JPS6153109A - Production of silicon hydride - Google Patents

Production of silicon hydride

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JPS6153109A
JPS6153109A JP17566284A JP17566284A JPS6153109A JP S6153109 A JPS6153109 A JP S6153109A JP 17566284 A JP17566284 A JP 17566284A JP 17566284 A JP17566284 A JP 17566284A JP S6153109 A JPS6153109 A JP S6153109A
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silicon
hydride
reaction
silicon compound
alkyl aluminum
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Masayoshi Ito
正義 伊藤
Hiroji Miyagawa
博治 宮川
Toshihiro Abe
智弘 安部
Kaoru Inoue
薫 井上
Kenji Iwata
健二 岩田
Toshiyuki Tsukahara
塚原 俊幸
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Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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Abstract

PURPOSE:To convert various silicon compounds produced as by-products to a silicon hydride having high commercial value, in high yield, by reacting a specific silicon compound with an alkyl aluminum halide. CONSTITUTION:The silicon hydride of formula II (l<x) is produced by contacting the silicon compound of formula I (x>=1; at least one of y and z is not 0; when x=1, z is not 0) with an alkyl aluminum halide. The compound of formula I is preferably the one having at least one Si-H bond or Si-Si bond in the molecule, e.g. disilane (Si2H6), trisilane (Si3H8), cyclohexasilane (Si6H12), etc. The amount of alkyl aluminum halide is about 0.001-100mol per 1mol of Si in the silicon compound used as the raw material.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、一般式SixHyOz (ただしXは1以上
の正の整数、yおよび2はそれぞれ2)(+2.2Xを
越えない正の整数でありどちらか一方は0ではなくまた
x=1の場合は2はOでない)で表わされるケイ素化合
物から、一般式S+酊21+2 (lはXより小さい正
の整数)で表わされる水素化ケイ素を製造する方法に関
する。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field] The present invention relates to the general formula SixHyOz (where X is a positive integer of 1 or more, y and 2 are each 2) (a positive integer not exceeding +2.2X, and either relates to a method for producing silicon hydride represented by the general formula S + 21 + 2 (l is a positive integer smaller than X) from a silicon compound represented by .

〔背景技術〕[Background technology]

近年エレクトロニクス工業の発展に伴い、多結晶シリコ
ンあるいはアモルファスシリコン等の半導体用シリコン
の需要が急激に増大している。水素化ケイ素はかかる半
導体用シリコンの製造原料として最近その重要性を増し
ており、特にシラン(Si鴇)、ジシラン(5i2Ha
 )は太陽電扁駄漬体の原料として、今後大幅な需要増
加が期待されている。
In recent years, with the development of the electronics industry, the demand for silicon for semiconductors such as polycrystalline silicon or amorphous silicon has increased rapidly. Silicon hydride has recently become more important as a raw material for manufacturing silicon for semiconductors, and in particular, silane (Si) and disilane (5i2Ha)
) is expected to see a significant increase in demand in the future as a raw material for solar cell pickles.

従来、水素化ケイ素の製造方法はいくつか知られている
が、それらの中でケイ化マグネシウムと酸との反応によ
り製造する方法は、特に実施容易で経済的な方法として
古くから公知である。
Several methods for producing silicon hydride have been known, among which a method for producing silicon hydride by reacting magnesium silicide with an acid has been known for a long time as a particularly easy and economical method.

2MgC12+ ]/n5inH2n+、 + (1−
1/n)H2しかしながらこの方法におし・ては、利用
価値の高い5iI−I4.5i2I(6以外にも高級シ
ランが相当量生成し、例えば、水を溶媒に用いた場合に
は、常温常圧で反応が実施できるものの、Mg25l中
のSi  の約半分が5ipHqOr (pは3以上の
正の整数、qおよびrはそれぞれ2p+2.2pを越え
ない正の整数で、どちらか一方はOでない)で表わされ
るケイ素化合物となるため経済性に乏しい。
2MgC12+ ]/n5inH2n+, + (1-
1/n)H2However, in this method, a considerable amount of higher silane other than 5iI-I4.5i2I(6), which has high utility value, is produced.For example, when water is used as a solvent, Although the reaction can be carried out at normal pressure, about half of the Si in Mg25L is 5ipHqOr (p is a positive integer of 3 or more, q and r are each positive integers not exceeding 2p + 2.2p, and one of them is not O). ), which is not economically viable.

この他ケイ素のハロゲン化物を還元して水素化ケイ素を
製造する場合においでも高級シランが副生ずることが知
られており、例えば、 の反応によって512H6を製造する場合においては、
Si3H8などの高級シランが相当量生成する。
In addition, it is known that higher silane is produced as a by-product even when silicon hydride is produced by reducing a silicon halide; for example, when 512H6 is produced by the reaction of
Significant amounts of higher silanes such as Si3H8 are produced.

一方高級シランSirrH2m+2(mは2以上の正の
整数)は、加熱分解あるいは無声放電等によりその一部
をSiH,やSi2H6に変え得ることが報告されてい
るが、そのSiH4,Si2H6への転化率は低く未だ
不充分である。
On the other hand, it has been reported that high-grade silane SirrH2m+2 (m is a positive integer of 2 or more) can be partially converted into SiH, Si2H6, etc. by thermal decomposition or silent discharge, but the conversion rate to SiH4, Si2H6 is is still low and insufficient.

本発明者らは、上記の点にかんがみ、鋭意検討したとこ
ろ従来法において副生ずる種々のケイ素化合物は大部分
S i xHyozなる一般式で表現されるものであり
、特定の物質との反応処理を施すことによって、高収率
で所望のSiH,や5i2H0等の水素化ケイ素に転化
しうろことを見い出した。
In view of the above points, the present inventors have made extensive studies and found that most of the various silicon compounds produced as by-products in conventional methods are expressed by the general formula S i x Hyoz, and that reaction treatment with specific substances is necessary. It has been found that the desired silicon hydride such as SiH, 5i2H0, etc. can be converted in high yield by applying this method.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、上記のごとき従来法にお(・て副生す
る種々のケイ素化合物を、SiH4,Si2H6等の経
済的に価値のある水素化ケイ素に高収率で変換する方法
を提供することである。
An object of the present invention is to provide a method for converting various silicon compounds produced as by-products in the conventional methods described above into economically valuable silicon hydrides such as SiH4 and Si2H6 in high yield. That's true.

〔発明の開示〕[Disclosure of the invention]

本発明に従って一般式5ixE(yoz (ただしXは
1以上の正の整数、yおよび2はそれぞれ2x+2.2
xを越えない正の整数でありどちらか一方はOでなくま
たx=1の場合は2は0ではない)で表わされるケイ素
化合物と、アルキルアルミニウムハイドライドとを接触
させることにより、一般式5iIIH2,6,、(ただ
しぎはXより小さい正の整数)で表わされる水素化ケイ
素を製造する方法が提供される。
According to the present invention, the general formula 5ixE(yoz (where X is a positive integer of 1 or more, y and 2 are each 2x+2.2
By contacting an alkylaluminum hydride with a silicon compound represented by a positive integer not exceeding x, one of which is not O, and when x=1, 2 is not 0), a silicon compound of the general formula 5iIIIH2, 6, (wherein is a positive integer smaller than X) a method for producing silicon hydride is provided.

以下、本発明の詳細な説明する。The present invention will be explained in detail below.

本発明の方法において原料として用いられるケイ素化合
物とは、一般式S i xI(yOZ (ただしXは1
以上の正の整数、yおよび2はそれぞれ2X+2.2X
を越えない正の整数であり、どちらか一方はOでない)
で表わされるものであり、分子中に少なトリシラン(S
”sHs )、n−テトラシラン(Si4H10)イソ
テトラシラン(5i4H+o ) 、シクロヘキサジ、
う7 (Si、I(,2)、ポリシレン((SiI−I
Jn ) 、ジシロキf7 (5i2I(、O) 、)
 !J ’10キf 7 (Si、H802)、テトラ
シロキサン(Si、H,oOl) 、シロキセン((S
i2I(20)n )などがあげられる。これらは2種
以上混合してもしくは混合したものを用いることも可能
である。またこれらは後述するように脂肪族飽和炭化水
素や芳香族炭化水素、エーテルなどの希釈剤もしくは有
機溶媒に溶解あるいはげん濁して使用することも可能で
あり、気相、液相、固相のいずれにおいても用い得る。
The silicon compound used as a raw material in the method of the present invention has the general formula S i xI(yOZ (where X is 1
Positive integers greater than or equal to y and 2 are each 2X+2.2X
(a positive integer not exceeding , one of which is not O)
It contains a small amount of trisilane (S) in the molecule.
"sHs), n-tetrasilane (Si4H10) isotetrasilane (5i4H+o), cyclohexadi,
U7 (Si, I(,2), polysilene ((SiI-I
Jn), Disilokki f7 (5i2I(,O),)
! J'10ki f7 (Si, H802), tetrasiloxane (Si, H, oOl), siloxene ((S
i2I(20)n), etc. It is also possible to use a mixture of two or more of these or a mixture thereof. Furthermore, as described below, these can be used dissolved or suspended in aliphatic saturated hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, diluents such as ether, or organic solvents, and can be used in any of the gas, liquid, and solid phases. It can also be used in

また本発明の方法で用いるアルキルアルミニウムハイド
ライド R31AiH2で示される還元能力を有する化合物であ
る。
It is also a compound having the reducing ability shown by alkyl aluminum hydride R31AiH2 used in the method of the present invention.

ここでR1、へ、R,はどちらも炭素数1から10まで
のアルキル基.であり、例えば、エチル基、n−プロピ
ル基、イソブチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基
などである。R1と馬は同一であっても異なっていても
よい。上記一般式で示される化合物の内、好ましい例を
挙げれば、ジメチルアルミニラムノ・イドライド、ジエ
チルアルミニウムノーイドライド、ジインプロビルアル
ミニラムノ梢ドライド、ジインプチルアルミニウムノ1
イドライド、ジー2−メチルブチルアルミニウムノーイ
ドライド、エチルアルミニウムジノ・イドライドである
。これらは2種以上併用することも可能であり、後述す
るような有機溶媒で所望の濃度に希釈して用いることが
好ましい。これらのアルキルアルミニウムハイドライド
の使用割合は特に制限はないが、原料のケイ素化合物中
のケイ素に対して、概して0.001乃至100倍モル
の範囲である。
Here, R1, R, and R are both alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms. Examples thereof include ethyl group, n-propyl group, isobutyl group, n-hexyl group, and n-octyl group. R1 and horse may be the same or different. Among the compounds represented by the above general formula, preferred examples include dimethylaluminum rhamnohydride, diethylaluminum nohydride, diimprobil aluminum rhamnohydride, diimptylaluminohydride
hydride, di-2-methylbutylaluminum nohydride, and ethylaluminum dinohydride. It is also possible to use two or more of these in combination, and it is preferable to use them after diluting them to a desired concentration with an organic solvent as described below. The proportion of these alkyl aluminum hydrides to be used is not particularly limited, but is generally in the range of 0.001 to 100 times the mole of silicon in the raw material silicon compound.

次に本発明におけるケイ素化合物とアルキルアルミニウ
ムハイドライドとの接触方法について述べる。基本的に
は気相、液相、固相のいずれの方法においても行なうこ
とができ、最も実施し易い方法として、例えば以下のよ
うな方法を採用できる。
Next, a method of contacting a silicon compound and an alkyl aluminum hydride in the present invention will be described. Basically, it can be carried out in any of the gas phase, liquid phase, and solid phase methods, and as the easiest method to implement, for example, the following method can be adopted.

(1)溶媒中にケイ素化合物とアルキルアルミニウムハ
イドライドを溶解させ、液相中にて接触反応させる。
(1) A silicon compound and an alkyl aluminum hydride are dissolved in a solvent and brought into a contact reaction in a liquid phase.

(2)溶媒に溶解させたアルキルアルミニウムハイドラ
イドにガス状のケイ素化合物を流通接触させる。
(2) A gaseous silicon compound is brought into contact with an alkyl aluminum hydride dissolved in a solvent.

本発明は、もちろんこれらの方法に限定されるものでは
ない。ここで用いられる溶媒としては、ケイ素化合物に
対する溶解性にすぐれていて、かつアルキルアルミニウ
ムハイドライドと反応しないものが好ましく、例えば脂
肪族飽和炭化水素、脂環族飽和炭化水素、芳香族炭化水
素、エーテルなどがあげられる。更に具体的には、ペン
タン、ヘプタン、オクタン、ノナン、シクロヘキサン、
流動ハラフィン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジエ
チルエーテル、ジブチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン
などがあげられる。これらは2種以上混合して用いるこ
ともでき、脱水を十分に行なうことが望ましい。
Of course, the present invention is not limited to these methods. The solvent used here is preferably one that has excellent solubility in the silicon compound and does not react with the alkyl aluminum hydride, such as aliphatic saturated hydrocarbons, alicyclic saturated hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, ethers, etc. can be given. More specifically, pentane, heptane, octane, nonane, cyclohexane,
Examples include liquid halafine, benzene, toluene, xylene, diethyl ether, dibutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, and dioxane. These can be used in combination of two or more kinds, and it is desirable to perform sufficient dehydration.

反応温度については特に制限はないが、あまりに低いと
反応が遅く、またあまりに高いとアルキルアルミニウム
類が自己分解すること、副反応が起こることから、一般
には一50℃乃至ioo″Cの範囲が、好ましくはO乃
至50°Cの範囲が用いられる。また反応時間は反応様
式によって異なるが、好ましくは1分乃至48時間であ
る反応圧力      ◇は、常圧ないしは2 ky/
cnt (ゲージ圧〕で充分であるが、反応温度または
装置との関係で減圧または加圧下で行っても良い。この
反応に使用する原料および生成物質は活性であり、特に
酸素および水分と反応して分解または発火するものが殆
んどであるから、必ず反応は使用原料や生成物質に対し
不活性な雰囲気下で行なわねばならない。例えば、充分
に脱酸素、脱大したヘリウム、アルゴン等の不活性ガス
や窒素、水素雰囲気下でなければならない。この反応は
、バッチ方式、セミバッチ方式、連続式のどの方法でも
行うことができる。
There is no particular restriction on the reaction temperature, but if it is too low, the reaction will be slow, and if it is too high, the alkyl aluminum will self-decompose and side reactions will occur. Preferably, the range of 0 to 50°C is used.Also, the reaction time varies depending on the reaction mode, but is preferably 1 minute to 48 hours.Reaction pressure ◇ is normal pressure to 2 ky/
cnt (gauge pressure) is sufficient, but it may also be carried out under reduced or increased pressure depending on the reaction temperature or equipment.The raw materials and products used in this reaction are active and react particularly with oxygen and moisture. Since most of the substances decompose or ignite, the reaction must be carried out in an atmosphere that is inert to the raw materials used and the products produced. The reaction must be carried out under an active gas, nitrogen, or hydrogen atmosphere.This reaction can be carried out in any batch, semi-batch, or continuous manner.

〔発明を実施するための好ましい形態〕以下、本発明を
実施例によってより具体的に説明する。
[Preferred Mode for Carrying Out the Invention] The present invention will now be described in more detail with reference to Examples.

実施例1 容t 4 IIのセパラブルフラスコに、濃120wt
%の塩酸水溶液21.ジエチルエーテル300Iを装入
し1こ。水素ガス雰囲気中、上記混合液が還流している
条件下(反応温度35℃〕で更にケイ化マグネシウム6
09を(粒度100乃至200メンシユ、782 rr
mol −8i ) li拌しながら200分かけて、
0.3 、jil /minの一定速度で加え続けた。
Example 1 In a separable flask with a volume of t 4 II, 120 wt of concentrated
% hydrochloric acid aqueous solution 21. Charge 1 volume of diethyl ether 300I. In a hydrogen gas atmosphere, under conditions where the above mixture is refluxing (reaction temperature 35°C), magnesium silicide 6 is further added.
09 (particle size 100 to 200 mesh, 782 rr
mol -8i) li over 200 minutes while stirring,
The addition was continued at a constant rate of 0.3, jil/min.

反応終了後(ケイ化マグネシウム投入終了後〕、反応液
を0℃に冷却し、静置後、ジエチルエーテル層約0.4
4を分離した。反応器中の酸性水溶液は80℃にまで昇
温し、溶解している少量のジエチルエーテルを追出し、
上記二層分離したジエチルエーテル層と混合した。反応
中、二層分離および酸性水溶液の加熱処理の操作の間に
生成したガスは、初め一70℃に冷却したジエチルエー
テルの入ったトラップ(トラップ(■))にて、次に液
体チン素温度で冷却したトラップ(トラップ(ID )
にて捕集した。
After the reaction is completed (after the addition of magnesium silicide), the reaction solution is cooled to 0°C, left to stand, and a diethyl ether layer of approximately 0.4
4 was isolated. The acidic aqueous solution in the reactor was heated to 80°C, and a small amount of dissolved diethyl ether was expelled.
This was mixed with the diethyl ether layer separated into two layers. During the reaction, the gas generated during the two-layer separation and heating treatment of the acidic aqueous solution is first transferred to a trap (trap (■)) containing diethyl ether cooled to -70°C, and then transferred to a trap containing diethyl ether cooled to -70°C. Trap cooled by (Trap (ID)
It was collected at.

次に二層分離後のジエチルエーテル層およびトラップ(
1)中のエーテルを混合したものを、実段数約3段の蒸
留塔にて蒸留し、5i2H,,5i2)(を蒸留分離し
、SiH,(bp−112℃〕、S1□Ha(bp−1
4,5℃〕を液体チン素温度で冷却したトラップ(II
)中に追加、捕集した。トラップ(II)および蒸留後
のジエチルエーテル層に残ったSi)[、Si2H6,
5i3f(い8i、H,oの量は、ガスクロマトグラフ
により分析、定量した。
Next, the diethyl ether layer after two-layer separation and the trap (
The mixture of ethers in 1) is distilled in a distillation column with about 3 plates, and 5i2H,,5i2)( is distilled and separated to obtain SiH, (bp-112℃), S1□Ha(bp- 1
A trap (II
) was added and collected. Si) [, Si2H6,
The amount of 5i3f(i8i, H, o) was analyzed and quantified by gas chromatography.

トラップ(II)およびジエチルエーテル層中のシラン
類の量は以下に示す値であった。
The amounts of silanes in trap (II) and diethyl ether layer were as shown below.

またジエチルエーテル層中のSl量を比色分析したとこ
ろ含有量324mmolであった。また1几スペクトル
により、該ケイ素化合物中にはSi −8g結合、5i
−H結合の他にSi−〇−8i結合が相当量存在するこ
とが認められγこ。これに更にジエチルエーテルを追加
し、ジエチルエーテル溶液(1)0.5gを得た。この
溶液(I)中の81濃度は0.649rrmol Si
atm/m1sop、ま7−、、:5i3H6、Si、
H,。の濃度はそれぞれ0.030 mmo l / 
ml so8″n、0.021rrrno 17m l
 s o 1mであった。
Further, colorimetric analysis of the amount of Sl in the diethyl ether layer revealed that the content was 324 mmol. In addition, the 1-pack spectrum revealed that the silicon compound contained Si-8g bonds, 5i
In addition to -H bonds, it was recognized that a considerable amount of Si-〇-8i bonds existed. Diethyl ether was further added to this to obtain 0.5 g of diethyl ether solution (1). The concentration of 81 in this solution (I) is 0.649rrmol Si
atm/mlsop, ma7-, :5i3H6, Si,
H. The concentration of each is 0.030 mmol/
ml so8″n, 0.021rrrno 17ml
It was so 1m.

次にこのエーテル溶液(1)をモレキーラシープ−34
55,9にて脱水処理することにより、810度0、6
49 mmol Si atm/mlso1mのジエチ
ルエーテル溶液(It)を得た。この溶液中の513)
(8,514f(loの濃度はそれぞれ0.035mm
ol/ml so#m、  0.02 Drrmo l
 /ml s olm−ま1こ含水量は21)I)mで
あつ1こ。
Next, add this ether solution (1) to Molecuira Sheep-34
By dehydrating at 55.9, it becomes 810 degrees 0.6
A diethyl ether solution (It) of 49 mmol Si atm/mlso1m was obtained. 513) in this solution
(8,514f (lo concentration is 0.035mm each)
ol/ml so#m, 0.02 Drrmol
/ml solm-1 The water content is 21) I) m.

−15℃に設定した還流コンデンサーを取り付けた内容
積約50+Jの反応器に、ジエチルアルミニウムハイド
ライドのヘキサン溶液(濃! 5.9rrmo l /
ml )を20m1装入し、その後上記のケイ素化合物
を含むジエチルエーテル溶液(ID 1o +g7を加
え、室温下にて反応を行なった。反応は攪拌しながら行
ない、また雰囲気ガスは水素とし、生成したガスは液体
チッ素温度で冷却したトラップ中に捕集した。1時間後
反応を終了し、捕集した5i)(、、5i2)(6の量
をガスクロマトグラフにより分析、定量した。
A hexane solution of diethylaluminum hydride (concentrated! 5.9rr mol /
After that, a diethyl ether solution (ID 1o + g7) containing the above silicon compound was added, and the reaction was carried out at room temperature.The reaction was carried out with stirring, and the atmosphere gas was hydrogen, and the reaction was carried out at room temperature. The gas was collected in a trap cooled at liquid nitrogen temperature. After 1 hour, the reaction was terminated, and the amount of collected 5i)(, 5i2)(6) was analyzed and quantified by gas chromatography.

SiH,、S i2H,、の量は、それぞれ2− Q 
9 rrmol、0、97 rrmo ljで、これは
反応液として用いたジエチルエーテル中のケイ素の62
.1 %に和尚する。
The amount of SiH,, Si2H,, is 2-Q
9 rrmol, 0,97 rrmol lj, which is the 62% of silicon in diethyl ether used as the reaction solution.
.. 1% of priests.

またSiH,とS1□桟の生成割合はケイ素アトムベー
スで(8iH,/Si、H6= 1.08 )であった
Furthermore, the generation ratio of SiH and S1□ bars was (8iH,/Si, H6 = 1.08) based on silicon atoms.

実施例2乃至4 第1表 (発明の効果及び産業上の利用可能性9以上のごとく、
本発明は種々の方法により、例えばSin、、5i2H
,などの水素化ケイ素を製造する場合において副生ずる
一般式SixHg0zで表わされるケイ素化合物の一部
を、アルキルアルミニウムハイドライドと接触させるこ
とにJつ、きわめて容易にかつ収率良く有用なSiH,
、Si2H6等に変え得るもので、その産業上の利用可
能性はきわめて高いといわねばならない。なお、本発明
の方法を従来の8iH,,5ixp等の水素化ケイ素の
製造プロセスにおいて適用することにより、該プロセス
自体の経済性が大幅に向上することはいうまでもない。
Examples 2 to 4 Table 1 (Effects of the invention and industrial applicability 9)
The present invention can be carried out by various methods, for example, Sin, , 5i2H
By contacting a part of the silicon compound represented by the general formula SixHg0z, which is a by-product when producing silicon hydride such as
, Si2H6, etc., and it must be said that its industrial applicability is extremely high. It goes without saying that by applying the method of the present invention to a conventional manufacturing process of silicon hydride such as 8iH, 5ixp, etc., the economic efficiency of the process itself is greatly improved.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)一般式Si_xH_yO_z(ただしxは1以上
の正の整数でありどちらか一方は0ではなくまたx=1
の場合はzは0ではない)で表わされるケイ素化合物と
、アルキルアルミニウムハイドライドとを接触させるこ
とにより、一般式Si_lH_2_l_+_2(ただし
lはxより小さい正の整数)で表わされる水素化ケイ素
を製造する方法。
(1) General formula Si_xH_yO_z (where x is a positive integer of 1 or more, and either one is not 0 and x = 1
A method for producing silicon hydride represented by the general formula Si_lH_2_l_+_2 (where l is a positive integer smaller than x) by contacting a silicon compound represented by (where z is not 0) with an alkyl aluminum hydride. .
(2)ケイ素化合物(Si_xH_yO_z)が一般式
Si_xH_2_x_+_2(xは2以上の正の整数)
で表わされる特許請求の範囲第(1)項に記載の方法。
(2) Silicon compound (Si_xH_yO_z) has the general formula Si_xH_2_x_+_2 (x is a positive integer of 2 or more)
The method according to claim (1), which is represented by:
(3)水素化ケイ素(Si_lH_2_l_+_2)が
SiH_4あるいはSi_2H_6である特許請求の範
囲第(1)項に記載の方法。
(3) The method according to claim (1), wherein the silicon hydride (Si_lH_2_l_+_2) is SiH_4 or Si_2H_6.
(4)ケイ素化合物が有機溶媒に溶解している特許請求
の範囲第(1)項に記載の方法。
(4) The method according to claim (1), wherein the silicon compound is dissolved in an organic solvent.
JP17566284A 1984-08-23 1984-08-23 Production of silicon hydride Granted JPS6153109A (en)

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