまま絞り込むとデイスク上のビームスポツトも
楕円状となり、例えば長軸がトラツク方向と平行
となるように照射すると光学的読取り周波数特性
が劣化する。一方、長軸がトラツクと直角となる
ように照射すると隣接トラツクの情報にも光を照
射することになつてクロストークが生じ、情報を
正確に読み出すことができなくなる。隣接トラツ
ク間を広くすれば、クロストークは防止できる
が、この場合は記録密度が低下してしまう。従つ
て、光学的情報処理装置においては、記録密度、
分解能の点から円形状のスポツトにすることが必
要である。デイスク上に絞り込んだスポツトを円
形状に近づけるために円筒レンズを用いたもので
あるが、円筒レンズは工作上の精度が出にくく、
高価であること光学系の配置が複雑になることの
欠点があり、また、光スポツトを1μmの円形状
スポツトに収束することは、円筒レンズを使用し
ているために非点収差が大きく影響して、困難で
ある。
Conventionally, in a video disk playback device that uses a semiconductor laser light source as a laser light source, a buried hetero structure in which the semiconductor laser light emitting area has a square shape of 1 μm x 1 μm is used, and the optical system shown in FIG. 1μmφ on top
He had gotten some spots. Here, 1 is a semiconductor laser light source, 2 is a first lens (coupling lens), 3 is a second lens (objective lens), 4 is a focused light spot, and 5 is a disk. In the optical system used in such an optical information processing device, for example, both a coupling lens and an objective lens have a magnification
A lens with a magnification of 25 times and a numerical aperture (NA) of 0.4 is used. However, when a laser having a light emitting area of 1 μm x 1 μm is used, the narrowed spot 4 has the advantage of being circular, but has the disadvantage that the laser light output is small because the light emitting area is small. Moreover, if the emission area is small, the N.
Since lens A. is required, adjust the optical system,
In particular, there is also the drawback that it is difficult to adjust the position of the coupling lens. That is, since a coupling lens with a high NA is used, the depth of focus becomes shallow, and high precision is required for positioning the semiconductor laser and the coupling lens, making position adjustment difficult. Therefore, when a signal is reproduced from dot information, a stable signal having a high signal-to-noise ratio cannot be obtained. In consideration of this point, it has been proposed to use a semiconductor laser as a light source, which has a light emitting region of 1 μm in the vertical direction and 3 μm to 5 μm in the horizontal direction, and emits a large laser output. However, the beam from this type of semiconductor laser has a large divergence angle, and the divergence angle is different in the vertical and horizontal directions, and has an elliptical distribution, so such a laser beam cannot be used as is. When narrowed down, the beam spot on the disk also becomes elliptical, and if the beam spot is irradiated with the long axis parallel to the track direction, for example, the optical reading frequency characteristics will deteriorate. On the other hand, if the light is irradiated so that the long axis is perpendicular to the track, the information on adjacent tracks will also be irradiated with the light, causing crosstalk and making it impossible to read out the information accurately. Crosstalk can be prevented by widening the distance between adjacent tracks, but in this case the recording density will decrease. Therefore, in an optical information processing device, recording density,
From the viewpoint of resolution, it is necessary to use a circular spot. A cylindrical lens is used to make the spot narrowed down on the disk closer to a circular shape, but cylindrical lenses are difficult to produce with precision in machining.
It has the drawbacks of being expensive and complicating the arrangement of the optical system, and converging the light spot into a 1 μm circular spot is affected by astigmatism because it uses a cylindrical lens. It is difficult.

かかる欠点を除去するため、本発明は縦・横比
の異なる発光領域をもちしたがつて楕円形状のビ
ームを放射する半導体レーザを光源に用いてしか
も該楕円形ビームの横方向分布の半値幅以内の円
形開口により該楕円形状ビームの一部をけつて、
媒体上に円形状スポツトを形成する光学系を用い
ることにより、円筒レンズ等の格別なビーム形状
変換光学素子を設けることなく、高密度の情報を
高分解能で処理できる構成が簡単で安価な光学的
情報処理装置を提供せんとするのである。
In order to eliminate such drawbacks, the present invention uses a semiconductor laser as a light source that has light emitting areas with different aspect ratios and emits an elliptical beam, and furthermore, uses a semiconductor laser as a light source that emits an elliptical beam within the half width of the lateral distribution of the elliptical beam. cutting off a part of the elliptical beam with a circular aperture;
By using an optical system that forms a circular spot on the medium, it is a simple and inexpensive optical system that can process high-density information with high resolution without the need for special beam shape conversion optical elements such as cylindrical lenses. The company aims to provide information processing equipment.

以下、本発明を実施例によつて説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained with reference to Examples.

第2図において、レンズ2,3によつてデイス
ク5面上に、絞りこんだスポツト4が半値幅で1
μmφ程度(円形開口とした場合の回折光分布の
零点をスポツト径とすると2.5μmφ程度にな
る)になるためには次の条件を満足しなければな
らない。
In Figure 2, a spot 4 narrowed down by lenses 2 and 3 is placed on the disk 5 surface at a half-width of 1.
In order to achieve a diameter of about .mu.m.phi. (the spot diameter is the zero point of the diffracted light distribution when a circular aperture is used, the spot diameter is about 2.5 .mu.m.phi.), the following conditions must be satisfied.

1.22λ/n′≦2.5μm (1) ここで、λは光の波長であり、半導体レーザの
場合0.83μmである。n′はレンズ3のN.A.である
から、(1)式よりn′≧0.4となる。
1.22λ/n′≦2.5μm (1) Here, λ is the wavelength of light, which is 0.83μm in the case of a semiconductor laser. Since n' is the NA of lens 3, n'≧0.4 from equation (1).

レンズ3としてN.A.が0.4以上のものを用いる
とすると通常は、顕微鏡対物レンズとして20倍以
上のものを用いることになる。ところが、一般に
倍率とN.A.の大きなものを用いると焦点深度が
浅くなり、第2図においてデイスク5の回転中の
ブレにより、焦点がボケることになり良好な再生
信号は得られにくくなる。
If a lens with an NA of 0.4 or more is used as the lens 3, a lens with a magnification of 20 times or more is usually used as a microscope objective lens. However, in general, when a lens with a large magnification and NA is used, the depth of focus becomes shallow, and as shown in FIG. 2, the focus becomes blurred due to vibration during rotation of the disk 5, making it difficult to obtain a good reproduced signal.

したがつて、レンズ3としては20〜30倍の倍率
を有する、N.A.0.4〜0.5のものが適している。
Therefore, as the lens 3, a lens having a magnification of 20 to 30 times and an NA of 0.4 to 0.5 is suitable.

第2図においてレンズ3の倍率をm′、N.A.を
n′とすると、第2図に示したN.A.を定める角度u4
とn′の間に次式で表わされる関係が一般的に成立
する。
In Figure 2, the magnification of lens 3 is m', and the NA is
If n′, then the angle u 4 that determines the NA shown in Figure 2 is
The relationship expressed by the following equation generally holds between and n′.

sin(u4)=n′ (2) レンズ3により絞りこみスポツトが十分小さい
ためには、レンズ3の全面に半導体レーザ1より
の光が照射している必要がある。この条件を満す
ためには、次の(3)式を満足する必要がある。
sin(u 4 )=n' (2) In order for the spot narrowed down by the lens 3 to be sufficiently small, the entire surface of the lens 3 must be irradiated with the light from the semiconductor laser 1. In order to satisfy this condition, it is necessary to satisfy the following equation (3).

u3≧u/m′=sin−1(n′)/m′
(3) ここで、m′は20〜30、n′は0.4〜0.5であるから
(3)式の右辺の最小値は0.0133となる。
u 3 ≧ u 4 /m'=sin -1 (n')/m'
(3) Here, m′ is 20 to 30 and n′ is 0.4 to 0.5, so
The minimum value on the right side of equation (3) is 0.0133.

而して、第2図に示した、光源1からの半導体
レーザの出射角u2とu3の間には、次式の関係があ
る。
Therefore, the following relationship exists between the emission angles u 2 and u 3 of the semiconductor laser from the light source 1 shown in FIG.

u2=mu3 (4) ここで、mはレンズ2の倍率である。 u 2 =mu 3 (4) Here, m is the magnification of the lens 2.

式(3)、(4)より倍率mは、次の(5)式で示される。 From equations (3) and (4), the magnification m is expressed by the following equation (5).

m≦u/0.0133 (5) (5)式のu2を定めるために第2図の光源1からの
半導体レーザ光の特性の一例を第3図に示す。第
3図は横軸に出射角u2(度)及び縦軸に光強度
(任意単位)を定めてあり、例えば発光領域が縦
1μm×横3.5μm程度からの半導体レーザの遠
視野像(far field pattern)を示している。第3
図において、縦方向、横方向の半値幅はそれぞれ
34.5゜、10゜であり、また縦1μm×5μm程度
の発光領域の場合、遠視野像は34.5゜、7゜程度
となる。
m≦u 2 /0.0133 (5) In order to determine u 2 in equation (5), an example of the characteristics of the semiconductor laser light from the light source 1 in FIG. 2 is shown in FIG. 3. In Fig. 3, the horizontal axis indicates the emission angle u 2 (degrees) and the vertical axis indicates the light intensity (arbitrary unit). field pattern). Third
In the figure, the half-width in the vertical and horizontal directions is
34.5° and 10°, and in the case of a light-emitting region of about 1 μm x 5 μm in length, the far-field pattern is about 34.5° and 7°.

式(5)のu2として第3図に示した横方向遠視野像
の半値幅を与える角度に設定する。というのは、
u2を以上のように設定すると、半導体レーザの出
射光分布は縦方向、横方向とも、角度u2以内では
ほぼ円形状の光分布と扱かえ、レンズ3に入射す
る光分布も円形状となりまた、絞りこんだスポツ
ト4も円形状になる。したがつて、レンズ2の円
形開口を半導体レーザ出射光分布の横方向の半値
幅以内に設定する。u2はラジアン単位で表示する
と、 5゜×π/180〜3.5×π/180 に設定されることになる。ただし、半導体レーザ
光源1の横方向発光領域を3.5μmから5μmと
している。
The angle u 2 in equation (5) is set to give the half width of the lateral far-field pattern shown in FIG. I mean,
When u 2 is set as above, the output light distribution of the semiconductor laser will be treated as a nearly circular light distribution within the angle u 2 in both the vertical and horizontal directions, and the light distribution entering the lens 3 will also be circular. Further, the narrowed spot 4 also has a circular shape. Therefore, the circular aperture of the lens 2 is set within the lateral half width of the semiconductor laser output light distribution. When expressed in radians, u 2 is set to 5° x π/180 to 3.5 x π/180. However, the lateral light emitting area of the semiconductor laser light source 1 is set from 3.5 μm to 5 μm.

u2として大きい方の角度5゜を取り、式(5)より m≦6.6 したがつて、レンズ2としては7倍以下の倍率
のレンズを用いることが有効である。
Taking the larger angle of 5° as u 2 , m≦6.6 from equation (5) Therefore, it is effective to use a lens with a magnification of 7 times or less as the lens 2.

レンズ3は上述したように20〜30倍の倍率であ
るから、レンズ2と3とから得られる光学系の倍
率m/m′は約0.33以下となる。
Since lens 3 has a magnification of 20 to 30 times as described above, the magnification m/m' of the optical system obtained from lenses 2 and 3 is about 0.33 or less.

またレンズ2のN.A.は、u2の小さい方の角度
3.5゜を取りsin3.5゜=0.06より大きいことは必要
である。
Also, the NA of lens 2 is the smaller angle of u 2
Taking 3.5°, it is necessary that sin3.5° is greater than 0.06.

レンズ2としてこれ以上の倍率のものを用いる
と、デイスク上に絞りこまれたスポツト4は、円
形状ではなく楕円形状となつてしまう。
If a lens 2 with a magnification higher than this is used, the spot 4 focused on the disk will not be circular but elliptical.

以上説明したごとく本発明によれば、比較的大
きな光出力が得られる、発光領域の縦横比の等し
くない半導体レーザを光源に用いて、しかも円形
状の光スポツトに絞り込むことができ、読取り周
波数特性の劣化やクロストークをまねくことなく
高密度の情報を高分解能で処理できる。しかも、
本発明では、従来の装置が既に有するレンズの開
口を用いて楕円形状ビームを円形状のビームにす
るので、円形状ビームを得るために円筒レンズ等
の格別な光学素子を追加する必要がなく、簡単な
光学系でより安価な装置を実現できる。
As explained above, according to the present invention, it is possible to use a semiconductor laser as a light source, which can obtain a relatively large light output, and whose light emitting areas have unequal aspect ratios, and to focus the light into a circular light spot, resulting in readout frequency characteristics. High-density information can be processed at high resolution without degrading the data or causing crosstalk. Moreover,
In the present invention, since an elliptical beam is made into a circular beam using the aperture of the lens that the conventional device already has, there is no need to add a special optical element such as a cylindrical lens to obtain a circular beam. A cheaper device can be realized with a simple optical system.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は光学的情報処理装置の概略構成を示す
図、第2図は本発明に用いる光学系の構成を説明
する図、第3図は半導体レーザよりの遠視野像を
示す図である。 1……半導体レーザ、2……カツプリングレン
ズ、3……オブジエクテイブレンズ、5……デイ
スク。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an optical information processing device, FIG. 2 is a diagram explaining the configuration of an optical system used in the present invention, and FIG. 3 is a diagram showing a far-field image from a semiconductor laser. 1... Semiconductor laser, 2... Coupling lens, 3... Object lens, 5... Disc.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 光源と、該光源からのビームを媒体上に収束
する光学系とからなる光学的情報処理装置におい
て、上記光源は、縦方向と横方向で発散角の異な
る楕円形状のビームを放出する半導体レーザであ
り、上記光学系は、該楕円形状ビームの横方向分
布の半値幅以内になる円形開口を有し、上記ビー
ムが上記媒体上にほぼ円形状のスポツトとして収
束されることを特徴とする光学的情報処理装置。 2 上記光学系は、その全面に上記半導体レーザ
からのビームが照射され、該ビームを上記媒体上
に収束するオブジエクトイブレンズを有すること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的
情報処理装置。 3 上記光学系は、上記半導体レーザからみた開
口数が0.06以上であり、かつ上記光学系の倍率が
0.33以下であることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の光学的情報処理装置。
[Claims] 1. In an optical information processing device comprising a light source and an optical system that converges a beam from the light source onto a medium, the light source has an elliptical shape with different divergence angles in the vertical and horizontal directions. a semiconductor laser that emits a beam, the optical system having a circular aperture within a half width of the lateral distribution of the elliptical beam, the beam being focused on the medium as a substantially circular spot; An optical information processing device characterized by: 2. The optical system according to claim 1, wherein the optical system has an object lens whose entire surface is irradiated with a beam from the semiconductor laser and which focuses the beam onto the medium. Information processing device. 3 The optical system has a numerical aperture of 0.06 or more when viewed from the semiconductor laser, and a magnification of the optical system.
2. The optical information processing device according to claim 1, wherein the optical information processing device is 0.33 or less.
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