JPS6171491A - Manufacturing method of magnetic bubble device - Google Patents
Manufacturing method of magnetic bubble deviceInfo
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- JPS6171491A JPS6171491A JP59192202A JP19220284A JPS6171491A JP S6171491 A JPS6171491 A JP S6171491A JP 59192202 A JP59192202 A JP 59192202A JP 19220284 A JP19220284 A JP 19220284A JP S6171491 A JPS6171491 A JP S6171491A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気バブルデバイスの製造方法に係り、特にバ
イアス磁界用マグネット着磁工程における最適バイアス
磁界値の設定方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a magnetic bubble device, and particularly to a method for setting an optimum bias magnetic field value in a step of magnetizing a bias magnetic field magnet.
磁気バブルデバイスは磁気バブルチップと、X軸方向/
Y軸方向の駆動用コイルと、バイアス磁界を印加するバ
イアスコイルおよびマグネットで構成される。The magnetic bubble device has a magnetic bubble chip and a
It is composed of a drive coil in the Y-axis direction, a bias coil and a magnet that apply a bias magnetic field.
磁気バブルチップの記憶エリヤには第2図の模式図に示
す如く、通常バブル発生器Glを備えた読込用メジャー
ラインM1と、バブル検出器Sを備えた続出用メジャー
ラインM2と、バブルをマイナーループに入れるための
スワップ或いはトランスファゲートG2と、バブルをマ
イナーループから読出すためのレプリケート或いはトラ
ンスファゲートG3と、約300個または約600個の
マイナーループmと呼ばれる記憶ループが形成されてい
る。一つの情報ブロック(1ページ)がバブル発生器か
らまずメジャーラインM1に導入され、これが各ゲート
G2の前にそろったとき各ゲートが一斉に開かれ、情報
のブロックはマイナーループmに格納される。マイナー
ループmにある情報を読み出す場合には、その情報ブロ
ックが各ゲートG3の前に来たとき一斉にゲートを開き
メジャーラインM2に移す。これがメジャーラインM2
に設けたバブル検出器Sによって電気信号に変換される
。As shown in the schematic diagram of FIG. 2, the storage area of the magnetic bubble chip includes a reading major line M1 equipped with a normal bubble generator Gl, a successive major line M2 equipped with a bubble detector S, and a minor line for reading bubbles. A swap or transfer gate G2 for entering the bubble into the loop, a replicate or transfer gate G3 for reading out bubbles from the minor loop, and about 300 or about 600 storage loops called minor loops m are formed. One information block (one page) is first introduced into the major line M1 from the bubble generator, and when this is in front of each gate G2, each gate is opened at the same time, and the information block is stored in the minor loop m. . When reading information in the minor loop m, when the information block comes in front of each gate G3, the gates are opened all at once and the information is transferred to the major line M2. This is major line M2
It is converted into an electrical signal by a bubble detector S installed in the bubble detector S.
かかる磁気バブルデバイスにおいてバイアス磁界と不良
ループの発生状況の間には第3図に示す関係がある。磁
気バブルデバイスのバイアス磁界が最適バイアス磁界値
を超えて大きくなると磁気バブルが消滅しくこの現象を
コラプスと称する)、バイアス磁界が最適バイアス磁界
値を超えて小さくなると磁気バブルが帯状に連結する(
この現象をストリップアウトと称する)。このコラプス
とストリップアウトを生じないバイアス磁界の幅、即ち
最適バイアス磁界値に対するバイアスマージンは±10
エルステッド(Oe)程度の幅しかない。In such a magnetic bubble device, there is a relationship shown in FIG. 3 between the bias magnetic field and the occurrence of defective loops. When the bias magnetic field of the magnetic bubble device increases beyond the optimal bias magnetic field value, the magnetic bubbles disappear and this phenomenon is called collapse), and when the bias magnetic field decreases beyond the optimal bias magnetic field value, the magnetic bubbles connect in a band shape (
This phenomenon is called strip-out). The width of the bias magnetic field that does not cause this collapse and strip-out, that is, the bias margin for the optimal bias magnetic field value is ±10
It is only as wide as Oersted (Oe).
一方中心値は磁気バブルチップによって異なり目標値と
して210エルステツド(Oe)前後をねらっても±2
0エルステッド(Oe)程度の“ばらつき゛があり、同
一磁気バブルチップ上に形成されたマイナーループの間
でも ′ばらつき゛がある。On the other hand, the center value varies depending on the magnetic bubble chip, and even if you aim for around 210 oersted (Oe) as the target value, ±2
There is a "variation" of about 0 oersted (Oe), and there is also a "variation" between minor loops formed on the same magnetic bubble chip.
したがって予め着磁しておいたバイアス磁界用マグネッ
トを磁気バブルチップやその他の構成部品と組み合わせ
、磁気バブルデバイスを構成する方法は極めて歩留りが
悪い。そこで磁気バブルデバイス毎に最適バイアス磁界
値を検出しマグネットの着磁量を調整する作業が必要に
なる。Therefore, the method of constructing a magnetic bubble device by combining a pre-magnetized bias magnetic field magnet with a magnetic bubble chip and other components has an extremely low yield. Therefore, it is necessary to detect the optimum bias magnetic field value for each magnetic bubble device and adjust the amount of magnetization of the magnet.
第3図に示す如くバイアス磁界がある境界を過ぎると情
報を読み出せない不良ループが急激に増加し、遂にはコ
ラプス或いはストリップアウト状態になる。そこで最適
バイアス磁界値を設定する方法として、同一磁気バブル
チップ上に形成されたマイナーループ毎に情報の書込み
・読出しを行い、不良ループが急激に増加しはじめるバ
イアス磁界値の上限および下限、即ちバイアスマージン
を検出し最適バイアス磁界値を設定する方法がとられて
いる。As shown in FIG. 3, when the bias magnetic field passes a certain boundary, the number of defective loops from which information cannot be read increases rapidly, and eventually collapses or strips out. Therefore, as a method to set the optimal bias magnetic field value, information is written and read for each minor loop formed on the same magnetic bubble chip, and the upper and lower limits of the bias magnetic field value at which the number of defective loops begins to rapidly increase, that is, the bias A method is used to detect the margin and set the optimum bias magnetic field value.
第4図はそれを行うためのバイアス磁界調整システムの
構成図で、システムコントローラ1、タイミングジェネ
レータ2、XYコイルドライバ3、ファンクションドラ
イバ4、センス照合回路5、バイアスコイルドライバ6
、電磁石用電源7および電磁石8で構成しており、XY
コイルドライバ3、ファンクションドライバ4、センス
照合回路5およびバイアスコイルドライバ6はタイミン
グジェネレータ2を介して、また電磁石用電源7は直接
システムコントローラ1によって制御されている。そし
てXYコイノにドライバ3およびファンクションドライ
バ4によって磁気バブルデバイス9を駆動し、磁気バブ
ルデバイス9の出力信号をセンス照合回路5を通して読
み取り、磁気バブルチップ上に形成されたマイナールー
プの良・不良を判定している。バイアスコイルドライバ
6は磁気バブルデバイス9に内蔵されているバイアスコ
イルに流す電流を制御する回路で、マグネットによって
印加されているバイアス磁界値を一定範囲内で変化させ
ることができる。また電磁石用電源7を制御して電磁石
8を励磁することによって、磁気バブルデバイス9に内
蔵されているマグネットの着磁量を自白に変えることが
できる。Fig. 4 is a configuration diagram of a bias magnetic field adjustment system for doing this, which includes a system controller 1, a timing generator 2, an XY coil driver 3, a function driver 4, a sense verification circuit 5, and a bias coil driver 6.
, consists of an electromagnet power supply 7 and an electromagnet 8, and
The coil driver 3, function driver 4, sense verification circuit 5, and bias coil driver 6 are controlled via the timing generator 2, and the electromagnet power source 7 is directly controlled by the system controller 1. Then, the magnetic bubble device 9 is driven by the driver 3 and the function driver 4 in the XY coin, and the output signal of the magnetic bubble device 9 is read through the sense verification circuit 5 to determine whether the minor loop formed on the magnetic bubble chip is good or bad. are doing. The bias coil driver 6 is a circuit that controls the current flowing through the bias coil built into the magnetic bubble device 9, and can change the value of the bias magnetic field applied by the magnet within a certain range. Furthermore, by controlling the electromagnet power supply 7 to excite the electromagnet 8, the amount of magnetization of the magnet built into the magnetic bubble device 9 can be changed to a certain value.
まず磁気バブルデバイスのマグネットを最大限着磁(5
50Oe程度)した状態でバイアスコイルドライバ6に
よってバイアス磁界値を一定範囲内で変化させ、それぞ
れのバイアス磁界値においてマイナーループ毎に情報の
書込み/読出しを行い、不良ループが急激に増加しはじ
めるバイアス磁界値の上限および下限を検索する。次い
で電磁石用電源7を制御してマグネットを減磁し、同様
にバイアスコイルドライバ6によってバイアス磁界値を
一定範囲内で変化させ、不良ループが急激に増加しはじ
めるバイアス磁界値の上限および下限を検索する。この
マグネットの減磁と上記磁気バブルデバイスの動作特性
の検出を繰り返し行い、バイアス磁界値の上限および下
限から最適バイアス磁界値を設定する。First, magnetize the magnet of the magnetic bubble device to the maximum (5
50 Oe), the bias magnetic field value is changed within a certain range by the bias coil driver 6, information is written/read for each minor loop at each bias magnetic field value, and the bias magnetic field is set such that the number of defective loops begins to increase rapidly. Find the upper and lower bounds of a value. Next, the electromagnet power supply 7 is controlled to demagnetize the magnet, and the bias coil driver 6 similarly changes the bias magnetic field value within a certain range, and the upper and lower limits of the bias magnetic field value at which the number of defective loops begins to rapidly increase are searched. do. Demagnetization of the magnet and detection of the operating characteristics of the magnetic bubble device are repeated, and an optimum bias magnetic field value is set from the upper and lower limits of the bias magnetic field value.
マグネットの着[1を変化させながら300個乃至60
0個もある、全てのマイナーループについて情報の書込
み/読出しを行い、バイアス磁界値の上限および下限を
検索する方法は最適バイアス磁界値の設定に多くの時間
を必要とする。Magnet attachment [300 to 60 pieces while changing 1
The method of writing/reading information for all minor loops, of which there are zero, and searching for the upper and lower limits of the bias magnetic field value requires a lot of time to set the optimal bias magnetic field value.
上記の問題点は他のマイナーループよりもバイアスマー
ジンの狭いパイロットループを磁気バブルデバイス中に
設けておき、バイアス磁界用マグネットの着磁量を変化
させながら該パイロットループのバイアス磁界のマージ
ンを検出し、該磁気バブルデバイスの最適バイアス磁界
値を設定する本発明になる磁気バブルデバイスの製造方
法によって解決される。The above problem is solved by providing a pilot loop with a narrower bias margin than other minor loops in the magnetic bubble device, and detecting the bias magnetic field margin of the pilot loop while changing the amount of magnetization of the bias magnetic field magnet. is solved by the method of manufacturing a magnetic bubble device according to the present invention, which sets the optimum bias magnetic field value of the magnetic bubble device.
従来は300個乃至600個もある全てのマイナールー
プについて行っていた情報の書込み/読出しが、パイロ
ットループのバイアス磁界のマージンから該磁気バブル
デバイスの最適バイアス磁界値を設定するすることによ
り、対象マイナーループが減少し最適バイアス磁界値の
設定に要する時間が大幅に低減される。The writing/reading of information that was conventionally performed for all 300 to 600 minor loops is now possible by setting the optimum bias magnetic field value for the magnetic bubble device from the bias magnetic field margin of the pilot loop. The loops are reduced and the time required to set the optimum bias field value is significantly reduced.
以下添付図により本発明の実施例について説明する。第
1図は本発明になる磁気バブルチップの一実施例を示す
模式図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of the magnetic bubble chip according to the present invention.
磁気バブルチップの記憶エリヤにはメジャーラインM1
およびM2と、それに係合する約300個または約60
0個のマイナーループmと呼ばれる記憶ループが形成さ
れている。There is a major line M1 in the storage area of the magnetic bubble chip.
and M2, and about 300 or about 60 pieces engaged therewith.
A memory loop called 0 minor loop m is formed.
かかるマイナーループmの任意の位置に、複数個のパイ
ロットループPmと称する複数個のマイナーループを、
例えば100本おきに分散させて設けている。パイロッ
トループPmのバイアスマージンは他のマイナーループ
mに比べて意識的に狭く設定されており、パイロットル
ープPmのバイアスマージンと他のマイナーループmの
バイアスマージンとの関係、例えばパイロットループP
mが不良になる限界のバイアス磁界値において、他のマ
イナーループmが不良になる比率が予め実験的に把握さ
れている。A plurality of minor loops called a plurality of pilot loops Pm are placed at arbitrary positions of the minor loop m,
For example, they are distributed every 100 lines. The bias margin of pilot loop Pm is intentionally set narrower than other minor loops m, and the relationship between the bias margin of pilot loop Pm and the bias margin of other minor loops m, for example, pilot loop P
At the limit bias magnetic field value at which m becomes defective, the ratio at which other minor loops m become defective is experimentally determined in advance.
そこで第4図に示したバイアス磁界調整システムを用い
、まず磁気バブルデバイスのマグネットを最大限着磁(
5500e程度)した状態でバイアスコイルドライバ6
によってバイアス磁界値を一定範囲内で変化させ、それ
ぞれのバイアス磁界値においてパイロットループPm毎
に情報の書込み/読出しを行い、パイロットループPm
が不良になるバイアス磁界値の上限および下限を検索す
る。Therefore, by using the bias magnetic field adjustment system shown in Figure 4, we first magnetized the magnet of the magnetic bubble device to the maximum extent (
5500e) and bias coil driver 6.
The bias magnetic field value is changed within a certain range by , information is written/read for each pilot loop Pm at each bias magnetic field value, and the pilot loop Pm
Find the upper and lower limits of the bias magnetic field value at which the value becomes defective.
この範囲のバイアス磁界値でパイロットループPffl
の不良になるバイアス磁界値の上限および下限が検索出
来ない場合は1.電磁石用電源7を制御してマグネット
を減磁し、同様にバイアスコイルドライバ6によってバ
イアス磁界値を一定範囲内で変化させ、それぞれのバイ
アス磁界値においてパイロットループPm毎に情報の書
込み/読出しを行い、パイロットループPmが不良にな
るバイアス磁界値の上限および下限を検索する。Pilot loop Pffl with bias magnetic field value in this range
If you cannot find the upper and lower limits of the bias magnetic field value that causes the failure, please refer to 1. The electromagnet power source 7 is controlled to demagnetize the magnet, and the bias coil driver 6 similarly changes the bias magnetic field value within a certain range, and information is written/read for each pilot loop Pm at each bias magnetic field value. , the upper and lower limits of the bias magnetic field value at which the pilot loop Pm becomes defective are searched.
このマグネットの減磁と上記磁気バブルデバイスの動作
特性の検出を繰り返し行い、パイロットループPmに対
するバイアス磁界値の上限および下限から、他のマイナ
ーループmに対するバイアス磁界値の上限および下限を
算出し、磁気バブルデバイスの最適バイアス磁界値を設
定する。This magnet demagnetization and the detection of the operating characteristics of the magnetic bubble device are repeated, and from the upper and lower limits of the bias magnetic field value for the pilot loop Pm, the upper and lower limits of the bias magnetic field value for the other minor loops m are calculated, and the magnetic Set the optimal bias magnetic field value for the bubble device.
このように従来は300 (IAI乃至600個もある
全てのマイナールーズについて行っていた情報の書込み
/読出しが、パイロットループのバイアス磁界のマージ
ンから該磁気バブルデバイスの最適バイアス磁界値を設
定するすることにより、対象マイナーループが複数個に
減少し最適バイアス磁界値の設定に要する時間が大幅に
低減される。In this way, the writing/reading of information for all 300 (IAI to 600 minor looses) was previously done, but now the optimum bias magnetic field value of the magnetic bubble device can be set from the bias magnetic field margin of the pilot loop. As a result, the number of target minor loops is reduced to a plurality, and the time required to set the optimum bias magnetic field value is significantly reduced.
以上述べたように本発明によれば最適バイアス磁界値の
設定に要する時間を大幅に低減する磁気バブルデバイス
の製造方法を提供することができる。As described above, according to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a magnetic bubble device that significantly reduces the time required to set the optimum bias magnetic field value.
第1図は本発明の一実施例を示す模式図、第2図は従来
の磁気バブルチップの例を示す模式図、
第3図はバイアス磁界と発生する不良ループの関係を示
す図、
第4図はバイアス磁界調整システムの構成図、である。
¥−l酊
拳2昭
(字。
第3図
不榎ルーア敷
!4唄Fig. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a schematic diagram showing an example of a conventional magnetic bubble chip, Fig. 3 is a diagram showing the relationship between a bias magnetic field and a generated defective loop, and Fig. 4 is a schematic diagram showing an example of a conventional magnetic bubble chip. The figure is a configuration diagram of a bias magnetic field adjustment system. ¥-l Dounken 2 Show (character. Figure 3 Fuen Lua Shiki! 4 songs
Claims (1)
ロットループを磁気バブルデバイス中に設けておき、バ
イアス磁界用マグネットの着磁量を変化させながら該パ
イロットループのバイアス磁界のマージンを検出し、該
磁気バブルデバイスの最適バイアス磁界値を設定するこ
とを特徴とする磁気バブルデバイスの製造方法。A pilot loop with a narrower bias margin than other minor loops is provided in the magnetic bubble device, and the bias magnetic field margin of the pilot loop is detected while changing the magnetization amount of the bias magnetic field magnet, and the magnetic bubble device A method for manufacturing a magnetic bubble device characterized by setting an optimal bias magnetic field value.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59192202A JPS6171491A (en) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | Manufacturing method of magnetic bubble device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59192202A JPS6171491A (en) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | Manufacturing method of magnetic bubble device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6171491A true JPS6171491A (en) | 1986-04-12 |
Family
ID=16287368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59192202A Pending JPS6171491A (en) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | Manufacturing method of magnetic bubble device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6171491A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6851017B2 (en) | 2001-07-31 | 2005-02-01 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor memory |
-
1984
- 1984-09-13 JP JP59192202A patent/JPS6171491A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6851017B2 (en) | 2001-07-31 | 2005-02-01 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor memory |
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