JPS6177770A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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JPS6177770A
JPS6177770A JP59200095A JP20009584A JPS6177770A JP S6177770 A JPS6177770 A JP S6177770A JP 59200095 A JP59200095 A JP 59200095A JP 20009584 A JP20009584 A JP 20009584A JP S6177770 A JPS6177770 A JP S6177770A
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JP
Japan
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output
data
signal
terminal
control signal
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JP59200095A
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Japanese (ja)
Inventor
Yukihiro Saeki
佐伯 幸弘
Akihiro Yamazaki
山崎 昭浩
Hiroaki Nakamura
浩章 中村
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Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
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Publication date
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Publication of JPS6177770A publication Critical patent/JPS6177770A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To facilitate the checking for poor operation of a circuit and a system, by outputting a signal outside to control the low impedance state and the high impedance at the 3-state output. CONSTITUTION:When the output control signal -E is '0' or the data signal D is '0', outputs of gates 15 and 16 move to '1' to turn OFF a MOSFET17 while a MOSFET18 is turned ON and an L level is outputted at a terminal 12. When the signal -E is '0' or the signal D '1'. The terminal 12 moves to H level and moreover, when the signal -E is '1', the terminal 12 turns to a high impedance state. The line for feeding the signal -E is connected to an output terminal 24 for outside through inverters 231 and 232 acting as control signal outputting circuit 22 to fetch the signal -E from the terminal 24.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、3ステートのデータ出力端子を有する半導
体集積回路装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device having a three-state data output terminal.

〔発明の技術的背景とその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

従来、この鎚の半導体集積回路装置における3ステート
・バッファのデータ出力回路は、例えば第8図に示すよ
うに植成されている。すなわち、データ出力回路11に
は、装置内部からの出力制御信号Eとデータ信号りとが
入力され、これらの信号E、Dに基づいてハイ(−H”
 )レベル、ロー(@L#)オヨヒ高インピーダンス状
態の3状態の信号が出力端子12を介して外部データ線
(BUS) 13に出力される。上記データ出力回路1
1は、一方の入力端にデータ信号りが供給され、他方の
入力端に出力制御信号Eがインバータ14を介して供給
されるナンドy −ト15、一方の入力端にデータ信号
りが、他方の入力端に出力制御信号Eがそれぞれ供給さ
れるノアr−)z6、電源vDDと上記出力端子12間
に接続され上記ナンドダート15の出力で導通制御され
るPチャネル形のMOS FET J 7、および上記
出力端子12と接地点V8s間に接続され上記ノアゲー
ト16の出力で導通制御されるNチャネル形のMOS 
FET 1 Bとから1成される。
Conventionally, a data output circuit of a three-state buffer in this type of semiconductor integrated circuit device has been implanted, for example, as shown in FIG. That is, the data output circuit 11 receives an output control signal E and a data signal from inside the device, and outputs a high (-H") signal based on these signals E and D.
) level, low (@L#) level, high impedance state, and a signal in three states is outputted to the external data line (BUS) 13 via the output terminal 12. The above data output circuit 1
1 is a NAND 15 in which a data signal is supplied to one input terminal, and an output control signal E is supplied to the other input terminal via an inverter 14; a P-channel MOS FET J7 connected between the power supply vDD and the output terminal 12 and whose conduction is controlled by the output of the Nand Dart 15, and An N-channel MOS connected between the output terminal 12 and the ground point V8s and whose conduction is controlled by the output of the NOR gate 16.
It is made up of one FET 1B.

上記のような宿成において動作を説明する。The operation in the above-mentioned formation will be explained.

まず、出力制御信号Eが“0″レベル、データ信号りが
@0”レベルの時、ナンドr −ト15およびノアf−
ト16の出力がそれぞれ“l#レベルとなるので、fi
、(O8FET 17 if オフ状態、hqosFE
T 18がオン状態となる。従って、出力端子12から
はVss(”L″)レベルが出力される。
First, when the output control signal E is at the "0" level and the data signal is at the @0 level, the NAND r-to 15 and the NAND f-
Since the outputs of ports 16 and 16 are respectively at the "l# level,"
, (O8FET 17 if off state, hqosFE
T18 is turned on. Therefore, the output terminal 12 outputs the Vss (“L”) level.

次に、出力制御信号百が”O”レベルの状態でデータ信
号りが11#レベルとなると、ナントゲート15および
ノアゲート16の出力がそれぞれ”0#レベルとなる。
Next, when the data signal goes to the 11# level while the output control signal 100 is at the "O" level, the outputs of the Nant gate 15 and the NOR gate 16 each go to the "0# level."

これによって、MOS FET12がオン状態、MOS
 FET 1 Bがオフ状態となり、出力四子12から
はvDD(“L″)レベルが出力てれる。一方、出力制
御信号Eが”1″レベルとなると、データ信号りのレベ
ルにかかわらずナントゲート16の出力が”1#レベル
、ノアゲート17の出力が”0”レベルとなる。従って
、MOS FET 17 、18はともにオフ状態とな
シ、出力端子12は高インピーダンス状態に設定される
As a result, MOS FET12 is turned on, and the MOS
FET 1 B is turned off, and the output quadrature 12 outputs the vDD (“L”) level. On the other hand, when the output control signal E becomes "1" level, the output of the NAND gate 16 becomes "1# level" and the output of the NOR gate 17 becomes "0" level, regardless of the level of the data signal. Therefore, the MOS FET 17 , 18 are both off, and the output terminal 12 is set to a high impedance state.

ところで、上述した3ステート、バッファは、例エバマ
イクロ、コンピュータ、システムにおけるデータ、パス
の駆動回路として広く用いられている。この場合、一つ
のデータ、パスにはCPU 、メモリおよび工10等の
LSI用の各3ステート、バッファが接続されてデータ
の授受を行なっている@このため、データ、パスの電位
を検出しただけでは、その電位がどのLSIに設けられ
た出力回路の出力であるかわからない欠点がある。また
、誤動作などにょシ2つ以上の出力回路からデータが出
力されている場合、その確認もできない。
By the way, the above-mentioned three-state buffer is widely used as a data and path driving circuit in, for example, EVA micro, computer, and systems. In this case, one data path is connected to the CPU, memory, three states for LSI such as 10, and a buffer to exchange data. For this reason, only the potential of the data path is detected. However, there is a drawback that it is not known which LSI the output circuit of which potential is provided is the output of. Furthermore, if data is being output from two or more output circuits due to malfunction, etc., it cannot be confirmed.

第9図は、従来のマイクロ、コンピュータ。Figure 9 shows a conventional microcomputer.

システムにおけるデータ転送を説明するための図である
。外部データ線(BUS ) 13には、中央演算処理
装ff1(CPU)J9.複数のメモリ装置2 ol 
 r 202  + 203、および種kLD周辺装置
(r7’o ) 21等の入出力端子がそれぞれ接続さ
れている。また、CPU 19からは、その他の装置2
0H+ 21172 + 203および2ノにデータ制
御信号風が出力される。今、上記データ制御信号風が“
O”レベルであるとすると、メモリ装置201 + 2
02 .203および周辺装置2ノに設けられた出力回
路は高インピーダンス状態とな〃、BUS 13にはC
PU 19からの出力のみ許される。一方、データ制御
信号風が“1#レベルとなると、装置20H+ 20z
  * 203および21における出力回路のいずれか
1つが低インピーダンス状態に設定され、CPU 19
はその装置からデータを受は取る@ しかし、上記のような構成では、データ制御信号風が“
0”レベルの時、CPU19からデータが出力されてい
るのか、高インピーダンス状態かはわからないため、ノ
イズなどによって他の装置2θI  N’202 N2
O3;hるいは21が誤ってBUS 13にデータを出
力することが起こフうる・つまシ、CPU 19がデー
タを出力しなくとも、他の装置がデータを受は取ってし
まうことがある。また、データ制御信号風が11“レベ
ルの時でも、メモリ装置201  +202  +20
3および周辺装置2ノのいずれもデータを出力しなかっ
た)、あるいは複数の装置から出力されるというような
誤動作も生ずる。このように、メモリ装置2θl 、2
0□ 、2o3や周辺装置21は外部への出力状態を出
力する端子を持たないため、装置内部の不良やシステム
を構成した際のチェック等が困難であった。
FIG. 2 is a diagram for explaining data transfer in the system. The external data line (BUS) 13 includes a central processing unit ff1 (CPU) J9. Multiple memory devices 2 ol
Input/output terminals such as r 202 + 203 and a seed kLD peripheral device (r7'o) 21 are connected thereto. In addition, from the CPU 19, other devices 2
Data control signal wind is output to 0H+21172+203 and 2no. Now, the above data control signal wind is “
If the memory device 201 + 2 is at O” level, the memory device 201 + 2
02. The output circuits provided in 203 and peripheral device 2 are in a high impedance state, and BUS 13 has a C
Only output from PU 19 is allowed. On the other hand, when the data control signal wind reaches the "1# level", the device 20H+20z
* Any one of the output circuits in 203 and 21 is set to a low impedance state, and the CPU 19
receives data from the device @ However, in the above configuration, the data control signal wind is “
0'' level, it is not known whether data is being output from the CPU 19 or whether it is in a high impedance state, so other devices 2θI N'202 N2 may be affected by noise etc.
If O3;h or 21 accidentally outputs data to BUS 13, even if the CPU 19 does not output data, other devices may receive the data. Furthermore, even when the data control signal wind is at the 11" level, the memory device 201 +202 +20
Malfunctions may also occur, such as when neither peripheral device 3 nor peripheral device 2 outputs data, or data is output from a plurality of devices. Thus, the memory device 2θl, 2
Since the 0□, 2o3 and the peripheral device 21 do not have a terminal for outputting the output state to the outside, it is difficult to check for defects inside the device or when configuring the system.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、データ出力の状態を外部に出
力することによって、回路の動作不良やシステムのチェ
、りを容易に行なえる半導体集積回路装置全提供するこ
とである。
This invention was made in view of the above circumstances,
The purpose is to provide an entire semiconductor integrated circuit device that can easily detect circuit malfunctions and check the system by outputting the data output state to the outside.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

すなわち、この発明においては、上記の目的を達成する
ために、半導体集積回路装置に、3ステートの出力にお
ける低インピーダンス状態および高インピーダンス状態
を制御する制御信号を外部に出力する端子を設けたもの
である。
That is, in the present invention, in order to achieve the above object, a semiconductor integrated circuit device is provided with a terminal for externally outputting a control signal for controlling the low impedance state and high impedance state of the three-state output. be.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する。第1図において、前記第8図と同一構成部には同
じ符号を付してその詳細な説明は省略する。すなわち、
出力制御信号Eが供給されるラインを、制御信号出力回
路22として働くインバータ231−23z’xそれぞ
れ介して外部への出力端子(制御信号出力端子)24に
接続したものである。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1, the same components as those in FIG. 8 are given the same reference numerals, and detailed explanation thereof will be omitted. That is,
A line to which the output control signal E is supplied is connected to an output terminal (control signal output terminal) 24 to the outside via inverters 231 to 23z'x each functioning as a control signal output circuit 22.

このような構成によれば、出力制御信号rが上記出力端
子24から取シ出せるため、半導体集積回路装置のデー
タの出力状態を外部から知ることができ、回路の動作不
良やシステムのチェックを容易に行々うことができる。
According to such a configuration, since the output control signal r can be taken out from the output terminal 24, the data output state of the semiconductor integrated circuit device can be known from the outside, and it is easy to check malfunctions of the circuit and the system. You can go to

例えば前記第8図に示したようなマイクロ、コンピュー
タ、システムの場合、1つの装置をアクセスしたにもか
かわらず2つ以上の装置からデータが出力されたシ、ア
クセスしてもどの装置からもデータが出力されなかった
際に、誤動作している装置が容易に発見できる。従って
、システム上のデパックが可能となる。
For example, in the case of microcontrollers, computers, and systems as shown in Figure 8 above, data may be output from two or more devices even though one device is accessed, or data may be output from any device even if accessed. When no output occurs, the malfunctioning device can be easily discovered. Therefore, depacking on the system becomes possible.

なお、第2図に示すように、同一のLSI内に複数のデ
ータ出力回路111〜114が設けられ、これらデータ
出力回路If1〜114にそれぞれ異なるデータDBo
〜DB3および共通の出力制御信号Eが供給される朽合
には、制frlI信号出力回路22および出力端子24
は各々1つ設ければ良い。
Note that, as shown in FIG. 2, a plurality of data output circuits 111 to 114 are provided in the same LSI, and each of these data output circuits If1 to 114 is provided with different data DBo.
~DB3 and the common output control signal E are supplied to the control frlI signal output circuit 22 and the output terminal 24.
It is sufficient to provide one each.

上述したように、出力制御信号E’Q出力する出力端子
24を設けることによって、CPUが特定の装置にデー
タの出力を要求してもデータが出力されなで1った場合
、このCPU ic割シ込みを行なって取シ込んだデー
タを無効化することもできる。すなわち、第3図に示す
ように、CPU25から出力されるデータ制御信号NI
Rおよび装置26の出力制御信号iをそれぞれアンドゲ
ート27に供給し、このアンドゲート27の出力をCP
U 25の割シ込み端子INT IC供給して割シ込み
をかける。これによってCPU 25はデータの出力が
無かったことを知り、それに応じた処理を行なう。
As described above, by providing the output terminal 24 that outputs the output control signal E'Q, if the CPU requests a specific device to output data but no data is output, this CPU IC allocation It is also possible to invalidate the imported data by performing an import. That is, as shown in FIG. 3, the data control signal NI output from the CPU 25
R and the output control signal i of the device 26 are respectively supplied to an AND gate 27, and the output of this AND gate 27 is connected to CP.
The interrupt terminal INT IC of U25 is supplied to generate an interrupt. As a result, the CPU 25 learns that no data has been output, and performs processing accordingly.

第4図は、CPUが他の周辺装置にデータの出力を要求
したにもかかわらず、どの装置からもデータが出力され
ない場合、出力制御信号検出回路によってこれを検出し
、CPU忙割シ込みを行なうようにしたものである。 
CPo 25と周辺装置261  +262  +26
3  m・・・とけバス28によってその入出力端子間
がそれぞれ接続される。上記CPU 25から各装ft
26. +ze、 +263・・・へはデータ制御信号
風が供給され、各装R2e1262 .263  、・
・・から出力される出力制御信号Eがアンドff −)
 29にそれぞれ供給される。
Figure 4 shows that when the CPU requests data output from other peripheral devices but no data is output from any device, the output control signal detection circuit detects this and issues a CPU busy interrupt. This is what I decided to do.
CPo 25 and peripherals 261 +262 +26
3 m...The input and output terminals are connected by the melt bus 28, respectively. Each unit from the above CPU 25 ft
26. +ze, +263... are supplied with data control signal wind, and each device R2e1262... 263,・
The output control signal E output from ... is ANDff -)
29 respectively.

このアンドヶ”−) 29の出力は、アンドゲート3θ
の一方の入力端に供給され、他方の入力端にはCPU 
25から出力されるデータ制御信号凧が供給される。そ
して、上記アンドゲート30の出力がCPU 25の割
シ込み端子INTに供給される。なお、アンドダート2
9.30が出力制御信号検出回路31t−構成している
。このような構成によれば、CPU 25は割)込み端
子INT Ic ”1’が入力されることによってデー
タの出力がなかったことを知り、それに応じた処理が可
能となる・ 第5図は、CPTJ 25が他の周辺装置261 。
The output of this AND gate 3θ
is supplied to one input terminal of the CPU, and the other input terminal is supplied to the CPU
A data control signal output from 25 is supplied. The output of the AND gate 30 is then supplied to the interrupt terminal INT of the CPU 25. In addition, and dirt 2
9.30 constitutes the output control signal detection circuit 31t. According to such a configuration, the CPU 25 knows that no data has been output by inputting the interrupt terminal INT Ic "1", and can perform processing accordingly. CPTJ 25 is another peripheral device 261 .

262+263 、・・・にデータの出力t−要求して
いる時に、2つ以上の装置からデータが出力された場合
、CPU 25に割り込みを行なうようにしたものであ
る。CPU 25と周辺装置261 。
262+263, . . . and when data is output from two or more devices, an interrupt is made to the CPU 25. CPU 25 and peripheral devices 261.

262 .263  +・・・とけバス28によってそ
の入出力端間がそれぞれ接続されている。上記CPU 
25から出力されるデータ制御信号風は、各装置261
  +262  +26g  +・・・およびコントロ
ーラ32に供給される。上記コントローラ32Vcは、
上記各装置2e 1 1 J 62 1263+=・か
らそれぞれ出力制御信号Eが供給され、2つ以上の装置
からデータが出力されると上記CPU25の割り込み端
子INTに割り込み信号が供給されるようになっている
262. 263+...The input and output terminals are connected by the melt bus 28, respectively. Above CPU
The data control signal wind output from 25 is transmitted to each device 261.
+262 +26g +... and supplied to the controller 32. The controller 32Vc is
An output control signal E is supplied from each of the devices 2e 1 1 J 62 1263+=・, and when data is output from two or more devices, an interrupt signal is supplied to the interrupt terminal INT of the CPU 25. There is.

一方、第6図は、CPU :z sがデータの出力要求
を出していない時に何れかの装置からデータの出力があ
った場合、CPU 25(あるいはその他の装置)に割
シ込みを行なって取り込んだデータを無効化するもので
ある。この回路は、前記第4図の回路と同様な0成とな
っておシ、CPU 25から出力されるデータ制御信号
犯を、インバータ33によって反転してアンドゲート3
0に供給する点のみが異なっている。
On the other hand, FIG. 6 shows that if data is output from any device while the CPU zs is not issuing a data output request, an interrupt is sent to the CPU 25 (or other device) to retrieve the data. This invalidates the data. This circuit has a 0 state similar to the circuit shown in FIG.
The only difference is that it is supplied to 0.

第7図は、複数の周辺装置からデータが出力された際に
、この中から最も優先順位の高い装置を選択してその出
力を取多込み、他の装置の出力を停止するものである。
In FIG. 7, when data is output from a plurality of peripheral devices, the device with the highest priority is selected from among them, its output is acquired, and the output of the other devices is stopped.

すなわち、CPU25から出力されるデータ制御信号風
は、周辺装置261およびアンドダート341+ 34
2 +343 、・・・の−入力端に供給される。上記
アンドグー)341 1342  +343  +・・
・の他の入力端にはそれぞれ、前段までの周辺装置から
出′力される出力制御信号Eが供給され、その出力が周
辺装置262  +263  *26a  1・・・に
データ制御信号として供給されるようになっている。
That is, the data control signal output from the CPU 25 is transmitted to the peripheral device 261 and the AND/DART 341+34.
2 +343, . . . are supplied to the negative input terminals. above) 341 1342 +343 +...
The output control signal E output from the peripheral devices up to the previous stage is supplied to the other input terminals of . It looks like this.

これによって、優先1閣位が周辺装fR261+262
  +263  、;j64  、・・・の順に設定さ
れる。
As a result, the first priority position is peripheral equipment fR261+262
+263, ;j64, . . . are set in this order.

このように、内部の制御信号を出力する端子を設けるこ
とによシ、前記第3図ないし第7図に示したような種々
の機能が付加できる。
By providing a terminal for outputting internal control signals in this manner, various functions as shown in FIGS. 3 to 7 can be added.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したようにこの発明によれば、データ出力の状
態を外部に出力する手段を設けたので、回路の動作不良
やシステムのチェックを容易に行なえる半導体集積回路
装置が得られる。
As described above, according to the present invention, since means for outputting the data output state to the outside is provided, it is possible to obtain a semiconductor integrated circuit device in which circuit malfunctions and system checks can be easily performed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例に係わる半導体集積回路装
置を説明するた・めの図、第2図ないし第7図はそれぞ
れこの発明の他の実施例を説明するための図、第8図お
よび第9図はそれぞれ従来の半導体集積回路装置を説明
するための図である。 11・・・データ出力回路、12・・・データ出力端子
、24・・・制御信号出力端子、D・・・データ信号、
E・・・出力制御信号。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第2 図 第3図 第4図 第5 図 第6図 第7 図 第8図
FIG. 1 is a diagram for explaining a semiconductor integrated circuit device according to one embodiment of the present invention, FIGS. 2 to 7 are diagrams for explaining other embodiments of the present invention, and FIG. 9 and 9 are diagrams for explaining a conventional semiconductor integrated circuit device, respectively. DESCRIPTION OF SYMBOLS 11... Data output circuit, 12... Data output terminal, 24... Control signal output terminal, D... Data signal,
E...Output control signal. Applicant's Representative Patent Attorney Takehiko Suzue Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6 Figure 7 Figure 8

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  3ステートの外部へのデータ出力端子を有する半導体
集積回路装置において、その出力の低インピーダンス状
態および高インピーダンス状態を制御する内部の制御信
号を外部に出力する手段を設けたことを特徴とする半導
体集積回路装置。
A semiconductor integrated circuit device having a three-state data output terminal to the outside, characterized in that it is provided with means for outputting an internal control signal for controlling the low impedance state and high impedance state of its output to the outside. circuit device.
JP59200095A 1984-09-25 1984-09-25 Semiconductor integrated circuit device Pending JPS6177770A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62129A (en) * 1985-06-26 1987-01-06 Oki Electric Ind Co Ltd Input and output circuit
US5874835A (en) * 1996-05-20 1999-02-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha High impedance detecting circuit and interface circuit

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62129A (en) * 1985-06-26 1987-01-06 Oki Electric Ind Co Ltd Input and output circuit
JP2531615B2 (en) * 1985-06-26 1996-09-04 沖電気工業株式会社 Integrated circuit
US5874835A (en) * 1996-05-20 1999-02-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha High impedance detecting circuit and interface circuit

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