JPS6150301A - Variator - Google Patents
VariatorInfo
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- JPS6150301A JPS6150301A JP59171979A JP17197984A JPS6150301A JP S6150301 A JPS6150301 A JP S6150301A JP 59171979 A JP59171979 A JP 59171979A JP 17197984 A JP17197984 A JP 17197984A JP S6150301 A JPS6150301 A JP S6150301A
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- varistor
- silver
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- electrode
- electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は各種電子機器に利用されるバリスタに関するも
のであり、銀電極とバリスタ素子間のエネルギー障壁を
保護し、高性能のバリスタを提供するものである。[Detailed Description of the Invention] Industrial Application Field The present invention relates to a varistor used in various electronic devices, and provides a high-performance varistor that protects the energy barrier between a silver electrode and a varistor element. be.
従来例の構成とその問題点
近年、家電機器、産業機器の電気回路の半導体化が著し
く進み、その主要構成要素である半導体電子部品のサー
ジ対策が不可欠のものとなってきている。一般に、サー
ジ電圧の抑制には電圧非直線性が高く、サージ耐量の大
きい金属酸化物バリスタが用いられている。しかし、現
在、半導体電子部品の駆動電圧は低下傾向にあり、その
ほとんどのものが10V以下である。これに伴い、低電
圧回路用でサージ抑制性能の高いバリスタが市場から求
められている。Conventional configurations and their problems In recent years, the use of semiconductors in the electric circuits of home appliances and industrial equipment has significantly progressed, and surge protection for semiconductor electronic components, which are the main components thereof, has become essential. Generally, metal oxide varistors with high voltage nonlinearity and high surge resistance are used to suppress surge voltages. However, currently, the driving voltage of semiconductor electronic components is decreasing, and most of them are below 10V. Along with this, the market is demanding varistors with high surge suppression performance for low voltage circuits.
以下、図面を参照しながら従来のバリスタの構成につい
て述べる。The configuration of a conventional varistor will be described below with reference to the drawings.
第1図は従来のバリスタの正面図、第2図は同断面図で
ある。第1図および第2図において、1は金属酸化物よ
りなるバリスタ素子で、fl支えは酸化亜鉛を主成分と
した焼結体である。2a 、2bはバリスフ素子1上に
設けられた銀電極で、蒸着。FIG. 1 is a front view of a conventional varistor, and FIG. 2 is a sectional view thereof. In FIGS. 1 and 2, 1 is a varistor element made of a metal oxide, and the fl support is a sintered body containing zinc oxide as a main component. 2a and 2b are silver electrodes provided on the variable surface element 1, which are vapor deposited.
焼付は処理等により形成されている。3a、3bは銀電
極2a 、2bよシ取出されたリード線である。4a、
4bはリード線3a、3bを銀電極2 & 、 2 b
に固定するための半田である。一般にバリスタ素子1と
リード線3a、3bの接続は、iZ+)スタ素子1上の
銀電極21L、2bを先端がクロスしたコの字形のリー
ド線ではさみ、半田槽に電極面全体をディップすること
によりなされている。The burn-in is formed by processing or the like. 3a and 3b are lead wires taken out from the silver electrodes 2a and 2b. 4a,
4b connects the lead wires 3a and 3b to silver electrodes 2&, 2b
This is solder to fix it. Generally, the connection between the varistor element 1 and the lead wires 3a, 3b is made by sandwiching the silver electrodes 21L, 2b on the iZ+) star element 1 between U-shaped lead wires with crossed tips, and dipping the entire electrode surface in a solder bath. It is done by.
ところで、一般に金属酸化物バリスタと、その表面に形
成された電極は仕事関数の差によりエネルギー障壁を持
つ。例えば酸化金属型バリスタと銀電極のエネルギー障
壁は両面で3.0〜4.0Vあり、これはバリスタ電圧
(vlmA)によらず常に一定の値を持つ。ところが、
このエネルギー障壁は銀電極1a、2bの全面を半田付
けすることにより大巾に破壊され、その結果バリスタ素
子1の諸特性の劣化を引き起こす。この影響を最も強く
受けるのが、バリスタ電圧(v1Tnム )と制限電圧
比である。バリスタ電圧は銀電極の全面を半田付けする
ことによシ、最大3〜4v程度低下する。Incidentally, a metal oxide varistor and an electrode formed on its surface generally have an energy barrier due to a difference in work function. For example, the energy barrier between a metal oxide type varistor and a silver electrode is 3.0 to 4.0 V on both sides, and this value always remains constant regardless of the varistor voltage (vlmA). However,
This energy barrier is largely destroyed by soldering the entire surfaces of the silver electrodes 1a and 2b, resulting in deterioration of various characteristics of the varistor element 1. The variables most strongly affected by this are the varistor voltage (v1Tnm) and the limiting voltage ratio. By soldering the entire surface of the silver electrode, the varistor voltage is reduced by about 3 to 4 V at maximum.
この現象はバリスタ電圧が高い場合には大きな間IM′
!″″:e6″′ln;/+Z・(KtlEz’ !J
2 z%[′< !I 、t、 p電圧が30V以下
の場合、バリスタ電圧のバラツキを増加させ、歩留り低
下の主原因となっている。This phenomenon occurs when the varistor voltage is high.
! ″″:e6″′ln;/+Z・(KtlEz' !J
2 z% [′< ! When the I, t, and p voltages are 30 V or less, variations in varistor voltage increase, which is the main cause of yield reduction.
さらに、バリスタの最も重要な特性の一つである制限電
圧比も同様に大きく劣化する。制限電圧比とは、制限電
圧をバリスタ電圧(v1□人 )で除した値で、今バリ
スタにへムの電流を流した時、バリスタ素子1に発生し
た電圧(制限電圧)をV&人とすると、
vaA/v11nA 但し& A ) +mAで示
される。ここで、バリスタ素子1と銀電極21L、2b
間のエネルギー障壁破壊による制限電比
圧劣化の理由を説明する。今、バリスタ電圧をvl、制
限電圧をvl、銀電極2a、2bとバリスタ素子1のエ
ネルギー障壁をV、。(電流によシ変化しないものとす
る)とすると、従来のバリスタの制限電圧比は
V、/V、 ・・・・・ (
1)で示される。エネルギー障壁が存在する場合で、0
)式と同一のバリスタ電圧を持つ素子の制限電圧で示さ
れる。(2)式を(1)式で割って整理するととなる。Furthermore, the limiting voltage ratio, which is one of the most important characteristics of a varistor, also deteriorates significantly. The limiting voltage ratio is the value obtained by dividing the limiting voltage by the varistor voltage (v1□person), and when current is passed through the varistor, the voltage (limiting voltage) generated in varistor element 1 is V & , vaA/v11nA However, &A) +mA. Here, the varistor element 1 and the silver electrodes 21L, 2b
The reason for the deterioration of the limiting voltage specific voltage due to the energy barrier breakdown between the two will be explained. Now, the varistor voltage is vl, the limiting voltage is vl, and the energy barrier between the silver electrodes 2a, 2b and the varistor element 1 is V. (Assuming that it does not change depending on the current), the limiting voltage ratio of the conventional varistor is V, /V, ...... (
1). 0 in the presence of an energy barrier
) is expressed as the limiting voltage of an element with the same varistor voltage. Dividing equation (2) by equation (1) gives us the following.
定義より V、 > v+であるので0)式は1よシ小
さい値をとる。0)式より、銀電極21L、2bとバリ
スタ素子1間のエネルギー障壁が大きい程、制限電圧比
は良好であることがわかる。従来のバリスタでは、銀電
極全体を半田ディツプするたべ銀電極2a、2bとバリ
スタ素子1間のエネルギー障壁が低下し、制限電圧比が
悪化するのである。By definition, V, > v+, so the formula 0) takes a value smaller than 1. From equation 0), it can be seen that the larger the energy barrier between the silver electrodes 21L, 2b and the varistor element 1, the better the limiting voltage ratio. In the conventional varistor, the energy barrier between the silver electrodes 2a, 2b and the varistor element 1 is lowered because the entire silver electrode is soldered, and the limiting voltage ratio is deteriorated.
発明の目的
本発明は上記欠点に鑑みてなされたものであり、バリス
タ素子上の銀電極の全体に、銀以外の金属で上面電極を
形成し、この上面電極にリード線を半田ディツプを行う
ことによシ接続し、制限電圧比が良好なものを歩留り良
く製造できるバリスタを提供することを目的とするもの
である。Purpose of the Invention The present invention has been made in view of the above drawbacks, and involves forming an upper surface electrode of a metal other than silver over the entire silver electrode on a varistor element, and soldering a lead wire to this upper surface electrode. It is an object of the present invention to provide a varistor which can be manufactured with good yield and has a good limiting voltage ratio.
発明の構成
上記目的を達成するために本発明のバリスタは、金属酸
化物よりなるバリスタ素子の両面に形成された銀電極の
上面全体に銀を除く少なくとも一種以上の金属で上面電
極を設け、前記上面電極に半田によシリード線を接続し
た構成とし、この構成とすることにより銀電極とバリス
タ素子間のエネルギー障壁を保護し、高性能なバリスタ
を得ることができることになる。Structure of the Invention In order to achieve the above object, the varistor of the present invention provides an upper surface electrode made of at least one kind of metal other than silver on the entire upper surface of the silver electrode formed on both sides of a varistor element made of a metal oxide. A series lead wire is connected to the top electrode by solder, and this structure protects the energy barrier between the silver electrode and the varistor element, making it possible to obtain a high-performance varistor.
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。DESCRIPTION OF EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第3図は本発明の一実施例におけるバリスタの断面図で
ある。第3図において5はバリスタ素子、61 、eb
は銀電極でいずれも従来例と同様のものである。7a
、7bは銀電極6a、eb上の全面に設けられた上面電
極で一種類以上の銀以外の金属、例えばkl 、 Cu
、 Ni 、 Pd 、ムU等で形成され、蒸着又は
スパックリングにより設けられている。a&、8bはリ
ード線で、9a、9bの半田により上面電極7& 、7
bに固定されている。FIG. 3 is a sectional view of a varistor in one embodiment of the present invention. In FIG. 3, 5 is a varistor element, 61, eb
are silver electrodes and are the same as in the conventional example. 7a
, 7b are upper electrodes provided on the entire surface of the silver electrodes 6a and eb, and are made of one or more metals other than silver, such as kl, Cu.
, Ni, Pd, Mu, etc., and is provided by vapor deposition or spackling. a&, 8b are lead wires, and upper surface electrodes 7&, 7 are connected by soldering 9a, 9b.
It is fixed at b.
上記のような本発明のバリスタを製造する場合は、上面
電極7a、7bを形成後、従来例と同様り−ド線8N、
8bで素子をはさみ、半田槽にディップすることとなる
。ここで上面電極7a、7bは銀電極6a、6bをほぼ
完全に被覆することが必要で、ポーラスな電極では半田
ディツプの際、半田9& 、9bが銀電極6m 、6b
に浸透し特性の劣化を引き起こす。従って、メタリコン
のような電極形成法は不適当である。When manufacturing the varistor of the present invention as described above, after forming the upper surface electrodes 7a and 7b, similar to the conventional example, the lead wires 8N,
The element is sandwiched between 8b and dipped into a solder bath. Here, it is necessary that the upper surface electrodes 7a, 7b almost completely cover the silver electrodes 6a, 6b, and in the case of porous electrodes, when soldering, the solder 9&, 9b will cover the silver electrodes 6m, 6b.
penetrates into the environment and causes deterioration of properties. Therefore, electrode formation methods such as metallicon are inappropriate.
本発明の効果を実験結果とともに示す。使用したバリス
タ素子5は、バリスタ電圧(V+。A)が22v1素子
径20φの同一ロノドの試料である。The effects of the present invention will be shown together with experimental results. The varistor element 5 used is a sample of the same type having a varistor voltage (V+.A) of 22v1 and an element diameter of 20φ.
半田槽の温度は230°C1ディップ時間は約2秒であ
る。値はn=10個の平均値である。vjmAの劣化電
圧値、および制限電圧比(V、。A/v1.1llA)
は下表の通りである。The temperature of the solder bath was 230° C. and the dipping time was about 2 seconds. The value is the average value of n=10. Deterioration voltage value of vjmA and limiting voltage ratio (V, .A/v1.1llA)
is as shown in the table below.
(以下余白)
この表かられかるように、従来例に較べ、本発明による
バリスタはバリスタ電圧および制限電圧比の劣化がほと
んどない。従って、従来例のような半田ディノプ工程に
よるノ<リスク電圧の劣化のバラツキを除去することが
できるのである。(The following is a blank space) As can be seen from this table, compared to the conventional example, the varistor according to the present invention shows almost no deterioration in the varistor voltage and the limiting voltage ratio. Therefore, it is possible to eliminate variations in voltage deterioration caused by the soldering process as in the conventional example.
発明の効果
以上のように、本発明におけるノ〈リスクによれば、銀
電極とバリスタ素子間で形成されるエネルギー障壁の半
田ディツプによる破壊を防止することが可能なため、バ
リスタ電圧の低下を押え、制限電圧比の劣化を防ぎ、歩
留り良く所定の/〈リスクを得ることができ、その利用
価値は非常に高いものである。Effects of the Invention As described above, the risk of the present invention is that it is possible to prevent the energy barrier formed between the silver electrode and the varistor element from being destroyed by solder dip, thereby suppressing the drop in varistor voltage. , it is possible to prevent deterioration of the limiting voltage ratio and obtain a predetermined /〈risk with good yield, and its utility value is very high.
第1図は従来におけるパリス夛の正面図、第2図は同断
面図、第3図は本発明の一実施例におけるバリスタの断
面図である。
5・・・・バリスタ素子、sa、eb・・・・・・銀電
極、7!L 、7b・・・・・上面電極、82L、8b
・・・・・リード線、9a 、 gb 印・半田。
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図FIG. 1 is a front view of a conventional varistor, FIG. 2 is a sectional view thereof, and FIG. 3 is a sectional view of a varistor according to an embodiment of the present invention. 5... Varistor element, sa, eb... Silver electrode, 7! L, 7b...Top electrode, 82L, 8b
...Lead wire, 9a, gb mark, solder. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and 1 other person No. 1
figure
Claims (2)
れた銀電極の上面全体に銀を除く少なくとも一種以上の
金属で上面電極を設け、前記上面電極に半田によりリー
ド線を接続してなるバリスタ。(1) A varistor formed by providing a top electrode made of at least one metal other than silver on the entire top surface of a silver electrode formed on both sides of a varistor element made of a metal oxide, and connecting a lead wire to the top electrode by solder. .
成されたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
バリスタ。(2) The varistor according to claim 1, wherein the upper surface electrode is formed by either vapor deposition or sputtering.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59171979A JPS6150301A (en) | 1984-08-18 | 1984-08-18 | Variator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59171979A JPS6150301A (en) | 1984-08-18 | 1984-08-18 | Variator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6150301A true JPS6150301A (en) | 1986-03-12 |
Family
ID=15933284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59171979A Pending JPS6150301A (en) | 1984-08-18 | 1984-08-18 | Variator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6150301A (en) |
-
1984
- 1984-08-18 JP JP59171979A patent/JPS6150301A/en active Pending
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