JPS619888A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS619888A JPS619888A JP59129305A JP12930584A JPS619888A JP S619888 A JPS619888 A JP S619888A JP 59129305 A JP59129305 A JP 59129305A JP 12930584 A JP12930584 A JP 12930584A JP S619888 A JPS619888 A JP S619888A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- elements
- bubble
- memory element
- magnetic bubble
- bonding pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は積層構造の採用により高密度化を図る磁気バブ
ルメモリ素子に関する。
ルメモリ素子に関する。
近年、電子計算機の記憶装置として磁気バブルを利用し
たメモリ装置が急速に実用化されるようになってきた。
たメモリ装置が急速に実用化されるようになってきた。
従来の磁気バブルメモリ素子は、第１図１こ示すように
、通常Ｇ（）Ｇ （ガドリウｌ、・ガリウム・ガーネッ
ト）の単結晶からなり、厚みが約０．４５ｍｍの基板結
晶Ｉ上ζこ、バブルガーネット膜２を形成し、更にその
上にバブル駆動パターンを形成してなる。バブル駆動パ
ターンを形成したパブルガーネ゛ント膜２の厚みは約６
μｍであり、素子全体の総厚ａは約０４５〜０４６個と
なっている。３はバブル発生器、検出器、ゲート、記憶
部等で構成される有効エリヤを示し、また４は各ゲート
、発生器、検出器に電流を供給するポンディングパッド
部である。ポンディングパッド部４はデバイスのグイボ
ンディング時にボンディング配線５を介して基板上の配
線と接続される。
、通常Ｇ（）Ｇ （ガドリウｌ、・ガリウム・ガーネッ
ト）の単結晶からなり、厚みが約０．４５ｍｍの基板結
晶Ｉ上ζこ、バブルガーネット膜２を形成し、更にその
上にバブル駆動パターンを形成してなる。バブル駆動パ
ターンを形成したパブルガーネ゛ント膜２の厚みは約６
μｍであり、素子全体の総厚ａは約０４５〜０４６個と
なっている。３はバブル発生器、検出器、ゲート、記憶
部等で構成される有効エリヤを示し、また４は各ゲート
、発生器、検出器に電流を供給するポンディングパッド
部である。ポンディングパッド部４はデバイスのグイボ
ンディング時にボンディング配線５を介して基板上の配
線と接続される。
基板結晶１の平面度は、最近、非常に良好なものが得ら
れるようになり、複数の素子を積層しても、各素子のデ
バイス取付治具に対する傾き角のバラツキを容易に許容
値以内に入れることが出来る。また、磁気バブルを保持
するＬ Ｐ Ｅ膜の特性が向上し、バブル消減磁界Ｈ６
、飽和磁化４πＭｓ、バブル径ｄ等の特性のバラツキも
非常に少なくなり、複数の磁気バブル素子を積層し１デ
バイス内に組込むことが可能となっている。
れるようになり、複数の素子を積層しても、各素子のデ
バイス取付治具に対する傾き角のバラツキを容易に許容
値以内に入れることが出来る。また、磁気バブルを保持
するＬ Ｐ Ｅ膜の特性が向上し、バブル消減磁界Ｈ６
、飽和磁化４πＭｓ、バブル径ｄ等の特性のバラツキも
非常に少なくなり、複数の磁気バブル素子を積層し１デ
バイス内に組込むことが可能となっている。
しかし従来の磁気バブルメモリ素子は、積層させる各素
子の大きさがすべて同一なので、積層するとボンディン
グバットが隠れてしまい、ボンディングが不能となると
いう欠点を有していた。
子の大きさがすべて同一なので、積層するとボンディン
グバットが隠れてしまい、ボンディングが不能となると
いう欠点を有していた。
本発明の目的は、多段の積層構造にしてもポンディング
パッドの隠わがなく、容易にボンディングを行うことが
できる磁気バブルメモリ素子を提供することにある。
パッドの隠わがなく、容易にボンディングを行うことが
できる磁気バブルメモリ素子を提供することにある。
本発明は上記目的を達成するため（こ、複数の素子上に
設けられたボンディング用パッド部の位置及び素子の外
形寸法を各素子ごと（と異ならせて形成し、これらの素
子を大きいものから小さいものへ順次積重ねて積層構造
にし、デバイス基板上にグイボンディングしたことを特
徴とする。
設けられたボンディング用パッド部の位置及び素子の外
形寸法を各素子ごと（と異ならせて形成し、これらの素
子を大きいものから小さいものへ順次積重ねて積層構造
にし、デバイス基板上にグイボンディングしたことを特
徴とする。
以下、本発明の一実施例を第２図１こより説明する。１
０．２０．３０．４０は外形寸法がζ−の順序で順次小
さく形成されたメモリ素子であり、ＧＧＧからなる基板
結晶１１上にバプルガーネ゛ソト膜及びバブル駆動パタ
ーン１２を形成してなり、端□部にボンディング用パッ
ド部】３が設けられており、各素子ごとｔこ位置をずら
して形成されている。隣接する２素子の間の寸法差を片
側でＢとすれば、メモリ素子１０吉４０とでは６ｘＢだ
けメモリ素子１０の方が大きい。通常Ｂの値は１００μ
ｍもあれば十分なので、メモリ素子１０と４０との寸法
差は片側３００μｍ１両側で６００μｍとなる。１４は
バブル発生器、検出器、ゲート、記憶部等で構成される
有効エリヤである。各素子１０〜４０上の四隅には積層
用合せマーク１５が設けらｎており、この積層用合せマ
ーク１５を用いて４個の素子１０〜４０を積層し、接着
剤１６により貼着して一体の磁気バブルメモリ素子が形
成されている。
０．２０．３０．４０は外形寸法がζ−の順序で順次小
さく形成されたメモリ素子であり、ＧＧＧからなる基板
結晶１１上にバプルガーネ゛ソト膜及びバブル駆動パタ
ーン１２を形成してなり、端□部にボンディング用パッ
ド部】３が設けられており、各素子ごとｔこ位置をずら
して形成されている。隣接する２素子の間の寸法差を片
側でＢとすれば、メモリ素子１０吉４０とでは６ｘＢだ
けメモリ素子１０の方が大きい。通常Ｂの値は１００μ
ｍもあれば十分なので、メモリ素子１０と４０との寸法
差は片側３００μｍ１両側で６００μｍとなる。１４は
バブル発生器、検出器、ゲート、記憶部等で構成される
有効エリヤである。各素子１０〜４０上の四隅には積層
用合せマーク１５が設けらｎており、この積層用合せマ
ーク１５を用いて４個の素子１０〜４０を積層し、接着
剤１６により貼着して一体の磁気バブルメモリ素子が形
成されている。
上記実施例において、ＧＧＧからなる基板結晶１１はダ
イシング前に再研磨し、元の厚さ０．４５咽から０．１
５ｍｍに研磨加工し平坦度を向上させ、かつ、総厚を従
来の柄程度に薄く形成している。
イシング前に再研磨し、元の厚さ０．４５咽から０．１
５ｍｍに研磨加工し平坦度を向上させ、かつ、総厚を従
来の柄程度に薄く形成している。
したがってデバイスの総厚Ａは約０．６０ｍｍになって
いる。
いる。
なお、上記実施例においては、各素子を接着剤１６（こ
より積層固定したが、デバイス基板上で積層し、各素子
間を機械的（こ固定しレジン等で固めることもできる。
より積層固定したが、デバイス基板上で積層し、各素子
間を機械的（こ固定しレジン等で固めることもできる。
また、ボンディング用パッド部が素子の両側に存在する
場合について述べたが、片側のみｔこある場合（こつい
ても同様（こ適用可能である。
場合について述べたが、片側のみｔこある場合（こつい
ても同様（こ適用可能である。
本実施例によれば、各素子の記憶密度をＩＭｂとして、
４個の素子を積層したので、１デバイス当り４Ｍｂの容
量となる。
４個の素子を積層したので、１デバイス当り４Ｍｂの容
量となる。
以上の説明から明らかなように、本発明（こよれば、積
層する各素子の大きさを異ならせることにより、多層の
積層構造にしても容易にボンディングを行うことができ
、高密度の実装が可能である。
層する各素子の大きさを異ならせることにより、多層の
積層構造にしても容易にボンディングを行うことができ
、高密度の実装が可能である。
従って各素子当りのデバイスの部品数が減少し、ビット
コスト低減に多大な効果が得られる。
コスト低減に多大な効果が得られる。
第１図は従来の磁気バブルメモリ素子がデバイス基板上
にダイボンディングされている状態の斜視図、第２図は
本発明による積層化された磁気バブルメモリ素子の一実
施例の斜視図である。 １１・・・基板結晶、 １２・・・バブルガ・−ネ
ット膜、１３・・・ボンディング用パッド部、 １
５・・・積層用合せマーク、 １６・・・接着剤。
にダイボンディングされている状態の斜視図、第２図は
本発明による積層化された磁気バブルメモリ素子の一実
施例の斜視図である。 １１・・・基板結晶、 １２・・・バブルガ・−ネ
ット膜、１３・・・ボンディング用パッド部、 １
５・・・積層用合せマーク、 １６・・・接着剤。
Claims (1)
- 複数の素子を積層固着してなる磁気バブルメモリ素子に
おいて、前記各素子上に設けられたボンディング用パッ
ド部の位置及び素子の外形寸法を各素子ごとに異ならせ
て形成し、これらの素子を大きいものから小さいものへ
順次積み重ねて積層構造にし、デバイス基板上にダイボ
ンディングしたことを特徴とする磁気バブルメモリ素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59129305A JPS619888A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59129305A JPS619888A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS619888A true JPS619888A (ja) | 1986-01-17 |
Family
ID=15006274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59129305A Pending JPS619888A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS619888A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE37426E1 (en) | 1988-09-05 | 2001-10-30 | Seiko Epson Corporation | Floppy disk dive device |
-
1984
- 1984-06-25 JP JP59129305A patent/JPS619888A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE37426E1 (en) | 1988-09-05 | 2001-10-30 | Seiko Epson Corporation | Floppy disk dive device |
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