JPS6197553A - ウランの濃縮度測定方法 - Google Patents

ウランの濃縮度測定方法

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JPS6197553A
JPS6197553A JP59219446A JP21944684A JPS6197553A JP S6197553 A JPS6197553 A JP S6197553A JP 59219446 A JP59219446 A JP 59219446A JP 21944684 A JP21944684 A JP 21944684A JP S6197553 A JPS6197553 A JP S6197553A
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JP
Japan
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light
gas
laser
piping
uranium
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JP59219446A
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English (en)
Inventor
Yasuo Kida
木田 康夫
Yoshio Araki
義雄 荒木
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/39Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using tunable lasers

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Monitoring And Testing Of Nuclear Reactors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野1 本発明は容器・配!(以下配管と記す)内に存在する六
フッ化ウラン(以下UF6ガスと記す)のウラン濃縮度
をその配管からサンプリングすることなく、オンライン
で測定できるようにしたウランの濃縮度測定方法に関す
る。
[発明の技術的背景とその問題点] 通常、配管内に流通または存在するUFsF2ガスラン
濃縮度を測定するには、配管内からUF6をサンプリン
グし、質m分析装置に導入してその濃度を測定する方法
と、配管の外面に放射線検出器を設けてγ線を計測する
方法とが採用されている。
しかしながら、前者の質量分析装置を使用する方法では
、全体の装置が大形、高価となり、加えてサンプリング
装置を必要とすることから、その保守が複雑になるとい
う問題があった。一方後者の配管の外面に設けたγ線検
出器による測定方法は非破壊測定手段として近年よく用
いられている。
しかしながら、γ線による濃縮度測定では、低圧のUF
sガスを測定対象とする場合必要な精度を得るには長時
間測定しなければならない。また、配管に対して正確に
γ線検出器を設定しなければ再現性が悪化する。さらに
不要なγ線の遮蔽のために鉛遮蔽体を配管や検出器の周
囲に設置しなければならない等取扱いについて種々な問
題点がある。
「発明の目的」 本発明の目的は、上記問題点を解決するためになされた
もので、配管内のUFgガスの濃縮度をサンプリングす
ることなく非破壊で、かつ短時間に小型軽量なり4置で
測定可能なウランの濃縮度測定方法を提供することにあ
る。
[発明の概要] 本発明に係るウランの濃縮度測定方法は配管内のUFs
ガスにレーザ光を照射し、少なくとも2対の波長のレー
ザ発光する発光体と正対して取付けられた受光体でその
強度を測定し、U F sガスにおけるレーザ光の吸収
率を算出し、この2つ以上の吸収率とLJF6ガスの既
知である同位体のシフト波長からUF6ガス中の同位体
の濃縮度を算出することを特徴とするものである。
[発明の実施例] 以上本発明に係るウラン濃縮度測定方法の一実施例につ
いて説明するに当り、まずその測定装置を示す第1図に
ついて説明する。
第1図においてUFsガスは、配管1を通して他方の図
示してない装置へ移送せられる。この配管1内には、レ
ーザ光の2対の発光体4.5と受光体6.7とを対向す
るよう設けている。レーザ光の発光体4.5および受光
体6.7はそれぞれ配管1内に取付け、冶具3を介して
、または、ガラスなどのレーザ光を透過する媒体を介在
させて配管の外に取付ける方法かあるが、第1図は、配
管1内に取付用圧2に取付は治具3を介して設置した例
を示している。レーザ光の発光体4.5と受光体6.7
は発光体4.5の発光するレーザ光を受光体6.7で測
定することにより、配管1内を流れるLIFsガスのレ
ーザ光の吸収率を求めるものである。
これらのレーザ光の発光体4.5および受光体6.7は
、それぞれ制御演算装置8に接続されている。この演算
制御装置8は、レーザ光の受光体6.7からのレーザ光
の受光強度測定値からUF6ガス濃縮度の算出と、レー
ザ光の発光・受光の順次行なうことにより、たとえば、
発光体4のレーザ光を受光する受光体7が他の発光体5
からのレーザ光の干渉を受けないように制御するもので
ある。
第1図の装置を用いて、濃縮度の測定方法を説明する前
にまず、UFsガスのレーザ光吸収率と濃縮度の関係を
説明する。
UF6ガスの中の同位体、例えば2!S Ul:6と2
36LJF6ガスでは、同一の吸収率を示す波長が平行
移動(同位体シフト)した特性を示す。この平行移動す
る波長は、同位体間では温度、圧力によらず常に一定で
あることが知られている。第2図に吸収率の同位体シフ
トの様子を示す。
すなわち、特定波長に対しては、235 jJ F6と
2′6UF6ではレーザ光に対し異なる吸収率を示し、
その吸収率は、温度・圧力などで異なるものである。
一方、UFsガスはこれら同位体から構成されているの
で特定圧力・温度の条件化でも同位体比により、レーザ
光の光の吸収率は異なる。
この関係を(1)式に示す。
ある温度・圧力下でのたとえば?!5 UF6と236
UFsガスから構成されるUF6ガスのある波長のレー
ザ吸収率をaとし、同位体の吸収率をそれぞれa235
.82Wとし、′35Uの濃縮度をX(O〜1)とすれ
ば a=X”a、sS+(1−X)”a2yr’   ”’
(1)なる関係にある。
さて、UF6ガスの吸収率は、レーザ光の発光−受光に
より実測され、たとえば3波長のレーザ光での測定を行
なえばUF6ガスの注目している3波長分の領域では、
波長をλとすれば[(λ)=C1λ2+C2λ+C3・
・・(2〉なる2次式で近似できる。この近似精度は、
吸収率が2次曲線に近い部分の波長を選択することによ
り向上する。
このようにしてLIF6ガスの吸収率曲線が求まれば、
同位体の吸収率曲線はこれを平行移動したものであるか
ら同位体シフト波長Δλと濃縮度によりそれぞれ定める
ことができる。たとえば2!5UFs、”UF6ガスで
はそれぞれの吸収率をf 235(λ)、「23a(λ
)とすれば以下の関係式である。
f 2]5 (λ)=C(λ+(1−X)△λ)・・・
(3)f 236 (λ)=C(λ−X△λ)    
 −(4>である。したがって濃縮度Xが既知であるL
IFE。
ガスの吸収率を測定すれば、”5U F 6 、”’ 
U F 6ガスそれぞれの吸収率曲線を求めることがで
きる。
例えば濃縮度が既知であるUF6ガスとして天然ウラン
を使用すれば濃縮度Xが約0.007であるから f 235 (λ)=C(λ+(1−0,007)△λ
)・・・(5) f2カ(λ)=C(λ−0.007△λ)  ・・・(
6〉との関係が得られる。したがって、濃縮度Xが未知
であるUF6については、特定の波長λ1について吸収
率を実測し、その値をa×とすれば、(5)と(6)式
から求まった吸収率曲線を使って(1)の関係から X= (a x  f 2ツ(λ1))/ (f z3
s (λ1)−fよ(λ1)) ・・・(7)の関係式
が得られる。したがって、この関係式を使って濃縮度X
が算出出来るので、濃縮度を算出することが出来る。
そこで上記関係を利用した本発明による測定方法を第1
図および第2図を参照して説明する。
まず、配管1に濃縮度が既知であるUFsガスを流して
おく。レーザ光の発光体4.5は制御演算装置8により
順次それぞれ異なる波長のレーザ光を発光づ゛る。一方
、発光体4.5に正対して設置された受光体6.7から
のレーザ光受光強度信号は、制御演算装置8により発光
体と同期してそれぞれ読み込まれる。
この発光−受光の制御により制御演算装置8には、それ
ぞれ異なる波長のレーザ光強度信号が互いに干渉するこ
となく取り込まれる。このレーザ光の発光波長は、UF
6の吸収率曲線が2次式に近い領域を選定する。
制御演算装置8には、このようにしてUFsガスによる
吸収を受けた各波長毎のレーザ光の受光強度Inが取り
込まれ、事前に制御演算装置8にUF6ガスのない状態
での各波長のレーザ光受光強度Janが測定あるいは計
算による値として設定されており、それぞれ2つの波長
に対する吸収率al、a2を下式から算出する。
a += (Io +−1+ )/Io +a  2 
 =  (Io  2−12  )/To  2ここで
a I 、a 2と発光波長λ1、λ2から制御演算装
置8では、前出(1)式の各係数を算出し測定条件にお
ける濃縮度が既知であるUFhガスの吸収率曲線を前記
(2)式のように2次式による近似式を定める。ここで
は制御演算装置8が定める吸収率曲線を、 f (λ)=b1λ+b2       ・・・(8)
とする。b+、b2は制御演算装置で算出した係数であ
る。この吸収率曲線の測定は濃縮度測定の準備段階であ
り、最初に1回または定期的に行なうのみでよい。そし
て(3)および(4)の関係式により7!5jl F 
6.23aUF 6ガスの吸収率曲線を求める。
次に濃縮度が未知であるUF6ガスを流す。このとき波
長λ1、λ2から1つの波長を選択し、その波長におけ
る吸収率を測定する。ここではこの波長をλ3として説
明をつづける。
λ3における吸収率をa3とおくと、前出(7)式は X−(a  3  f  、3s<λ3 ))/ (f
  235  (λ3)−f236(λ3 ))となり
、濃縮度Xを算出することが可能となる。
このように本実施例によれば、複数の少なくとも2つ以
上の異なる波長のレーザ光を発光・受光させる装置と制
御演算装置などの簡易な装置で、また配管内にこのよう
に異なる波長のレーザ光の受光を互いに干渉防止用の遮
光板なども取付けることなく、すなわち非常に簡易な装
置でUFsガスの濃縮度を測定するこが出来る。
本発明では、2対のレーザ光の発光体・受光体により2
次式近2似のUFsガスの吸収率曲線を算出して濃縮度
を得る実施例を説明したが、2対以上の発光体−受光体
を組み合せ、さらに高次式の吸収率曲線を近似しても本
実施例と同様な作用が得られる。
また本実施例では異なる波長のレーザ光の発光・受光を
複数対の組合せで説明したが、発光波長を電圧制御など
で変化可能な発光体たとえば半導体レーザを使用し、1
対で、順次発光波長を変化させ、複数の波長に対する吸
収率を測定するように構成しても同様な効果が得られる
また本実施例ではレーザ光の発光・受光体を配管内に配
置する場合を説明したが、配管等に正対する位置に耐U
Fs性のガラスなどによる窓を設け、レーザ発光・受光
体を配管外部に設置しても同様な効果が得られる。
[発明の効果] 以上詳述したように本発明によれば、レーザ光の発光体
と受光体および制御演算装置だけで、配管・容器内のU
F6ガスの同位体の濃縮度を得ることが可能となり、従
来法のようにサンプリングする必要がなく、また小型軽
量な装置で短時間に測定可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法の一実施例を説明するための装置の
概要を示す系統図、第2図はUF6ガスにおける吸収率
の同位体シフトを示す特性図である。 1・・・・・・・・・・・・配 管 2・・・・・・・・・・・・取付用外 3・・・・・・・・・・・・取付は冶具4.5・・・・
・・レーザ光の発光体 6.7・・・・・・レーザ光の受光体 8・・・・・・・・・・・・制御演算装置代理人弁理士
   須 山 佐 − 第1図 第2図 レーザ波長

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)六フッ化ウランが存在する配管内にレーザ光の発
    光体および受光体を少なくとも2対を設置するかまたは
    ガラスなどのレーザ透過体を通じて配管の外側に発光体
    および受光体を対向するように設置した装置と、前記各
    々の発光体、受光体を制御演算装置に接続してなり、前
    記配管に設置するレーザ光の発光体および受光体はそれ
    ぞれ異なる波長のレーザ光に対し発光し、受光するもの
    であり、それぞれの波長毎の発光強度と受光強度から発
    光体と受光体の間に存在する六フッ化ウランガスのそれ
    ぞれの波長に対する吸収率曲線を算出し、その吸収率曲
    線と、既知である六フッ化ウランガスの同位体シフト波
    長とから、演算により、六フッ化ウランガスの中の同位
    体の濃縮度を測定することを特徴とするウランの濃縮度
    測定方法。
  2. (2)少なくとも2対のレーザ光の発光体の発光は順次
    行なうことにより異なる波長のレーザ光を受光体側で干
    渉しないように発光制御することを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載のウランの濃縮度測定方法。
  3. (3)六フッ化ウランガスに照射するレーザ光の発光体
    と受光体は発光波長を制御可能なレーザ発光素子(発光
    体)および受光体を1対対向して設置し、異なる波長の
    レーザ光を少なくとも2波長順次発光−受光することを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載のウランの濃縮度
    測定方法。
JP59219446A 1984-10-19 1984-10-19 ウランの濃縮度測定方法 Pending JPS6197553A (ja)

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