JPS619164A - Semiconductor circuit - Google Patents

Semiconductor circuit

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JPS619164A
JPS619164A JP59127871A JP12787184A JPS619164A JP S619164 A JPS619164 A JP S619164A JP 59127871 A JP59127871 A JP 59127871A JP 12787184 A JP12787184 A JP 12787184A JP S619164 A JPS619164 A JP S619164A
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JP
Japan
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circuit
thyristor
capacitor
diode
parallel
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Pending
Application number
JP59127871A
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Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Kaga
加我 敦
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPS619164A publication Critical patent/JPS619164A/en
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent an abnormal voltage from applying to a thyristor by forming the third series circuit connected in parallel with the second diode of a resistor and a saturable reactor. CONSTITUTION:Diodes 3, 4 are connected in parallel with thyristors 1, 2 in a semiconductor circuit having a snubber circuit, and diodes 5, 6, resistors 7, 8 and capacitors 9, 10 are provided as the snubber circuit. In this case, saturable reactors 19, 20 are inserted into the circuits of the resistors 7, 8 for suppressing the discharging currents of the capacitors 9, 10. Thus, since any snubber circuit flows the current through the thyristors 1, 2 and anti-parallel diodes 3, 4, abnormal voltages are not applied to the thyristors 1, 2.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明はスナバ回路を備えた半導体回路に関するもの
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a semiconductor circuit equipped with a snubber circuit.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

サイリスタ又は()Toを複数個直列に接続して、イン
バータ又はチョッパ装置を構成するにあたり、ON −
OFFのスイッチングを行う時に生じる電流の急激な変
動や電圧の変動を吸収するために多様なスナバ回路が考
えられている。
When configuring an inverter or chopper device by connecting multiple thyristors or ()To in series, ON -
Various snubber circuits have been considered to absorb sudden fluctuations in current and fluctuations in voltage that occur during OFF switching.

第1図にその一実施例を示す。図に示すものはサイリス
タを2個直列に接続したもので、(1) +21 I′
iサイリスタ、+3) +41け転流のために逆方向に
流れる電流や、遅れ電流を回流させるダイオード、+5
1 +61けスナバ回路のダイオード、+71 (81
けスナバ回路のコンデンサの放電電流を抑制する抵抗、
(9) 11oI I/′iスナバ回路のコンデンサで
ある。
An example of this is shown in FIG. The one shown in the figure has two thyristors connected in series, (1) +21 I'
i thyristor, +3) +4 Diode that circulates the current flowing in the opposite direction due to commutation or the delayed current, +5
1 +61 snubber circuit diode, +71 (81
A resistor that suppresses the discharge current of the capacitor in the snubber circuit.
(9) 11oI I/'i snubber circuit capacitor.

今、第1図において、実際の転流を行う場合は第2図に
示すように動作する。第2図はインバータ回路の一実施
例を示しており、いわゆるマグマレインパルス転流方式
と呼ばれているものである。
Now, in FIG. 1, when actual commutation is performed, the operation is as shown in FIG. 2. FIG. 2 shows an embodiment of an inverter circuit, which is of the so-called magma rain pulse commutation system.

動作は文献に詳しいので割愛する。The operation is detailed in the literature, so I will omit it.

図中、(11)は直流電源、(12i (+31041
051は転流リアクトル、oiu=を転流コンデンサ、
071081け補助サイリスタである。なお、接”読点
■が出力として負荷に接続されている。
In the figure, (11) is a DC power supply, (12i (+31041
051 is a commutation reactor, oiu= is a commutation capacitor,
071081 auxiliary thyristor. Note that the contact point ■ is connected to the load as an output.

第3図はサイリスタfil +2+をOFFにする場合
のタイミングとその波形を示す。この回路において、例
えばサイリスタ(1)がON l、ており、こ71.を
OFF Lようとする場合、先ずtoにて補助サイリス
タ071ヲ点弧し、転流コンデンサ(16)の電荷をの
に示すループとして次の経路で流し、サイリスタil+
に逆ノくイアスを加える。
FIG. 3 shows the timing and waveform when the thyristor fil +2+ is turned off. In this circuit, for example, the thyristor (1) is ON, and this 71. When attempting to turn OFF L, first ignite the auxiliary thyristor 071 at to, the charge of the commutating capacitor (16) flows through the following path as a loop shown in , and the thyristor il+
Iasu is added in reverse.

転流コンデンサ(16)→主アームのダイオード(3)
→転流リアクトル03)→転流リアクトルα21→補助
サイリスタ(171→転流コンデンサα6)逆バイアス
時間がサイリスタ(1)のターンオフ時間以上になった
時点txでサイリスタ(21i ON L、サイリスタ
illにOFF状態になる。h)刀する過渡状態におい
て、スナバの役割はサイリスタ[11+21に印加され
る電圧の勾配を緩和し、サイリスタの有する耐量以下に
してデバイスの動きに無理のない状態をつくり出すもの
である。第3図におけるtlの時点!ニテ、スナバの動
きを第2図において詳細に説明する。
Commutation capacitor (16) → main arm diode (3)
→ Commutation reactor 03) → Commutation reactor α21 → Auxiliary thyristor (171 → Commutation capacitor α6) At the time tx when the reverse bias time exceeds the turn-off time of thyristor (1), thyristor (21i ON L, thyristor ill OFF) h) In the transient state, the role of the snubber is to alleviate the gradient of the voltage applied to the thyristor [11+21, and to create a state in which the device can move smoothly by lowering it below the withstand voltage of the thyristor. . Time of tl in Figure 3! The movement of the snubber will be explained in detail with reference to FIG.

第2図において、サイリスタ(2)がON Lt時点で
他方のアームの電圧が印加されるが、スナバが存在する
ので、■の経路で電流が流れ、スナノくコンデンサ(9
)の充電するその電圧勾配でサイリスタに電圧が印加さ
れていく。このとき゛、t=6−の時点でのd v/a
 tは、次のようになる。
In Fig. 2, when the thyristor (2) is ON, the voltage of the other arm is applied, but since there is a snubber, current flows through the path (■), and the snubber capacitor (9) is applied.
), a voltage is applied to the thyristor at that voltage gradient. At this time, d v/a at t=6-
t is as follows.

dv74t = E −=== JLC L;回あのインダクタンス C;スナバコンデンサの容量 このOFFの過渡状態にかいて、スナバコンデンサの電
圧は回路に存在するインダクタンスのエネルギを吸収し
、次の個分だけ過充電される。
dv74t = E -=== JLC L; Inductance C; Capacity of snubber capacitor During this OFF transient state, the voltage of the snubber capacitor absorbs the energy of the inductance existing in the circuit, and the voltage of the snubber capacitor is It will be charged.

L;回路のインダクタンス C;スナバコンデンサ 工;第3図のtlにおけるLに流れている電流値   
             プコンデンサへの過充電モ
ードが終了すると次にスナバ抵抗を通した放電モードに
移るが、ここで次のような不具合が生じる。この不具合
を第4図を用いて説明する。図において、スナバコンデ
ンサ各々に多少の特性差があるとする。例えば、コンデ
ンサ(9)の容量がコンデンサ(io)よりも少ない場
合、放電電流はコンデンサ(9)の方が速く立ち上るこ
とになって(回路りとの共振周期が小さいため)ダイオ
ード(4)、コンデンサ(9)、抵抗(7)ヲ経由した
電流■が確立される。この電流のがダイオード(4)を
流れると、コンデンサ1101 H抵抗(8)7:l)
らダイオード(4)のループでエネルギを放出すること
になる。
L; circuit inductance C; snubber capacitor construction; current value flowing through L at tl in Figure 3
When the overcharging mode to the capacitor ends, the mode shifts to the discharging mode through the snubber resistor, but the following problems occur here. This problem will be explained using FIG. 4. In the figure, it is assumed that each snubber capacitor has some characteristic difference. For example, if the capacitance of the capacitor (9) is smaller than that of the capacitor (io), the discharge current will rise faster in the capacitor (9) (because the resonance period with the circuit is smaller), and the diode (4) will A current (2) is established via the capacitor (9) and resistor (7). When this current flows through the diode (4), the capacitor 1101 H resistor (8) 7:l)
The energy is then released in a loop of diodes (4).

この状態ではサイリスタ(2)にあられねる電圧げコン
デンサ(lO)の電圧から抵抗(8)のドロップや分布
インダクタンスによる電圧降下分を除いたものとなる。
In this state, the voltage that cannot be applied to the thyristor (2) is the voltage of the capacitor (lO) minus the voltage drop due to the drop of the resistor (8) and the distributed inductance.

(第4図(b)において、サイリスタ(2)電圧波形と
して示すt1〜t2の期間) 第4図(a)の電流■が電流Oよりも速く減衰してしま
うと、ダイオード(4)の逆方向電流は流ハず、! −
7’ 4流Oけ急激に減衰する。しρ)も、コンデンサ
(10jの電圧はダイオード(3)ヲ経由して電源fl
D K帰還する値以下となっており、持続した電流は消
滅する。電流が消滅すると、コンデンサ(lO)の電圧
はそのままサイリスタ(2)の電圧としてあられねるこ
とになるが、このとき(第4図(b)のts+)のサイ
リスタ両端にあられれるa v/a tは往々にしてサ
イリスタのa v/cl を許容値を逸脱している。
(In Fig. 4(b), the period from t1 to t2 shown as the thyristor (2) voltage waveform) If the current ■ in Fig. 4(a) attenuates faster than the current O, the reverse of the diode (4) Directional current does not flow! −
7' 4th stream suddenly attenuates. The voltage of the capacitor (10j) is also connected to the power supply fl via the diode (3).
DK is below the feedback value, and the sustained current disappears. When the current disappears, the voltage of the capacitor (lO) cannot appear as it is as the voltage of the thyristor (2), but at this time, the a v/a t that appears across the thyristor (ts+ in Fig. 4(b)) often causes the thyristor's a v/cl to deviate from the permissible value.

〔発明の概要〕 この発明は第1のダイオードと制御極付半導体素子とを
逆並列接続した並列回路を直列接続し、第2のダイオー
ドとコンデンサとを直列接続した第1の直列回路を上記
両ダイオードが逆向きになるように上記並列回路と並列
接続し、可飽和リアクトルと抵抗とを直列接続した第3
の直列回路を上記第2のダイオードと並列接続すること
によって、可飽和リアクトルが飽和するまで扁インピー
ダンスとなるので、電流の増加率を抑制するようにした
半導体回路を提供する。
[Summary of the Invention] The present invention connects in series a parallel circuit in which a first diode and a semiconductor element with a control pole are connected in anti-parallel, and a first series circuit in which a second diode and a capacitor are connected in series between both of the above. A third circuit in which a diode is connected in parallel with the above parallel circuit so that the direction is reversed, and a saturable reactor and a resistor are connected in series.
By connecting the series circuit in parallel with the second diode, the saturable reactor becomes a flat impedance until it is saturated, thereby providing a semiconductor circuit in which the rate of increase in current is suppressed.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、図について説明する。第5図において、コンデン
サ(91flolが過充電され、放電モードに入ろうと
したとき、先に述べたようにコンデンサ容量の差、ある
いけ回路分布インダクタンスの差などで電流の立ち上り
が異なるので、これを抑制するため、抵抗+71 +8
1の回路に可飽和リアクトル09)翰を挿入する。可飽
和リアクトル(191G!Gij飽和するまではインピ
ーダンスが大きく、電流の増加率をコンデンサなどのバ
・ラツキがあってもはy同じように設定することができ
る。
The figures will be explained below. In Figure 5, when the capacitor (91flor) is overcharged and tries to enter the discharge mode, the rise of the current differs due to the difference in capacitance and the difference in circuit distribution inductance, as mentioned earlier. To suppress, resistance +71 +8
Insert the saturable reactor 09) into the circuit of 1. Saturable reactor (191G!Gij) The impedance is large until it is saturated, and the rate of increase in current can be set the same even if there are variations in the capacitor, etc.

このため、どのスナバ回路もサイリスタと逆並列のダイ
オードを経由して回流するので、サイリスタに異常電圧
が印加されることがなくなる。
Therefore, since any snubber circuit circulates through the diode that is antiparallel to the thyristor, no abnormal voltage is applied to the thyristor.

なお、本説明け、サイリスタで説明したが、GTO又は
トランジスタ、S工Tなどのスイッチング累子に対して
も同様の効果のあることは勿論である。
Although the present explanation has been made using a thyristor, it goes without saying that the same effect can be obtained for a switching device such as a GTO, a transistor, or an ST.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明によると、第2のダイオードに並列接続した第
3の直列回路を抵抗と可飽和リアクトルで構成すること
によって、コンデンサの放゛電電流、l″ii第1イオ
ードを回流するので、サイリスタ等の半導体集子に異常
電圧が印加されることがなくなる。
According to this invention, by configuring the third series circuit connected in parallel to the second diode with a resistor and a saturable reactor, the discharge current of the capacitor and the first diode are circulated, so that the thyristor, etc. Abnormal voltage is no longer applied to the semiconductor collector.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図Vi従来の半導体回路を示す構成図、第2図は第
1図を使用したインバータの転流回路、第3図は第2図
の転流時における谷部の波形を示す説明図、第4図(a
) ij第1図の作用を示す説明図、第4図(効ケサイ
リスタill +2)の電圧波形を示す説明図、第5図
はこの発明の一実施例を示す構成図である。 図において、1tlf21は制御極付半導体集子、(3
) +41は第1のダイオード、(5)(6)は第2の
ダイオード、+7+ +8)は抵抗、+91 Flo)
はコンデンサ、(+9)翰は可飽和リアクトルである。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Fig. 1 is a configuration diagram showing a conventional semiconductor circuit, Fig. 2 is an inverter commutation circuit using Fig. 1, Fig. 3 is an explanatory diagram showing the waveform of the trough during commutation in Fig. 2, Figure 4 (a
) ij FIG. 1 is an explanatory diagram showing the action, FIG. 4 is an explanatory diagram showing the voltage waveform (effective thyristor ill+2), and FIG. 5 is a configuration diagram showing an embodiment of the present invention. In the figure, 1tlf21 is a semiconductor collector with control poles, (3
) +41 is the first diode, (5) (6) is the second diode, +7+ +8) is the resistor, +91 Flo)
is a capacitor, and (+9) is a saturable reactor. In each figure, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)第1のダイオードと制御極付半導体素子とを逆並
列接続した並列回路を直列接続し、第2のダイオードと
コンデンサとを直列接続した第1の直列回路を上記両ダ
イオードが逆向きになるように上記並列回路と並列接続
し、可飽和リアクトルと抵抗とを直列接続した第3の直
列回路を上記第2のダイオードと並列接続した半導体回
路。
(1) A parallel circuit in which a first diode and a semiconductor element with a control pole are connected in anti-parallel is connected in series, and a first series circuit in which a second diode and a capacitor are connected in series is connected in such a way that both diodes are connected in opposite directions. A semiconductor circuit in which a third series circuit in which a saturable reactor and a resistor are connected in series is connected in parallel with the second diode.
(2)制御極付半導体素子はサイリスタであることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体回路。
(2) The semiconductor circuit according to claim 1, wherein the semiconductor element with a control pole is a thyristor.
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