JPS6183058A - Apparatus for preparing thermal head - Google Patents

Apparatus for preparing thermal head

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Publication number
JPS6183058A
JPS6183058A JP60017786A JP1778685A JPS6183058A JP S6183058 A JPS6183058 A JP S6183058A JP 60017786 A JP60017786 A JP 60017786A JP 1778685 A JP1778685 A JP 1778685A JP S6183058 A JPS6183058 A JP S6183058A
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JP
Japan
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value
resistance value
pulse
resistance
thermal head
Prior art date
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Pending
Application number
JP60017786A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsunori Sawae
沢江 哲則
Hiromi Yamashita
山下 博實
Takafumi Endo
孝文 遠藤
Kohei Katayama
片山 康平
Yukio Murata
村田 幸男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS6183058A publication Critical patent/JPS6183058A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/315Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
    • B41J2/32Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
    • B41J2/35Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads providing current or voltage to the thermal head

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

PURPOSE:To successively lower the resistance value of a heat generating resistor, by mounting a pulse generation circuit and a resistance meter and applying a peak value higher than the preceding one to a heat generating resistor from the pulse generation circuit by a calculation part when the resistance value, after a voltage pulse was applied, is equal to or more than a predetermined value. CONSTITUTION:The peak value Vs of apply voltage, the set signal of the numbers (n) of pulses ad a START signal are applied to a pulse generation circuit 10 form a calculation part 12. After the above mentioned set pulse is applied to a thermal head 7, of which the resistance value is equal to or more than a predetermined value R0, from the above mentioned circuit 10, the resistance value thereof is measured by a resistance meter 11. Because the resistance value of a heat generating resistor is not lowered when the peak value of a voltage pulse is low, the above mentioned measured value is sent to the calculation part 12 and compared with the preceding measured one by CPU14 and, when the lately resistance value is low and higher than the predetermined value R0, the peak value Vs is set so as to be made high by DELTAV and a voltage pulse is applied to the above mentioned thermal head 7 from the pulse generation circuit 10. By this method, the resistance value of the heat generating resistor is gradually lowered to the predetermined value R0 or less to eliminate irregularity.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は主としてファクシミリやプリンタに使用される
サーマルヘッドの製造装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an apparatus for manufacturing a thermal head mainly used in facsimiles and printers.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

現像、定着の必要がなく、無騒音、メインテナンフリー
であり、信頼性の高いサーマμヘッ)’ 7>E、感熱
記録紙の向上とともに普及している。感熱記録は、基板
上に設けた抵抗体に、記録電流を印加 。
It does not require development or fixing, is noiseless, maintenance-free, and has high reliability.Thermal recording paper has become popular with the improvement of thermal recording paper. In thermal recording, a recording current is applied to a resistor provided on a substrate.

し、抵抗体に流れた電流により生ずるジュール熱を利用
して、抵抗体上に接する感熱紙を発色させたり、熱転写
紙のインク層を溶融させ、被転写紙に記録信号情報を印
字記録する技術である。
This technology utilizes the Joule heat generated by the current flowing through the resistor to color the thermal paper in contact with the resistor, melts the ink layer of the thermal transfer paper, and prints and records recorded signal information on the transferred paper. It is.

サーマルヘッドの一般構造図を第9図に示す。A general structural diagram of the thermal head is shown in FIG.

サーマルヘッドは絶縁基板(1)上にA/’ 、 Au
、 Qu等の良電気導体材料にて成膜技術により構成し
たリード部(2)とそれに両端を接続した膜状のエレメ
ント抵抗体(3)で全体で発熱素子を構成される。
The thermal head is mounted on an insulating substrate (1) with A/', Au
The heating element is composed of a lead part (2) made of a good electrically conductive material such as Qu, etc. by film-forming technology, and a film-like element resistor (3) connected to both ends of the lead part (2).

絶縁基板(1)の材料にはアルミナセラミック基板又は
グレーズ層はアルミナセラミック基板を使用する事が多
い。エレメント抵抗体(3)の材料として薄膜方式の場
合+! TatN + Ta−8i0.、 Ta−8t
 、 Ni −0uTi、03等の材料が用いられる。
An alumina ceramic substrate is often used as the material for the insulating substrate (1), or an alumina ceramic substrate is used for the glaze layer. In the case of a thin film method as the material for the element resistor (3) +! TatN + Ta-8i0. , Ta-8t
, Ni-0uTi, 03, etc. are used.

又、厚膜方式の場合はitO、PtO等の貴金属の酸化
物をガラス材と混合して塗付して焼結する。
In the case of a thick film method, an oxide of a noble metal such as itO or PtO is mixed with a glass material, applied and sintered.

図示しないが、エレメント抵抗体(3)を形成した後こ
れを保護するためのガラス膜を焼成する。
Although not shown, after forming the element resistor (3), a glass film for protecting it is fired.

このサーマルヘッドのリード部両端に一定の電圧を一定
時間印加した場合、ジュール熱により抵抗体部に熱が発
生する。この熱は第10図の様に構成する記録装置のA
部分で感熱紙(5)に伝達され感熱紙(5)が発色して
その表面に印画される。なお、第10図において、第9
図と同一符号は相当部分を示す。Pはロー/I/(4)
の押圧方向を示す。
When a constant voltage is applied to both ends of the lead portion of this thermal head for a certain period of time, heat is generated in the resistor portion due to Joule heat. This heat is absorbed by the A of the recording device configured as shown in Figure 10.
The light is transmitted to the thermal paper (5) at a certain portion, and the thermal paper (5) develops color and is printed on its surface. In addition, in Fig. 10, the 9th
The same symbols as in the figure indicate corresponding parts. P is low/I/(4)
Indicates the pressing direction.

一般に、例えばファクシミリ用のサーマルヘッドは、発
熱・抵抗体として、1ヘッド当り約2000個の抵抗体
が独立して並列に設けられている。これらの発熱抵抗体
は、そのジュール熱により表面温度が、250℃〜60
0℃程度まで加熱され、この温度に到達させるに等しい
印加エネルギーは、サーマルヘッド各々の解像度により
異なるが、約0.2mJ(ジュール)〜2mJ必要とさ
れる。
Generally, in a thermal head for facsimile, for example, about 2000 resistors are independently arranged in parallel as heating/resistive elements per head. These heating resistors have a surface temperature of 250°C to 60°C due to their Joule heat.
It is heated to about 0° C., and the applied energy equivalent to reaching this temperature is required to be about 0.2 mJ (joule) to 2 mJ, although it varies depending on the resolution of each thermal head.

従来よりこのサーマルヘッドには、抵抗体の製造プロセ
スおよびその材料の、違いにより、厚膜形と薄膜形およ
び半導体形があった。厚膜形はペースト状の抵抗材料を
用いて、あらかじめ所望とするパターンをスクリーンや
フォトレジスト膜に形成しておき、スクリーン印刷技術
により抵抗材料を印刷、又は埋込み、後工程として焼成
することで発熱抵抗体が形成される。薄膜形は主として
タンタル系材料を蒸着又はスパッタリングし1あらかじ
め抵抗体となりうる基本パターンを形成しその後、フォ
トエツチングにより所望パターンの独立した抵抗体に仕
上げる。半導体形は、たとえばシリコン基材の一部に抵
抗拡散を行い・抵抗体を形成し、P−N接合面の発熱を
利用するもので半導体製造工程とほぼ同一手段を用いる
Conventionally, there have been three types of thermal heads: thick-film type, thin-film type, and semiconductor type, depending on the manufacturing process and material of the resistor. For the thick film type, a desired pattern is formed in advance on a screen or photoresist film using a paste-like resistive material, the resistive material is printed or embedded using screen printing technology, and is fired as a post-process to generate heat. A resistor is formed. For the thin film type, a tantalum-based material is mainly vapor-deposited or sputtered to form a basic pattern that can become a resistor, and then photo-etched to create an independent resistor with a desired pattern. In the semiconductor type, for example, resistance is diffused into a part of a silicon base material to form a resistor, and heat generated at the P-N junction surface is utilized, and almost the same means as in the semiconductor manufacturing process is used.

以上8種の製造方法のうち実用化が実施されているのは
、厚膜形と薄膜形である。ところで薄膜形は、その製造
工程は多大であるが、発熱抵抗体の抵抗値のばらつきは
少なく、微細パターンが形成できるという大きな利点を
持っている。反面厚膜形は、比較的短い製造工程によっ
て安価に製造可能であるが、発熱抵抗体の抵抗値のばら
つきが大きいという重大な欠点を持ち合わせていた。感
熱記録は、抵抗体の抵抗値により決定され、発生するジ
ュール熱を利用するため、抵抗値のばらつきは当然その
上に印字される画質の濃度ムラの原因となる。
Of the above eight manufacturing methods, the ones that have been put into practical use are the thick film type and the thin film type. By the way, although the manufacturing process of the thin film type is extensive, it has the great advantage that there is little variation in the resistance value of the heating resistor and that fine patterns can be formed. On the other hand, the thick film type can be manufactured at low cost through a relatively short manufacturing process, but it has the serious drawback of large variations in the resistance value of the heating resistor. Thermosensitive recording is determined by the resistance value of a resistor and uses the generated Joule heat, so variations in resistance value naturally cause density unevenness in the quality of the image printed thereon.

第11図はサーマルヘッドを構成する各エレメント抵抗
体の抵抗値R+ −R1、・・・・・・島の一例を示す
FIG. 11 shows an example of the resistance value R+ -R1 of each element resistor constituting the thermal head, . . . islands.

通常薄膜形の抵抗値ばらつきは、±5チ〜±16%以内
に均一化されているのに対し、厚膜形は±15チ〜±8
0チにばらついており、薄膜形より劣っているのに一生
流を成しているのは、過負荷電力、耐摩耗性に代表され
る信頼性の良さと低コストという大きな利点を持ち合わ
せている故である。厚膜形でも最近は、微細パターンの
形成は薄膜形に劣らず作成することが可能となった。た
とえば導体パターンの形成においては、印刷膜厚は従来
8μm以上必要とされているが、13000A以下の導
体膜厚でも構成できる。この利点は、フォトエツチング
時のエツチングファクターが従来20μmを要したのに
比べ、薄膜形と同程度1即ちほぼ零のエツチングファク
タとなることによる。一方厚膜形の抵抗値のばらつきの
改善に関しては、メツシュスクリーンやメタルマスクス
クリーンの改良など従来のスクリーン印刷技術の向上の
ほかに、たとえば特公昭59−22675号に記載され
である厚膜抵抗体のフォトエツチングや、特公昭57−
18506号に記載されである厚膜抵抗体をフォトレジ
ストパターンに埋込む方法、特開昭54−99448号
に記載しである厚膜抵抗体の表面研磨処理をする方法等
がある。さらには昭55−475971こ記載しである
ように薄膜導体に厚膜抵抗を印刷したものがある。これ
らは、発熱抵抗体の形状を均一化し、その効果による抵
抗値のばらつきを改善しようとしたものである。
Normally, the resistance value variation of thin-film type is uniform within ±5 inches to ±16%, while that of thick-film type is uniform within ±15 inches to ±8%.
The reason why it has become popular even though it is inferior to the thin film type is that it has great advantages such as high reliability represented by overload power and wear resistance, and low cost. That's why. Recently, it has become possible to form fine patterns with thick film types as well as with thin film types. For example, in forming a conductor pattern, a printed film thickness of 8 μm or more is conventionally required, but a conductor film thickness of 13000 Å or less can also be formed. This advantage is due to the fact that the etching factor during photoetching is 1, that is, almost zero, which is the same as that of the thin film type, compared to the conventional etching factor of 20 μm. On the other hand, in order to improve the variation in the resistance value of thick film types, in addition to improving conventional screen printing technology such as improving mesh screens and metal mask screens, for example, thick film resistors described in Japanese Patent Publication No. 59-22675 Photo-etching of the body
There is a method of embedding a thick film resistor in a photoresist pattern as described in Japanese Patent Laid-open No. 18506, and a method of surface polishing a thick film resistor as described in Japanese Patent Laid-Open No. 54-99448. Furthermore, as described in 1975-475971, there is a thin film conductor with a thick film resistor printed on it. These attempts are to make the shape of the heating resistor uniform and to improve the variation in resistance value caused by this effect.

また、厚膜抵抗材料の改良も進められてきた。Further, progress has been made in improving thick film resistor materials.

厚膜抵抗材料としては、たとえば、特開昭58−954
4号および特開昭58−9543号に記載の酸化pテニ
ウと、高融点フリットガラス、酸化ジルコニウム等が適
当である。しかしこれらは主として、厚膜形サーマルヘ
ッドとしての信頼性を保持するために改良されたもので
あり、発熱抵抗値のバラツキの改善とはなっていない。
As a thick film resistive material, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-954
4 and JP-A No. 58-9543, p-tenium oxide, high melting point frit glass, zirconium oxide, etc. are suitable. However, these improvements were mainly made to maintain reliability as a thick-film thermal head, and did not improve the variation in heating resistance values.

ところで厚膜抵抗体の形状が幾度学的に薄膜抵抗体と同
等に整ったとした場合、本当に抵抗値のばらつきが薄膜
抵抗体と同等になるのかという疑問がある。理論的には
抵抗体の抵抗値は次式で示される。
By the way, if the shape of a thick film resistor is geometrically arranged to be the same as that of a thin film resistor, there is a question as to whether the variation in resistance value will really be the same as that of a thin film resistor. Theoretically, the resistance value of the resistor is expressed by the following equation.

R=ρ・□(Ω) w”t ここで、ρ:抵抗体の比抵抗(Ω−crIL)l!:抵
抗体の長さくcIrL) W:抵抗体の幅 (crrL) t:抵抗体の厚み(cIrL) スクリーンで印刷された発熱抵抗体は通常その抵抗体の
長さくIり 、抵抗体の幅(ロ)、抵抗体の厚み(1)
共に、わずかにばらつくが、終局的に問題となるのは厚
膜抵抗材料が基本的にある大きさの粒径を保持する酸化
μテニウム、ガラスフリット!酸化ジルコニウム等の焼
成時に生ずる結合度の差異により生ずる抵抗体の比抵抗
そのもののばらつきであり、結果生ずる抵抗値のばらつ
きである。これは厚膜製造工程の厳密なスクリーン印刷
、および焼成条件、さらにはそれら発熱抵抗体を製造の
前工程後玉程度の改善によっても解決され1ない0これ
は、酸化ルテニウム等の粒径が特開昭58−9544号
に記載にもあるように6μmと無視できない大きさであ
るということ、また、厚膜抵抗体の抵抗値の決定には主
として酸化pテニウムガラスフリットとの接触界面のM
e  ’s−Me (メ、りμmインシュレーターメタ
/1/)の不均質結合状態による原因が終局的にあるか
らである。基本的に厚膜抵抗材料がその焼成温度、雰囲
気、焼成スピードに同一材料にもかかわらず抵抗値が大
幅に変化するのは、M、 −I、−M、の結合状態が変
化するためと推定できる。
R=ρ・□(Ω) w”t Here, ρ: Specific resistance of the resistor (Ω-crIL) l!: Length of the resistor cIrL) W: Width of the resistor (crrL) t: Resistance of the resistor Thickness (cIrL) Screen-printed heating resistors usually have the length of the resistor (I), the width of the resistor (B), and the thickness of the resistor (1).
Both vary slightly, but ultimately the problem is that the thick film resistor material basically maintains a certain particle size, μ-tenium oxide, and glass frit! This is the variation in the resistivity itself of the resistor caused by the difference in the degree of bonding that occurs during firing of zirconium oxide, etc., and the resulting variation in the resistance value. This problem cannot be solved by strict screen printing and firing conditions in the thick film manufacturing process, and even by improving the heat generating resistors before and after the manufacturing process.1 This is because the particle size of ruthenium oxide, etc. As stated in 1982-9544, the size is 6 μm, which cannot be ignored, and the determination of the resistance value of a thick film resistor is mainly based on the M of the contact interface with the p-thenium oxide glass frit.
This is because the cause is ultimately due to the heterogeneous bonding state of e's-Me (me, ri μm insulator meta/1/). Basically, the reason why the resistance value of thick film resistive materials changes significantly even though the firing temperature, atmosphere, and firing speed are the same is presumed to be because the bonding state of M, -I, and -M changes. can.

そこで、酸化ルテニウム、ガラス7リツト等の粒径をさ
らに緻密化した厚膜抵抗材料が最近市販されるようにな
った。しかし、目標とする効果は得られなかった。
Therefore, thick film resistive materials such as ruthenium oxide and glass 7 lithium oxide, which have finer grain sizes, have recently become commercially available. However, the desired effect was not achieved.

以上から、接触界面の不均一による厚膜抵抗のばらつき
を改善しないととには、結局抵抗値のばらつきが改善さ
れないことがわかる。ととろで、抵抗体のばらつきの改
善に関しては従来からレーザートリミング法などを利用
して、抵抗値の調整等を主として厚膜回路基板、薄膜回
路基板等で実施されている。また、特開昭58−786
Q号又は特開昭58−1860号記載の液体噴射記録ヘ
ッドでは薄膜抵抗素子をレーザートリミングし、電気−
熱変換特性に合わせるように抵抗値を調整している。
From the above, it can be seen that unless the variation in thick film resistance due to non-uniformity of the contact interface is improved, the variation in resistance value will not be improved. In order to improve variations in resistors, laser trimming and the like have been used to adjust resistance values mainly on thick film circuit boards, thin film circuit boards, and the like. Also, JP-A-58-786
In the liquid jet recording head described in No.
The resistance value is adjusted to match the heat conversion characteristics.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

厚膜抵抗体の抵抗値のばらつきを改善する従来の方法は
いづれも不十分なものであった。発熱抵抗体上−に位置
し感熱紙を圧接する回転ローラの躍動による機械的振動
があるため、衝撃に弱い化学的トリミング方法は使用で
きない。また、均一な温度分布を必要とするので発熱抵
抗体の形状も重要な要素となるため、レーザ、ダイヤモ
ンドカット、サンドブラスト等の機械的トリミング法で
は、形状の変化によりサーマルヘッドの性能ヲ悪化させ
るため使用できなかった。
All conventional methods for improving the variation in resistance values of thick film resistors have been insufficient. Chemical trimming methods, which are susceptible to impact, cannot be used because of the mechanical vibration caused by the dynamic movement of the rotating roller that is located on the heating resistor and presses the thermal paper. In addition, since uniform temperature distribution is required, the shape of the heating resistor is also an important factor. Mechanical trimming methods such as laser, diamond cutting, and sandblasting can deteriorate the performance of the thermal head due to changes in shape. Couldn't use it.

この発明は厚膜形サーマルヘッドの発熱抵抗体の形状を
変えることなく、その抵抗値を変化して製造する装置を
提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an apparatus for manufacturing a thick-film thermal head by changing its resistance value without changing the shape of the heating resistor.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明はパルス発生回路によりサーマルヘッドの発熱
抵抗体に波高値が次第に高くなる電圧パルスを印加する
ことにより抵抗値を減少させ、抵抗のばらつきを減少せ
しめる。又発熱抵抗体の抵抗値を測定するため抵抗計を
設けている。
The present invention reduces the resistance value by applying a voltage pulse whose peak value gradually increases to the heating resistor of the thermal head using a pulse generating circuit, thereby reducing the variation in resistance. A resistance meter is also provided to measure the resistance value of the heating resistor.

〔作用〕[Effect]

この発明では電圧パルスの印加によって発熱抵抗体の抵
抗値が減少することを利用して、抵抗値のばらつきを著
しく減少させることができる。これにより、サーマルヘ
ッドの印字画質の濃度ムラを著しく減少させることがで
きる。
In the present invention, by utilizing the fact that the resistance value of the heating resistor decreases by applying a voltage pulse, it is possible to significantly reduce variations in the resistance value. As a result, density unevenness in the print quality of the thermal head can be significantly reduced.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

この発明は主要な生産プロセスの後に、発熱抵抗体の抵
抗値を減少させるプロセスを実施する。
The present invention implements a process to reduce the resistance of the heating resistor after the main production process.

即ち、基板上に発熱抵抗体、リード線、保護ガラヌ膜を
形成した後に、本発明の装置を使って抵抗値を減少させ
るプロセスを実施する。
That is, after forming a heating resistor, a lead wire, and a protective galanic film on a substrate, a process of reducing the resistance value is performed using the apparatus of the present invention.

第1図は発熱抵抗体の抵抗値を減少させてばらつきを少
なくする生産方法の原理を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing the principle of a production method for reducing the resistance value of a heating resistor to reduce variations.

この発明は厚膜抵抗体に電圧を印加すると抵抗値が低下
するという現象を利用している。この現象ハM I M
 (Metal −Insul ator −Meta
l )構造をもつ厚膜抵抗体の絶縁物(In5ulat
or )が電圧によりブレークスp−するためであると
も考えられている。
This invention utilizes the phenomenon that when a voltage is applied to a thick film resistor, the resistance value decreases. This phenomenon is M
(Metal-Insulator-Meta
l) A thick film resistor insulator with a structure (In5ulat
It is also believed that this is because p- breaks down due to voltage.

ともかく、抵抗体の物理的性質が電圧印加により変化し
ていることは確実である。
In any case, it is certain that the physical properties of the resistor change due to the application of voltage.

第1図は当初の抵抗値が亀、R1lR3である発熱抵抗
体の抵抗値を凡0に調整する場合を示している。
FIG. 1 shows the case where the resistance value of the heating resistor whose initial resistance value is R11R3 is adjusted to approximately 0.

先づ最初に各発熱抵抗体の抵抗値を測定し、目標とする
抵抗値焉と比較する。曳のように馬より低い抵抗値をも
つ発熱抵抗体に対しては電圧パルスは印加しない。為よ
り大きい抵抗値A、4.鳥を持つ発熱抵抗体に対し電圧
パルスを印加する。
First, the resistance value of each heating resistor is measured and compared with the target resistance value. No voltage pulse is applied to a heating resistor, such as a tow, which has a resistance value lower than that of a horse. resistance value A larger than that of 4. Apply a voltage pulse to the heating resistor with the bird.

最初に波高値の初期設定がvoである電圧パルスを印加
して抵抗値を減少させる。減少後の抵抗値を測定し、そ
の値が鳥以上であればvo+ΔVの波高値の電圧パルス
を印加する。その後抵抗値を測定し、その値が鳥以上で
あればv0+2ΔVの波高値を持つ電圧パルスを印加す
る。このように抵抗値が馬身下になるまで次第に印加電
圧パルスの波高値を高くしながら次第に抵抗値を減少さ
せて行く。
First, a voltage pulse whose peak value is initially set to vo is applied to reduce the resistance value. The resistance value after the decrease is measured, and if the value is greater than or equal to 100%, a voltage pulse with a peak value of vo+ΔV is applied. Thereafter, the resistance value is measured, and if the resistance value is equal to or greater than the resistance value, a voltage pulse having a peak value of v0+2ΔV is applied. In this way, the resistance value is gradually decreased while gradually increasing the peak value of the applied voltage pulse until the resistance value becomes below the horse's height.

抵抗値が馬身下になればそこで調整を終了する。Once the resistance value is below the horse's height, the adjustment ends there.

このようにして発熱体の抵抗値を馬身下の一定範囲内に
揃える。抵抗値のばらつきを少なくするのがこの発明の
目的であるから、抵抗値が馬身下になりさえすれば良い
のでなく、馬身下の一定範囲内にあることを要する。そ
のため少しづつ抵抗値を減少させて行き、4以下になっ
た時点で止めるのである。
In this way, the resistance value of the heating element is made to be within a certain range under the horse's body. Since the purpose of the present invention is to reduce the variation in resistance value, it is not only necessary that the resistance value be below the horse's length, but it is necessary that the resistance value be within a certain range below the horse's length. Therefore, the resistance value is gradually decreased and stopped when it becomes 4 or less.

第2図および第8図は本発明の装置を使って抵抗値を揃
える製造方法を実施しない場合と実施した場合の発熱抵
抗体の抵抗値の分布を示す図である。何個かの発熱抵抗
体を−グループとし、その中の最大値を白丸印、平均値
を黒丸印、最小値をX印で示している。
FIGS. 2 and 8 are diagrams showing the distribution of resistance values of heating resistors when the manufacturing method of making the resistance values uniform using the apparatus of the present invention is not performed and when it is performed. A number of heating resistors are grouped into a - group, and the maximum value is indicated by a white circle, the average value is indicated by a black circle, and the minimum value is indicated by an X.

実施しない場合は抵抗値のばらつきは非常に太きいが、
実施した場合はほとんどばらつきがなくなっていること
がわかる。
If it is not carried out, the variation in resistance value will be very large, but
It can be seen that when implemented, there is almost no variation.

第4図はこの発明の装置の一例を示す構成図である。第
5図は第4図の主要な信号の波形図である。
FIG. 4 is a configuration diagram showing an example of the apparatus of the present invention. FIG. 5 is a waveform diagram of the main signals in FIG. 4.

(6)は調整対象のサーマルヘッド(7)に探針(プロ
ーブ)を押し当てるブロービング装置、(8)は印加電
圧パルスを所望の発熱抵抗体に導くリレー網、(9)は
電圧印加と抵抗測定とを切り換えるスイッチ、QOは調
整電圧パルスを発生するパルス発生回路、(ロ)は抵抗
計%(2)は計算部、(至)はその人出力部、α→は中
央演算処理装置(以下CPUと称す)、(至)はメモリ
、QOはキーボード、anはプリンタである。
(6) is a probing device that presses a probe against the thermal head (7) to be adjusted; (8) is a relay network that guides the applied voltage pulse to the desired heating resistor; (9) is a voltage application and The switch that switches between resistance measurement and QO is the pulse generation circuit that generates the adjustment voltage pulse. (hereinafter referred to as CPU), (to) is memory, QO is keyboard, and an is printer.

本発明の装置により抵抗値を減少させる手順について説
明する。
The procedure for reducing the resistance value using the device of the present invention will be explained.

計算部(2)から印加電圧の波高値Vsの設定信号、1
回の電圧印加に含まれるパルス数nの設定信号が与えら
れている。ここで抵抗値を測定し、目標とする抵抗値鳥
より大きな抵抗値をもつ発熱抵抗体については以下のプ
ロセスが実施される。計算部斡からの電圧印加開始信号
5TARTを受けるとパルス発生回路QGはENABL
E禁止信号を計算部に返送する。又、スイッチ(9)が
パルス発生回路(1G側に切り換わる・ENABLE禁
止信号が出力されている期間は波高値VSの変更と5T
ART信号の発生は禁止される。これは電圧パルス印加
中においては、波高値VSの変更をすべきではないし、
また現在の電圧パルスの印加が終了するまでは次の電圧
パルス印加の開始信号8TARTを発するべきではない
からである@8TAfLT信号印加後一定時間T1が経
過すると、パルス発生回路αGは波高値がvSのn個の
パル 5スをスイッチ(9)、リレー網(8)を経てサ
ーマルヘッド(7)の発熱抵抗体に印加する。パルス電
圧の印加が終了した後12時間経過後スイッチ(9)は
抵抗計(ロ)側へ切り換えられる。そして更に13時間
後にはENABLE禁止信号が解除されて次の電圧印加
が可能になる。時間T3の間に抵抗値の測定が行われ、
その測定結果が計算部(2)へ送られる。計算部@では
CPUα→が測定値を前回の測定値と比較する。
A setting signal for the peak value Vs of the applied voltage from the calculation unit (2), 1
A setting signal for the number n of pulses included in one voltage application is given. Here, the resistance value is measured, and the following process is performed for heating resistors having a resistance value greater than the target resistance value. When receiving the voltage application start signal 5TART from the calculation section, the pulse generation circuit QG turns ENABL.
E-inhibit signal is sent back to the calculation section. In addition, the switch (9) is switched to the pulse generation circuit (1G side). During the period when the ENABLE prohibition signal is output, the pulse height value VS is changed and the 5T
Generation of the ART signal is prohibited. This means that the peak value VS should not be changed while the voltage pulse is being applied.
Also, the start signal 8TART for applying the next voltage pulse should not be issued until the application of the current voltage pulse is finished. n pulses are applied to the heating resistor of the thermal head (7) via the switch (9) and the relay network (8). After 12 hours have passed after the application of the pulse voltage is finished, the switch (9) is switched to the resistance meter (b) side. After another 13 hours, the ENABLE prohibition signal is canceled and the next voltage application becomes possible. The resistance value is measured during time T3,
The measurement results are sent to the calculation section (2). In the calculation section @, the CPU α→ compares the measured value with the previous measured value.

そして、前回の測定値を基準として一定の範囲内にない
場合は接触不良であると判断する。一定の範囲の設定方
法は種々あるが、前回測定値に比してより高い値である
か否か比較するようにするのが最も簡単な方法である。
If the measured value is not within a certain range based on the previous measurement value, it is determined that there is a contact failure. There are various ways to set a certain range, but the simplest method is to compare the value to see if it is higher than the previous measured value.

以下−例としてこの方法の場合を述べる。The case of this method will be described below as an example.

もし、前回の測定値よりも高い値が得られたならば、C
PU(14はこの測定値を採用せず、ブロービング装置
(6)に対し測定対象のサーマルヘッド(7)への探針
の接触を解き、再接触さるべくリプローブ信号を送出す
る。そして抵抗値の再測定が行われる。第1図から理解
できるように、電圧パルスの印加によって抵抗値が増加
することはあり得ないのであって、もし増加することが
あればそれは探針(プローブ)の接触不良によるものと
考えられるからである。
If a higher value than the previous measurement is obtained, then C
The PU (14) does not use this measurement value, but sends a reprobe signal to the probing device (6) to release the probe from the thermal head (7) to be measured and recontact it.Then, the resistance value As can be understood from Figure 1, it is impossible for the resistance value to increase due to the application of the voltage pulse, and if it does increase, it is due to the contact of the probe. This is because it is thought to be caused by a defect.

この場合の探針の再接触であるが、前と同し箇所に再接
触したのでは再び接触不良になる可能性がある。そこで
、再接触は前の箇所ではなく、少し離れた箇所に対して
行う。探夕1・の接触はリード線の先に設けられるパッ
ドと呼ばれる箇所にされるが、再接触は同一パッド内の
少し離れた位置にする。
In this case, the probe re-contacts, but if it re-contacts the same location as before, there is a possibility that the contact will be defective again. Therefore, re-contact is performed not at the previous location but at a location a little further away. Contact with probe 1 is made at a place called a pad provided at the end of the lead wire, but re-contact is made at a slightly distant position within the same pad.

抵抗測定値が前回の測定値より低ければCPUα滲はこ
の測定値を採用して調整目標値ちと比較する。馬身下に
達していなければCPUα4はENABLE禁止信号が
解除された後に、印加する電圧パルスの波高値の設定値
VSをΔ■だけ高めてパルス発生回路QGに与えた後、
次回の電圧パルスの印加のための開始信号5TARTを
発生する。
If the measured resistance value is lower than the previous measured value, the CPU α uses this measured value and compares it with the adjustment target value. If it has not reached the height of the horse's body, after the ENABLE prohibition signal is released, the CPU α4 increases the set value VS of the peak value of the voltage pulse to be applied by Δ■ and gives it to the pulse generation circuit QG.
A start signal 5TART for applying the next voltage pulse is generated.

このようにして、次第に印加電圧パルスの波高値を高め
ながら発熱抵抗体の抵抗値を減少させて行く。抵抗値が
調整目標値鳥以下となれば、その発熱抵抗体の抵抗値の
調整は終了するっ時限T、 、 T3を設けているのは
スイッチ(91、’)レー網(3)からなる切換接続回
路のチャタリングによる影響を避けるためである。スイ
ッチ(9)がパルス発生回路aO側に、リレー網(8)
が−の発熱抵抗体を選択するよう、完全に切り換えられ
る前に、パルス発生回路QOから電圧パルスを発生させ
ても、そのパルスはサーマルヘッド(7)には印加され
ない。
In this way, the resistance value of the heating resistor is decreased while gradually increasing the peak value of the applied voltage pulse. When the resistance value falls below the adjustment target value, the adjustment of the resistance value of the heating resistor ends. This is to avoid the influence of chattering in the connected circuit. The switch (9) is connected to the pulse generation circuit aO side, and the relay network (8)
Even if a voltage pulse is generated from the pulse generating circuit QO before it is completely switched to select the - heating resistor, the pulse will not be applied to the thermal head (7).

また、電圧パルス印加後、スイッチ(9)が抵抗計αυ
側へ完全に切り換えられる前に抵抗値の測定を行っても
正確な測定はできない。時限Ttを設けているのは電圧
パルスが完全に消滅するまで時間がかかるから、その間
にスイッチ(9)を切換えることを禁止するためである
。印加する電圧パルスは、単一パルスで与えても良いが
、むしろ数個のパルスからなるパルス群で与える方が制
御が容易である。
Also, after applying the voltage pulse, the switch (9) switches the resistance meter αυ
Even if you measure the resistance value before it is completely switched to the side, you will not be able to get an accurate measurement. The reason why the time limit Tt is provided is that it takes time for the voltage pulse to completely disappear, so switching the switch (9) during that time is prohibited. The voltage pulse to be applied may be a single pulse, but it is easier to control it if it is applied as a group of several pulses.

電圧パルスのエネルギーは波高値とパルレス巾Δtによ
って規定されるが、これがあまりに大きくなると発熱抵
抗体が破壊される。そこで、電圧パルスのエネルギーが
ある程度であって発熱抵抗体を破壊する危険があるとき
は電圧パルスの波高値に応じてパルレス巾を減少させる
よう調整しなければならない。単一パルスのパルレス巾
を調整するよりはむしろ、複数のパルスからなるパルス
群の各パ/V スの巾△tは一定としておいて、パルス
ti1期Tとパルス巾Δtとの比Δt/Tを波高値の変
化に応して発熱抵抗体を破壊しない値以下に調整する方
が容易である。あるいは、Δt/Tを一定としておき、
波高値の変化(こ応じてパルス群を構成するハ/L/ス
数nを変化させても良い。電圧パルスのエネルギーが十
分小さい場合は単一パルス又はパルス群のいづれで与え
ても良い。
The energy of the voltage pulse is defined by the peak value and the pulse width Δt, but if this becomes too large, the heating resistor will be destroyed. Therefore, when the voltage pulse has a certain amount of energy and there is a risk of destroying the heating resistor, the pulse width must be adjusted to decrease in accordance with the peak value of the voltage pulse. Rather than adjusting the pulse width of a single pulse, the width Δt of each pass/V in a pulse group consisting of multiple pulses is kept constant, and the ratio Δt/T of the pulse ti1 period T to the pulse width Δt is It is easier to adjust the value to a value that does not destroy the heating resistor in response to changes in the peak value. Alternatively, by keeping Δt/T constant,
Changes in peak value (accordingly, the number n of pulses constituting the pulse group may be changed.If the energy of the voltage pulse is sufficiently small, it may be applied as either a single pulse or a group of pulses.

印加する電圧パルスの波高値が低いと抵抗値が減少する
現象は見られなくなる。そこで、抵抗値の減少が期待で
きるような波高値から第1回の電圧パルスの印加を開始
した方が有利である。第1図のvoはそのような第1回
の印加電圧パルスの波高値を示す。
When the peak value of the applied voltage pulse is low, the phenomenon that the resistance value decreases is no longer observed. Therefore, it is advantageous to start applying the first voltage pulse from a peak value at which a decrease in resistance value can be expected. vo in FIG. 1 indicates the peak value of such a first applied voltage pulse.

調整目標抵抗値Ro、パルスの数nの変更はキーボード
Q!Sを使って行われる。調整後の抵抗値及びCPUへ
4の計算結果はプリンタaηに打ち出される。
Change the adjustment target resistance value Ro and the number of pulses n using the keyboard Q! This is done using S. The adjusted resistance value and the calculation result of 4 to the CPU are outputted to the printer aη.

第6図は第4図の装置による発熱抵抗体の抵抗値調整方
法のフローチャート図である。
FIG. 6 is a flowchart of a method for adjusting the resistance value of a heating resistor using the apparatus shown in FIG. 4.

ステップ(1)では波高値Vs 、パルス数n等のパル
ス条件の初期設定を行う。次いで、ステップQpでブロ
ービング装置(6)によるサーマルヘッド(7)へのブ
ロービングと、リレー網(8)の切換えとを行う。
In step (1), pulse conditions such as the peak value Vs and the number of pulses n are initialized. Next, in step Qp, the blowing device (6) blows the thermal head (7) and switches the relay network (8).

次にステップ−で抵抗値の測定を行う。ステップ(51
1で測定値を目標値馬と比較し鳥より小のときは電圧パ
ルス群の印加はけなわない。抵抗値が為より大のときス
テップ四、(2)では設定された波高値をもつn個のパ
ルス列を印加し、抵抗値の測定を行う。今回の測定値と
前回の測定値との比較をステツブ(ハ)で行い、前回の
測定値より犬であればステップ(至)で再びブロービン
グを行う、前回測定値より小であれば調整目標抵抗値塩
との比較をステップ翰で行う。測定値が揚場下であれば
その発熱抵抗体についての調整は終了する。80以下に
なっていなければ、印加電圧パルスの波高値をΔ■だけ
増してパルスを印加する(ステップ@)。
Next, in step -, the resistance value is measured. Step (51
In step 1, the measured value is compared with the target value, and if it is smaller than the target value, the application of the voltage pulse group is not compromised. When the resistance value is larger than the resistance value, in step 4 (2), n pulse trains having the set peak value are applied and the resistance value is measured. Compare the current measurement value with the previous measurement value at step (c). If the dog is a dog than the previous measurement value, perform blobbing again at step (to). If it is smaller than the previous measurement value, set the adjustment target. Comparison with resistance value salt is performed using step wire. If the measured value is below the pumping point, the adjustment for that heating resistor is completed. If it is not 80 or less, the peak value of the applied voltage pulse is increased by Δ■ and a pulse is applied (step @).

このようにして調整は・測定値がB0以下となるまで原
則として続けられる。ただし中にはパルス電圧をいくら
印加しても抵抗値が減少しない特異な素子もある。又パ
ルス発生回路頭が発生しうるパルス電圧の波高値には制
限がある。そこで、抵抗値が馬身下とならなくてもパル
ス電圧の印加回数がある一定数に達するとそこで調整を
終了する。
In this way, adjustment is basically continued until the measured value is below B0. However, there are some unique elements whose resistance value does not decrease no matter how much pulse voltage is applied. Furthermore, there is a limit to the peak value of the pulse voltage that can be generated by the pulse generating circuit head. Therefore, even if the resistance value does not become below the horse's height, the adjustment is terminated when the number of pulse voltage applications reaches a certain number.

ステップ(ハ)はそのために設けられている。Step (c) is provided for this purpose.

数個の発熱抵抗体を−グループとして抵抗値の測定が行
われることは既に第2図、第8図で述べた。
It has already been described in FIGS. 2 and 8 that the resistance value is measured using several heating resistors as a group.

一グlレープの調整が終るとCPUα伺よ平均値、標準
偏差を求めるための演算Σ几、ΣKを行う。そしてプリ
ンタαのは−グlレープの最大値、平均値、最小値が第
8図のようにプリントされる。−個のサーマルヘッドの
全発熱抵抗について調整が終るとOP U Hは全体の
平均値および標単偏査σを計算する。その結果はプリン
タミノに打ち出される。
When the adjustment for one group is completed, the CPU α executes calculations Σ几 and ΣK to obtain the average value and standard deviation. Then, the maximum value, average value, and minimum value of the graph of printer α are printed as shown in FIG. - When all the heating resistances of the thermal heads have been adjusted, OP U H calculates the overall average value and the standard deviation σ. The results will be published on Printermino.

第7図は第4図のパルス発生回路QQの詳細説明図であ
る。図において、(7)、(至)、H国はフリップフロ
ップ回路嘱0υ、鴎、(ロ)はタイマ回路、姫はパルス
発生器、(至)は単安定マルチ回路、国はトランジスタ
、(ロ)は電圧電源、(至)は計数器、(至)は比較器
である。
FIG. 7 is a detailed explanatory diagram of the pulse generating circuit QQ of FIG. 4. In the figure, (7), (to), country H is a flip-flop circuit 0υ, seagull, (b) is a timer circuit, princess is a pulse generator, (to) is a monostable multi-circuit, country is a transistor, (ro) ) is the voltage power supply, (to) is the counter, and (to) is the comparator.

計算部(至)から開始信号8TART信号を受けると、
フリップフロップ回路曽、@罎はセットされる。フリッ
プフロップ回路(至)からは計算部へENABLE禁止
信号が送られる。ENABLE禁止信号が継続している
間は波高値信号Vsの変更と、5TART信号の発生は
禁止される。フリップフロップ回K141の出力により
スイッチ(9)のコイ/l/ @11が通電し、接点−
When receiving the start signal 8TART signal from the calculation section (to),
The flip-flop circuits ZENG and @罎 are set. An ENABLE prohibition signal is sent from the flip-flop circuit (to) to the calculation section. While the ENABLE prohibition signal continues, changes in the peak value signal Vs and generation of the 5TART signal are prohibited. The output of the flip-flop circuit K141 energizes the coil /l/@11 of the switch (9), and the contact -
.

(glが図とは反対側に切替えられる。フリップフロッ
プ回路−がセットされてからT1時間後にタイマ回路O
pは出力する。これによりフリップフロップ回路(至)
がセットされるとゲート(2)が開かれ〈パルス発生器
(至)の発生したパルスが単安定マルチ回路μsに与え
られる。単安定マルチ回路国はパルス発生器(至)のパ
ルス巾を所望のパルス巾Δtt−モつパルスに整形する
。Δtは単安定マルチ回路(至)中の抵抗とコンデンサ
によって定められる。第8図にパルス発生器曽の呂カパ
ルス波形と単安定マルチ回路CF9の出力波形を示す。
(gl is switched to the opposite side from the diagram. After T1 time after the flip-flop circuit is set, the timer circuit O
p outputs. This results in a flip-flop circuit (to)
When is set, the gate (2) is opened and the pulses generated by the pulse generator (to) are given to the monostable multicircuit μs. The monostable multi-circuit converts the pulse width of the pulse generator into a pulse with the desired pulse width Δatt-mo. Δt is determined by the resistors and capacitors in the monostable multicircuit. FIG. 8 shows the pulse waveform of the pulse generator and the output waveform of the monostable multicircuit CF9.

単安定マルチ回路(至)のパルスにより、トランジスタ
(至)のゲートドライブ電流が供給されてトランジスタ
国はパルスが存在する期間ΔtはON状態となる。トラ
ンジスタ□□□がON状態の期間に電圧電源的の出力電
圧がスイッチ(9)の接点国、H,’)レー網(8)を
経てサンプpに印加される。電圧電源C3710波高値
は計算部(2)からの波高値信号VSによって決定され
ている。
The pulse of the monostable multi-circuit supplies the gate drive current of the transistor, and the transistor is in an ON state for a period Δt during which the pulse exists. While the transistor □□□ is in the ON state, an output voltage in the form of a voltage source is applied to the sample p via the contact point of the switch (9), H,') relay network (8). The peak value of the voltage power source C3710 is determined by the peak value signal VS from the calculation section (2).

ゲートノ場を通過するパルスはカウンタ(至)によって
計数される。カウンタ怒の計数値は比較器(391によ
って計算部(財)から与えられる数nと比較される。
Pulses passing through the gate field are counted by a counter. The count value of the counter is compared by a comparator (391) with the number n given from the calculation section (product).

計数値がnに達すると比較諸国の出力によりフリップフ
ロップ回路(至)をリセットする。これによりゲート例
は閉しられ、サンプルへの1回のパルス電圧の印加が終
了する。
When the count value reaches n, the flip-flop circuit (to) is reset by the output of the comparative countries. This closes the example gate and ends the application of one pulse voltage to the sample.

比較器(至)の出力はタイマ回路量にも与えられる。The output of the comparator (to) is also given to the timer circuit quantity.

時限T2後にタイマ回路量は出力し、これ暑こよって7
リツプ70ツブ(至)はリセットされ、スイッチ(9)
は抵抗計測に切換えられる。スイッチ(9)が切換えら
れると、接点−,−は図示の位置に切換えられ、抵抗計
α刀によってサンプルの発熱抵抗体の抵抗値が測定され
る。
After the time limit T2, the timer circuit outputs 7 due to the heat.
Lip 70 knob (to) is reset and switch (9)
is switched to resistance measurement. When the switch (9) is switched, the contacts -, - are switched to the positions shown in the figure, and the resistance value of the heating resistor of the sample is measured with a resistance meter.

タイマ回路f41が出力してから13時間経過するとタ
イマ回路[2が出力し、それによりフリップフロップ回
路(至)がリセットされQ端子出力はlHルベルトなり
・ENABLE禁止信号は消滅する。これにより次の電
圧パルスの印加が可能になる。
When 13 hours have elapsed since timer circuit f41 outputs, timer circuit [2 outputs, which resets the flip-flop circuit (to) and the Q terminal output becomes lH ruberto, and the ENABLE inhibit signal disappears. This allows the application of the next voltage pulse.

本発明による抵抗値の変化の実験結果の一例を示すと、
本発明を実施しない場合は一個のサーマルヘッド内で絶
対値で±20チ、標準偏差σが5.6%であるのに対し
、本発明を実施すると絶対値で±8%、標準偏差が0.
4%になる等太幅に抵抗値のばらつきが改善された。こ
れによってサーマルヘッドの印字の濃度ムラをほとんど
なくすることができた。
An example of the experimental results of resistance value changes according to the present invention is as follows:
When the present invention is not implemented, the absolute value within one thermal head is ±20 degrees and the standard deviation σ is 5.6%, whereas when the present invention is implemented, the absolute value is ±8% and the standard deviation is 0. ..
The variation in resistance values has been improved to a wide range of 4%. This made it possible to almost eliminate density unevenness in printing by the thermal head.

発明者等は抵抗値の調整のために印加する電圧パルスの
波高値の初期設定値(第1図Vo )を数十■、印加パ
ルス電圧の1回毎の増加分ΔVをIVないし数v11回
の電圧印加に含まれるパルス数nを10〜20.1個の
パルス巾Δtを1μないし数μ秒、パルス間隔を数十μ
秒として発熱体の抵抗値の調整を行った。
The inventors set the initial setting value (Vo in Figure 1) of the peak value of the voltage pulse applied to adjust the resistance value to several tens of square meters, and set the increment ΔV of the applied pulse voltage every time to IV to several volts 11 times. The number of pulses n included in the voltage application is 10 to 20.1, the pulse width Δt is 1 μ to several μ seconds, and the pulse interval is several tens of μ.
The resistance value of the heating element was adjusted in seconds.

時限T、・T3は10m秒前後に、時限T2は数m秒に
設定して、発明者等は抵抗値の調整を行った。
The inventors adjusted the resistance values by setting the time limits T and T3 to around 10 msec and the time limit T2 to several msec.

抵抗値の調整に用いるパラメータの具体的な数値は以上
に述べた一例に限られるものではなく、この発明の効果
を奏する範囲内で種々の数値をとりうろことは言うまで
もない。
It goes without saying that the specific numerical values of the parameters used for adjusting the resistance value are not limited to the example described above, and that various numerical values may be used within the range that produces the effects of the present invention.

第6図のステップ(ハ)においては曲回の抵抗測定値と
大小比較を行っているが、これに代えて前回の抵抗測定
値に比して一定の範囲内、例えば0.9〜1.0倍の範
囲内にあるか否かを確認し、この範囲内にないときは抵
抗値の再測芝をするようにしても良い。
In step (c) of FIG. 6, the resistance measurement value of the turn is compared in size, but instead of this, the resistance measurement value is compared to the previous resistance measurement value within a certain range, for example, 0.9 to 1. It is also possible to check whether the resistance value is within the range of 0 times or not, and to re-measure the resistance value if it is not within this range.

この発明に係るサーマルヘッドの製造装置の一例を第4
図、第7図に示したが、この発明はこれらに限られない
An example of the thermal head manufacturing apparatus according to the present invention is shown in the fourth example.
Although shown in FIG. 7, the present invention is not limited thereto.

パルス電圧の波高値VSとパルス数nを計算部@からパ
ルス発生回路αGに自動的に与えているが1これらを手
動操作にて設定するようにする事もできる。それは、パ
ルス発生回路に波高値Vsとパルス数nを設定するスイ
ッチを設けることによって容易に実施できる。又計算部
(2)からの自動設定と手動操作の両者を併用しても良
い。
Although the peak value VS of the pulse voltage and the number of pulses n are automatically given to the pulse generation circuit αG from the calculation unit @, it is also possible to set these manually. This can be easily implemented by providing the pulse generation circuit with a switch for setting the peak value Vs and the number of pulses n. Further, both automatic setting from the calculation section (2) and manual operation may be used together.

スイッチ(9)は第7図の例ではコイ/L’@llに通
電して接点61121 、 +931を駆動するリレー
であるが、これに代えて半導体スイッチを用いることも
可能である。
In the example of FIG. 7, the switch (9) is a relay that energizes the coil/L'@ll to drive the contacts 61121 and +931, but it is also possible to use a semiconductor switch instead.

〔発明の効果〕 この発明に係るサーマルヘッドの製造装置は亀次第に波
高値が高くなる電圧パルスを発熱抵抗体に印加して抵抗
値を減少させるようにしたので、サーマルヘッドの発熱
抵抗体の抵抗値のばらつきを少なくして、サーマルヘッ
ドの印字濃度のむらを著しく減少させることができる。
[Effects of the Invention] The thermal head manufacturing apparatus according to the present invention applies a voltage pulse whose peak value gradually increases to the heating resistor to reduce the resistance value, so that the resistance of the heating resistor of the thermal head is reduced. By reducing the variation in values, it is possible to significantly reduce the unevenness of print density of the thermal head.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は抵抗値のばらつきの少いサーマルヘッドの製造
方法の原理説明図、第2図、第8図はこの発明に係るサ
ーマルヘッドの製造装置による抵抗値を揃える製造プロ
セスを実施しない場合と、実施した場合の抵抗値の分布
を示す図、第4図はこの発明に係るサーマルヘッドの製
造装置の一実施例を示す構成図、第5図は第4図の主要
部の波形図、第6図はこの発明に係るサーマルヘッドの
製造装置による製造プロセスの一実施手順を示すフロー
チャート図、第7図は第4図のハルレス発生回路の詳細
構成図、第8図は第7図の波形説明図、第9図はサーマ
ルヘッドの一般i成図、第10図は感熱記録装置におけ
るサーマルヘッドの使用状態を説明する図、第11図は
一般的なサーマルヘッドにおける抵抗値の分布の一例を
示す図である。 図において、(1)は絶縁基板、(2)はリード線、(
3)は発熱抵抗素子、(6)はブロービング装置、(7
)はサーマルヘッド、(8)はリレー網、(9)はスイ
ッチ、αGはパルス発生回路、(ロ)は抵抗計、鰺は計
算部、α荀はOPU、(3υ、鴎、(6)はタイマ回路
、鰻はパルス発生器、(至)は単安定マルチ回路、口η
は電圧電源、(至)は計数器、国は比較器である。 なお、各図中の同一符号は同−又は相当部分を示す。
FIG. 1 is an explanatory diagram of the principle of a method for manufacturing a thermal head with little variation in resistance value, and FIG. 2 and FIG. , FIG. 4 is a configuration diagram showing an embodiment of the thermal head manufacturing apparatus according to the present invention, FIG. 5 is a waveform diagram of the main part of FIG. 4, and FIG. 6 is a flowchart showing one implementation procedure of the manufacturing process by the thermal head manufacturing apparatus according to the present invention, FIG. 7 is a detailed configuration diagram of the Hullless generation circuit shown in FIG. 4, and FIG. 8 is an explanation of the waveforms shown in FIG. 7. Figure 9 is a general diagram of a thermal head, Figure 10 is a diagram explaining how a thermal head is used in a thermal recording device, and Figure 11 is an example of the distribution of resistance values in a general thermal head. It is a diagram. In the figure, (1) is an insulated substrate, (2) is a lead wire, (
3) is a heating resistance element, (6) is a blobbing device, (7
) is the thermal head, (8) is the relay network, (9) is the switch, αG is the pulse generation circuit, (b) is the resistance meter, mackerel is the calculation section, αsun is the OPU, (3υ, seagull), (6) is the Timer circuit, eel is pulse generator, (to) is monostable multi circuit, mouth η
is the voltage source, (to) is the counter, and country is the comparator. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] サーマルヘッドの発熱抵抗体に電圧パルスを印加するパ
ルス発生回路と、前記発熱抵抗体の抵抗値を測定する抵
抗計とを備え、電圧パルス印加後の前記発熱抵抗体の抵
抗測定値が所定値以上であるときは前記パルス発生回路
により前回より高い波高値をもつ電圧パルスを前記発熱
抵抗体に印加することを特徴とするサーマルヘッドの製
造装置。
A pulse generating circuit applies a voltage pulse to a heating resistor of a thermal head, and a resistance meter measures a resistance value of the heating resistor, and the resistance measurement value of the heating resistor after applying the voltage pulse is equal to or higher than a predetermined value. In the thermal head manufacturing apparatus, the pulse generating circuit applies a voltage pulse having a higher peak value than the previous one to the heating resistor.
JP60017786A 1985-01-30 1985-01-30 Apparatus for preparing thermal head Pending JPS6183058A (en)

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