JPS6185836A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6185836A
JPS6185836A JP20861384A JP20861384A JPS6185836A JP S6185836 A JPS6185836 A JP S6185836A JP 20861384 A JP20861384 A JP 20861384A JP 20861384 A JP20861384 A JP 20861384A JP S6185836 A JPS6185836 A JP S6185836A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
patterns
semiconductor device
worn out
degree
production process
Prior art date
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Pending
Application number
JP20861384A
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English (en)
Inventor
Mamoru Kajiwara
梶原 護
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6185836A publication Critical patent/JPS6185836A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 半導体装置の製造工程におけるパターンの寸法g理に関
する。
〔従来の技術〕
半導体装置のパターンの寸法は、電気的特性を決定する
主要要因の一つであるから、製造工程における管理σノ
対象となっている。従来、半導体装置のチップの一部に
寸法測定部を設け、寸法測定器によって直接に実寸法を
測定していたO 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記の寸法測定器による作業は煩雑で、生産工程中に行
なうものとしては不適当であった。
また半導体装置のチップが大きい場合は、チップ内の寸
法バラツキも問題になり寸法測定部も1個所でなく、数
個所に設けなければならない0しかし上記の寸法測定器
による場合は、煩雑さが極端になジ、実用的でなかった
0さらに、アルミニウム配線等の寸法測定では、エツチ
ング時の凹凸があるため精度は良くない0 本発明の目的は、上記の欠点を除去し、生産工程におい
て迅速に半導体装置のパター/寸法が所定の範囲内に入
るか否か、実測することなく目視または導通チェックに
より検出するとともに、そのバラツキを検出することの
できる検査パターンを設けた半導体装置を提供すること
にある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明による半導体装置は、チップ上に特定の生産工程
と同−生産工程全経させる少なくとも2つ以上の検査パ
ターンを有し、該検査パターンが前記半導体装置の所定
のパターン寸法金倉む範囲にわたって、寸法的に異なる
各部分よりなるようにしたものである。
〔作 用〕
検査パターンとして、あらかじめ検査パターンの寸法、
例えば輪が階段的にあるいは連続的に変化するように各
部分を設計しておく。例えば配線形成工程に本発明を適
用すれば、アルばニウム配線が消滅した部分がどこであ
るかは検量パターンの目視により直ちに知ることができ
る。設計基準に相由する部分に比較して、消滅部分がど
の程度の幅の部分であるかわかるから、管理限界P3に
あるか否か判定できる0また、2つ以上の検量パターン
かあるから両者のデータからバラツキもわかる。
〔実 施 例〕
以下、本発明の一実施例を1次元イメージセンサを例と
して説明する◎第2図は1次元イメージセンサのチップ
正面図を模式的に示した図で、センサ部2にはセンサ群
が配列され、個々のセンサの受光用の窓が開いている。
アルミニウムなどよりなる遮光部1の一部に図示のよう
に2個の検査部3を設ける。この検査部3の検査パター
ンは第1図(&)〜(d)の形状が用いられる。
検3I パターンはこの例ではアルミニウム蒸着工程で
同−工8を鮭させる。
1次元イメージセンサのセンサ群は、同一の元感度特性
金もつためには、各センサの窓面積は緻密に同一でなけ
ればならず、またその面積自体も光感度が許容設計範囲
内にある几め寸法側@を厳しく行なわねばならない。1
次元イメージセンサでは、横方向の距離が長く、寸法の
バラツキが生じがちであるので、第2図でね検査部31
1−その両端部の互いに対向した位置に設けである。検
査パターンとしては第1図(c) (d)のようなもの
を選ぶと、横方向の線の幅についての検量か可能になる
。例えばアルミニウム配線の場合にはあらかじめ決めて
おりた幅のパターンが残っているかどうかで許容最小必
要幅がとれていることかわかる。あるいはある幅のパタ
ーンがなくなったかどうかでセンサ窓の受光面積の最低
必要債が確保されたことが確認できる。どの鴨か識別す
るのけ(、)ではパターンが幅を異にする分離した数個
の部分からできているので直ちにわかる。(d)でit
@を連続して変えているか、パターン下部に設けた矢印
の着号から識別できる。矢印の形状により、これ自体が
エツチングで変形をうけても番号識別に差しつがえない
ようにしている。
上べ己の十芙査パターンは目視の場合についてであるが
、29通チェックの場合には、881図(lIJ(bJ
のように、寸法の異なる各部分の両端が成極バッド4V
C接続されたパターンを便う〇生産工程では、電極パッ
ド4に探ti全おいて、簡単に導通が検討できる。
以上の実施例はアルミ配線あるいはアルは配線の窓全生
成する工程について述べ友が、その他の生産工程におい
ても、各工程に適した検査パターンを用いることにより
本発明全適用できることはいうまでもない。
〔発明の効果〕
以上、詳しく述べたように、本発明によれば検量パター
ンの寸法?実測することなく、許荏範囲にあるか否か目
視あるいは導通チェックにより容易に知ることができる
01友2つの検査パターンを設けることにより、半導体
装置のチップ内のバラツキも知ることがでさる0
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の検量パターンの実施例、第2図は1
次元イメージセ/すに本発明を適用した実施例である。 1・・・遮光部、    2・・・センサ部3・・・検
査部、    4・・・LJL他パッド。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体装置のチップ上に該半導体装置の特定の生
    産工程と同一生産工程を経させる少なくとも2つ以上の
    検査パターンを有し、該検量パターンが前記半導体装置
    の所定のパターン寸法を含む範囲にわたつて、寸法的に
    異なる各部分よりなるものであることを特徴とする半導
    体装置。
  2. (2)前記第1項の検査パターンの各部分に、電気的に
    導通チェックを行なう電極パッドを具備させたことを特
    徴とする特許請求の範囲の第1項記載の半導体装置。
JP20861384A 1984-10-04 1984-10-04 半導体装置 Pending JPS6185836A (ja)

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JP20861384A JPS6185836A (ja) 1984-10-04 1984-10-04 半導体装置

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JP20861384A JPS6185836A (ja) 1984-10-04 1984-10-04 半導体装置

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JPS6185836A true JPS6185836A (ja) 1986-05-01

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JP20861384A Pending JPS6185836A (ja) 1984-10-04 1984-10-04 半導体装置

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