JPS615058U - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents

密着型イメ−ジセンサ

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Publication number
JPS615058U
JPS615058U JP8674184U JP8674184U JPS615058U JP S615058 U JPS615058 U JP S615058U JP 8674184 U JP8674184 U JP 8674184U JP 8674184 U JP8674184 U JP 8674184U JP S615058 U JPS615058 U JP S615058U
Authority
JP
Japan
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insulating substrate
image sensor
contact image
close
photoelectric conversion
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Pending
Application number
JP8674184U
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English (en)
Inventor
正亮 小田
Original Assignee
株式会社東芝
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の密着型イメージセンサの一実施例を示
す一部切欠斜視簡略図、第２図は第１図の一部切欠断面
簡略図、第３図は本考案の密着型イメージセンザの他の
実施例を示す一部切欠斜視図、第４図は第３図の一部切
欠断面簡略図、第５図はレンズを形成する装置を示す模
式断面図、第６図は本考案の密着型イメージセンザの効
果を説明する説明簡略図である。 １・・・絶縁基板、３・・・光電変換素子、６・・・駆
動用ＩＣ，９．２１・・・レンズ。

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）絶縁基板と、この絶縁基板上に形成された光電変
    換素子とこの先電変換素子上に配設された透光性絶縁基
    板とからなる光電変換部と、この先電変換部に電気的に
    接続することにより前記光電変換素子の出力信号を処理
    しかつ前記絶縁基板上に形成された駆動回路部とを少な
    くとも具備する密着型イメージセンサにおいて、前記透
    光性絶縁基板上にはレンズが形成されてなることを特徴
    とする密着型イメージセンサ。
  2. （２）前記透光性絶縁基板上に形成された前記レンズは
    、３種の異なる分光特性を有するレンズでありかつ３種
    交互に配設されていることを特徴とする実用新案登録請
    求の範囲第１項記載の密着型イメージセンサ。
JP8674184U 1984-06-13 1984-06-13 密着型イメ−ジセンサ Pending JPS615058U (ja)

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JP8674184U JPS615058U (ja) 1984-06-13 1984-06-13 密着型イメ−ジセンサ

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8674184U JPS615058U (ja) 1984-06-13 1984-06-13 密着型イメ−ジセンサ

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Publication Number Publication Date
JPS615058U true JPS615058U (ja) 1986-01-13

Family

ID=30638329

Family Applications (1)

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JP8674184U Pending JPS615058U (ja) 1984-06-13 1984-06-13 密着型イメ−ジセンサ

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