JPS6170808A - Thermal protection circuit - Google Patents
Thermal protection circuitInfo
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- JPS6170808A JPS6170808A JP59192831A JP19283184A JPS6170808A JP S6170808 A JPS6170808 A JP S6170808A JP 59192831 A JP59192831 A JP 59192831A JP 19283184 A JP19283184 A JP 19283184A JP S6170808 A JPS6170808 A JP S6170808A
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- transistor
- circuit
- reference voltage
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、たとえば、半導体集積回路装置の発熱や外部
の異常な温度上昇の際に、前記回路装置の機能を停止さ
せ、前記回路装置を保護することができる熱保護回路に
関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention protects the circuit device by stopping the function of the circuit device, for example, when a semiconductor integrated circuit device generates heat or an abnormal temperature rises outside. This relates to a thermal protection circuit that can be used.
従来例の構成とその問題点
熱保護回路は通常、基準電圧回路と温度検出装置とヒス
テリシスコンパレータとで構成されている。第1図はこ
の種の従来例回路図である。Conventional configuration and its problems A thermal protection circuit usually includes a reference voltage circuit, a temperature detection device, and a hysteresis comparator. FIG. 1 is a conventional circuit diagram of this type.
同図において、1は基準電圧回路、2は温度検出装置、
3はヒステリシスコンパレータ、4は出力回路、6は電
源電圧端子、6は出力端子である。In the figure, 1 is a reference voltage circuit, 2 is a temperature detection device,
3 is a hysteresis comparator, 4 is an output circuit, 6 is a power supply voltage terminal, and 6 is an output terminal.
この回路構成では、素子数が多く、消費電流も多く、チ
ップ占有面積も大きくなる等の欠点を有していた。This circuit configuration has disadvantages such as a large number of elements, large current consumption, and a large chip area.
発明の目的
本発明は回路素子数を最小限にとどめると共に、消費電
力の低減可能な熱保護回路を提供するものである。OBJECTS OF THE INVENTION The present invention provides a thermal protection circuit that can minimize the number of circuit elements and reduce power consumption.
発明の構成
本発明は、異なる電流密度で動作する電流ミラー対の第
1.第2の各トランジスタのうち、前記第2トランジス
タのコレクタに抵抗を接続し、第1のトランジスタのコ
レクタと前記抵抗の他端とにそれぞれ電流ミラー回路結
合の第1.第2の電流源を接続し、前記第1の電流源に
、これと電流ミラー回路結合する第3の電流源を、ダイ
オードを介して結合し、この第3の電流源の電流を切換
ることか可能な第3のトランジスタをそなえたものであ
り、前記抵抗に発生する電圧を切換えることにより、発
生する電圧差をヒステリシスとして利・用する熱保護回
路であり、このことにより最小限の回路素子数で低消費
電力の回路を実現することができる。DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides a first . Of each of the second transistors, a resistor is connected to the collector of the second transistor, and the collector of the first transistor and the other end of the resistor are connected to the first . A second current source is connected, a third current source is coupled to the first current source via a diode, and the current of the third current source is switched. It is a thermal protection circuit that utilizes the voltage difference generated as hysteresis by switching the voltage generated across the resistor, and as a result, it is possible to reduce the number of circuit elements to a minimum. It is possible to realize a circuit with low power consumption by reducing the number of circuits.
実施例の説明
第2図は本発明の実施例回路図であり、以下本発明をこ
の実施例により詳しく述べる。DESCRIPTION OF EMBODIMENTS FIG. 2 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, and the present invention will be described in detail with reference to this embodiment.
トランジスタロ1.Q2.Q3.Q4抵抗R1,R2は
バンドギャップ方式と呼ばれる基準電圧回路を構成して
いる。この基準電圧vrefはエミッタホロワトランジ
スタQ6を介し、抵抗R3とR4で分割されて、トラン
ジスタQ8と出力トランジスタQ9に供給される。トラ
ンジスタQ8はトランジスタQ7のコレクタ電流を切換
えて、ダイオード接続のトランジスタQ6を通して基準
電圧回路部の回路電流を切換える。Transistoro 1. Q2. Q3. Q4 resistors R1 and R2 constitute a reference voltage circuit called a bandgap type. This reference voltage vref is divided by resistors R3 and R4 via emitter follower transistor Q6, and is supplied to transistor Q8 and output transistor Q9. Transistor Q8 switches the collector current of transistor Q7, and switches the circuit current of the reference voltage circuit section through diode-connected transistor Q6.
トランジスタQ8がOFF&態の時、同Q8のベース電
圧VB (OFF )は次式で表わされる。When the transistor Q8 is in the OFF state, the base voltage VB (OFF) of the transistor Q8 is expressed by the following equation.
T;接合温度、”R2; )ランジスタQ2のエミッタ
電流、工Eei )ランジスタQ6のエミッタ電流、R
1,R2,R3,R4,抵抗R1,R2,R3,R4の
各抵抗値である。各トランジスタの特性はそろっており
、ペース電流は無視できるとし、トランジスタQ のエ
ミッタ面積はトランジスタQ2の同面積02倍、トラン
ジスタQ4の同面積はトランジスタQ3の同面積の2倍
とする。T: Junction temperature, "R2; ) Emitter current of transistor Q2, Eei) Emitter current of transistor Q6, R
1, R2, R3, R4, and the resistance values of the resistors R1, R2, R3, and R4. It is assumed that the characteristics of each transistor are the same and that the pace current can be ignored, and the emitter area of transistor Q is 02 times that of transistor Q2, and the same area of transistor Q4 is twice that of transistor Q3.
トランジスタQ8がON状態の時、同Q8のペース電圧
VB(ON)は次式で表わされる。When the transistor Q8 is in the ON state, the pace voltage VB(ON) of the transistor Q8 is expressed by the following equation.
次にトランジスタQ8及び出力トランジスタがON状態
になるベース電圧をそれぞれvBa(ON)VB9(O
N)とすると、次式で表わせるただし、Is;トランジ
スタのペース・エミッタ間の逆バイアス時の飽和電流、
工。;熱保護時引込み電流である。Next, the base voltages at which the transistor Q8 and the output transistor are turned on are set to vBa(ON) and VB9(O
N), it can be expressed by the following formula, where Is is the saturation current at reverse bias between the transistor's pace and emitter,
Engineering. ; Current drawn during thermal protection.
各抵抗値及び、電流値を適切に選ぶことにより、低温で
、
VB(OFF) B(ON)〈vBa(ON)≦vB
9(ON)〈V
とすると、トランジスタQ8はOFF 状態となり、出
力トランジスタQ9はOFF状態になる。By appropriately selecting each resistance value and current value, VB (OFF) B (ON) <vBa (ON) ≦ vB
9(ON)<V, transistor Q8 becomes OFF state, and output transistor Q9 becomes OFF state.
〉■
次に高温Kl)、VB(OFF) BS(ON)とな
ると、トランジスタQ8はOFF 状態からON状態に
なる。この時、トランジスタQ7の電流はトランジスタ
Q8に流れるので、トランジスタQ8のベース電圧はV
B(ON) になる。VB(ON)〉VB9(ON)
とすることができ、出力トランジスタQ9がON状態に
なり、熱保護状態となる。〉■ Next, when the high temperature Kl), VB (OFF) and BS (ON) are reached, the transistor Q8 changes from the OFF state to the ON state. At this time, the current of transistor Q7 flows to transistor Q8, so the base voltage of transistor Q8 is V
It becomes B (ON). VB(ON)>VB9(ON)
The output transistor Q9 is turned on, and the thermal protection state is entered.
VB(OFF)”va(ON)となる接合温度を熱保護
動作温度”C(ON) とする。The junction temperature at which VB (OFF) ``va (ON)'' is determined is the thermal protection operating temperature ``C (ON)''.
次に熱保護状態から温度が下り、VB(ON)<vBe
(ON)となると、トランジスタQ8はON状態からO
FF 状態になり、トランジスタQ7の電流は再び、
トランジスタQ7全通して、基準電圧・回路部に流れる
。この時、トランジスタQ8のペースを圧はVB(OF
F)K なりs vB(OFF)”BS(ON)である
から出力トランジスタQ9はOFF 状態になり、熱保
護は解除される。v=v
B(ON) Bs(ON)
となる接合温度を熱保護解除温度”C(OFF)とする
。Next, the temperature drops from the thermal protection state, and VB(ON)<vBe
(ON), transistor Q8 changes from ON state to OFF state.
FF state is entered, and the current of transistor Q7 is again
The voltage flows through the entire transistor Q7 to the reference voltage/circuit section. At this time, the pace of transistor Q8 is VB(OF
F) K becomes s vB(OFF)" Since BS(ON), the output transistor Q9 becomes OFF state and thermal protection is released. The junction temperature where v=v B(ON) Bs(ON) is Set the protection release temperature to “C” (OFF).
TO(ON)t C(OFF)は近似的に(四穴、(
@式で表わされる。TO(ON)t C(OFF) is approximately (four holes, (
Represented by the @ expression.
・・・・・・(橢
タタL−vBE2=vBEe t
vBEs l””C(ON) tvBEs l”=”c
(OFF)は接合温度がTC(ON)C(OFF)のそ
れぞれの温度でのトランジスタQ8のペース・エミッタ
間電圧である。.....
(OFF) is the pace-emitter voltage of the transistor Q8 at each junction temperature of TC(ON) and C(OFF).
なお、第2図の実施例回路図では、起動回路を省略した
。また、第2図の回路では、第1図示の従来例回路とく
らべて明らかなように、ヒステレシスコンパレータが不
要であり、回路構成上も簡素化できる。In addition, in the embodiment circuit diagram of FIG. 2, the starting circuit is omitted. Furthermore, as is clear from the conventional circuit shown in FIG. 1, the circuit shown in FIG. 2 does not require a hysteresis comparator and can simplify the circuit configuration.
発明の効果
本発明の回路構成は、ヒステリシスコンパレータがなく
なり、大幅な消費電力の減少と回路素子数の削減ができ
、チップ占有面積も大幅に減少でき、半導体集積回路に
好適である。Effects of the Invention The circuit configuration of the present invention eliminates the hysteresis comparator, significantly reduces power consumption, reduces the number of circuit elements, and greatly reduces chip area, and is suitable for semiconductor integrated circuits.
第1図は従来例回路図、第2図は本発明実施例回路図で
ある。
Q1〜Q9・・・・・・トランジスタ、R1−R4・・
・・・・抵抗。
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第2
図FIG. 1 is a circuit diagram of a conventional example, and FIG. 2 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention. Q1-Q9...Transistor, R1-R4...
····resistance. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and 1 other person 2nd
figure
Claims (1)
各トランジスタのうち、前記第2トランジスタのコレク
タに抵抗を接続し、前記第1のトランジスタのコレクタ
と、前記抵抗の他端とにそれぞれ電流ミラー回路結合の
第1、第2の電流源を接続し、前記第1の電流源に、電
流ミラー回路結合する第3の電流源をダイオードを介し
て、結合し、この第3の電流源の電流を切換えることが
可能な第3のトランジスタをそなえた熱保護回路。A resistor is connected to the collector of the second transistor among the first and second transistors of the current mirror pair that operate at different current densities, and a resistor is connected to the collector of the first transistor and the other end of the resistor, respectively. The first and second current sources of the current mirror circuit are connected, and a third current source that is coupled to the current mirror circuit is coupled to the first current source via a diode. Thermal protection circuit includes a third transistor capable of switching the current of the circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59192831A JPS6170808A (en) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | Thermal protection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59192831A JPS6170808A (en) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | Thermal protection circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6170808A true JPS6170808A (en) | 1986-04-11 |
Family
ID=16297699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59192831A Pending JPS6170808A (en) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | Thermal protection circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6170808A (en) |
-
1984
- 1984-09-14 JP JP59192831A patent/JPS6170808A/en active Pending
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