JPS6171430A - Optical information processor - Google Patents

Optical information processor

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JPS6171430A
JPS6171430A JP59193664A JP19366484A JPS6171430A JP S6171430 A JPS6171430 A JP S6171430A JP 59193664 A JP59193664 A JP 59193664A JP 19366484 A JP19366484 A JP 19366484A JP S6171430 A JPS6171430 A JP S6171430A
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optical
intensity
leaked
lens
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司郎 緒方
Masaharu Matano
俣野 正治
Maki Yamashita
山下 牧
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Original Assignee
Omron Tateisi Electronics Co
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Abstract

PURPOSE:To offer an optical information processor with small size, light weight without requiring light axis alignment by forming a light intensity detecting means onto a substrate formed on an optical wave guide so as to detect the leaked light from the optical wave guide. CONSTITUTION:A leaked light detecting element 13 is provided on an optical wave guide layer 21 on the upper face of the board 12. All the light propagated to the optical wave guide layer 21 is not irradiated by a coupling lens 23, but the light passing through the position of the lens 23 and leaked to a photodetector section 30 exists and the leaked photodetecting element 13 detects the intensity of the leaked light. Since the variation in the intensity of the light propagated in the layer 21 appears as the intensity variance of the leaked light, the light intensity propagated to the optical wave guide layer 21 is detected indirectly by detecting the intensity of the leaked light. The intensity signal detected is fed back to a drive circuit of a semiconductor laser 11 to make the output light of the semiconductor laser 11 stable.

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 (1)発明の技術分野 この発明は、半導体レーザなどからのレーザ光を集束し
、光ディスクの情報記録部に照射し、その反射光の強度
変化にもとづいて光ディスクの情報を読取る光ピツクア
ップ装置で代表される光情報処理装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] Background of the Invention (1) Technical Field of the Invention The present invention focuses laser light from a semiconductor laser or the like, irradiates it onto the information recording section of an optical disk, and uses the intensity change of the reflected light to The present invention relates to an optical information processing device, typified by an optical pickup device that reads information from an optical disc.

(2)従来技術の説明 近年、高記録密度の光ディスク・メモリが実用化される
にともない、高性能かつ小型軽量の光ピツクアップ装置
の開発が期待されている。
(2) Description of the Prior Art In recent years, as high-density optical discs and memories have been put into practical use, there are expectations for the development of high-performance, compact and lightweight optical pickup devices.

従来の光ピツクアップ装置の主要部は光学系と駆動系と
から構成される装置 光学系は基本的には、レーザ光を集束レンズで光ディス
クの情報記録部上に集光し、光ディスクからの反射光を
フォトダイオードで電気信号に変換する機能をもってお
り、光デイスク上の記録情報による反射光の光量変化が
電気信号として取出される。
The main parts of a conventional optical pickup device consist of an optical system and a drive system.The optical system basically focuses a laser beam onto the information recording area of an optical disk using a focusing lens, and collects the reflected light from the optical disk. It has the function of converting light into an electrical signal using a photodiode, and changes in the amount of reflected light due to information recorded on the optical disk are extracted as electrical signals.

光学系は、それらの作用によって、光ディスクに照射さ
れる光と光ディスクからの反射光とを分離するアイソレ
ータ光学系、光ディスクに照射される光を11III径
程度のスポットに集束させるビーム集光光学系、および
フォーカシング・エラーやトラッキング・エラーを検出
するためのエラー検出光学系に分けられる。これらの光
学系は、光源としての半導体レーザ、各種レンズ類、プ
リズム類、回折格子、ミラー、1/4波長板、フォトダ
イオードなどの素子を適宜組合せることにより構成され
る。
The optical system includes an isolator optical system that separates light irradiated onto the optical disc and light reflected from the optical disc, a beam focusing optical system that focuses the light irradiated onto the optical disc into a spot with a diameter of about 11III, and and an error detection optical system for detecting focusing errors and tracking errors. These optical systems are constructed by appropriately combining elements such as a semiconductor laser as a light source, various lenses, prisms, diffraction gratings, mirrors, quarter-wave plates, and photodiodes.

駆動系には、フォーカシング駆動系、トラッキング駆動
系およびラジアル送り駆動系がある。
The drive system includes a focusing drive system, a tracking drive system, and a radial feed drive system.

フォーカシング駆動系は、集束レンズで集光された光ビ
ームが光デイスク面に正しいスポットを形成するように
、集束レンズと光デイスク面との距離を適切に保つため
の機構である。集束レンズをその先軸方向に動かして調
整するものが最も一般的である。
The focusing drive system is a mechanism for maintaining an appropriate distance between the focusing lens and the optical disk surface so that the light beam focused by the focusing lens forms a correct spot on the optical disk surface. The most common type is one in which the adjustment is made by moving the focusing lens in the direction of its tip axis.

トラッキング駆動系は、レーザ・スポットが光ディスク
のトラックから脱線しないように追従させるための機構
である。この機構としては、集束レンズを光軸と垂直な
方向に動かして調整するもの、光ピツクアップ・ヘッド
全体を光ディスクの半径方向に動かして調整するもの、
可動ミラー(ビボッティング・ミラー)により集束レン
ズへの入射光の角度を調整するものなどが一般的に用い
られている。
The tracking drive system is a mechanism for tracking the laser spot so that it does not deviate from the track of the optical disk. These mechanisms include one that adjusts by moving the focusing lens in a direction perpendicular to the optical axis, one that adjusts by moving the entire optical pickup head in the radial direction of the optical disk,
A device that adjusts the angle of incident light to a focusing lens using a movable mirror (pivoting mirror) is generally used.

ラジアル送り駆動系は、光ピツクアップ・ヘッドを光デ
ィスクの半径方向に送る機構であり、これには一般にリ
ニア・モータが使用される。
The radial feed drive system is a mechanism for feeding the optical pickup head in the radial direction of the optical disk, and generally uses a linear motor for this purpose.

このような従来の光ピツクアップ装置は、次のような欠
点−をもっている。
Such conventional optical pickup devices have the following drawbacks.

光学系が複雑で光軸合わせがめんどうであるとともに、
撮動により光軸がずれやすい。
The optical system is complex and alignment of the optical axis is troublesome, and
The optical axis tends to shift when shooting.

部品点数が多く、組立てに時間がかがり生産性が悪い。There are many parts, and assembly takes time, resulting in poor productivity.

光学部品が高価であるために全体としても高価になる。Since the optical components are expensive, the overall cost is also high.

光学部品が大きいために光ピツクアップ装置も大型とな
り、光学部品を保持する機構も必要であるから全体とし
て重くなる。
Since the optical components are large, the optical pickup device is also large, and a mechanism for holding the optical components is also required, which increases the overall weight.

発明の概要 (1)発明の目的 この発明は、小型かつ軽量でしかも光軸合わせが不要な
光情報処理装置を提供することを目的とする。
Summary of the Invention (1) Purpose of the Invention An object of the present invention is to provide an optical information processing device that is small and lightweight and does not require optical axis alignment.

(2〉発明の構成、作用および効果 この発明による光情報処理装置は、基板上に形成された
光導波路、先導波路に導入されるレーザ光の光源、光導
波路上に形成され、光導波路を伝播する光を斜め上方に
出射させかつ2次元的に集光するレンズ手段、斜め上方
から反射してくる光を受光する手段および先導波路を伝
播する光の強度を検知するための手段を備えていること
を特徴とする。
(2> Structure, operation, and effect of the invention The optical information processing device according to the present invention includes an optical waveguide formed on a substrate, a light source of a laser beam introduced into the leading waveguide, and a laser beam formed on the optical waveguide that propagates through the optical waveguide. A lens means for emitting light obliquely upward and condensing it two-dimensionally, a means for receiving light reflected from an obliquely upward direction, and a means for detecting the intensity of the light propagating through the leading waveguide. It is characterized by

この発明においては、光学部品としてのレンズ、プリズ
ム、回折格子、ミラー、1/4波長板等が用いられてい
ないので、装置の小型化、軽量化を図ることができる。
In this invention, since lenses, prisms, diffraction gratings, mirrors, quarter-wave plates, and the like are not used as optical components, the device can be made smaller and lighter.

とくに、先導波路からレーザ光を斜め上方に出射させか
つ斜め上方からの反射光を受光するようにしているから
、従来の光ピツクアップ装置の光学系に必要であったア
イソレータ光学系を省略することができる。光軸合わせ
も受光手段の位置決めのみを行なえばよい。先導波路、
レンズ手段および受光手段を同一基板上に形成すれば、
組立て時における光軸合わせは不要となる。
In particular, since the laser beam is emitted diagonally upward from the leading waveguide and the reflected light from diagonally upward is received, it is possible to omit the isolator optical system required in the optical system of conventional optical pickup devices. can. For optical axis alignment, it is only necessary to position the light receiving means. leading wave path,
If the lens means and the light receiving means are formed on the same substrate,
There is no need to align the optical axis during assembly.

基板上の光導波路に導入されるレーザ光の光源としては
、一般には半導体レーザが使用される。半導体レーザは
温度変化等により出力光に変動が生じやすく、出力光が
変動すると光情報処理装置が誤動作する可能性がある。
A semiconductor laser is generally used as a light source for laser light introduced into an optical waveguide on a substrate. Semiconductor lasers are prone to fluctuations in output light due to temperature changes, etc., and when the output light fluctuates, there is a possibility that an optical information processing device may malfunction.

この発明では光導波路を伝播する光の強度を検知する手
、段が設けられているので、この検知手段による光強度
検知信号を光源の駆動回路にフィードバックすることに
より光源、とくに半導体レーザの出力光強度を安定化す
ることができ、光情報処理装置の正確な動作が期待でき
るようになる。
In this invention, since a means and stage for detecting the intensity of light propagating through the optical waveguide is provided, the light intensity detection signal from this detecting means is fed back to the drive circuit of the light source, so that the output light of the light source, especially the semiconductor laser The intensity can be stabilized, and accurate operation of the optical information processing device can be expected.

光強度検知手段を先導波路が形成された基板上に形成し
、先導波路からの漏洩光を検知するようにすれば、装置
の一層の集積化、小型化が達成される。先導波路を伝播
する光の強度が変動すれば漏洩光強度も変動するので漏
洩光を通しても先導波路を伝播する光の強度のモニタが
可能である。
By forming the light intensity detection means on the substrate on which the leading waveguide is formed and detecting leakage light from the leading waveguide, further integration and miniaturization of the device can be achieved. If the intensity of the light propagating in the leading wavepath changes, the intensity of the leaked light also changes, so it is possible to monitor the intensity of the light propagating in the leading wavepath even through the leaked light.

実施例の説明 (1)光ピツクアップ・ヘッドの構成の概要第1図は光
ピツクアップ・ヘッドの構成を示している。基台(10
)上に、半導体レーザ(11)および基板(12)が配
置されかつ固定されている。半導体レーザ(11)は基
台(10)上に形成された電極(18)  (19)’
に与えられる駆動電流により駆動される。
DESCRIPTION OF THE EMBODIMENTS (1) Outline of the structure of the optical pickup head FIG. 1 shows the structure of the optical pickup head. Base (10
) on which a semiconductor laser (11) and a substrate (12) are arranged and fixed. The semiconductor laser (11) has electrodes (18) (19)' formed on the base (10).
It is driven by a drive current given to.

基板(12)にはたとえば3i結晶が用いられ、この基
板(12)上面の熱酸化またはSiO□の蒸着もしくは
スパッタにより基板(12)上面にS!02バッフ?層
が形成されたのち、たとえばコーニング7059などの
ガラスをスパッタすることにより光導波層(21)が形
成されている。半導体レーザ(11)から出射したレー
デ光はこの先導波FFA (21)に入射しかつ伝播す
る。
For example, a 3i crystal is used for the substrate (12), and S! 02 buff? After the layers have been formed, an optical waveguide layer (21) is formed by sputtering a glass such as Corning 7059. Rade light emitted from the semiconductor laser (11) enters and propagates into this leading wave FFA (21).

先導波[(21)上にはコリメーティング・レンズ(2
2)、カップリング・レンズ(23) 、漏洩光検知素
子(13)、漏洩光)重所用溝(15)および受光部(
30)がこの順序配列で設けられている。コリメーティ
ング・レンズ(22〉は半導体レーザ(11)から出射
した広がりをもっレーザ・ビームを平行光に変換するも
のである。カップリング・レンズ(23)は、先導波層
(21)を伝播してきたレーザ光を斜め上方に出射させ
るとともに、2次元的に集光(フォーカシング)するも
のである。出射したレーザ光が集光してスポット(1/
!E径程度)を形成する点がPで示されている。光ディ
スクに記録された情報を読取る場合には、レーザ・スポ
ットPが光ディスクの情報記録面上に位置するように、
この光ピツクアップ・ヘッド(9)が配置される。
On the leading wave [(21) is a collimating lens (2
2), coupling lens (23), leakage light detection element (13), leakage light) heavy area groove (15), and light receiving part (
30) are provided in this order. The collimating lens (22) converts the spread laser beam emitted from the semiconductor laser (11) into parallel light.The coupling lens (23) converts the spread laser beam emitted from the semiconductor laser (11) into parallel light. The laser beam is emitted obliquely upward and focused two-dimensionally.The emitted laser beam is focused into a spot (1/
! The point forming the diameter (approximately E diameter) is indicated by P. When reading information recorded on an optical disc, the laser spot P is positioned on the information recording surface of the optical disc.
This optical pickup head (9) is arranged.

受光部(30)は、光ディスクの情報記録面からの反射
光を受光するためのものであり、上1里のレーザ・スポ
ットPの位置から斜め下方に反射してくる光を受光でき
る位置に配置されてぃる。
The light receiving section (30) is for receiving the reflected light from the information recording surface of the optical disc, and is arranged at a position where it can receive the light reflected diagonally downward from the position of the laser spot P at the upper 1 ri. It's been done.

受光部(30)は、4つの独立した受光素子(31)〜
(34)からなる。受光素子(31)  <32)は中
央に隣接して配置され、これらの受光素子(31)  
(32)の前後に他の受光素子(33)  (34)が
設けられている。これらの受光素子(31)〜(34)
は、たとえば先導波層り21)上に直接にCVD法によ
り4つの独立したアモルファス・シリコン<a −si
>光起電力素子をつくることにより構成されている。受
光素子(31)〜(34)の出力信号は、その両端の電
極から光導波層(21)上に形成された配線パターンに
より電極(35)にそれぞれ導かれ、さらにワイヤボン
ディングにより基台(10)上の1fffl(36)に
それぞれ導かれる。
The light receiving section (30) includes four independent light receiving elements (31) to
It consists of (34). The light receiving elements (31) <32) are arranged adjacent to the center, and these light receiving elements (31)
Other light receiving elements (33) and (34) are provided before and after (32). These light receiving elements (31) to (34)
For example, four independent amorphous silicon layers (a-si
>It is constructed by creating a photovoltaic element. The output signals of the light receiving elements (31) to (34) are guided from the electrodes at both ends to the electrodes (35) by the wiring pattern formed on the optical waveguide layer (21), and then to the base (10) by wire bonding. ) above are respectively guided to 1fffl (36).

光ディスクに記録された情報は、反射光の強度変化とし
て現われるから、これらすべての受光素子(31)〜(
34)の出力信号の和信号または受光素子(31)と(
32)の和信号が記録情報の読取り信号となる。
Since information recorded on an optical disc appears as a change in the intensity of reflected light, all of these light receiving elements (31) to (
34) or the sum signal of the output signals of the light receiving element (31) and (
The sum signal of 32) becomes the recorded information read signal.

光起電力素子の材料としては、他にCd Tc 。Other materials for photovoltaic elements include Cd and Tc.

CdSなどを用いることが可能であり、これらを光導波
層(21)上に蒸着法、スパッタ法などにより形成し光
伝導セルとしてもよい。
CdS or the like can be used, and these may be formed on the optical waveguide layer (21) by vapor deposition, sputtering, or the like to form a photoconductive cell.

このように、受光部(30)をCVD法などのマスク処
理によりその位置を正確に設定して形成することができ
るので、組立時における光軸合わせは不要となり、また
構造が簡単なために生産性も向上する。
In this way, the light receiving part (30) can be formed by accurately setting its position by mask processing such as the CVD method, so there is no need to align the optical axis during assembly, and the simple structure makes production easier. Sexuality also improves.

光導波層(21)を伝播する光のすべてがカップリング
・レンズ(23)により出射(エア・カップリング)さ
れる訳ではなく、出射されずにレンズ(23)の位置を
通過して受光部(30)の方に漏洩する光も存在する。
Not all of the light propagating through the optical waveguide layer (21) is emitted (air coupled) by the coupling lens (23), but instead passes through the position of the lens (23) and reaches the light receiving section. There is also light leaking toward (30).

漏洩光検知素子(13)は、この漏洩光め強度を検知す
るものである。先導波層(21)を伝播する光の強度変
動は漏洩光の強度変動としても現われるから、漏洩光の
強度を検知することにより光導波層(21)を伝播する
光の強度が間接的に検知される。この検知された強度信
号は半導体レーザ(11)の駆動回路(図示路)にフィ
ードバックされ、半導体レーザ(11)の出力光の安定
化が図られる。
The leakage light detection element (13) detects the intensity of this leakage light. Fluctuations in the intensity of light propagating through the leading waveguide layer (21) also appear as fluctuations in the intensity of leaked light, so by detecting the intensity of leaked light, the intensity of light propagating through the optical waveguide layer (21) can be indirectly detected. be done. This detected intensity signal is fed back to the drive circuit (as shown) of the semiconductor laser (11), and the output light of the semiconductor laser (11) is stabilized.

検知素子(13)としては上述のa  3 i 、 C
dTe 、Cd Sなどが用いられ、CVD法、蒸着法
、スパッタ法等により先導波層(21)上に形成される
。検知素子り13)の検知信号は光導波層(21)上に
形成された配線パターンおよび電極(16)を経て、ワ
イヤボンディングにより基台(10)上の電極(11)
に取出される。
As the detection element (13), the above-mentioned a 3 i, C
dTe, CdS, etc. are used and are formed on the leading wave layer (21) by CVD, vapor deposition, sputtering, or the like. The detection signal of the detection element 13) is transmitted to the electrode (11) on the base (10) by wire bonding via the wiring pattern and electrode (16) formed on the optical waveguide layer (21).
It is taken out.

先導波層(21)からの漏洩光のすべてが検知素子(1
3)で消費されるとは限らない。受光部(30)は上述
したように光導波G(21)上に形成されているから、
検知素子(13)の部分を通過する漏洩光があればこれ
を検知するおそれがある。このことにより、光ピツクア
ップ・ヘッドの誤動作が(a来されるおそれがある。
All of the leaked light from the leading wave layer (21) reaches the detection element (1).
3) is not necessarily consumed. Since the light receiving section (30) is formed on the optical waveguide G (21) as described above,
If there is leaked light that passes through the detection element (13), there is a risk that it will be detected. This may cause the optical pickup head to malfunction.

漏洩光遮断用溝(15)は、検知素子(13)と受光部
(30)との間に設けられており、検知素子(13)の
位置を通過して受光部(30)に向う光の伝播を、溝の
壁面での光の反射や減衰により防止する役目をもってい
る。この溝(15)は、イオンビーム加工、電子ビーム
加工またはレーザ加工などにより基ff1(12)の先
導波層(21)上に直接に形成すればよい。溝(15)
の長さは伝播する光の幅よりも大きい。また溝(15)
の深さは光導波層(21)の厚さ程度でよい。
The leakage light blocking groove (15) is provided between the detection element (13) and the light receiving section (30), and is designed to prevent light passing through the position of the detection element (13) and heading towards the light receiving section (30). Its role is to prevent light propagation by reflecting and attenuating the light on the walls of the groove. This groove (15) may be formed directly on the leading wave layer (21) of the base ff1 (12) by ion beam processing, electron beam processing, laser processing, or the like. Groove (15)
The length of is greater than the width of the propagating light. Also groove (15)
The depth may be approximately the thickness of the optical waveguide layer (21).

第1図においては、先導波[7(21)は受光部(30
)の方までのびているが、検知素子(13)と溝(15
)との間の位置程度まで形成し、受光部(30)が設け
られている場所には光導波層を形成しないようにするこ
ともできる。このような場合にも、漏洩光遮断用溝(1
5)はあった方がよい。まl=、Si基板(12〉にP
N接合(フォトダイオード)をつくりこれにより受光素
子(31)〜(34)を構成してもよい。
In FIG. 1, the leading wave [7 (21) is the light receiving section (30
), but the sensing element (13) and the groove (15
), and the optical waveguide layer may not be formed at the location where the light receiving section (30) is provided. In such a case, the leakage light blocking groove (1
5) is better. M=, P on Si substrate (12〉)
The light receiving elements (31) to (34) may be constructed by creating an N junction (photodiode).

光導波層(21)−は基板よりも屈折率の大きい材料で
構成すればよいので、基板に応じた種々の材料で実現で
きる。
Since the optical waveguide layer (21) may be made of a material having a higher refractive index than the substrate, it can be realized using various materials depending on the substrate.

基板(12〉をL i Nb O3のような電気光学効
果をもつ材料で構成することにより、後に述べるような
フォーカシング°やトラッキングの制御を電気的に行な
えるようになる。LiNbO3結晶上面にTiを熱拡散
することにより先導波層を形成することができる。また
、1iNb03上面にa−3iによる光検知素子や受光
部を形成することができる。
By forming the substrate (12) with a material that has an electro-optic effect such as LiNbO3, it becomes possible to electrically control focusing and tracking as described later. A leading wave layer can be formed by thermal diffusion.Furthermore, a photodetector element and a light receiving section can be formed using a-3i on the upper surface of 1iNb03.

(2)半導体レーザと光導波層との結合半導体レーザ(
11)と基板(12)上の先導波IM(21)とは、こ
の実施例ではバット・エツジ(butt  edge)
結合法により結合されている。
(2) Combined semiconductor laser with a semiconductor laser and an optical waveguide layer (
11) and the leading wave IM (21) on the substrate (12) are butt edges in this embodiment.
Combined using the combination method.

“第2図に拡大して示されているように、基板(12)
の結合端面が光学研摩され、半導体レーザ(11)の活
性層(14)と先導波層(21)との高さをあわせてこ
れらの両層(14)  (21)の端面が対面するよう
にして、半導体レーザ(11)が電極パッド(18)上
に固定される。半導体し一ザ(11〉から出射されたレ
ーザ光は光導波層り21)内で広がる。半導体レーザ(
11)の活性層(14)内と先導波層(21)内の光の
界分布はよく似た形をしているので高効率の結合が可能
であるとともに、特別な結合手段が不要であるという利
点をもっている。基台(10)は半導体レーザ(11)
のヒートシンクにもなる。
“As shown enlarged in Figure 2, the substrate (12)
The coupling end face of the semiconductor laser (11) is optically polished, and the heights of the active layer (14) and the leading wave layer (21) of the semiconductor laser (11) are adjusted so that the end faces of these two layers (14) and (21) face each other. Then, the semiconductor laser (11) is fixed on the electrode pad (18). Laser light emitted from the semiconductor laser (11) spreads within the optical waveguide layer 21). Semiconductor laser (
11) The optical field distributions in the active layer (14) and the leading wave layer (21) have very similar shapes, so high efficiency coupling is possible and no special coupling means is required. It has the advantage of The base (10) is a semiconductor laser (11)
It also serves as a heat sink.

(3)コリメーティング・レンズおよびカップリング・
レンズ 光導波層上に形成されるコリメーティング・レンズには
、フレネル・レンズ、ブラッグ・グレーティング・レン
ズ、ルネブルグ・レンズ、ジオデシック・レンズなどが
ある。
(3) Collimating lens and coupling
Collimating lenses formed on the lens optical waveguide layer include Fresnel lenses, Bragg grating lenses, Luneburg lenses, and geodesic lenses.

第1図に示されているコリメーティング・レンズ(22
)はフレネル・レンズであって、光導波1iM (21
)上に光軸から離れるにしたがって[1]が小さくなる
(チャーブト、chirped )凹凸(グレーティン
グ)または屈折率分布から形成されている。
The collimating lens (22
) is a Fresnel lens with an optical waveguide of 1iM (21
) It is formed from a grating or a refractive index distribution in which [1] becomes smaller as it moves away from the optical axis (chirped).

ブラッグ・グレーティング・レンズは、先導波層(21
)上に光軸からの距離が大きくなるほど光軸とのなす角
が大きくなるグレーティングまたは屈折率分布からなる
The Bragg grating lens consists of a leading wave layer (21
) consists of a grating or refractive index distribution whose angle with the optical axis increases as the distance from the optical axis increases.

ルネブルグ・レンズは、光導波層(21)上に中央部が
最も厚く周囲にいくにつれて薄くなるなだらかな厚み分
布をもつ高屈折率薄膜を平面からみて円形に形成したも
のである。
A Luneburg lens is a high refractive index thin film formed on an optical waveguide layer (21) in a circular shape when viewed from above, with a thickness distribution that is thickest at the center and gradually becomes thinner toward the periphery.

ジオデシック・レンズは、先導波1(21)を形成する
前に基板(12)表面に曲面をもつくぼみを形成し、こ
のくぼみにそって先導波層(21)を形成することによ
り得られる。
The geodesic lens is obtained by forming a curved depression on the surface of the substrate (12) before forming the leading wave 1 (21), and forming the leading wave layer (21) along this depression.

第1図に示されているカップリング・レンズ(23)は
、2次元フォーカシング・グレーティング・カプラであ
り、1つのレンズで光の出射機能と2次元集光殿能とを
もつ。これは、進行方向に向うほど周期(間隔)が小さ
くなる円弧状のグレーティング(凹凸)から構成されて
いる。
The coupling lens (23) shown in FIG. 1 is a two-dimensional focusing grating coupler, and has a light output function and a two-dimensional focusing ability in one lens. This is composed of arc-shaped gratings (irregularities) whose period (interval) becomes smaller in the direction of travel.

第3図はカップリング・レンズ(23)の他の例を示し
ている。カップリング・レンズ(23)は、フレネル型
のグレーティング・レンズ(28)(上jδのフレネル
・レンズと同じ)と、チャープ型(chirped )
グレーティング舎カプラ(29)とから構成されている
。フレネル・レンズは1点から広がる光を平行光に変換
する機能と、平行光を集束させる機能をもつ。グレーテ
ィング・レンズ(28)は平行光を先導波、層(21)
内で集束させるために用いられている。グレーティング
・カプラ(29)は、光の進行方向に向って周期(間隔
)が小さくなる直線状のグレーティングから構成されて
おり、先導波層(21)内を伝播する光を出射させると
ともに1直線に集光する機能をもつ。光導波層(21)
を伝播する光はグレーティング・レンズ(28)によっ
て巾方向に集束されているから、グレーティング・レン
ズ(28)の焦点とグレーティング・カプラ(29)の
焦点とが同一点Pにあれば、光導波層(21)から出射
した光は点Pで1点に集光する。
FIG. 3 shows another example of the coupling lens (23). The coupling lens (23) consists of a Fresnel type grating lens (28) (same as the upper jδ Fresnel lens) and a chirped type grating lens (28) (same as the upper jδ Fresnel lens).
It consists of a grating coupler (29). A Fresnel lens has the function of converting light spreading from a single point into parallel light, and the function of focusing parallel light. The grating lens (28) converts parallel light into a leading wave, and the layer (21)
It is used for focusing within. The grating coupler (29) is composed of linear gratings whose period (interval) decreases in the direction of light propagation, and emits the light propagating within the leading wave layer (21) and aligns it in a straight line. It has the function of concentrating light. Optical waveguide layer (21)
Since the light propagating through is focused in the width direction by the grating lens (28), if the focus of the grating lens (28) and the focus of the grating coupler (29) are at the same point P, the optical waveguide layer The light emitted from (21) is condensed to one point at point P.

なお、第1図および第3図においてはグレーティング(
凹凸)は、簡単のために巾をもたない線で描写されてい
る。
In addition, in Figures 1 and 3, the grating (
For simplicity, the unevenness is depicted as a line with no width.

(4)漏洩光検知素子と半導体レーザのフィードバック
制御 第1図に示された漏洩光検知素子(13)は、漏洩光の
伝播経路を横切るようにこの経路の巾よりも長く形成さ
れている。、漏洩光をより多く受光するために素子(1
′3)の巾をさらに大きくしてもよい。第4図は漏洩光
検知素子(13)の他の例を示すもので、平面からみて
カップリング・レンズ(23)を囲むような形状に形成
されており、この形状によるとカップリング・レンズ(
23)での散乱光も検知できる。
(4) Feedback control of leakage light detection element and semiconductor laser The leakage light detection element (13) shown in FIG. 1 is formed to be longer than the width of the leakage light propagation path so as to cross this path. , element (1
The width of '3) may be further increased. FIG. 4 shows another example of the leakage light detection element (13), which is formed in a shape that surrounds the coupling lens (23) when viewed from above.
23) can also be detected.

第5図は漏洩光検知素子の製造の態様を示している。FIG. 5 shows an aspect of manufacturing the leakage light detection element.

第5図(△)は、光導波層(21)上に単に索子(13
)が形成されたものである。先導波層(21)を伝播す
る光の界分布は素子(13)にも及ぶので、素子(13
)からは光の強度検知信号が1与られる。
FIG. 5 (△) shows that the cable (13) is simply placed on the optical waveguide layer (21).
) was formed. The field distribution of light propagating through the leading wave layer (21) also extends to the element (13).
) gives a light intensity detection signal of 1.

第5図(’B>においては、先導波層(21)の表面上
の一部に、光の伝播する方向に直交する方向のグレーテ
ィングが形成され、このグレーティングの上に素子(1
3)が蒸着などの方法で形成されている。グレーティン
グの存在によって、光導波層(21)を伝播する漏洩光
は素子(13)に入射する方向に放射され、かなり多く
の光のエネルギが素子(13)で利用される。
In FIG. 5 ('B>), a grating in a direction perpendicular to the propagation direction of light is formed on a part of the surface of the leading wave layer (21), and on this grating, the element (1
3) is formed by a method such as vapor deposition. Due to the presence of the grating, leakage light propagating through the optical waveguide layer (21) is radiated in the direction of incidence on the element (13), and a considerable amount of light energy is utilized by the element (13).

第5図(C)においては、先導波層(21)の上面が粗
面とされ、この粗面上に素子(13)が形成されている
。この場合にも、光導波層(21)を伝播する漏洩光の
多くが粗面で敗乱し素子(13)に入射する。
In FIG. 5(C), the upper surface of the leading wave layer (21) is made into a rough surface, and the element (13) is formed on this rough surface. Also in this case, most of the leaked light propagating through the optical waveguide layer (21) is disrupted by the rough surface and enters the element (13).

第5図(D>においては、先導波F(21)にエツチン
グ等により窪みが形成され、この窪みに素子(13)が
形成されている。先導波層(21)を伝播する漏洩光の
多くが窪みの傾斜面から素子(13)に入射し、窪みの
底の部分の位置においても伝播光の一部が素子に入射す
る。第5図(E)においては、半球面状の窪みが研磨等
により形成されている。
In FIG. 5 (D>), a depression is formed in the leading wave F (21) by etching or the like, and an element (13) is formed in this depression.Most of the leaked light propagating through the leading wave layer (21) enters the element (13) from the inclined surface of the recess, and a portion of the propagating light also enters the element at the bottom of the recess.In Fig. 5(E), the hemispherical recess is polished. It is formed by etc.

第5図(F)では、素子(13)は先導波層(21)の
終端面に接した状態(実線で示す先導波層)でまたは途
上において(鎖線で示す先導波層)基板(12)内に埋
込まれている。たとえば、基板(12)に穴を形成し、
この穴内に素子(13)を蒸着する。この穴としては溝
(15)を利用してもよい。
In FIG. 5(F), the element (13) is attached to the substrate (12) in contact with the end surface of the waveguide layer (21) (the waveguide layer shown by a solid line) or in the middle (the waveguide layer shown by a chain line). embedded within. For example, forming a hole in the substrate (12),
A device (13) is deposited in this hole. A groove (15) may be used as this hole.

第5図(G)においては光導波層(21)の終端部また
は途上に形成された穴(16)の壁面であって光導波層
(21)の端面に素子(15)が形成されている。
In FIG. 5(G), an element (15) is formed on the end face of the optical waveguide layer (21), which is the wall surface of a hole (16) formed at the end or in the middle of the optical waveguide layer (21). .

第5図(H)においては、先導波層(21)の深さ全体
にわたる大きな窪み(16)が形成され、光導波層(2
1)はその深さ方向全体にわたって傾斜面によってカッ
トされた状態となっている。
In FIG. 5(H), a large depression (16) is formed over the entire depth of the optical waveguide layer (21), and
1) is cut by an inclined surface over its entire depth direction.

この傾斜面に素子(13)が形成されている。An element (13) is formed on this inclined surface.

第5図(F)(G)(H)においては、素子(13)は
光導波層(21)の端面に形成されているので、先導波
1(21>を伝播してきた漏洩光のほとんどすべてが索
子(13)に入力して利用される。したがって、効率が
高く、かつ大きな起電力が得られる。これらの図におい
て、穴または窪み(16)と漏洩光遮断用溝(15)と
を共用してもよい。
In FIG. 5 (F), (G), and (H), since the element (13) is formed on the end face of the optical waveguide layer (21), almost all of the leaked light propagating through the leading wave 1 (21>) is input to the cord (13) and used. Therefore, high efficiency and large electromotive force can be obtained. In these figures, the hole or depression (16) and the leakage light blocking groove (15) are shown. May be shared.

第5図(1)はさらに他の例を示している。FIG. 5(1) shows yet another example.

ここでは、先導波層(21)の厚さよりも深い穴(16
)または漏洩光遮断用溝(15)が形成され、この穴(
16)または1(Is)内に検知素子としてのフォトダ
イオードのチップ(13)が設けられている。光導波層
(21)から出射した光はこのフォトダイオード(1−
3)に受光される。
Here, the hole (16) is deeper than the thickness of the leading wave layer (21).
) or a leakage light blocking groove (15) is formed, and this hole (
16) or 1 (Is) is provided with a photodiode chip (13) as a sensing element. The light emitted from the optical waveguide layer (21) passes through this photodiode (1-
3) is received.

上述のような漏洩光検知素子(13)の出力信号にもと
づく半導体レーザ(11)の制御は、公知のフィードバ
ック制御でよい。すなわち素子(13)の受光信号を一
定時間ごとに(ディジタル制t1])または連続的に(
アナログ制御)前回の値とまたはある基準値と比較し、
一定に保たれていれば半導体レーザ(11)の駆動電流
をそのままの値に保持する。受光強度が減少した場合に
は偏差が0になるように駆動電流を増大させ、受光強度
が増大した場合には駆動電流を減少させる。このような
制御の手順が第6図にフロー・チャートで示されている
。このフィードバック制御によって、半導体レーIf(
11)の出力を安定化することができる。
The semiconductor laser (11) may be controlled by known feedback control based on the output signal of the leakage light detection element (13) as described above. In other words, the light reception signal of the element (13) is transmitted at fixed time intervals (digital system t1) or continuously (
Analog control) Compare with the previous value or with a certain reference value,
If it is kept constant, the drive current of the semiconductor laser (11) is kept at the same value. When the received light intensity decreases, the drive current is increased so that the deviation becomes 0, and when the received light intensity increases, the drive current is decreased. Such a control procedure is shown in a flow chart in FIG. Through this feedback control, the semiconductor relay If(
11) can be stabilized.

(5)漏洩光遮断用溝 第1図および第3図に示された漏洩光遮断用溝(15)
は、光の伝播方向にほぼ垂直に直線状に形成されている
。この溝(15)は構造が簡単で容易に作成できる特徴
をもっている。
(5) Leakage light blocking groove Leakage light blocking groove shown in Figures 1 and 3 (15)
is formed in a straight line substantially perpendicular to the light propagation direction. This groove (15) has a simple structure and can be easily produced.

第7図は漏洩光遮断用溝の他の例を示している。第7図
(A)に示された漏洩光′f4断用溝用溝5)は、伝播
してぎた光をその伝播方向と異なる方向(たとえばほぼ
垂直な方向)に反射さUるように、光の伝播方向に垂直
な方向からさらに傾けた形態に形成したものである。こ
の溝(15)は光軸の位置を頂点として折れた形につく
られているが、光の伝播経路を一直線状にかつ斜めに横
切るように形成してもよい。このようなタイプの溝を用
いると、反射光が半導体し−ザ(11)に戻って入射す
ることにより生ずるバック・トーク・ノイズ防止するこ
とができる。
FIG. 7 shows another example of the leakage light blocking groove. The leakage light 'f4 cutoff groove 5) shown in FIG. It is formed in a form further tilted from the direction perpendicular to the light propagation direction. Although this groove (15) is formed in a bent shape with the apex at the position of the optical axis, it may also be formed so as to cross the light propagation path in a straight line and diagonally. Using this type of groove can prevent back talk noise caused by reflected light returning to the semiconductor laser (11).

第7図(B)に示された溝(15)は、カップリング・
レンズ側の壁面に波形加工が施されたものである。漏洩
光はこの壁面によって散乱さU゛られる。この壁面に他
の形の凹凸を形成するようにしてもよい。
The groove (15) shown in Figure 7(B)
The wall on the lens side has a corrugated finish. Leakage light is scattered by this wall surface. Other shapes of unevenness may be formed on this wall surface.

(6)フォーカシング・エラーの検出 光ディスクの情報記録面にはそのトラックにそってディ
ジタル情報を長さや位置によって表わすビット(くぼみ
)が形成されている。第8図は、光ディスク(81)と
光ピツクアップ・ヘッド(9)との位@関係を、光ディ
スク(81)をその周方向にそって切断して示すもので
ある。
(6) Detection of Focusing Error Bits (indentations) representing digital information by length and position are formed along the track on the information recording surface of the optical disc. FIG. 8 shows the positional relationship between the optical disk (81) and the optical pickup head (9) by cutting the optical disk (81) along its circumferential direction.

カップリング・レンズ(23)から出射したレーザ光は
光ディスク(81)の情報記録面(第8図ではビット(
82)を含む部分)で反射して受光部(30)で受光さ
れる。第9図は、光ディスク(81)からの反射光が受
光部(30)を照射するその範囲を示している。
The laser beam emitted from the coupling lens (23) is transmitted to the information recording surface of the optical disk (81) (bits (in Fig. 8)).
82) and is received by the light receiving section (30). FIG. 9 shows the range in which the light receiving section (30) is irradiated with the reflected light from the optical disk (81).

第8図において、実線で示された光ディスク(81)お
よびビット(82)は、光ディスク(81)と光ピツク
アップ・ヘッド(9)との間の距離が最適であり、出射
光の光ディスク(81)上へのフォーカシングが正しく
行なわれている様子を示すものである。このときの受光
部(30)における反射光の照射領域がQで示されてい
る。
In FIG. 8, the optical disc (81) and the bit (82) shown by solid lines have an optimal distance between the optical disc (81) and the optical pickup head (9), and the optical disc (81) of the emitted light is This shows how upward focusing is performed correctly. The irradiation area of the reflected light in the light receiving section (30) at this time is indicated by Q.

この照射領域Qは中央の受光素子(31)  (32)
上に位置しており、他の受光素子(33)  (34)
には反射光は受光されない。
This irradiation area Q is the central light receiving element (31) (32)
The other light receiving elements (33) (34)
No reflected light is received.

光ディスク(81)とピックアップ・ヘッド(9)との
間の距離が相対的に大きくまたは小さくなって適切なフ
ォーカシングが行なわれない場合の光ディスク(81)
の位置が第8図に鎖線で示されている。光ディスク(8
1)とピックアップ・ヘッド(9)との間の距離が相対
的に小さくなった場合(−Δdの変位)には、反射光の
照9A領域(Qlで表わされている)は受光素子(33
)側に寄る。受光素子(33)は差動増幅器(71)の
負側に、受光素子(34)は正側にそれぞれ接続されて
いるから、この場合には差動増幅器(71)の出力は負
の値を示し、この値は変位爵−Δdの大きざを表わして
いる。
Optical disc (81) when the distance between the optical disc (81) and the pickup head (9) becomes relatively large or small and proper focusing cannot be performed
The position of is shown in dashed lines in FIG. Optical disc (8
1) and the pickup head (9) becomes relatively small (displacement of -Δd), the illuminated region 9A (represented by Ql) of the reflected light is shifted to the light receiving element ( 33
) to the side. Since the light receiving element (33) is connected to the negative side of the differential amplifier (71) and the light receiving element (34) is connected to the positive side, in this case, the output of the differential amplifier (71) has a negative value. This value represents the magnitude of the displacement -Δd.

光ディスク(81)とピックアップ・ヘッド(9)との
間の距離が相対的に大きくなった場゛合(+Δdの変位
)には、反射光の照射領域(Q2で表わされている)は
受光索子(34)側に寄る。差動増幅器(71)の出力
は正の値を示し、かつこの値は変位m+Δdを表ねず。
When the distance between the optical disc (81) and the pickup head (9) becomes relatively large (displacement of +Δd), the reflected light irradiation area (represented by Q2) becomes light-receiving. Move closer to Sakuko (34). The output of the differential amplifier (71) shows a positive value, and this value does not represent the displacement m+Δd.

このようにして、ピックアップ・ヘッド(9)からの出
射光ビームのフォーカシングが適切であるかどうか、フ
ォーカシング・エラーが生じている場合にはエラーの方
向と大きさが差動増幅器(71)の出力から検知される
。フォーカシング・エラーが無い場合には差動増幅器(
71)の出力は零である。
In this way, it is possible to determine whether the focusing of the light beam emitted from the pickup head (9) is appropriate, and if a focusing error has occurred, the direction and magnitude of the error are determined by the output of the differential amplifier (71). Detected from. If there is no focusing error, a differential amplifier (
The output of 71) is zero.

(7)トラッキング・エラーの検出 第10図は、光ディスク(81)に形成されたビット(
82)と受光部(30)の受光素子(31)(32)と
を同一平面上に配置して示したものであり、いわば光デ
ィスク(81)をその面方向に透視して受光素子(31
)  (32)をみた図である。
(7) Tracking error detection Figure 10 shows the bits (
82) and the light-receiving elements (31) and (32) of the light-receiving section (30) are shown arranged on the same plane, so to speak.
) (32).

差動増幅器(72)は受光素子(31)  (32)と
の電気的接続関係を明らかにする目的で図示されている
。第10図(A>は、レーザ・ビーム・スポットPの中
心がトラック(ビット(82))の巾方向の中心上に正
確に位置している様子を示している。第10図(B)(
C)はスポットPがトラック(ビット(82))の左右
にそれぞれ若干ずれ、トラッキング・エラーが生じてい
る様子を示している。いずれの場合にも、適切にフォー
カシングされているものとする。
The differential amplifier (72) is illustrated for the purpose of clarifying the electrical connection relationship with the light receiving elements (31) and (32). Figure 10 (A) shows that the center of the laser beam spot P is located exactly on the center of the track (bit (82)) in the width direction. Figure 10 (B) (
C) shows that the spot P is slightly shifted to the left and right of the track (bit (82)), causing a tracking error. In either case, it is assumed that proper focusing is achieved.

レーザ・スポットPが光ディスク(81)の情報記録面
に当たり、その反射光の強度がビット(82)の存在に
よって変調される。これには、ビット(82)の巾より
もスポット・サイズの方がやや大きいのでビット(82
)の底面で反射する光とビット(82)以外の部分で反
射する光とが存在し、ビット(82)の深さが1/4λ
(λはレーザ光の波長)程度に設定されていることによ
り、上記の2種類の反射光の間にπの位相差が生じて互
いに打消し合い、光強度が小さくなるという説明や、ビ
ット(82)の縁部で光の散乱が生じこれにより受光さ
れる反射光強度が小さくなるという説明などがある。い
ずれにしても、ビット(82)の存在によって受光部(
30)に受光される光強度は小さくなる。
The laser spot P hits the information recording surface of the optical disk (81), and the intensity of the reflected light is modulated by the presence of the bit (82). This is because the spot size is slightly larger than the width of the bit (82).
) and light reflected from parts other than the bit (82), and the depth of the bit (82) is 1/4λ.
(λ is the wavelength of the laser beam), a phase difference of π occurs between the two types of reflected light, which cancel each other out and reduce the light intensity. There is an explanation that light scattering occurs at the edges of 82), which reduces the intensity of the reflected light received. In any case, due to the presence of the bit (82), the light receiving section (
The intensity of the light received at 30) becomes smaller.

受光素子(31)と(32)は光軸を境として左右に分
割されている。レーザ・スポットPの中心とビット(8
2)の巾方向の中心とが一致している場合には、受光素
子(31)と(32)に受光される光量は等しく、差動
増幅器(72)の出力は零である。
The light receiving elements (31) and (32) are divided into left and right parts with the optical axis as a border. Center of laser spot P and bit (8
2), the amounts of light received by the light receiving elements (31) and (32) are equal, and the output of the differential amplifier (72) is zero.

第10図(B)に示すように、レーザ・スポットPがビ
ット(82)の左側にずれた場合には、受光素子(31
)に受光される光量の方が多くなり、差動増幅器(72
)からは正の出力が発生する。逆に、第10図(C)に
示すように、レーザ・スポットPがピッド(82)の右
側にずれると差動増幅器(72)には負の出力が生じる
As shown in FIG. 10(B), when the laser spot P shifts to the left side of the bit (82), the light receiving element (31
), the amount of light received by the differential amplifier (72
) produces a positive output. Conversely, as shown in FIG. 10(C), when the laser spot P shifts to the right side of the pit (82), a negative output is generated in the differential amplifier (72).

このようにして、差動増幅器(72)の出力によりビー
ム・スポットPが光ディスク(81)のトラックに正確
に沿っているか、トラッキング・エラーが生じているか
、それは左、右のともらにずれたエラーかが検出される
In this way, the output of the differential amplifier (72) determines whether the beam spot P is accurately along the track of the optical disk (81), whether a tracking error has occurred, and whether it has shifted to the left or right. An error is detected.

(8)フォーカシングおよびトラッキング駆動機構 第11図から第13図はフォーカシング駆動機構および
トラッキング駆動機構を示している。
(8) Focusing and tracking drive mechanism FIGS. 11 to 13 show a focusing drive mechanism and a tracking drive mechanism.

支持板(100)の一端部に支持部材(1oi)が立設
されている。この支持部材(1oi)の両側下端部は切
欠かれている(符号(102) )。
A support member (1oi) is erected at one end of the support plate (100). Both lower ends of this support member (1oi) are notched (symbol (102)).

支持板(100)の他端部上方には可動部材(103)
が位置している。上下方向に弾性的に屈曲しうる4つの
板ばね(121)  (122)の一端は支持部材(1
01)の上端両側および下部切欠き(102)に固定さ
れており、他端は可動部材(103)の上端および下端
の両側にそれぞれ固定されている。したがって、可動部
材(103)はこれらの板ばね(121)  (122
)を介して上下方向に運動しうる状態で支持部材(10
1)に支持されている。
A movable member (103) is located above the other end of the support plate (100).
is located. One end of the four leaf springs (121) (122) that can be elastically bent in the vertical direction is attached to the support member (1
01) is fixed to both sides of the upper end and the lower notch (102), and the other end is fixed to both sides of the upper end and lower end of the movable member (103), respectively. Therefore, the movable member (103) is moved by these leaf springs (121) (122
), the support member (10
1) is supported.

光ピツクアップ・ヘッド(9)を[tffiしたステー
ジ(110)は、上部の方形枠(112) 、、方形枠
(112)の両端から下方にのびlζ両脚(114) 
 (115)および方形枠(112)の中央部から下方
にのび1=中央脚(113)から溝成されている。方形
枠(112)上に光ピツクアップ・へラド(9)が載置
固定されている。横方向に弾性的に屈曲しうる4つの板
ばね(131)の一端は可動部材(103)の両側上、
下部に固定され、他端はステージ(1io)の中央脚(
113)の両側上、下部に固定されている。ステージ(
110)は、これらの板ばね(131)を介して横方向
(第10図の左右方向と一致する)に運動しうる状態で
支持されている。したがって、ステージ(110)は、
上下方向くフォーカシング)および横方向(トラッキン
グ)に移動自在である。
The stage (110) with the optical pickup head (9) has an upper rectangular frame (112) and two legs (114) extending downward from both ends of the rectangular frame (112).
(115) and a groove extending downward from the center of the rectangular frame (112) 1=central leg (113). An optical pickup head (9) is mounted and fixed on a rectangular frame (112). One end of four leaf springs (131) that can be elastically bent in the lateral direction is on both sides of the movable member (103),
It is fixed at the bottom, and the other end is attached to the central leg (1io) of the stage (1io).
113) on both sides and at the bottom. stage(
110) is supported via these leaf springs (131) so that it can move laterally (corresponding to the left-right direction in FIG. 10). Therefore, the stage (110) is
It can be moved vertically (focusing) and horizontally (tracking).

支持板(100) 、支持部材(101) 、可動部i
4 (103)およびステージ(1io)は非磁性材料
、たとえばプラスチックにより構成されている。
Support plate (100), support member (101), movable part i
4 (103) and the stage (1io) are made of non-magnetic material, such as plastic.

支持部材(101)および可動部材’(103)の内面
にはヨーク(104)  (105)が固定されている
。ヨーク(104)は、支持部材(101)に固定され
た垂直部分(104a)と、これと間隔をおいて位置す
るもう1つの垂直部分(104b)と、これらの両部会
(104a)  (104b)をそれらの下端で結合さ
せる水平部分とから構成されている。
Yokes (104) (105) are fixed to the inner surfaces of the support member (101) and the movable member' (103). The yoke (104) includes a vertical portion (104a) fixed to the support member (101), another vertical portion (104b) located at a distance from this, and both of these portions (104a) (104b). and a horizontal section joining them at their lower ends.

ヨーク(105)もヨーク(104)と全く同じ形状で
あり、一定の間隔をおいて離れた2つの垂直部分(10
5a)  (105b)を備えテイル。
The yoke (105) also has exactly the same shape as the yoke (104), with two vertical parts (10
5a) Tail with (105b).

これらのヨーク(1o4)  (1os)の垂直部分(
104a )  (1’05a )の内面には、この内
面側をたとえばS極とする永久磁石(106)がそれぞ
れ固定されている。そして、ヨーク(104)  (1
05)の他方の垂直部分(ioab)  (iosb)
と永久磁石(1oe)との間に、ステージ(,110)
の脚(114)  (115)がそれらに接しない状態
でそれぞれ入り込んでいる。
The vertical part of these yokes (1o4) (1os) (
104a ) (1'05a) are each fixed with a permanent magnet (106) whose inner surface is, for example, an S pole. And yoke (104) (1
05) the other vertical part (ioab) (iosb)
A stage (,110) is placed between the permanent magnet (1oe) and the permanent magnet (1oe).
The legs (114) and (115) of the two are inserted into each other without touching them.

ステージ(110)の両脚(114)  (115>の
まわりにはフォーカシング駆動用コイル(123)が水
平方向に巻回されている。またこれらの脚(114) 
 (115)の一部には、永久磁石(106)と対向す
る部分にJ5いて上下方向に向う部分を有するトラッキ
ング駆動用コイル(133)が巻回されている。   
′ フォーカシング駆flIn構は第12図に最もよく示さ
れている。永久磁石(106)から発生した磁束Hは鎖
線で示されているようにヨーク(104)’ (105
)の垂直部分(104b)  (105b)にそれぞれ
向う。この磁界を横切って水平方向に配設されたコイル
(123)に、たとえば第12図において紙面に向う方
向に駆動電流が流されると、上方に向う力F[が発生す
る。この力Ffによってステージ(11,0)は上方に
移動する。ステージ(110)の移動量はコイル(12
3)に流される電流の大きさによって調整することがで
きる。したがって、上述した差動増幅器(71)の出力
信号に応じてこの駆動電流の方向を切換えることにより
、および電流の大きさを調整するまたは電流をオン、オ
フすることにより、フォーカシング制御を行なうことが
できる。
A focusing drive coil (123) is wound horizontally around both legs (114) (115>) of the stage (110).
(115) is wound with a tracking drive coil (133) having a portion facing the permanent magnet (106) in the vertical direction with J5.
' The focusing mechanism is best shown in FIG. The magnetic flux H generated from the permanent magnet (106) is connected to the yoke (104)' (105
) towards the vertical parts (104b) (105b), respectively. When a driving current is applied to the coil (123) arranged horizontally across this magnetic field, for example in the direction toward the plane of the paper in FIG. 12, an upward force F[ is generated. This force Ff moves the stage (11,0) upward. The amount of movement of the stage (110) is equal to the amount of movement of the stage (110).
3) It can be adjusted by the magnitude of the current applied. Therefore, focusing control can be performed by switching the direction of this drive current according to the output signal of the differential amplifier (71) mentioned above, adjusting the magnitude of the current, or turning the current on and off. can.

トラッキング駆動別構は第13図に最もよく表わされて
いる。コイル(133)の磁界Hを上下方向に横切って
配設されlζ部分に、たとえば第13図で紙面に向う方
向に(第11図で下方に向って)駆動電流を流すと、第
13図において上方に向う力(第11図において横方向
に向う力)Ftが発生し、ステージ(110)は同方向
に移動する。上述した差動増幅器(72〉の出力信号に
応じてコイル(133)に流す電流をオン、オフしたり
、電流の方向、必要ならばその大きさを調整することに
より、トラッキング制御を行なうことができる。
The tracking drive arrangement is best illustrated in FIG. When a driving current is applied to the lζ portion of the coil (133), which is disposed vertically across the magnetic field H, for example, in the direction toward the plane of the paper in FIG. 13 (downward in FIG. 11), in FIG. An upward force (lateral force in FIG. 11) Ft is generated, and the stage (110) moves in the same direction. Tracking control can be performed by turning on or off the current flowing through the coil (133) according to the output signal of the differential amplifier (72) mentioned above, and by adjusting the direction of the current and, if necessary, its magnitude. can.

電気光学効果を利用してフォーカシングおよびトラッキ
ングの制御を行なうこともできる。
Focusing and tracking can also be controlled using electro-optic effects.

たとえば、光導波路(21)  (および基板(12)
 )を電気光学効果をもつ材料(たとえばLiNb03
)で形成するか、またはグレーティング・レンズ(28
)  (41)〜(43)やグレーティング・カブラ(
29) (51)〜(53) (第3図、第14図参照
)の場所に電気光学効果をもつ材料(たとえばZnOや
A/N)の薄膜を形成し、これらのレンズおよびカブラ
の両側に電極を設ける。電極に印加1゛る電圧を変える
ことにより、これらのレンズやカブラの焦点距離を調整
することができ、これによりフォーカシング制御やトラ
ッキング制御が行なわれる。グレーティング・レンズに
代えて、先導波層上に多数の電極からなる電極アレイを
形成し、この電極アレイに階段状電圧を印加することに
よって光導波路に屈折率分布を形成する。このような屈
折率分布型のレンズを用いても、フォーカシングやトラ
ッキング制御が行なえる。また、先導波路(21)を伝
播する光ビームを電気光学効果を利用して偏向させるこ
とにより、トラッキングの制御も可能である。光ビーム
の偏向はたとえば光とSAW (弾性表面波)との相互
作用を利用して達成することができる。
For example, the optical waveguide (21) (and the substrate (12)
) is a material with electro-optic effect (for example, LiNb03
) or a grating lens (28
) (41)-(43) and Grating Cabra (
29) Form a thin film of a material with an electro-optic effect (for example, ZnO or A/N) at the locations of (51) to (53) (see Figures 3 and 14), and then coat both sides of these lenses and coverrs. Provide electrodes. By changing the voltage applied to the electrodes, the focal lengths of these lenses and foggers can be adjusted, thereby performing focusing control and tracking control. Instead of the grating lens, an electrode array consisting of a large number of electrodes is formed on the leading wave layer, and a refractive index distribution is formed in the optical waveguide by applying a stepped voltage to this electrode array. Focusing and tracking control can also be performed using such a gradient index lens. Tracking can also be controlled by deflecting the light beam propagating through the guide waveguide (21) using the electro-optic effect. Deflection of the light beam can be achieved, for example, by using interaction between light and SAW (surface acoustic waves).

(9)他の実施例 第14図は、3ビ一ム方式の光ピツクアップ・ヘッド(
90)を示すものである。この図において、第1図に示
すものと同一物には同一符号が付されている。
(9) Other embodiments FIG. 14 shows a 3-beam optical pickup head (
90). In this figure, the same parts as shown in FIG. 1 are given the same reference numerals.

ここでは、カップリング・レンズ(23)は、光導波層
(21)を伝播己てきたレーザ光を斜め上方に3つに分
離して出射させるとともに、これらの光ビームを異なる
3つの点に2次元的に集光(フォーカシング)する。カ
ップリング・レンズ(23)は、コリメーティング・レ
ンズ(22〉によって平行光に変換されたレーザ光の伝
播経路を横切って一列に配列された3つのフレネル型グ
レーティング・レンズ(フレネル・レンズ)(41)〜
(43)と、これらのグレーティング・レンズ(41〉
〜(43)によって3つに分割されかつ集束される光の
伝播経路上に設けられたチャーブ型(cbirped 
)グレーティング・カブラ(51)〜(53)とから構
成されている。
Here, the coupling lens (23) separates the laser light that has propagated through the optical waveguide layer (21) into three parts diagonally upward and emits them, and sends these light beams to three different points. Dimensional focusing. The coupling lens (23) consists of three Fresnel type grating lenses (Fresnel lenses) arranged in a line across the propagation path of the laser light converted into parallel light by the collimating lens (22〉). 41)~
(43) and these grating lenses (41〉
~(43)
) gratings/cobras (51) to (53).

これらの各グレーティング・カブラ(51)  (52
)(53)から出射した光はそれぞれ点Pi、P2、P
3に集光する。これらのレーザ・スポットP1〜P3の
径は1 ttm程度であり間隔は20IIII7程度で
ある。中央のレーザ・スボッ1−P1は光ディスクの情
報の読取りおよびフォーカシング・エラー検出用であり
、両側のレーザ・スポットP2、P3はトラッキング・
エラー検出用である。これらのスポットP1〜P3は同
一平面上く光ディスクの情報記録面〉に焦点を結んでお
り、かつほぼ−直線状に並んでいる。
Each of these grating cabras (51) (52
) (53) respectively point to points Pi, P2, and P.
Focus on 3. The diameter of these laser spots P1 to P3 is about 1 ttm, and the interval is about 20III7. Laser spot 1-P1 in the center is for reading information on the optical disc and detecting focusing errors, and laser spots P2 and P3 on both sides are for tracking.
This is for error detection. These spots P1 to P3 are focused on the information recording surface of the optical disc on the same plane, and are arranged substantially in a straight line.

受光部(30)は、レーザ・スポットP1〜P3の位置
から斜め下方に反射してくる光を受光できる位置に配置
されている。受光部(30)は、5つの独立した受光素
子(91)〜(95)からなる。中央の受光素子(91
)は情報の読取り用であり、スポットP1からの反ql
光を受光する。
The light receiving section (30) is arranged at a position where it can receive light reflected diagonally downward from the positions of the laser spots P1 to P3. The light receiving section (30) consists of five independent light receiving elements (91) to (95). Central photodetector (91
) is for reading information, and the anti-ql from spot P1
Receive light.

その前後にある受光素子(92)  (93)はフォー
カシング・エラー検出用である。受光素子(91)の両
側にある受光素子(94)  (95)はトラッキング
・エラー検出用であり、スポットP2、P3からの反射
光をそれぞれ受光する。受光素子(92)  (93ン
の出力信号が上述のフォーカシング・エラー検出用差動
増幅器(71)に入力し、受光素子(94)  (95
)の出力がトラッキング・エラー検出用差動増幅器(7
2)に入力する。
The light receiving elements (92) and (93) located before and after it are used for focusing error detection. Light receiving elements (94) and (95) on both sides of the light receiving element (91) are for tracking error detection, and receive reflected light from spots P2 and P3, respectively. The output signals of the light receiving elements (92) (93) are input to the above-mentioned focusing error detection differential amplifier (71), and the output signals of the light receiving elements (94) (95
) output from the tracking error detection differential amplifier (7
2) Enter.

光ディスクに記録された情報は、反射光の強度変化とし
て現われる。スポットP1の反射光が受光素子(31)
により受光され、その出力信号が記録情報の読取り信号
となる。受光素子(31)〜(33〉の和信号を読取り
信号としてもよい。
Information recorded on an optical disc appears as changes in the intensity of reflected light. The reflected light of spot P1 is reflected by the light receiving element (31)
The output signal becomes a reading signal for recorded information. The sum signal of the light receiving elements (31) to (33>) may be used as the read signal.

この実施例においても、受光素子(91)〜(95)は
a −8i 、 Cd Te 、 Cd S等によりま
たはPN接合により基板(12)上または基板内に形成
されている。また、カップリング・レンズ(23)と受
光部(30)との間には漏洩光検知素子(13)および
漏洩光遮断用溝(15)が形成されている。
In this embodiment as well, the light receiving elements (91) to (95) are formed on or within the substrate (12) using a-8i, CdTe, CdS, etc. or by PN junction. Furthermore, a leakage light detection element (13) and a leakage light blocking groove (15) are formed between the coupling lens (23) and the light receiving section (30).

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、光ピツクアップ・ヘッドを示す斜視図である
。 第2図は、半導体レーザと光り波層との光結合部分を示
す斜視図である。 第3図は、カップリング・レンズの他の実施例を示す斜
視図である。 第4図は、漏洩光検知素子の他の例を示す平面図である
。 第5図は、漏洩光検知素子の種々の例を示す断面図であ
る。 第6図は、強度検知信号にもとづく半導体レーザの制御
の例を示すフロー・チャートである。 第7図は、漏洩光遮断用溝の他の例を示す斜視図である
。 第8図は、光ディスクと光ピツクアップ・ヘッドとの位
置関係を示す断面図である。 第9図は、受光部上におtプるフォーカシング・エラー
の検出原理を示す図である。 第10図は、トラッキング・エラーの検出原理を示す図
である。 第11図から第13図は、フォーカシングおよびトラッ
キング駆動機構を示すもので、第11図は斜視図、第1
2図は第11図のX■−X■線にそう断面図、第13図
は光ピツクアップ・ヘッドを除去して示す平面図である
。、第14図は、光ピツクアップ・ヘッドの他の例を示
す斜視図である。 (9)(90)・・・光ピツクアップ・ヘッド、(11
)・・・半導体レーザ、(12)・・・基板、(13)
・・・漏洩光検知素子、(21)・・・光導波層、(2
2)・・・コリメーティング・レンズ、(23)・・・
カップリング・レンズ、(30)・・・受光部、(31
)〜(34)  (91)〜(95)・・・受光素子。 以  上 外4名 尖5 BBH (A) (B) (C) 第5図 (D) (E) (F) 第5図 (G) (H) (I) 第6図1
FIG. 1 is a perspective view of an optical pickup head. FIG. 2 is a perspective view showing an optical coupling portion between a semiconductor laser and a light wave layer. FIG. 3 is a perspective view showing another embodiment of the coupling lens. FIG. 4 is a plan view showing another example of the leakage light detection element. FIG. 5 is a cross-sectional view showing various examples of leakage light detection elements. FIG. 6 is a flow chart showing an example of semiconductor laser control based on the intensity detection signal. FIG. 7 is a perspective view showing another example of the leakage light blocking groove. FIG. 8 is a sectional view showing the positional relationship between the optical disk and the optical pickup head. FIG. 9 is a diagram showing the principle of detecting a focusing error that appears on the light receiving section. FIG. 10 is a diagram showing the principle of tracking error detection. Figures 11 to 13 show the focusing and tracking drive mechanism, with Figure 11 being a perspective view and Figure 1 being a perspective view;
2 is a sectional view taken along the line X--X in FIG. 11, and FIG. 13 is a plan view with the optical pickup head removed. , FIG. 14 is a perspective view showing another example of the optical pickup head. (9) (90)... Optical pickup head, (11
)...Semiconductor laser, (12)...Substrate, (13)
... leakage light detection element, (21) ... optical waveguide layer, (2
2)...Collimating lens, (23)...
Coupling lens, (30)... Light receiving section, (31
) to (34) (91) to (95)...light receiving elements. 4 people other than above 5 BBH (A) (B) (C) Fig. 5 (D) (E) (F) Fig. 5 (G) (H) (I) Fig. 6 1

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基板上に形成された光導波路、 光導波路に導入されるレーザ光の光源、 光導波路上に契約され、光導波路を伝播する光を斜め上
方に出射させかつ2次元的に集光するレンズ手段、 斜め上方から反射してくる光を受光する手段、および 光導波路を伝播する光の強度を検知するための手段、 を備えた光情報処理装置。
(1) An optical waveguide formed on a substrate, a light source for laser light introduced into the optical waveguide, and a light source contracted on the optical waveguide to emit the light propagating through the optical waveguide obliquely upward and focus it two-dimensionally. An optical information processing device comprising: a lens means; a means for receiving light reflected obliquely from above; and a means for detecting the intensity of light propagating through an optical waveguide.
(2)光強度検知手段が基板上に形成され、光導波路か
らの漏洩光を検知するものである、特許請求の範囲第(
1)項に記載の光情報処理装置。
(2) The light intensity detection means is formed on the substrate and detects leakage light from the optical waveguide.
The optical information processing device according to item 1).
JP59193664A 1984-09-03 1984-09-14 Optical information processing device Expired - Lifetime JPH0619846B2 (en)

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US07/436,951 US5128915A (en) 1984-09-03 1989-11-15 Optical pickup device

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