JPS62105097A - Manufacture of radiation picture conversion panel - Google Patents

Manufacture of radiation picture conversion panel

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JPS62105097A
JPS62105097A JP24580885A JP24580885A JPS62105097A JP S62105097 A JPS62105097 A JP S62105097A JP 24580885 A JP24580885 A JP 24580885A JP 24580885 A JP24580885 A JP 24580885A JP S62105097 A JPS62105097 A JP S62105097A
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image conversion
stimulable phosphor
conversion panel
radiation image
radiation
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久憲 土野
加野 亜紀子
邦昭 中野
幸二 網谷
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは放射線に対する感度
の高い放射線画像変換パネルの製造方法に関するもので
ある。
Detailed Description of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention relates to a radiation image conversion panel using a stimulable phosphor, and more particularly to a method for manufacturing a radiation image conversion panel that is highly sensitive to radiation. It is something.

(発明の背景) X線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このX線画像を得るために、被写体を透
過したX線を蛍光体層〔蛍光スクリーン〕に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。し
かし、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光
体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるようにな
った。
(Background of the Invention) Radiographic images such as X-ray images are often used for disease diagnosis. In order to obtain this X-ray image, the X-rays that have passed through the subject are irradiated onto a phosphor layer (phosphor screen), thereby producing visible light, which is then irradiated with silver in the same way as when taking ordinary photographs. So-called radiography is used, which is made by exposing and developing a film using salt. However, in recent years, methods have been devised to directly extract images from the phosphor layer without using a film coated with silver salt.

この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ
、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的に
は、例えば米国特許3,859.527号及び特開昭5
5−12144号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は
赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示され
ている。この方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成し
た放射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放
射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射
線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこ
の輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって
各部の蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを
光に変換し、この光の強弱による光信号により画像を得
るものである。この最終的な画像は/・−トコビーとじ
C再生しても良いし、CRT上に再生しても良い。
In this method, the radiation transmitted through the object is absorbed by a phosphor, and then this phosphor is excited with light or thermal energy, so that the phosphor emits the radiation energy accumulated through the absorption as fluorescence. There is a method of detecting this fluorescence and creating an image. Specifically, for example, U.S. Pat.
No. 5-12144 discloses a radiation image conversion method using a stimulable phosphor and using visible light or infrared rays as stimulable excitation light. This method uses a radiation image conversion panel in which a stimulable phosphor layer is formed on a support, and radiation that has passed through the object is applied to the stimulable phosphor layer of this radiation image conversion panel to visualize various parts of the object. A latent image is formed by accumulating radiation energy corresponding to the radiation transmittance, and then this stimulable phosphor layer is scanned with stimulable excitation light to radiate the accumulated radiation energy in each part. An image is obtained by converting the light into light and using an optical signal based on the intensity of this light. This final image may be reproduced on a CRT or on a CRT.

この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光体層を
有する放射線画像変換パネルは、前述の蛍光スクリーン
を用いる放射線写真法の場合と同様に放射組吸収率およ
び光変換率(両者を含めて以下「放射線感度」という)
が高いことは言5 K及ばず画像の粒状性が良く、しか
も高鮮鋭性であることが要求される。
The radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer used in this radiation image conversion method has a radiation absorption rate and a light conversion rate (both of which are included below), as in the case of the radiography method using a fluorescent screen described above. (referred to as "radiation sensitivity")
It is required that the image quality be as high as 5K, and that the image should have good graininess and high sharpness.

ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルは粒径1〜30μm程度の粒状の輝尽性蛍光体
と有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保護層上
に塗布、乾燥して作成されるので、輝尽性蛍光体の充填
密度が臘<(充填率50%)、放射線感度を充分高くす
るには輝尽性蛍光体層の層厚を厚くする必要があった。
However, in general, a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer is prepared by coating a dispersion containing a granular stimulable phosphor with a particle size of about 1 to 30 μm and an organic binder on a support or a protective layer. Since it is created by drying, the packing density of the stimulable phosphor is ⇘ (filling rate 50%), and it was necessary to increase the thickness of the stimulable phosphor layer in order to obtain sufficiently high radiation sensitivity. .

一方、これに対し前記放射線画像変換方法における画像
の鮮鋭性は、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の
層厚が薄いほど高い傾向にあり、鮮鋭性の向上のためK
は、輝尽性蛍光体層の薄層化が必要であった。
On the other hand, the sharpness of the image in the radiation image conversion method tends to be higher as the layer thickness of the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel becomes thinner.
In this case, it was necessary to make the stimulable phosphor layer thinner.

また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
、放射線量子数の場所的ゆらぎ(量子モトル)あるいは
放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ(
構造モトル)等によって決定されるので、輝尽性蛍光体
層の層厚が薄くなると、輝尽性蛍光体層に吸収される放
射線量子数が減少して量子モトルが増加したり、構造的
乱れが顕在化して構造モトルが増加したりして画質の低
下を生ずる。よって画像の粒状性を向上させるためには
輝尽性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。
In addition, the graininess of the image in the radiation image conversion method is caused by local fluctuations in the number of radiation quanta (quantum mottles) or structural disturbances in the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel.
As the thickness of the stimulable phosphor layer becomes thinner, the number of radiation quanta absorbed by the stimulable phosphor layer decreases, increasing the quantum mottle and causing structural disorder. becomes obvious and structural mottles increase, resulting in a decrease in image quality. Therefore, in order to improve the graininess of images, the stimulable phosphor layer needs to be thick.

即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度および画像の粒状性と、画像の鮮鋭性
とが輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を
示すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する
感度と粒状性と鮮鋭性間のある程度の相互犠牲によって
作成されてきた。
That is, as mentioned above, in the conventional radiation image conversion panel, the sensitivity to radiation, the graininess of the image, and the sharpness of the image exhibit completely opposite tendencies with respect to the layer thickness of the stimulable phosphor layer. The radiation image conversion panels have been made with some trade-off between sensitivity to radiation, graininess, and sharpness.

ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が蛍
光スクリーン中の蛍光体の瞬間発光(放射線照射時の発
光)の広がりによって決定されるのは周知の通りである
が、これに対し前述の輝尽性蛍光体を利用した放射線画
像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換パネ
ル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりKよって決定さ
れるのではなく、すなわち放射線写真法におけるように
蛍光体の発光の広がりによって決定されるのではなく、
輝尽励起光の該パネル内での広がり罠依存して決まる。
By the way, it is well known that the sharpness of images in conventional radiography is determined by the spread of instantaneous light emission (light emission during radiation irradiation) of the phosphor in the fluorescent screen. The sharpness of images in radiation image conversion methods using stimulable phosphors is not determined by the spread of stimulated luminescence K of the stimulable phosphors in the radiation image conversion panel; Rather than being determined by the extent of the body's luminescence,
It depends on the spread of the stimulated excitation light within the panel.

なぜならばこの放射線画像変換方法においでは、放射線
画像変換パネルに蓄積された放射線画像情報は時系列化
されて取り出されるので、ある時間(ti )に照射さ
れた輝尽励起光にょる輝尽発光は望ましくは全で採光さ
れその時間に輝尽励起光が照射されていた該パネル上の
あル画素(xi、yi)からの出力として記録されるが
、もし輝尽励起光が該パネル内で散乱等により広がり、
照射画素(xi、yi)の外側に存在する輝尽性蛍光体
をも励起してしまうと、上記(xi + yi )なる
画素からの出力としてその画素よりも広い領域からの出
力が記録されてしまうからである。従って、ある時間(
1+)に照射された輝尽励起光にょる輝尽発光が、その
時間(ti )に輝尽励起光が真に照射されていた該パ
ネル上の画素(xi + yi )からの発光のみであ
れば、その・発光がいかなる広がりを持つものであろう
と得られる画像の鮮鋭性には影響がないのである。
This is because in this radiation image conversion method, the radiation image information stored in the radiation image conversion panel is retrieved in a time-series manner, so that the stimulated luminescence due to the stimulated excitation light irradiated at a certain time (ti) is Preferably, it is recorded as the output from every pixel (xi, yi) on the panel that is fully illuminated and irradiated with the stimulated excitation light at that time, but if the stimulated excitation light is scattered within the panel. It spreads due to
If the stimulable phosphor existing outside the irradiated pixel (xi, yi) is also excited, the output from the pixel (xi + yi) will be recorded as the output from a wider area than that pixel. This is because it will be put away. Therefore, for a certain time (
If the stimulated luminescence due to the stimulated excitation light irradiated at time (ti) is only the light emission from the pixel (xi + yi) on the panel that was truly irradiated with the stimulated excitation light at that time (ti). In other words, no matter how widespread the light emission is, it does not affect the sharpness of the image obtained.

このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性を改善する
方法がいくつが考案されて来た。例えば特開昭55−1
46447号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光
体層中に白色粉体を混入する方法、特開昭55−163
500号記載の放射線画像変換パネルを輝尽性蛍光体の
輝尽励起波長領域における平均反射率が前記輝尽性蛍光
体の輝尽発光波長領域における平均反射率よりも小さく
なるように着色する方法等である。しかし、これらの方
法は鮮鋭性を改良すると必然的に感度が著しく低下して
しまい、好ましい方法とは言えない。
Under these circumstances, several methods have been devised to improve the sharpness of radiographic images. For example, JP-A-55-1
Method of incorporating white powder into the stimulable phosphor layer of a radiation image conversion panel described in No. 46447, JP-A-55-163
A method of coloring the radiation image conversion panel described in No. 500 so that the average reflectance of the stimulable phosphor in the stimulated excitation wavelength region is smaller than the average reflectance of the stimulable phosphor in the stimulated emission wavelength region. etc. However, in these methods, improving sharpness inevitably leads to a significant decrease in sensitivity, and therefore cannot be said to be a preferable method.

本出願人は、前述のような欠点及び特性間の相反性に鑑
みて、特願昭59−196365号において輝尽性蛍光
体層に結着剤を含有しない放射線画像変換パネル及びそ
の製造方法を提案している。これによれば、前記放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層が結着剤を含有しない
ので輝尽性蛍光体の充填率が著しく向上すると共に輝尽
性蛍光体層の輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が向上し
、放射線画像変換パネルの放射線に対する感度と画像の
粒状性が改善されると同時に画像の鮮鋭性も改善される
In view of the above-mentioned drawbacks and incompatibility between characteristics, the applicant proposed in Japanese Patent Application No. 59-196365 a radiation image conversion panel that does not contain a binder in the stimulable phosphor layer and a method for manufacturing the same. is suggesting. According to this, since the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel does not contain a binder, the filling rate of the stimulable phosphor is significantly improved, and the stimulable phosphor layer is stimulated by excitation light. The directivity of stimulated luminescence is improved, the sensitivity of the radiation image conversion panel to radiation and the granularity of the image are improved, and at the same time, the sharpness of the image is also improved.

前記の結着剤を含有しない放射線画像変換パネルは、ス
パッタリング法、CVD法、蒸着法、イオンブレーティ
ング法等種々の気相堆積法で製造可能であるが、製造コ
ストを考慮するとスパッタリング法あるいは蒸着法が最
も好ましい方法と言える。
The radiation image conversion panel that does not contain a binder can be manufactured by various vapor deposition methods such as sputtering method, CVD method, vapor deposition method, and ion blating method, but considering the manufacturing cost, sputtering method or vapor deposition method is The method can be said to be the most preferable method.

ところが、前記蒸着法に於て一般的に行なわれている抵
抗加熱法で輝尽性蛍光体層を形成した場合、ある坩堝温
度に対する輝尽性蛍光体を構成する複数の物質は蒸気圧
がそれぞれ異なり、蒸気圧の高い物質はど優先的に蒸発
する。このため支持体上に形成された輝尽性蛍光体層の
組成は坩堝中に仕込んだ輝尽性蛍光体の組成と一致せず
、放射線画像変換パネルの放射線に対する感度が低下す
る重大な欠点のあることが明らかとなった。
However, when a stimulable phosphor layer is formed by the resistance heating method that is commonly used in the vapor deposition method, the vapor pressures of the multiple substances constituting the stimulable phosphor for a certain crucible temperature are In contrast, substances with high vapor pressure evaporate preferentially. For this reason, the composition of the stimulable phosphor layer formed on the support does not match the composition of the stimulable phosphor charged in the crucible, resulting in a serious drawback of reducing the sensitivity of the radiation image conversion panel to radiation. One thing became clear.

すなわち、輝尽性蛍光体を気相堆積させる方法は、前記
したように数々の利点を齋すが、輝尽性蛍光体の層を形
成する場合に該蛍光体の気化条件を蔑ろKすることによ
って大きな節介に陥る。
That is, although the method of vapor phase deposition of a stimulable phosphor has many advantages as described above, when forming a layer of stimulable phosphor, the vaporization conditions of the phosphor must be changed. This causes a big problem.

例えばTlを付活剤とするRbBr : Tl輝尽性蛍
光体に関する本発明者らの研究によると、該蛍光体の発
光強度は8g9図に示すようにTl含有量が10〜1.
0 mol %の範囲にあっては瞬間発光強度は一定で
ありTl含有量が一定幅に収っている限り一般的蛍光体
としてその組成比に関し深く注意する必要はない。
For example, according to the research of the present inventors on RbBr: Tl stimulable phosphor using Tl as an activator, the emission intensity of the phosphor is as shown in Figure 8g9, when the Tl content is 10 to 1.
In the range of 0 mol %, the instantaneous emission intensity is constant, and as long as the Tl content is within a certain range, there is no need to pay close attention to the composition ratio as a general phosphor.

しかし本発明に係る放射線画像変換パネルの死命を制す
る鐸尽発光は3X10mo1%付近にピークを有しその
前後で強度は太き(低下する。
However, the fatal emission of the radiation image conversion panel according to the present invention has a peak near 3×10 mo1%, and the intensity increases (decreases) before and after that peak.

従って蒸着法によって輝尽性蛍光体を気相堆積させろ際
に付活剤と輝尽性蛍光体母体の蒸気圧が異ることによっ
て、均一に調製した付活輝尽性蛍光体の蒸発源体から付
活剤が、蛍光体母体に先行し或は遅滞してパネル支持体
に蒸着され輝尽性蛍光体層中で厚み方向に付活剤濃度が
異り最適濃度から逸脱すれば、付活剤の本来の目的の活
性付与は転じて付活剤による中毒症状を呈するに到る。
Therefore, when vapor-phase depositing the stimulable phosphor using the vapor deposition method, the vapor pressure of the activator and the stimulable phosphor matrix differ, so that the evaporation source of the activated stimulable phosphor can be uniformly prepared. If the activator is deposited on the panel support before or after the phosphor matrix, and the activator concentration differs in the thickness direction in the stimulable phosphor layer and deviates from the optimum concentration, activation will occur. The original purpose of the agent, which is to impart activity, ends up causing symptoms of toxicity due to the activator.

因みKRbBrの蒸気圧は777ccに於て11111
1! Hgを示しTlBrは522℃に於て110m1
Hを呈し蒸気圧に大差を有している。
Incidentally, the vapor pressure of KRbBr is 11111 at 777cc.
1! Hg and TlBr is 110ml at 522℃
H and have large differences in vapor pressure.

この点に関心を払った事例はなく、往々にして総体的に
は最適の付活剤濃度であるにも拘らず性能不良の付活輝
尽性蛍光体層の例を見る。
There are no cases in which this point has been paid attention to, and we often see examples of activated stimulable phosphor layers with poor performance despite the overall optimal activator concentration.

一方、前記スパッタリング法による透明な輝尽性蛍光体
層の製造は特開昭59−60300号により知られてい
る。
On the other hand, the production of a transparent stimulable phosphor layer by the sputtering method is known from Japanese Patent Laid-Open No. 59-60300.

前記製造方法は、輝尽性蛍光体を表面より順次スパンタ
リングすることにより、輝尽性蛍光体層を形成するので
スパッタリング前の輝尽性蛍光体の化学組成と気相堆積
した後の輝尽性蛍光体の化学組成とが概略一致し放射線
感度が向上する利点がある。
In the above manufacturing method, the stimulable phosphor layer is formed by sequentially sputtering the stimulable phosphor from the surface, so the chemical composition of the stimulable phosphor before sputtering and the stimulable phosphor after vapor deposition are different. This has the advantage that the chemical composition roughly matches that of the fluorescent phosphor and the radiation sensitivity is improved.

しかし前記製造方法による透明輝尽性蛍光体層を有する
放射線画像変換パネルは、第10図に示すように輝尽性
蛍光体層が透明であるため、該蛍光体層その他の構成層
の界面での輝尽励起光の反射により広範囲にわたってハ
レーションを起し該輝尽励起光が散乱し、輝尽性蛍光体
を輝尽励起するので画像の鮮鋭性が著しく劣化する欠点
を有していた。
However, in the radiation image conversion panel having a transparent stimulable phosphor layer manufactured by the above manufacturing method, since the stimulable phosphor layer is transparent as shown in FIG. The reflection of the stimulable excitation light causes halation over a wide area, and the stimulable excitation light is scattered and stimulates the stimulable phosphor, resulting in a significant deterioration in the sharpness of the image.

また前記製造方法による透明輝尽性蛍光体層の形成には
輝尽性蛍光体結晶を大きく成長させる必要があり、高速
に輝尽性蛍光体層を形成させると該蛍光体層が透明とは
ならないので前記放射線画像変換パネルの生産性は著し
く低いという欠点を有しており、その改良が望゛まれで
いた。
In addition, in order to form a transparent stimulable phosphor layer by the above manufacturing method, it is necessary to grow the stimulable phosphor crystals to a large size, and if the stimulable phosphor layer is formed at a high speed, the phosphor layer will not be transparent. Therefore, the productivity of the radiation image conversion panel is extremely low, and improvement thereof has been desired.

(発明の目的) 本発明は輝尽性蛍光体を用いた前記提案の放射線画像変
換パネルの製造方法に関連し、本発明の目的は画像の鮮
鋭性が高く解像力に優れた放射線画像変換パネルの製造
方法を提供することにある。
(Object of the Invention) The present invention relates to the method of manufacturing a radiation image conversion panel proposed above using a stimulable phosphor, and an object of the present invention is to produce a radiation image conversion panel with high image sharpness and excellent resolution. The purpose is to provide a manufacturing method.

本発明の他の目的は、気相堆積法の利点を充分に発輝さ
せた画像の良好な粒状性と鮮鋭性とを有し、且つ放射線
に対する感度の高い放射線画像変換パネルの製造方法を
提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a radiation image conversion panel that fully utilizes the advantages of vapor deposition, has good image granularity and sharpness, and is highly sensitive to radiation. It's about doing.

更に本発明の他の目的は、気相堆積速度が速く、生産性
の高い放射線画像変換パネルの製造方法を提供すること
にある。
Still another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a radiation image conversion panel with a high vapor phase deposition rate and high productivity.

(発明の構成〕 本発明者らは輝尽性蛍光体層のスノくツタリング法によ
る形成方法について鋭意研究を重ねた結果、輝尽性蛍光
体のスパックリング速度を高めることによって支持体上
の輝尽性蛍光体が微細結晶化して不透明となり、従来の
透明な輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルと
比較して高鮮鋭性を示すことを見い出し本発明を完成す
るに至った。
(Structure of the Invention) The present inventors have conducted intensive research on a method for forming a stimulable phosphor layer by the snok spooling method, and have found that by increasing the sputtering rate of the stimulable phosphor, The present inventors discovered that the stimulable phosphor crystallizes into fine crystals, becomes opaque, and exhibits higher sharpness than conventional radiation image conversion panels having a transparent stimulable phosphor layer, leading to the completion of the present invention.

すなわち前記本発明の目的はス・くツタリング法により
少なくとも一層の輝尽性蛍光体層を形成する放射線画は
変換パネルの製造方法に於て、前記輝尽性蛍光体層の堆
積速度AがA≧2X103Å/分の範囲に含まれること
を特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法によって
達成される。
That is, the object of the present invention is to produce a radiation image in which at least one stimulable phosphor layer is formed by a scattering method. This is achieved by a method for manufacturing a radiation image conversion panel characterized in that the radiation rate is within the range of ≧2×10 3 Å/min.

更に本発明の態様としては前記堆積速度Aが5X103
Å/分≦A≦5 X 10’Å/分であることが好まし
い。
Furthermore, as an aspect of the present invention, the deposition rate A is 5×103
It is preferred that Å/min≦A≦5×10′ Å/min.

尚、本発明に於て微細結晶が輝尽性蛍光体層の層厚方向
に配列した微細柱状結晶構造となった場合特に画像の鮮
鋭性が向上し好ましい。
In the present invention, it is preferable to have a fine columnar crystal structure in which the fine crystals are arranged in the thickness direction of the stimulable phosphor layer because the sharpness of the image is particularly improved.

本発明に於てスパッタリング法とは、加速された粒子(
一般にはイオン)が固体表面に衝突したとき、運動量の
交換によって固体を構成する原子あるいは分子を空間へ
叩き出すスパッタリング現象を利用して、目的とする物
質を蒸発させ所定の変換パネル基板(支持体)上に気相
堆積させる方法である。
In the present invention, the sputtering method refers to accelerated particles (
When ions (generally ions) collide with a solid surface, the atoms or molecules that make up the solid are ejected into space through the exchange of momentum.The sputtering phenomenon is used to evaporate the target substance and attach it to a predetermined conversion panel substrate (support ) is a vapor phase deposition method.

本発明に言うスパッタリング法は前記スノ(ツタリング
現象を利用したすべての方法を含んでいるが、一般的に
絶縁物である輝尽性蛍光体を効率的にスパッタリングす
るため罠は実質的には高周波を利用した高周波スパッタ
リングが好ましく、高周波スパッタリングの中でも特に
マグネトロンスパッタリングが堆積速度を向上させる目
的で好ましい。また前記スパッタリング法を反応性スパ
ッタリング法、化学スパッタリング法等としてもよいし
、またスパッタリング法、反応性スパッタリング法及び
化学スパッタリング法を時系列的に組合せて併用しても
よい。
The sputtering method referred to in the present invention includes all the methods that utilize the above-mentioned sno-(tsuttering) phenomenon, but in order to efficiently sputter the stimulable phosphor, which is generally an insulator, the sputtering method is essentially a high-frequency method. High-frequency sputtering using high-frequency sputtering is preferred, and magnetron sputtering is particularly preferred among high-frequency sputtering for the purpose of improving the deposition rate.The sputtering method may also be a reactive sputtering method, a chemical sputtering method, etc. The sputtering method and the chemical sputtering method may be used in combination in chronological order.

更に前記スパッタリング法とは異なるスパッタリング法
としてイオンビームスパッタリング法カある。
Furthermore, there is an ion beam sputtering method as a sputtering method different from the above sputtering method.

以下本発明を図により詳細に説明する。The present invention will be explained in detail below with reference to the drawings.

第1図は本発明に用いるスパッタリング装置の1例であ
る高周波スパッタリング装置の断面概略図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a high frequency sputtering device, which is an example of a sputtering device used in the present invention.

同図に於て1はペルジャー(真空槽)、2は高周波電源
装置、11はインピーダンスのマツチングボックス、3
はシャッター、4は輝尽性蛍光体を堆積させる支持体、
6はスパッタリング材料である輝尽性蛍光体(以下ター
ゲットと言うことがある)5を保持するターゲット電極
、7は前記支持体4を保持するためのターゲット電極の
対向電極、8はスパッタリングガスの導入口、9はター
ゲット電極6とペルジャー1との間の放電を防止するた
めのシールド板である。10は膜厚モニターである。
In the figure, 1 is a Pelger (vacuum chamber), 2 is a high frequency power supply, 11 is an impedance matching box, and 3
4 is a shutter, 4 is a support on which the stimulable phosphor is deposited,
6 is a target electrode that holds the stimulable phosphor (hereinafter sometimes referred to as target) 5 which is a sputtering material; 7 is a counter electrode to the target electrode that holds the support 4; 8 is an introduction of sputtering gas The port 9 is a shield plate for preventing discharge between the target electrode 6 and the Pelger 1. 10 is a film thickness monitor.

更に14は必要に応じプラズマをターゲット5と支持体
4との間に閉じ込めるマグネット、13は必要に応じス
パッタ開始時に熱電子を供給するための点火用ヒータで
ある。
Furthermore, 14 is a magnet for confining plasma between the target 5 and the support 4 if necessary, and 13 is an ignition heater for supplying thermoelectrons at the start of sputtering if necessary.

本発明に於て前記スパッタリング装置を用いるに当りて
、まづスパッタリング材料である輝尽性蛍光体は均一に
溶解させるかプレス、ホットプレスによって板状に成形
してターゲット5を作成した後、該ターゲットをターゲ
ット電極6に接着する。
In using the sputtering apparatus in the present invention, first, the stimulable phosphor which is the sputtering material is uniformly melted or formed into a plate shape by pressing or hot pressing to create the target 5. A target is bonded to the target electrode 6.

また、前記ターゲット5はかならずしも支持体上に堆積
させる組成をもった輝尽性蛍光体である必要はなく、輝
尽性蛍光体原料を混和したものであってもよい。スパッ
タリングによってターゲット上で或は支持体上でもしく
は支持体に飛翔する間に目的組成を生成するものであっ
てもよい。
Further, the target 5 does not necessarily have to be a stimulable phosphor having a composition to be deposited on a support, and may be a mixture of stimulable phosphor raw materials. The target composition may be produced by sputtering on the target or on or while flying to the support.

ターゲット電極6及びターゲット5はスパッタリング中
陽イオンによって激しく叩かれて、温度が上昇するので
ターゲット電極6の裏面に冷却水を流して冷却するのが
好まし〜・。また、対向電極7及び支持体4もスパッタ
リング中に発生する二次電子の衝突によってカミ熱され
るので必要に応じて冷却するのが好ましい。
Since the target electrode 6 and the target 5 are violently hit by cations during sputtering and the temperature rises, it is preferable to cool the target electrode 6 by flowing cooling water to the back surface of the target electrode 6. Further, since the counter electrode 7 and the support body 4 are also heated by collisions of secondary electrons generated during sputtering, it is preferable to cool them as necessary.

まづ、ターゲット電極60対向電極上に支持体4を設置
する。また支持体4は加熱ヒータ等によって50〜35
0℃に加熱されてもよい。
First, the support 4 is placed on the target electrode 60 and the opposite electrode. Further, the support body 4 is heated to a temperature of 50 to 35
It may be heated to 0°C.

尚支持体4の蒸着素地表面は、一連の特願昭59−26
6913号乃至同59−266916号に記載されてい
るように輝尽性蛍光体が微細柱状ブロックニ区分される
ように加工されていてもよい。
Incidentally, the surface of the vapor-deposited substrate of the support 4 is
As described in No. 6913 to No. 59-266916, the stimulable phosphor may be processed to be divided into fine columnar blocks.

次(・でメインパルプ等(図示せず)を操作してペルジ
ャー1の内部の気体を排除し10〜IQ Torr程度
の真空度とする。
Next, the main pulp etc. (not shown) are operated with () to remove the gas inside the Pel Jar 1 and create a degree of vacuum of about 10 to IQ Torr.

次いで真空槽内に不活性ガス(例えばAr 、Ne等)
をスパッタリングガス導入口8から導入して1〜10 
Torr台の真空度とした後、ターゲット電極6と対向
電極7の間に高周波電力を供給する。
Then, inert gas (e.g. Ar, Ne, etc.) is placed in the vacuum chamber.
is introduced from the sputtering gas inlet 8 to 1 to 10
After establishing the vacuum level of the Torr stage, high frequency power is supplied between the target electrode 6 and the counter electrode 7.

前記高周波電力の供給により放電プラズマが生じ、ター
ゲット5のスパッタリングが開始される。
A discharge plasma is generated by supplying the high frequency power, and sputtering of the target 5 is started.

ターゲットの表面は一般に酸化、吸着ガス等で汚れてい
るのでシャッタ3を閉じたまま予備スパッタリングを行
い、汚れを取り除いてからシャッタ3を開いて支持体4
上への輝尽性蛍光体の堆積を始めることが好ましい。
The surface of the target is generally contaminated with oxidation, adsorbed gas, etc., so preliminary sputtering is performed with the shutter 3 closed, and after removing the dirt, the shutter 3 is opened and the support 4 is sputtered.
It is preferable to start depositing the stimulable phosphor on top.

膜厚モニタ10によって堆積速度、堆積膜厚を監視しな
がらスパッタリングを進め、所定の膜厚となったらスパ
ッタリングを停止する。
Sputtering is performed while monitoring the deposition rate and the deposited film thickness using the film thickness monitor 10, and when a predetermined film thickness is reached, sputtering is stopped.

本発明に於て輝尽性蛍光体の堆積速度Aは支持体上に形
成される輝尽性蛍光体層が微細結晶化し輝尽励起光に対
し不透明となるように選択されることが重要である。輝
尽性蛍光体層が不透明となる前記堆積速度は支持体の温
度によっても異なるが、高速度の方が不透明となり易く
、堆積速度AはA≧2 X 10”57分であることが
必要であり、更にA≧5 X 103Å/分であること
が好ましい。堆積速度Aが2 X 103Å/分未満の
場合には前記理由の他に輝尽性蛍光体層の製造に時間が
かかりすぎるため好ましくない。また、堆積速度Aが5
 X IQ5久/分を過える場合にはスパッタリングの
速度フントロールが困難となったり、感度が低下したり
するため好ましくない。
In the present invention, it is important that the deposition rate A of the stimulable phosphor is selected so that the stimulable phosphor layer formed on the support becomes finely crystallized and becomes opaque to stimulable excitation light. be. The deposition rate at which the stimulable phosphor layer becomes opaque varies depending on the temperature of the support, but the higher the rate, the more likely it is to become opaque, and the deposition rate A needs to be A≧2×10”57 minutes. It is further preferable that A≧5×103 Å/min.If the deposition rate A is less than 2×103 Å/min, it is preferable because, in addition to the above reasons, it takes too much time to produce the stimulable phosphor layer. No. Also, if the deposition rate A is 5
If the X IQ exceeds 5 minutes/minute, it is not preferable because it becomes difficult to control the sputtering speed or the sensitivity decreases.

尚、支持体4は輝尽性蛍光体を堆積する前に該支持体上
をスパッタリング(一般に逆スパツタリングと言う〕し
て清浄面を得るようにしてもよい。
Note that the support 4 may be sputtered (generally referred to as reverse sputtering) to obtain a clean surface before depositing the stimulable phosphor.

更に前記装置例ではターゲットが上部にあり、支持体が
下部にあったが、これに限定されることはなく、ターゲ
ットと支持体とが対向して置れていればよい。また、ス
パッタリングガスに前記不活性ガスの他に必要に応じ反
応性ガスを一部混合して反応性スパッタリングとしても
よい。
Further, in the above example of the apparatus, the target was located at the top and the support was located at the bottom, but the present invention is not limited to this, and it is sufficient that the target and the support are placed facing each other. Further, in addition to the above-mentioned inert gas, a part of a reactive gas may be mixed into the sputtering gas as required to perform reactive sputtering.

本発明の如くターゲットをスパッタリングして気相堆積
を行う場合には輝尽性蛍光体の種類、付活剤の有無に拘
らず均一に順次スパッタリングされるので#尽性蛍光体
層に於る層厚方向の組成に偏倚を生ずる恐れはない。
When performing vapor phase deposition by sputtering a target as in the present invention, sputtering is uniformly and sequentially performed regardless of the type of stimulable phosphor and the presence or absence of an activator. There is no risk of deviation in the composition in the thickness direction.

第2図には平板型高周波マグネトロンスパッタリング装
置のターゲット電極構造を示す。
FIG. 2 shows the target electrode structure of a flat plate type high frequency magnetron sputtering device.

平板型高周波マグネトロン・スパッタリング装置は前記
した高周波スパッタリング装置とはターゲットを含むタ
ーゲット電極構造が異なるだけで基本構造は同様である
The flat plate type high frequency magnetron sputtering apparatus has the same basic structure as the above-described high frequency sputtering apparatus, except for the target electrode structure including the target.

同図に於て5はターゲット、6aは電極板(ポール・ピ
ース)、6bはマグネットであって、電極板6aとマグ
ネット6bによってターゲット電極6が形成される。マ
グネット6bはターゲットと電極板の間に必要個数、磁
極が交互になるように設けられトロイダル型のトンネル
状磁場加を形成シ、放電プラズマははソこの周辺に拘束
されるのでターゲットのスパッタリングが増大し、支持
体への堆積速度が増大し、大型の平板状パネルの作成に
好適であり生産性も高い。
In the figure, 5 is a target, 6a is an electrode plate (pole piece), and 6b is a magnet, and the target electrode 6 is formed by the electrode plate 6a and the magnet 6b. The required number of magnets 6b are provided between the target and the electrode plate so that the magnetic poles alternate to form a toroidal tunnel-like magnetic field, and since the discharge plasma is confined around the magnet, sputtering of the target is increased. The deposition rate on the support is increased, and it is suitable for making large flat panels and has high productivity.

更に第3図に他の型式の高周波マグネトロンスパッタリ
ング装置の例を示した。
Further, FIG. 3 shows an example of another type of high frequency magnetron sputtering apparatus.

同図に示す例は円型マグネトロンスパッタリング装置で
あって、この装置の特徴は、ターゲットと対向電極とが
一つの蒸発源を構成し、両者の間に高周波電力を供給す
ることにより、トロイダル型磁場にプラズマリングを生
じ、電気的にも機械的にも独立に配置された支持体に対
し蒸着が行われる点にある。同図に於て7は円板状の対
向電極、5はターゲットであり、リング状に対向電極7
を囲んでいる。ターゲット5の裏面には電極板(図示せ
ず)とマグネット6bが配置され、ターゲット電極6を
構成する。前記のようにターゲット裏面のマグネットに
より、磁場加が生じ、電場とによってターゲット上にプ
ラズマリング21を発生する。このリングから出たイオ
ンがターゲットをスパッタリングし、指向性の強いスパ
ッタリング原子が放出される。
The example shown in the figure is a circular magnetron sputtering device, and the feature of this device is that the target and the opposing electrode constitute one evaporation source, and by supplying high-frequency power between them, a toroidal magnetic field is generated. The point is that a plasma ring is generated in the process, and the deposition is performed on supports that are electrically and mechanically independently arranged. In the figure, 7 is a disk-shaped counter electrode, 5 is a target, and the ring-shaped counter electrode 7
surrounding. An electrode plate (not shown) and a magnet 6b are arranged on the back surface of the target 5, and constitute the target electrode 6. As described above, a magnetic field is applied by the magnet on the back surface of the target, and a plasma ring 21 is generated on the target due to the electric field. Ions emitted from this ring sputter the target, and highly directional sputtering atoms are emitted.

同図に於て前記第1図及び第2図に用いた信号と同一信
号は機能的に同義である。
In this figure, the same signals as those used in FIGS. 1 and 2 have functionally the same meaning.

第4図には更に他の型式の高周波スノくツタリング装置
の例を示した。核例は同軸円筒電極型マグネトロンスパ
ッタリング装置と称されるものである。
FIG. 4 shows an example of yet another type of high frequency snow climbing device. A nuclear example is what is called a coaxial cylindrical electrode type magnetron sputtering device.

この装置は円筒状に重なったターゲットとターゲット電
極から成る筒内に複数個の短いマグネットの同種磁極を
対向させて装填したもので、第4図は該円筒軸に直角な
断面を示している。電極近傍でのイオン化が大きく、低
圧ガスの下でも大きいイオン化電流かえられる。
In this device, a plurality of short magnets with similar magnetic poles facing each other are loaded into a cylinder consisting of a cylindrical overlapping target and target electrode, and FIG. 4 shows a cross section perpendicular to the cylinder axis. Ionization is large near the electrode, and a large ionization current can be generated even under low pressure gas.

また第5図にイオンビーム・スパッタリンク装置を参考
に示した。この装置は蒸着速度が遅いため工業的生産に
は向かないが研究的手段としては重要であって本発明に
基礎データを提供したものである。
Further, FIG. 5 shows an ion beam sputter link device for reference. Although this device is not suitable for industrial production due to its slow deposition rate, it is important as a research tool and provided basic data for the present invention.

本発明に係る放射線画像変換パネルにおいて輝尽性螢光
体とは、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射さ
れた後に、元帥、熱的、機械的、化学的または電気的等
の刺激(輝尽励起)により、最初の光もしくは高エネル
ギー放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す螢光体を
言うが、実用的な面から好ましくは500 nm以上の
輝尽励起によって輝尽発光を示す螢光体である。本発明
に係る放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性螢光体
としては、例えば特開昭48−80487号に記載され
ているBa5O,: kx (但しAはDy、Tb及び
Tmのうち少なくとも1種であり、Xは0.001≦x
 (1モル%である。)で表わされる螢光体、特開昭4
8−80488号記載のMgSO4: kx (但しA
はHO或いはDyのうちいづれかであり、0.001≦
X≦1モル%である)で表わされる螢光体、特開昭48
=80489号に記載されている5rSO。
In the radiation image conversion panel according to the present invention, the photostimulable phosphor refers to a photostimulable phosphor that is stimulated by marshal, thermal, mechanical, chemical, or electrical stimulation (stimulable phosphor) after being irradiated with the first light or high-energy radiation. It refers to a phosphor that exhibits stimulated luminescence corresponding to the irradiation amount of initial light or high-energy radiation due to excitation (excitation), but from a practical standpoint, it is preferable to use a phosphor that exhibits stimulated luminescence upon stimulated excitation at a wavelength of 500 nm or more. It is a light body. The photostimulable phosphor used in the radiation image conversion panel according to the present invention is, for example, Ba5O, which is described in JP-A-48-80487: kx (where A is at least one of Dy, Tb, and Tm). species, and X is 0.001≦x
(1 mol%), JP-A No. 4
MgSO4 described in No. 8-80488: kx (However, A
is either HO or Dy, and 0.001≦
X ≦ 1 mol %), JP-A-48
=5rSO described in No. 80489.

: Ax (但しAはDy、Tb及びTmのうち少なく
とも1種であり、Xは0.001≦x<1モル%である
。)で表わさtている螢光体、特開昭51−29889
号に記載されているNa25O,、CaSO4及びBa
SO4等にMn、Dy及びTbのうち少なくとも1種を
添加した螢光体、特開昭52−30487号に記載さ肚
ているBeO、LiF 、 MgSO4及び(!aF、
等の螢光体、特開昭53−39277号に記載されてい
るLi□E、07 : Ou 、 Ag等の螢光体、特
開昭54−47883号に記載されているL120・(
B20t) !:Ou(但しXは2(、r≦3)、及び
Li2O・(B202) Z:au、Ag(但しXは2
 (x≦3)等の螢光体、米国特許3,859,527
号に記載されているSrS: Oe、  Sm、 Sr
S : mu、  Sm、 La20.S : Ku、
  Sm及び(Zn、 Cd)S : Mn、 X(但
しXはハロゲン)で表わされる螢光体が挙げられる。ま
た、特開昭55−12142号に記載されているZnS
 :Ou、Pb螢光体、一般式がBaO・rA1203
 : Eu (但し08≦X≦10)で表わされるアル
ミン酸バリウム螢光体、及び一般式がM”O・rsi0
2 : A (但しM はMg、 C!a、 Sr、 
 Zn、 cd又はBaでありAはC!e、 Tb、 
Ku、 Tm、 Pb、 Tl、 Bi及びMnのうち
少なくとも1種であり、Xは05≦2<2,5である。
: A phosphor represented by Ax (where A is at least one of Dy, Tb and Tm, and X is 0.001≦x<1 mol%), JP-A-51-29889
Na25O, CaSO4 and Ba described in No.
A phosphor in which at least one of Mn, Dy and Tb is added to SO4 etc., BeO, LiF, MgSO4 and (!aF,
phosphors such as Li□E described in JP-A-53-39277, phosphors such as 07:Ou, Ag, L120.
B20t)! :Ou (however, X is 2 (, r≦3), and Li2O・(B202) Z: au, Ag (however, X is 2
(x≦3) etc., U.S. Patent No. 3,859,527
SrS listed in the issue: Oe, Sm, Sr
S: mu, Sm, La20. S: Ku,
Examples include phosphors represented by Sm and (Zn, Cd)S:Mn, X (where X is halogen). In addition, ZnS described in JP-A No. 55-12142
:Ou, Pb phosphor, general formula is BaO・rA1203
: Barium aluminate phosphor represented by Eu (however, 08≦X≦10), and the general formula is M”O・rsi0
2: A (However, M is Mg, C!a, Sr,
Zn, cd or Ba and A is C! e, Tb,
It is at least one of Ku, Tm, Pb, Tl, Bi, and Mn, and X satisfies 05≦2<2,5.

〕で表わされるアルカリ土類金属珪酸塩系螢光体が挙げ
ら牡る。また、一般式が(Ea、、−yMg、Cay)
FX : ellcu2+(但しXはBr及び(4の中
の少なくとも1つであり、!、31及びθはそれぞれO
(x + y≦0.6、xy〆O及び10≦e≦5×1
0なる条件を満たす数である。)で表わされるアルカリ
土類弗化ハロゲン化物螢光体、特開昭55−12144
号に記載されている一般式が LnOX  :  xk (但しLnはLa、Y、Gd及びLuの少なくとも1つ
を、Xは01及び/又はBrを、AはCa及び/又はT
bを、Xはo (x (0,1を満足する数を表わす。
Examples include alkaline earth metal silicate phosphors represented by the following. Also, the general formula is (Ea,, -yMg, Cay)
FX: ellcu2+ (where X is at least one of Br and (4, and !, 31 and θ are each O
(x + y≦0.6, xy〆O and 10≦e≦5×1
This is a number that satisfies the condition of 0. ) Alkaline earth fluorohalide phosphor represented by JP-A-55-12144
The general formula described in the issue is LnOX: xk (Ln is at least one of La, Y, Gd and Lu,
b, and X represents a number that satisfies o (x (0, 1).

)で表わされる螢光体、特開昭55−12145号に記
載されている一般式が (Ea、−、M 3:) FX : yA(1旦しM 
(丁、Mg、  Ca、  Sr、  Zn及びCdの
うちの少なくとも1つを、XはC1,Er及び丁のうち
の少なくとも1つを、AはKu 、 Tb、 Cje、
 Tm。
), the general formula described in JP-A-55-12145 is (Ea, -, M 3:) FX : yA (Once M
(At least one of Ding, Mg, Ca, Sr, Zn and Cd, X is at least one of C1, Er and Ding, A is Ku, Tb, Cje,
Tm.

Dy、 Pr、 Ho、 Nd、 Yb及びErのうち
の少なくとも1つを、X及びyは○≦X≦06及び0≦
y≦02なる条件を満たす数を表わす。〕で表わさnる
螢光体、特σa昭55−84389号に記載されている
一般式がBaFX : roe 、  yA (胆し、
XはCjl、Br及び■のうちの少なくとも1つ、Aは
工”+ Tl、 Gd、 Sm及びZrのうちの少なく
とも1つであり、X及びyはそれぞれOくx≦2 X 
10−’及びO< y≦5 X 10’である。)で表
わさnる螢光体、i¥!f開昭55−160078号に
記載されている一般式が M”FX−yA :  yLn (但しMllはMg、 Oa、 Ba、 Sr Zn及
びC(lのうちの少なくとも1種、AはBeo 、 M
gO、(ao 。
At least one of Dy, Pr, Ho, Nd, Yb and Er, X and y are ○≦X≦06 and 0≦
It represents a number that satisfies the condition y≦02. ] The general formula of the phosphor described in Special σa No. 55-84389 is BaFX: roe, yA (
X is at least one of Cjl, Br and ■, A is at least one of Tl, Gd, Sm and Zr, and X and y are each 0x≦2X
10-' and O< y≦5 X 10'. ) is a phosphor represented by n, i¥! The general formula described in 1987-160078 is M"FX-yA: yLn (where Mll is at least one of Mg, Oa, Ba, Sr, Zn and C (l, A is Beo, M
gO, (ao.

SrO、BaO、Zn(’l 、 kl、03. Y、
03. La、O,、工neo3゜Sin、、 TiO
2,ZrO,、GeO2,5n(1,、Nb、O,、T
a、O。
SrO, BaO, Zn('l, kl, 03.Y,
03. La, O,, engineering neo3゜Sin,, TiO
2,ZrO,,GeO2,5n(1,,Nb,O,,T
a.O.

及びThO□のうちの少なくとも1種、LnはEu 。and at least one of ThO□, Ln is Eu.

Tb、 Ce、 Tm、 Dy、 Pr、 Ha、 N
d、 Yb、 Kr。
Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ha, N
d, Yb, Kr.

Sm及びGdのうちの少なくとも1種であり、Xは(3
1,Br及びIのうちの少なくともlPlであり、X及
びyはそれぞn5X、Lo≦X≦05及び0くy≦02
なる条件を満たす数である。ノで表わされる希土311
元素付活2価金属フルオロハライド螢光体、一般式がZ
nS : A、 OdS : A、 (Zn、 Cd)
S :A、 ZnS :A、 X及びC!ds:A、X
(但しAはC!u、Ag、Au又はMnであり、Xはハ
ロゲンである。)で表わされる螢光体、特開昭57−1
48285号に記載されている下記いづれかの一般式 %式% (式中、M及びNはそれぞれMg、、 Ca、 Sr。
is at least one of Sm and Gd, and X is (3
1, Br and I, and X and y are n5X, Lo≦X≦05 and 0kuy≦02, respectively.
This is a number that satisfies the condition. Rare earth 311 represented by ノ
Element-activated divalent metal fluorohalide phosphor, general formula Z
nS: A, OdS: A, (Zn, Cd)
S: A, ZnS: A, X and C! ds:A,X
(However, A is C!u, Ag, Au or Mn, and X is a halogen.) JP-A-57-1
Any of the following general formulas described in No. 48285 (where M and N are Mg, Ca, and Sr, respectively.

Ba、Zn及びCdのうち少なくとも1種、XはF。At least one of Ba, Zn and Cd, and X is F.

(4’、Br及び■のうら少なくとも1種、AはKu 
(At least one of 4', Br and ■, A is Ku
.

Tb、 Ce、 Tm、 Dy、 Pr、 Ha、 N
d、  Yl)lEr。
Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ha, N
d, Yl)lEr.

Sb、Te、Mn及びSnfハうち少なくとも1種を表
わす。また、X及びyはo(x≦6.0≦y≦]なる条
件を満たす数である。ノで表わさ扛る螢光体、下記いづ
れかの一般式 %式% (式中、ReはLa、Od、Y、Luのうち少なくとも
1種、Aはアルカリ土類金属、Ba、Sr、(4のうち
少なくとも1種、X及びxlは?、(ll、Brのうち
少なくとも1種を表わす。また、X及びyは、lX10
’(、z:(3XIO’、lXl0’<:y(IXlo
なる条件を満たす数であり、n7mは1×10 (n 
/ m (7X 10なる条件を満たす。ノで表わされ
る螢光体、および下記一般式 %式%: ら選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属であり、Mn
はBe、  Mg、  Oa、  Sr、  Ba、 
 Zn、  Cd、  OuおよびN1から選ばれる少
なくとも1種の二価金属である。MIIIはSc、 Y
、  La、 C!e、  Pr、 N(L。
Represents at least one of Sb, Te, Mn and Snf. In addition, X and y are numbers that satisfy the condition o (x≦6.0≦y≦). At least one of Od, Y, and Lu; A represents an alkaline earth metal; Ba, Sr, and at least one of (4); X and xl represent at least one of ?, (ll, and Br; X and y are lX10
'(,z:(3XIO',lXl0'<:y(IXlo
It is a number that satisfies the condition that n7m is 1×10 (n
Mn
are Be, Mg, Oa, Sr, Ba,
At least one divalent metal selected from Zn, Cd, Ou and N1. MIII is Sc, Y
, La, C! e, Pr, N(L.

Pm、 Sm、 mu、 Gd、 Tb、 Dy、 H
a、 Er、 Tm。
Pm, Sm, mu, Gd, Tb, Dy, H
a, Er, Tm.

Yb、 Lu、 ke、 Gaおよび工nから選ばれる
少なくとも1種の二価金属である。x、x’およびxl
はF+ Cl、Brおよび■から選ばれる少なくとも1
種のハロゲンである。Aはmu、 Tb、 C!e、 
Tm。
At least one divalent metal selected from Yb, Lu, Ke, Ga, and Ga. x, x' and xl
is F+ at least one selected from Cl, Br and ■
It is a type of halogen. A is mu, Tb, C! e,
Tm.

Dy、 Pr、 Ho、 Nd、 Yb、 Er、 G
d、、 Lu、  Sm。
Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, G
d,, Lu, Sm.

Y、’re、Na、Ag、CuおよびMgから選ばれる
少なくとも1種の金属である。
At least one metal selected from Y, 're, Na, Ag, Cu, and Mg.

またaは、0≦a (0,5の範囲の数値であり、bは
0≦bく05の範囲の数値であり、CはoくC≦0.2
の範囲の数値である。)で表わされるアルカリハライド
螢光体等が挙げられる。特にアルカリハライド螢光体は
スパッタリング法で輝尽性螢光体層を形成させやすく好
ましい。
Also, a is a numerical value in the range of 0≦a (0,5, b is a numerical value in the range of 0≦b05, and C is a numerical value in the range of 0≦b<0.2
is a numerical value in the range of . ) and the like can be mentioned. In particular, alkali halide phosphors are preferred because they facilitate the formation of a stimulable phosphor layer by sputtering.

しかし、本発明に係る放射線画像変換パネルに用いられ
る輝尽性螢光体は、前述の螢光体に限られるものではな
く、放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝
尽発光を示す螢光体であればいかなる螢光体であっても
よい。
However, the photostimulable phosphor used in the radiation image conversion panel according to the present invention is not limited to the above-mentioned phosphor, and when irradiated with radiation and then irradiated with photostimulation excitation light, the photostimulable phosphor emits photostimulable light. Any phosphor may be used as long as it exhibits the following.

本発明に係る放射線画像変換パネルは前記の輝尽性螢光
体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝
尽性螢光体層から成る輝尽性螢光体層群であってもよい
。また、それぞtの輝尽性螢光体層に含まれる輝尽性螢
光体は同一であってもよいが異っていてもよい。
The radiation image conversion panel according to the present invention is a photostimulable phosphor layer group comprising one or more photostimulable phosphor layers containing at least one kind of the above-mentioned photostimulable phosphors. Good too. Furthermore, the stimulable phosphors contained in the stimulable phosphor layers t may be the same or different.

本発明に係る放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体層の
層厚は放射線画像変換パネルの放射線に対する感度、′
Mll尽性螢光性螢光体等によって異なるが、30μm
〜1000μmの範囲から選ばれるのが好ましく、50
μm〜800μmの範囲から選ばれるのがより好ましい
。輝尽性螢光体層の層厚を30μm未満にした場合には
放射線吸収率が極端に低下して放射線感度が悪くなり、
画像の粒状性が劣化するばかりか輝尽性螢光体層が透明
となり易く、輝尽励起光の輝尽性螢光体層中での横方向
への広がりが著しく増大し、画像の鮮鋭性が劣化する傾
向にあるので好ましくない。
The layer thickness of the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel according to the present invention is determined by the sensitivity of the radiation image conversion panel to radiation;
Although it varies depending on the Mll-exhaustive fluorescent phosphor, etc., it is 30 μm.
It is preferably selected from the range of ~1000 μm, and 50 μm.
More preferably, it is selected from the range of μm to 800 μm. If the thickness of the photostimulable phosphor layer is less than 30 μm, the radiation absorption rate will be extremely reduced and the radiation sensitivity will be poor.
Not only does the graininess of the image deteriorate, but the photostimulable phosphor layer tends to become transparent, and the horizontal spread of the photostimulable excitation light in the photostimulable phosphor layer increases significantly, reducing the sharpness of the image. is undesirable because it tends to deteriorate.

第6図は本発明に係る放射線画像変換パネルの輝尽性螢
光体の層厚および該層厚に対応する輝尽性螢光体の耐着
量と放射線感度の関係を表わしている。本発明に係る放
射線画像変換パネルの輝尽性螢光体層は従来の螢光体を
結着剤中に懸濁分散させた分散型の放射線画像変換パネ
ルの様に結着剤を含んでいないので輝尽性螢光体の耐着
1(充填率)が従来の放射線画は変換パネルの約2倍あ
り、輝尽性螢光体層単位厚さ当りの放射線吸収率が向上
し従来の放射線画像変換パネルより放射線に対して高感
度となるばかりか、画像の粒状性が向上する。
FIG. 6 shows the layer thickness of the photostimulable phosphor of the radiation image conversion panel according to the present invention and the relationship between the adhesion resistance of the photostimulable phosphor corresponding to the layer thickness and the radiation sensitivity. The stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel according to the present invention does not contain a binder unlike the conventional dispersed radiation image conversion panel in which a phosphor is suspended and dispersed in a binder. Therefore, the adhesion resistance 1 (filling rate) of the photostimulable phosphor is approximately twice that of the conventional radiation image conversion panel, and the radiation absorption rate per unit thickness of the photostimulable phosphor layer is improved. Not only is it more sensitive to radiation than an image conversion panel, but it also improves image graininess.

また、本発明に係る放射線画像変換パネルの輝尽性螢光
体層は結着剤を含有しておらず、また輝尽性螢光体層が
微細結晶化しているので、輝尽励起光及び輝尽発光の指
向性に優れており、輝尽励起光および輝尽発光の透過性
が高く、従来の分散型の放射線画像変換パネルより層厚
を厚くすることが可能である。
Furthermore, the photostimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel according to the present invention does not contain a binder, and since the photostimulable phosphor layer is finely crystallized, it is possible to It has excellent directionality of stimulated luminescence, high transmittance of stimulated excitation light and stimulated luminescence, and can be made thicker than conventional dispersed radiation image conversion panels.

さらに、本発明に係る放射線画像変換パネルの輝尽性螢
光体層は前述のように指向性に優れているため、輝尽励
起光の輝尽性螢光体層中での散乱が減少し、従来の分散
型放射線画像変換パネル及び透明な輝尽性螢光体層を有
する従来の気相堆積型放射線画像変換パネルより画像の
鮮鋭性が著しく向上する。
Furthermore, since the photostimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel according to the present invention has excellent directivity as described above, scattering of the photostimulable excitation light in the photostimulable phosphor layer is reduced. , image sharpness is significantly improved over conventional dispersion type radiation image conversion panels and conventional vapor deposition type radiation image conversion panels having a transparent photostimulable phosphor layer.

本発明に係る放射線画像変換パネルにおいて用いられる
支持体としては各種高分子材料、ガラス、金属等が用い
られ、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフ
ィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリア
ミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフ
ィルム、ポリカーボネイトフィルム等のプラスチックフ
ィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シート
或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好まし
い。
Various polymeric materials, glass, metals, etc. are used as the support for the radiation image conversion panel according to the present invention, and examples include cellulose acetate film, polyester film, polyethylene terephthalate film, polyamide film, polyimide film, triacetate film, and polycarbonate film. Plastic films such as, metal sheets such as aluminum, iron, copper, chromium, etc., or metal sheets having a coating layer of the metal oxides are preferable.

これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性螢
光体層との接着性を向上させる目的でマット面としても
よいし、反射層あるいは吸収層を設けてもよい。また、
支持体の表面は第7図(a)に示すような凹凸面41と
してもよいし、(b)に示すように隔絶されたタイル状
板43を敷きつめた構造でもよい。第7図(a)の場合
には輝尽性螢光体層がW7図(C)の断面図に示すよう
に凹凸面41によって細分化されるので画像の鮮鋭性が
一段と向上する。第7図(b)の場合には輝尽性螢光体
層が支持体のタイル状板43の輪郭を維持しながら堆積
するので、結果的には輝尽性螢光体層は第7図(d)の
断面図に示すように亀裂46によって隔絶された輝尽性
螢光体の柱状ブロック45から成るため、画像の鮮鋭性
が一段と向上する。
The surface of these supports may be smooth, or may be matte for the purpose of improving adhesion to the stimulable phosphor layer, or may be provided with a reflective layer or an absorbing layer. Also,
The surface of the support may have an uneven surface 41 as shown in FIG. 7(a), or may have a structure in which spaced tile-like plates 43 are laid out as shown in FIG. 7(b). In the case of FIG. 7(a), the stimulable phosphor layer is subdivided by the uneven surface 41 as shown in the cross-sectional view of FIG. 7(C), so that the sharpness of the image is further improved. In the case of FIG. 7(b), the photostimulable phosphor layer is deposited while maintaining the outline of the tile-like plate 43 of the support, and as a result, the photostimulable phosphor layer is deposited as shown in FIG. As shown in the cross-sectional view of (d), the image is composed of columnar blocks 45 of photostimulable phosphor separated by cracks 46, so that the sharpness of the image is further improved.

さらにこれら支持体は、輝尽性螢光体層との接着性を向
上させる目的で輝尽性螢光体層が設けられる面に下引層
を設けてもよい。また、これら支持体の層厚は用いる支
持体の材質等によって異なるが、一般的には80μm〜
2000μmであり、取扱い上の点からさらに好ましく
は80μm〜10oOμmである。
Furthermore, these supports may be provided with a subbing layer on the surface on which the photostimulable phosphor layer is provided for the purpose of improving adhesion to the photostimulable phosphor layer. In addition, the layer thickness of these supports varies depending on the material of the support used, but generally 80 μm ~
The thickness is 2000 μm, and more preferably 80 μm to 100 μm from the viewpoint of handling.

本発明に係る放射線画像変換パネルに於ては、一般的に
前記輝尽性螢光体層が露呈する面に、輝尽性螢光体層を
物理的にあるいは化学的に保護するための保護層が設け
られてもよい。この保護層は、保護層用塗布液を輝尽性
螢光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あるいは
あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性螢光体層上に接
着してもよい。保護層の材料としては酢酸セルロース、
ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネ
ート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン等の通常の保護
層用材料が用いられる。
In the radiation image conversion panel according to the present invention, protection for physically or chemically protecting the photostimulable phosphor layer is generally provided on the surface where the photostimulable phosphor layer is exposed. Layers may be provided. This protective layer may be formed by directly applying a protective layer coating solution onto the stimulable phosphor layer, or by adhering a separately formed protective layer onto the stimulable phosphor layer. It's okay. The material for the protective layer is cellulose acetate,
Common protective layer materials such as nitrocellulose, polymethyl methacrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polycarbonate, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene, vinylidene chloride, nylon, etc. are used.

また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により
、SiC! 、  310.、  SiN 、  k1
20.などの無機物質を積、1して形成してもよい。こ
れらの保護層の層厚は一般には0.1μm〜100μm
程度が好ましい。
In addition, this protective layer is formed using SiC! by vapor deposition, sputtering, etc. , 310. , SiN, k1
20. It may also be formed by stacking inorganic substances such as. The thickness of these protective layers is generally 0.1 μm to 100 μm.
degree is preferred.

本発明に係る放射線画像変換パネルは第8図に概略的に
示される放射線画像変換方法に用いられた場合、優れた
鮮鋭性、粒状性及び感度を与える。
The radiographic image conversion panel according to the present invention provides excellent sharpness, graininess and sensitivity when used in the radiographic image conversion method shown schematically in FIG.

すなわち、第8図に於て、51は放射線発生装置、62
は被写体、53は本発明に係る放射線画像変換パネル、
54は輝尽励起光源、55は該放射線画像変換パネルよ
り放射された輝尽発光を検出する光電変換装置、56は
55で検出された信号を画像として再生する装置、57
は再生された画像を表示する装置、58は輝尽励起光と
輝尽発光とを分離し、輝尽発光のみを透過させるフィル
ターである。尚55以降は53からの光情報を何らかの
形で画像として再生できるものであればよく、上記に限
定されるものではない。
That is, in FIG. 8, 51 is a radiation generating device, and 62 is a radiation generating device.
is a subject, 53 is a radiation image conversion panel according to the present invention,
54 is a stimulated excitation light source; 55 is a photoelectric conversion device that detects stimulated luminescence emitted from the radiation image conversion panel; 56 is a device that reproduces the signal detected by 55 as an image; 57
58 is a device for displaying a reproduced image, and 58 is a filter that separates stimulated excitation light and stimulated luminescence and allows only stimulated luminescence to pass through. It should be noted that the elements after 55 are not limited to the above, as long as they can reproduce the optical information from 53 as an image in some form.

第8図に示されるように、放射線発生装置51からの放
射線は被写体52を通して本発明に係る放射線画像変換
パネル53に入射する。この入射した放射線は放射線画
像変換パネル53の輝尽性螢光体層に吸収され、そのエ
ネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成され
る。次にこの蓄M像を輝尽励起光源54からの輝尽励起
光で励記して輝尽発光として放出せしめる。放射線画像
変換パネル53は、輝尽性螢光体層が微細結晶化して輝
尽性螢光体層の輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く
なるため上記輝尽励起光による走査の際に、輝尽励起光
が輝尽性螢光体層中で拡散するのが抑制される。
As shown in FIG. 8, radiation from a radiation generating device 51 enters a radiation image conversion panel 53 according to the present invention through a subject 52. This incident radiation is absorbed by the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel 53, its energy is accumulated, and an accumulated radiation image is formed. Next, this stored M image is excited with stimulated excitation light from the stimulated excitation light source 54 to emit stimulated luminescence. In the radiation image conversion panel 53, the photostimulable phosphor layer is finely crystallized and the directivity of the stimulated excitation light and stimulated luminescence of the photostimulable phosphor layer becomes high, so that the scanning by the above-mentioned stimulated excitation light is improved. At the same time, diffusion of the photostimulable excitation light in the photostimulable phosphor layer is suppressed.

放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置55で光電変換し、画像再生装置56
によって画像として再生し、画像表示装置57によって
表示することにより、被写体の放射線透過像を観察する
ことができる。
Since the strength of the emitted stimulated luminescence is proportional to the amount of accumulated radiation energy, this optical signal is photoelectrically converted by a photoelectric conversion device 55 such as a photomultiplier tube, and an image reproduction device 56
By reproducing the image as an image and displaying it on the image display device 57, a radiographic image of the subject can be observed.

(実施例) 次に本発明を実f七例により説明する。(Example) Next, the present invention will be explained using seven practical examples.

実施例1 支持体として500μm厚の化学強化ガラスを平板型高
周波スパッタリング装置の真空槽中に設置した。ターゲ
ットとしてはRbBr : O,0O06TJアル力リ
ハライド輝尽性螢光体をプレスにより平板状に加工した
ものを用いた。続いてスパッタリング装置を5 X I
 OTorrまで排気した後、スパッタリングガスとし
てArを導入して4 X I OTorrのガス圧とし
た。
Example 1 A chemically strengthened glass having a thickness of 500 μm was placed as a support in a vacuum chamber of a flat plate type high frequency sputtering apparatus. As a target, a RbBr:O,0O06TJ alkaline rehalide stimulable phosphor processed into a flat plate shape by pressing was used. Subsequently, the sputtering device was
After exhausting to OTorr, Ar was introduced as a sputtering gas to obtain a gas pressure of 4×I OTorr.

次いで支持体を200℃に加熱保持しながら電極間に1
3.56MHzの高周波電力を供給してスパッタリング
を行なった。目的とする輝尽性螢光体層を得るために膜
厚モニタによりスパッタリング速度を検出し、スパッタ
リング速度が2X1dA/分となるようにコントロール
した。輝尽性螢光体層の層厚が200μmとなったとこ
ろでスパッタリングを終了させ、本発明の製造方法によ
る放射線画像変換パネルAを得た。
Next, while heating and maintaining the support at 200°C, a
Sputtering was performed by supplying high frequency power of 3.56 MHz. In order to obtain the desired stimulable phosphor layer, the sputtering rate was detected using a film thickness monitor, and the sputtering rate was controlled to be 2×1 dA/min. Sputtering was terminated when the thickness of the stimulable phosphor layer reached 200 μm, and a radiation image conversion panel A was obtained by the manufacturing method of the present invention.

このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Aに管電圧80 KVpのX線をI Q mR照射した
後、He −Noレーザ光(633um )で輝尽励起
し、輝尽性螢光体層から放射される輝尽発光を光演出器
(光電子増倍管)で光電変換し、この信号を画像再生装
置によって画像として再生し、銀塩フィルム上に記録し
た。信号の大きさより、放射線画像変換パネルAのX線
に対する感度を調べ、また得られた画像より、画像の変
調伝達関数(MT?)および粒状性を調べ第1表Gこ示
す。
The thus obtained radiation image conversion panel A of the present invention was irradiated with X-rays at a tube voltage of 80 KVp for IQ mR, and then stimulated with He-No laser light (633 um) to produce photostimulable fluorescence. Stimulated luminescence emitted from the body layer was photoelectrically converted using a light director (photomultiplier tube), and this signal was reproduced as an image by an image reproducing device and recorded on a silver salt film. The sensitivity of the radiation image conversion panel A to X-rays was investigated based on the signal magnitude, and the modulation transfer function (MT?) and granularity of the image were investigated using the obtained images, as shown in Table 1G.

第1表に於て、X線に対する感度は本発明の放射線画像
変換パネルAを100として相対値で示しである。また
、変調伝達関数(MTIF)は、空間周波数が2サイク
ル/ msの時の甑であり、粒状性は(良い、普通、悪
い)をそれぞれ(○、△。
In Table 1, the sensitivity to X-rays is expressed as a relative value, with the radiation image conversion panel A of the present invention being taken as 100. In addition, the modulation transfer function (MTIF) is the value when the spatial frequency is 2 cycles/ms, and the graininess is (good, average, bad) (○, △).

X)で示しである。It is indicated by X).

実施例2 実施例1に於て、第1図に示す高周波ス、<ツタリング
装置に変更した以外は実施例1と同様にして本発明によ
る放射線画像変換パネルBを得た。
Example 2 A radiographic image conversion panel B according to the present invention was obtained in the same manner as in Example 1, except that the high-frequency wave and the tsuttering device shown in FIG. 1 were used.

このようにして得られた本発明による放射線画像変換パ
ネルBは、実施例1と同様にして評価し、結果を第1表
に併記する。
The radiation image conversion panel B according to the present invention thus obtained was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are also listed in Table 1.

実施例3 実施例1に於て、ターゲットとしてアルカリハライド輝
尽性螢光体を用いる代わりに、アルカリハライド輝尽性
螢光体原料(RbBr 1モル、 TlBr0.000
6モルの混合物ンを用いた以外は実施例1と同様にして
本発明による放射線画像変換パネルCを得た。
Example 3 In Example 1, instead of using an alkali halide stimulable phosphor as a target, alkali halide stimulable phosphor raw materials (RbBr 1 mol, TlBr 0.000
A radiation image conversion panel C according to the present invention was obtained in the same manner as in Example 1 except that 6 mol of the mixture was used.

このようにして得られた本発明による放射線画像変換パ
ネルCは実施例1と同様にして評価し、結果を第1表に
併記する。
The radiation image conversion panel C according to the present invention thus obtained was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are also listed in Table 1.

比較例1 アルカリハライド輝尽性螢光体(RbEr : 0.0
006Tl ) 8重量部とポリビニルブチラール君脂
1重量部とを溶剤(シクロヘキサノン)5重1部を用い
て混合・分散し、輝尽性螢光体層用塗布液を調整した。
Comparative Example 1 Alkali halide stimulable phosphor (RbEr: 0.0
006Tl) and 1 part by weight of polyvinyl butyral resin were mixed and dispersed using 5 parts by weight of a solvent (cyclohexanone) to prepare a coating solution for a stimulable phosphor layer.

次にこの塗布液を水平に置いた500μm厚の支持体と
しての化学強化ガラス上に均一に塗布し、自然乾燥させ
て200μm厚の輝尽性螢光体層を形成した。
Next, this coating solution was uniformly applied onto a 500 μm thick chemically strengthened glass support placed horizontally and air dried to form a 200 μm thick stimulable phosphor layer.

このようにして得られた比較による放射線画像変換パネ
ルPは実施例工と同様にして評価し、結果を第1表に併
記する。
The comparative radiation image conversion panel P obtained in this way was evaluated in the same manner as the example construction, and the results are also listed in Table 1.

第  1  表 第1表より朋らかなように本発明による放射線画像変換
パネルA−Cは、比較による放射線画像変換パネルPに
比べてX線感度が約2倍高くしかも画像の粒状性が優れ
ていた。これは本発明による放射線画像変換パネルは輝
尽性螢光体層が微細結晶化し、輝尽励起光及び輝尽発光
の指向性が高いことと、輝尽性螢光体の充填率が比較に
よるパネルに比べて高<xmの吸収率が良いためである
Table 1 As clearly shown in Table 1, the radiation image conversion panels A to C according to the present invention have an X-ray sensitivity that is about twice as high as that of the comparative radiation image conversion panel P, and also have excellent image graininess. Ta. This is because in the radiation image conversion panel according to the present invention, the photostimulable phosphor layer is finely crystallized, and the directivity of stimulated excitation light and stimulated luminescence is high, and the filling rate of the photostimulable phosphor is comparatively high. This is because the absorption rate of high<xm is better than that of a panel.

また、本発明による放射線画像変換パネルA〜Cは比較
による放射線画像変換パネルPに比べてX線感度が高い
にもかかわらず鮮鋭性の点でも優れていた。これも、本
発明による放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体層が微
細結晶の構造を有し、輝尽励起光の指向性が高いために
、輝尽励起光であるHe −Neレーザの輝尽性螢光体
層中での散乱が減少するためである。
Furthermore, the radiation image conversion panels A to C according to the present invention were superior in sharpness to the comparison radiation image conversion panel P despite having higher X-ray sensitivity. This is also because the photostimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel according to the present invention has a fine crystal structure and the directivity of the photostimulated excitation light is high. This is because scattering in the stimulable phosphor layer is reduced.

実施例4 実施例1に於て、スパッタリング速度を8 X 10’
X/分とし、輝尽性螢光体層厚を50μmとしたこと以
外は実施例1と同様にして本発明による放射線画像変換
パネルDを得た。
Example 4 In Example 1, the sputtering rate was changed to 8 x 10'
A radiation image conversion panel D according to the present invention was obtained in the same manner as in Example 1 except that the stimulable phosphor layer thickness was 50 μm.

このようにして得られた本発明による放射線画像変換パ
ネルDは実施例1と同様にして評価し、結果を第2表に
示す。
The radiation image conversion panel D according to the present invention thus obtained was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 2.

実施例5 実施例1に於て、スパッタリング速度を3 X 103
X/分とし、輝尽性螢光体層厚を50μmとしたこと以
外は実施例1と同条にして本発明による放射線画像変換
パネルEを得た。
Example 5 In Example 1, the sputtering rate was changed to 3×103
A radiation image conversion panel E according to the present invention was obtained in the same manner as in Example 1 except that the stimulable phosphor layer thickness was 50 μm.

このようにして得られた本発明による放射線画像変換パ
ネルEは実施例1と同様にして評価し、結果を第2表に
併記する。
The radiation image conversion panel E according to the present invention thus obtained was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are also listed in Table 2.

比較例2 実施例1に於て、スパッタリング速度を5 X 10”
X7分とし、輝尽性螢光体層厚を50μmとしたこと以
外は実施例1と同様にして比較による透明輝尽性螢光体
層を有する放射線画像変換ノセネルQを得た。
Comparative Example 2 In Example 1, the sputtering speed was changed to 5×10”
A comparative radiation image converting Nosenel Q having a transparent stimulable phosphor layer was obtained in the same manner as in Example 1 except that the stimulable phosphor layer thickness was 50 μm.

このようにして得られた比較による放射線画像変換パネ
ルQは実施例1と同様にして評価し、結果を第2表に併
記する。
The comparative radiation image conversion panel Q thus obtained was evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are also listed in Table 2.

第  2  表 第2表より明らかなように本発明による放射線画像変換
パネルD、Eは比較による放射線画像変換パネルQより
画像の鮮鋭性が擾れていた。これは比較による放射線画
像変換パネルQは輝尽性螢光体層が透明であり輝尽励起
光の横方向への広がりが大きく、鮮鋭性が劣化したため
である。
Table 2 As is clear from Table 2, the radiation image conversion panels D and E according to the present invention had poorer image sharpness than the comparative radiation image conversion panel Q. This is because the comparison radiation image conversion panel Q had a transparent photostimulable phosphor layer, and the photostimulable excitation light spread widely in the lateral direction, resulting in poor sharpness.

実施例6 実施例1に於てターゲットとしてアルカリハライドカI
I尽性螢光本を用いる代わりに、EaFBr :0.0
OIH:u′N尽性帯性螢光体いた以外は実施例1と同
様にして本発明による放射線画像変換パネル7を得た。
Example 6 Alkali halide catalyst I was used as the target in Example 1.
Instead of using an exhaustive fluorochrome, EaFBr: 0.0
A radiation image conversion panel 7 according to the present invention was obtained in the same manner as in Example 1 except that the OIH:u'N exhaustible band phosphor was used.

このようにして得られた本発明による放射線画像変換パ
ネルFは高鮮鋭性であり、2サイクル/mmでのM’l
’lFは47%であった。
The radiation image conversion panel F according to the present invention obtained in this way has high sharpness and M'l at 2 cycles/mm.
'IF was 47%.

(発明の効果) 設計特性を現出する輝尽性螢光体組成を忠実に写しとっ
た気相堆積層を形成する手段として該組成の輝尽性螢光
体を表面から均一に蒸発させる高周波スパッタリング法
を採用し、設計と製品との間の性能偏倚を排除し、品質
の保証性を高めると共に安定した信頼性のある生産工卑
とすることができる。
(Effect of the invention) As a means of forming a vapor phase deposited layer that faithfully copies the composition of the photostimulable phosphor that exhibits the designed characteristics, high frequency waves are used to uniformly evaporate the photostimulable phosphor having the composition from the surface. Adopting the sputtering method eliminates performance deviations between design and product, improves quality assurance, and provides a stable and reliable production process.

また、本発明によれば、輝尽性螢光体層が微細結晶化し
て不透明であるため輝尽励起光の横への広がりが抑制さ
れ、画像の鮮鋭性が向上する。
Further, according to the present invention, since the photostimulable phosphor layer is finely crystallized and opaque, the horizontal spread of the photostimulable excitation light is suppressed, and the sharpness of the image is improved.

本発明は、その効果が極めて大きく工業的に有用である
The present invention has extremely large effects and is industrially useful.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に用いられる高屓波スパッタリング装置
の概要図、第2図は平板型高周波マグネトロン・スパッ
タリング装置のターゲット陰、i付近の構造を示す。第
3図は円型高周波マグネトロン・スパッタリング装置の
概要図、第4図は同軸同筒型高周波マグネトロン・スパ
ッタリング装置概要平面図、第5図はイオンビーム・ス
パッタリング装置の概要図である。 第6図は本発明によってえられる放射線画像変換パネル
の特性図である。 第7図は本発明に係る支持体の輝尽性螢光体を堆積せさ
る側の素地面の例及び堆積層の断面を示す。 第8図は放射線画像変換の説明図である。 第9図は付活剤Tlの輝尽性螢光体中濃度と発光強度の
関係を示す図である。また第10図は透明な輝尽性螢光
体層を有する変換パネルの輝尽励起光のハレーションを
示す脱’71である。 l・・・ペルジャー(真空槽)、 2・・・高周波電源、     3・・・シャッター、
4・・・支持体、       5・・・ターゲット、
6・・・ターゲット電極、   7・・・対向電極、8
・・・スパッタリングガス導入口、 9・・・シールド板、、、      10・・・膜厚
モニター、11・・・マンチングボソクス、 14・・・マゲネノト、2o・・・磁場、21・・・プ
ラズマリング。 出願人  小西六写真工業株式会社 21  プ今h−マ・1ン1′ 59−イγド 30 Hス東しンス゛ 31 ・ ベーXン三心、 32・ ペイ75・・−ム 第8図 第9図 T I ;肱[rnole・t、1 第10図 L 程、♂励た杷
FIG. 1 is a schematic diagram of a high frequency wave sputtering apparatus used in the present invention, and FIG. 2 shows a structure near the target shadow i of the flat plate type high frequency magnetron sputtering apparatus. FIG. 3 is a schematic diagram of a circular high-frequency magnetron sputtering device, FIG. 4 is a schematic plan view of a coaxial, co-cylindrical high-frequency magnetron sputtering device, and FIG. 5 is a schematic diagram of an ion beam sputtering device. FIG. 6 is a characteristic diagram of the radiation image conversion panel obtained by the present invention. FIG. 7 shows an example of the base surface of the support according to the present invention on which the stimulable phosphor is deposited, and a cross section of the deposited layer. FIG. 8 is an explanatory diagram of radiation image conversion. FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the concentration of the activator Tl in the stimulable phosphor and the luminescence intensity. Further, FIG. 10 is a diagram showing the halation of stimulated excitation light in a conversion panel having a transparent photostimulable phosphor layer. l...Pelger (vacuum chamber), 2...High frequency power supply, 3...Shutter,
4...Support, 5...Target,
6...Target electrode, 7...Counter electrode, 8
... Sputtering gas inlet, 9... Shield plate, 10... Film thickness monitor, 11... Munching box, 14... Magnetic field, 2o... Magnetic field, 21... plasma ring. Applicant: Konishi Roku Photo Industry Co., Ltd. 21 Print h-ma 1' 59-Igm 30 H East Shinsun 31 ・ Ba Xun Sanshin 32 ・ Pei 75...-m Figure 8 9 T

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)スパッタリング法により少なくとも一層の輝尽性
蛍光体層を形成する放射線画像変換パネルの製造方法に
於て、前記輝尽性蛍光体層の堆積速度AがA≧2×10
^3Å/分の範囲に含まれることを特徴とする放射線画
像変換パネルの製造方法。
(1) In a method for manufacturing a radiation image conversion panel in which at least one stimulable phosphor layer is formed by a sputtering method, the deposition rate A of the stimulable phosphor layer is A≧2×10
A method for manufacturing a radiation image conversion panel, characterized in that the conversion rate is within the range of ^3 Å/min.
(2)前記堆積速度Aが5×10^3Å/分≦A≦5×
10^5Å/分である特許請求の範囲第1項記載の放射
線画像変換パネルの製造方法。
(2) The deposition rate A is 5×10^3 Å/min≦A≦5×
10. The method for manufacturing a radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the rate is 10^5 Å/min.
(3)前記スパッタリング法が高周波スパッタリング法
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項または第
2項記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
(3) The method for manufacturing a radiation image conversion panel according to claim 1 or 2, wherein the sputtering method is a high frequency sputtering method.
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