JPS6146084A - Optical amplifier - Google Patents

Optical amplifier

Info

Publication number
JPS6146084A
JPS6146084A JP59166607A JP16660784A JPS6146084A JP S6146084 A JPS6146084 A JP S6146084A JP 59166607 A JP59166607 A JP 59166607A JP 16660784 A JP16660784 A JP 16660784A JP S6146084 A JPS6146084 A JP S6146084A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
beams
loop
light
input
loops
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59166607A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0554716B2 (en
Inventor
Koji Kikushima
浩二 菊島
Koichi Sano
浩一 佐野
Kenji Okada
賢治 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP59166607A priority Critical patent/JPS6146084A/en
Publication of JPS6146084A publication Critical patent/JPS6146084A/en
Publication of JPH0554716B2 publication Critical patent/JPH0554716B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/50Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To vary the wavelengths of beams, which can be amplified, and to select them arbitrarily by forming a loop, through which the first output side is fed back to the first input side, and a loop through which the second output side is fed back to the second input side, and independently changing the optical length of the loops. CONSTITUTION:Input beams 17 are projected to a waveguide layer 23 through an antireflection film 22, and function as one of three inputs to a star coupler 24. Beams reaching the waveguide layer 23 are divided into three beams 25, 26, 27 by the action of the star coupler 24. Divided one beams 25 are projected to an active layer 28, and are inputted to the star coupler 24 and constitute a first loop 29, and the other beams 26 are projected to an active layer 30, and are inputted to the star coupler again and constitute a second loop 31. Beams 27 are projected as output beams 19 through an antireflection film 36. The optical length of the two loops 29, 31 is changed independently by altering the set values of currents injected to the two active layers 28, 30, thus selecting beams having a desired wavelength from input beams, wavelengths thereof are multiplied, and amplifying them while interrupting the projection of beams toward a light source for input beams.

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野1 本発明は、所望の波長の光を選択して増幅するようにし
た光増幅器に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field 1] The present invention relates to an optical amplifier that selects and amplifies light of a desired wavelength.

[従来技術1 第1図は、従来から知られている光増幅器の概略構成を
示す、この光増幅器は、ファブリペロ−共振器の内部の
媒質を半導体で構成した活性媒質により満たしたもので
ある。すなわち、光増幅器11は図示するように、2枚
の半透鏡(ハーフミラ−) 12.13を所定距離だけ
離して平行に向かい合わせ、その間を発光する活性媒質
14で満たした素子である。
[Prior Art 1] FIG. 1 shows a schematic configuration of a conventionally known optical amplifier. In this optical amplifier, the medium inside a Fabry-Perot resonator is filled with an active medium composed of a semiconductor. That is, as shown in the figure, the optical amplifier 11 is an element in which two semi-transparent mirrors 12 and 13 face each other in parallel with a predetermined distance apart, and the space between them is filled with an active medium 14 that emits light.

半導体で構成されている活性媒質14に対し、バイアス
回路(直流電源)15から安定化コイル1Bを・介して
直流電流を注入する。その電流値は、光増幅器11のレ
ーザ発振しきい値以下になるように制御されている。
A DC current is injected from a bias circuit (DC power supply) 15 into an active medium 14 made of a semiconductor via a stabilizing coil 1B. The current value is controlled to be below the laser oscillation threshold of the optical amplifier 11.

なお、光増幅器11への注入電流が発振しきい値に比べ
て十分大であるときには、活性媒質14内でレーザ発振
が得られる。
Note that when the current injected into the optical amplifier 11 is sufficiently larger than the oscillation threshold, laser oscillation is obtained within the active medium 14.

そして、外部から半透鏡12を通じて活性媒質14に入
力光17を入射すると、入力光の一部は反射光18とし
て活性媒質14の中に入ることなく反射される。他方、
活性媒質14に入射した光は増幅され、その光の一部は
出力光18として半透鏡13を通して出射される。
When input light 17 enters the active medium 14 from the outside through the semi-transparent mirror 12, a part of the input light is reflected as reflected light 18 without entering the active medium 14. On the other hand,
The light incident on the active medium 14 is amplified, and a portion of the light is emitted as output light 18 through the semi-transparent mirror 13.

ところが、活性媒質14内に入射して増幅された光の一
部は、逆に半透鏡12を通して出力光20として出射さ
れてしまう。
However, a part of the light that has entered the active medium 14 and has been amplified ends up being emitted as output light 20 through the semi-transparent mirror 12 .

このように従来から知られている光増幅器においては、
入力光17を発光する光源21に向かって、反射光18
と出力光20とが併せて進行してしまう。
In this conventionally known optical amplifier,
The reflected light 18 is directed toward the light source 21 that emits the input light 17.
and the output light 20 will travel together.

その結果として、光源21はこれら光線18.20の影
響を受けて安定に発光できなくなるという欠点があった
As a result, the light source 21 is affected by these light rays 18 and 20 and cannot stably emit light.

しかも、従来の光増幅器では、増幅することができる光
の波長を任意に選択することができないという欠点があ
った。
Furthermore, conventional optical amplifiers have the disadvantage that the wavelength of light that can be amplified cannot be arbitrarily selected.

〔目的1 本発明の目的は、上述の点に鑑み、増幅すべき入力光を
射出する光源に向かって進む光を出力することなく、且
つ、増幅し得る光の波長を可変として任意に選択できる
ようにした光増幅器を提供することにある。
[Objective 1] In view of the above-mentioned points, the object of the present invention is to make it possible to arbitrarily select the wavelength of light that can be amplified without outputting light that travels toward a light source that emits input light to be amplified. An object of the present invention is to provide an optical amplifier according to the present invention.

[発明の構成] かかる目的を達成するために、本発明では、3入力3出
力の光スターカプラを用いて、第1の出力側を第1の入
力側に帰還させてなる第1のループと、第2の出力側を
第2の入力側に帰還させてなる第2のループとを形成し
、 これらループの光路長をそれぞれ独立して変化させる制
御手段を前記ループの所定部位に装着したことを特徴と
するものである。
[Structure of the Invention] In order to achieve the above object, the present invention uses a 3-input and 3-output optical star coupler to form a first loop in which the first output side is fed back to the first input side. , and a second loop formed by feeding back the second output side to the second input side, and a control means for independently changing the optical path length of each of these loops is installed at a predetermined part of the loop. It is characterized by:

ここで、前記ループの各々には、活性媒質を挿入して所
望の光増幅率を得るのが好適である。
Here, it is preferable to insert an active medium into each of the loops to obtain a desired optical amplification factor.

また、電極を介して前記制御手段を前記活性媒質に接続
し、電流を注入するように構成するのが好適である。
Furthermore, it is preferable that the control means is connected to the active medium via an electrode and configured to inject a current.

更に、Ti、極を介して前記制御手段を前記活性媒質以
外のループ上に接続し、2つのループの光路長を独立に
変化させるようにすることも可能である。
Furthermore, it is also possible to connect the control means to a loop other than the active medium via a Ti pole so that the optical path lengths of the two loops can be changed independently.

前記活性媒質は半導体で構成し、それぞれ独立に電流を
注入するように構成することができる。
The active medium may be made of a semiconductor, and may be configured to independently inject current.

[実施例] 以下、実施例に基づいて、本発明の詳細な説明する。[Example] Hereinafter, the present invention will be described in detail based on Examples.

第2図は本発明の一実施例を示す平面構成図、第3図は
同実施例の立体構成を示す概略斜視図、第4図は同実施
例の電極41〜43を含む断面構成図である。ここで、
第1図示の従来例と対応する部分には、同一の番号を付
しである。
FIG. 2 is a plan configuration diagram showing one embodiment of the present invention, FIG. 3 is a schematic perspective view showing the three-dimensional configuration of the same embodiment, and FIG. 4 is a cross-sectional configuration diagram including electrodes 41 to 43 of the same embodiment. be. here,
Portions corresponding to those of the conventional example shown in FIG. 1 are given the same numbers.

以下、第2ないし第4図を参照して、本実施例の構成・
作用を説明していく。
Hereinafter, with reference to FIGS. 2 to 4, the configuration and structure of this embodiment will be explained.
I will explain the action.

第2図に示すように、入力光17は反射防止膜22を介
して導波路層23に入ってゆく。この導波路層23は、
3入力3出力のスターカプラ24に含まれる3つの入力
のうちのひとつとなる。
As shown in FIG. 2, input light 17 enters waveguide layer 23 via antireflection film 22. As shown in FIG. This waveguide layer 23 is
This is one of the three inputs included in the 3-input, 3-output star coupler 24.

導波路層23に到達した光は、スターカプラ24の作用
によって3つの光25.28.27に分割される。そし
て、分割された一方の光25は活性層2Bに入り、再び
スターカプラ24に入力され、第1のループ29を構成
する、 他方の光26は活性層30に入り、再びスターカプラに
入力され、第2のループ31を構成する。
The light reaching the waveguide layer 23 is split into three lights 25, 28, and 27 by the action of the star coupler 24. Then, one of the divided lights 25 enters the active layer 2B and is again input to the star coupler 24, forming the first loop 29. The other light 26 enters the active layer 30 and is input to the star coupler again. , forming the second loop 31.

上述した活性層2Bの入射側(入射面)32.出射側(
出射面)33および活性層30の入射側(入射面)34
.出射側(出射面)35はすべて光の進行方向に対して
斜めに設定してあり(0ζ80°)、活性層2Bの中だ
けで、あるいは、活性層30の中だけで光がループを形
成して発振することのないようにしである。なおθ=4
0’にした場合には1反射率が1O−4程度になるもの
と推定される。
The incident side (incident surface) of the active layer 2B described above 32. Output side (
output surface) 33 and the input side (incident surface) 34 of the active layer 30
.. All of the emission sides (output surfaces) 35 are set obliquely (0ζ80°) with respect to the traveling direction of the light, so that the light does not form a loop only within the active layer 2B or only within the active layer 30. This is to prevent oscillation. Note that θ=4
When it is set to 0', it is estimated that 1 reflectance becomes about 1O-4.

そして、光27は反射防止膜36を介して出力光19と
して出射される。
The light 27 is then emitted as output light 19 via the antireflection film 36.

また、第3図および第4図に示すように、光増幅器11
は半導体多層構造をなしている。すなわち、n形InP
基板37の上には導波路層23およびスターカプラ24
をGa、、311 n64A!;0.ggPo、32.
により形成すると共に、活性層28および活性層30を
Gaa、+s”a、57Aso、qspo、o5により
形成する。そして、埋め込み層38をP形InPで形成
する。更に、埋め込み層38の上部の層39をn形In
Pで形成する。そして、活性層28.30の上部、導波
路層23の上部、スターカプラ24の上部にはP形In
Pを用いて層40を形成する。
Further, as shown in FIGS. 3 and 4, the optical amplifier 11
has a semiconductor multilayer structure. That is, n-type InP
On the substrate 37 are a waveguide layer 23 and a star coupler 24.
Ga,,311 n64A! ;0. ggPo, 32.
In addition, the active layer 28 and the active layer 30 are formed of Gaa, +s"a, 57Aso, qspo, o5.Then, the buried layer 38 is formed of P-type InP. Furthermore, the layer above the buried layer 38 is formed of 39 to n-type In
Formed by P. The upper part of the active layer 28, 30, the upper part of the waveguide layer 23, and the upper part of the star coupler 24 are made of
A layer 40 is formed using P.

電極41,42.43には金を用いるのが好適である。Gold is preferably used for the electrodes 41, 42, 43.

活性層2日と活性層30にはそれぞれ安定化コイル48
.47を介して直流電源44.45を接続し、これによ
り直流電流を独立に注入できるようにしである。
Stabilizing coils 48 are provided in the active layer 2 and the active layer 30, respectively.
.. A DC power supply 44, 45 is connected via 47, thereby allowing independent injection of DC current.

いま、活性層28に注入する電流がI1であったときに
、第1ループ28の許すモードを第5図(A)の実線で
示す、また、活性層30に注入する電流がI2であった
ときに、第2ループ31の許すモードを第5図(B)の
実線で示すものとする。但し、これら電流工、およびI
2は、両方とも同時に注入した場合にも入力光17なし
に光増幅器11は発振せず、出力光19を出射しないよ
うな電波値としである。
Now, when the current injected into the active layer 28 is I1, the mode allowed by the first loop 28 is shown by the solid line in FIG. 5(A), and the current injected into the active layer 30 is I2. In some cases, the modes allowed by the second loop 31 are shown by the solid line in FIG. 5(B). However, these electricians and I
2 is a radio wave value such that the optical amplifier 11 does not oscillate without the input light 17 and does not emit the output light 19 even when both are injected at the same time.

このとき、光増幅器11の許すモードは、第5図(A)
に示すモードと第5図(B)に示すモードとが一致した
モード、すなわち第5図(C)に実線で示すモードであ
る。
At this time, the modes allowed by the optical amplifier 11 are shown in FIG. 5(A).
This is a mode in which the mode shown in FIG. 5 and the mode shown in FIG. 5(B) match, that is, the mode shown by the solid line in FIG. 5(C).

しかし、活性層28および活性層3Gの利得分布は第5
図(D)に示すように波長依存性を呈しているので、結
局は、第5図(E)に実線で示す1つのモードだけが許
される。
However, the gain distribution of the active layer 28 and the active layer 3G is
Since it exhibits wavelength dependence as shown in FIG. 5(D), in the end only one mode shown by the solid line in FIG. 5(E) is allowed.

このように電流IlおよびI2を注入することにより、
第5図(E)の実線で示す波長入0だけを増幅すること
ができる。
By injecting currents Il and I2 in this way,
Only the wavelength input 0 shown by the solid line in FIG. 5(E) can be amplified.

次に、活性層2Bに注入する電流を工ζに変化させると
、活性層28の屈折率も併せて変化するので、第1ルー
プ29の許すモードは第5図(A)に点線で示すように
波長がずれる。同様に、活性層30に注入する電流をI
Jに変化させると、活性層30の屈折率も併せて変化す
るので、第2ループ31の許すモードは第5図(B)に
点線で示すように波長がずれる。但し、これら電流11
およびI2は、両方とも同時に注入したとしても、入力
光17なしでは出力光18を出射しないような電流値と
しである。
Next, when the current injected into the active layer 2B is changed to ζ, the refractive index of the active layer 28 also changes, so the mode allowed by the first loop 29 is as shown by the dotted line in FIG. 5(A). The wavelength shifts. Similarly, the current injected into the active layer 30 is
J, the refractive index of the active layer 30 also changes, so the wavelength of the mode allowed by the second loop 31 shifts as shown by the dotted line in FIG. 5(B). However, these currents 11
and I2 are set to current values such that, even if both are injected at the same time, no output light 18 is emitted without input light 17.

このとき、光増幅器11の許すモードは、第5図(A)
に点線で示すモードと第5図(B)に点線で示  ゛す
モードとが一致したモード、すなわち第5図(C)に点
線で示すモードとなる。
At this time, the modes allowed by the optical amplifier 11 are shown in FIG. 5(A).
The mode shown by the dotted line in FIG. 5(B) coincides with the mode shown by the dotted line in FIG. 5(C), that is, the mode shown by the dotted line in FIG. 5(C).

しかし、活性層28および活性層30の利得分布は第5
図(A)に示すように波長依存性を呈しているので、結
局は、第5図(E)−に点線で示す1つのモードだけが
許されることになる。
However, the gain distribution of the active layer 28 and the active layer 30 is
Since it exhibits wavelength dependence as shown in FIG. 5(A), in the end only one mode shown by the dotted line in FIG. 5(E) is allowed.

このように電流11およびI2を注入することにより、
第5図(E)の点線で示す波長λ0だけを増幅すること
ができるようになる。
By injecting currents 11 and I2 in this way,
It becomes possible to amplify only the wavelength λ0 shown by the dotted line in FIG. 5(E).

従って、入◇およびλ0の2種の波長により波長多重さ
れた光を光増幅器11に入力光17として注入した場合
、注入電流をIJと12に設定すれば  □出力光19
としてλ0の波長の光だけが増幅されて出力され、他方
、注入電流をビと 弓に設定すれば入@の波長の光だけ
が増幅されて出力されることになる。
Therefore, when light wavelength-multiplexed by two wavelengths, input ◇ and λ0, is injected into the optical amplifier 11 as input light 17, if the injection current is set to IJ and 12, □output light 19
As a result, only the light with the wavelength of λ0 is amplified and output.On the other hand, if the injected current is set to B and B, only the light with the wavelength of input @ is amplified and output.

しかも、入力光17を射出する光源21に向かって進行
する光は存在しない。
Moreover, there is no light traveling toward the light source 21 that emits the input light 17.

また、2つの活性層28および30への注入電流は一定
値として発振しきい値以下に保持しておき、活性層28
および30の上部ではなく2つのループ29.31の所
定上部に電極を独立して設け、独立に電流が注入できる
よう構成した場合にも、2つのループ2f3,31の光
路長を独立に変えることができるので、上記実施例と同
様の作用Φ効果が得られる。
In addition, the current injected into the two active layers 28 and 30 is maintained at a constant value below the oscillation threshold.
Also, in the case where an electrode is provided independently at a predetermined upper part of the two loops 29 and 31 instead of the upper part of the loop 30, and the current is independently injected, the optical path lengths of the two loops 2f3 and 31 can be changed independently. Therefore, the same action Φ effect as in the above embodiment can be obtained.

最後に、ループの光路長を変化させた場合の作用・効果
についてまとめると次の通りである・入射される光17
は2つのループ29.31を回って出力光18として出
射されるが、このループ28.31はそれぞれが共振器
となっており、各ループの光路長(=ループ長X屈折率
)が入射光の波長の整数倍になったときに、より強い出
力光が出射される。この強く出射するピーク波長は第5
図(A)および(B)に示した通りである。すなわち、
第5図(A)は第1ループ29で許される波長を、第5
図(B)は第2ループ31で許される波長を示す。
Finally, the actions and effects when changing the optical path length of the loop are summarized as follows: Incoming light 17
goes around two loops 29.31 and is emitted as output light 18, but each of these loops 28.31 is a resonator, and the optical path length of each loop (= loop length x refractive index) is equal to the incident light. When the wavelength becomes an integer multiple of the wavelength, stronger output light is emitted. This strongly emitted peak wavelength is the fifth wavelength.
As shown in Figures (A) and (B). That is,
FIG. 5(A) shows the wavelengths allowed in the first loop 29 in the fifth loop.
Figure (B) shows the wavelengths allowed in the second loop 31.

そして、入射光17は2つのループ29.31を回るこ
とになるので、2つのループ29.31で共通して許さ
れる波長のみが許されることになり、結局は、活性層2
8.30の波長依存性によって、波長入◇あるいは入0
といった波長の光が出力されることになる。
Since the incident light 17 goes around the two loops 29.31, only the wavelengths that are commonly allowed in the two loops 29.31 are allowed, and in the end, the active layer 2
8. Depending on the wavelength dependence of 30, the wavelength input ◇ or input 0
Light with such wavelengths will be output.

このように、2つのループ29.31の光路長を変化さ
せることにより、許される光の波長が変化する。このと
き、活性媒質(活性528.30)への注入電流を変化
させた場合のみならず、2つのループ29.31上のそ
の他の一部領域に電流を注入してその電流値を変化させ
た場合にも、この光路長を変化させることができる。
In this way, by changing the optical path lengths of the two loops 29 and 31, the wavelength of light allowed changes. At this time, the current value was changed not only by changing the current injected into the active medium (active 528.30) but also by injecting current into some other regions on the two loops 29.31. In this case, this optical path length can also be varied.

E効果】 以上説明したとおり、本発明によれば、波長多重された
入力光の中から所望の波長の光を選択して増幅すると共
に、入力光の光源に向って光を射出しないようにした光
増幅器を得ることができる
Effect E] As explained above, according to the present invention, light of a desired wavelength is selected and amplified from wavelength-multiplexed input light, and the light is not emitted toward the light source of the input light. can get optical amplifier

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来から知られている光増幅器の構成図、 第2図ないし第4図は本発明の一実施例を示す構成図、 第5図は本実施例の動作原理層を示す線図である。 11・・・光増幅器、 12.13・・・半透鏡、 14.28.30・・・活性媒質(活性層)、15.4
4.45・・・直流電源、 18.48.47・・・安定化コイル、17・・・入力
光、 18・・・反射光、 19.20・・・出力光、 21・・・光源、 22.36・・・反射防止膜、 23・・・導波路層、 24・・・スターカプラ、 25.28.27・・・光、 2!1,31・・・ループ、 32.34・・・活性層への入射側(入射面)、33.
35・・・活性層からの出射側(出射面)、37・・・
n形1nP基板、 3日・・・埋め込み層、 38・・・埋め込み層の上部の層、 40・・・活性層、導波路層およびスターカプラの上部
の層、 41.42.43・・・電極。
Fig. 1 is a block diagram of a conventionally known optical amplifier; Figs. 2 to 4 are block diagrams showing an embodiment of the present invention; and Fig. 5 is a diagram showing the operating principle layers of this embodiment. It is. 11... Optical amplifier, 12.13... Semi-transparent mirror, 14.28.30... Active medium (active layer), 15.4
4.45... DC power supply, 18.48.47... Stabilizing coil, 17... Input light, 18... Reflected light, 19.20... Output light, 21... Light source, 22.36...Anti-reflection film, 23...Waveguide layer, 24...Star coupler, 25.28.27...Light, 2!1,31...Loop, 32.34... -Incidence side (incidence surface) to the active layer, 33.
35... Output side (output surface) from the active layer, 37...
n-type 1nP substrate, 3rd...buried layer, 38...layer above the buried layer, 40...layer above the active layer, waveguide layer and star coupler, 41.42.43... electrode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)3入力3出力の光スターカプラを用いて、第1の出
力側を第1の入力側に帰還させてなる第1のループと、
第2の出力側を第2の入力側に帰還させてなる第2のル
ープとを形成し、 これらループの光路長をそれぞれ独立して変化させる制
御手段を前記ループの所定部位に装着したことを特徴と
する光増幅器。 2)前記ループの各々には、活性媒質を挿入したことを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光増幅器。 3)電極を介して前記制御手段を前記活性媒質に接続し
、電流を注入するようにしたことを特徴とする特許請求
の範囲第2項記載の光増幅器。 4)電極を介して前記制御手段を前記活性媒質以外のル
ープ上に接続し、2つのループの光路長を独立に変化さ
せるようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第2項
記載の光増幅器。 5)前記活性媒質を半導体で構成し、それぞれ独立に電
流を注入するようにしたことを特徴とする特許請求の範
囲第2項記載の光増幅器。
[Claims] 1) A first loop formed by using a 3-input 3-output optical star coupler and feeding back the first output side to the first input side;
A second loop is formed by feeding back a second output side to a second input side, and control means for independently changing the optical path lengths of these loops is attached to a predetermined portion of the loop. Characteristic optical amplifier. 2) The optical amplifier according to claim 1, wherein an active medium is inserted into each of the loops. 3) The optical amplifier according to claim 2, wherein the control means is connected to the active medium via an electrode to inject a current. 4) The light according to claim 2, wherein the control means is connected to a loop other than the active medium through an electrode, and the optical path lengths of the two loops are changed independently. amplifier. 5) The optical amplifier according to claim 2, wherein the active medium is made of a semiconductor, and current is injected into each active medium independently.
JP59166607A 1984-08-10 1984-08-10 Optical amplifier Granted JPS6146084A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59166607A JPS6146084A (en) 1984-08-10 1984-08-10 Optical amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59166607A JPS6146084A (en) 1984-08-10 1984-08-10 Optical amplifier

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6146084A true JPS6146084A (en) 1986-03-06
JPH0554716B2 JPH0554716B2 (en) 1993-08-13

Family

ID=15834434

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59166607A Granted JPS6146084A (en) 1984-08-10 1984-08-10 Optical amplifier

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6146084A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01154899A (en) * 1987-12-09 1989-06-16 Origin Electric Co Ltd Arc welding method
JPH02135323A (en) * 1988-11-16 1990-05-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical ring resonator
EP1306947A1 (en) * 2001-10-12 2003-05-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Planar lightwave circuit type optical amplifier
KR100626270B1 (en) 2005-02-24 2006-09-22 영 철 정 Widely Tunable Coupled-Ring Reflector Laser Diode
US7515626B2 (en) 2003-05-29 2009-04-07 Novera Optics, Inc. Light source capable of lasing that is wavelength locked by an injected light signal

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4301763B2 (en) 2001-10-31 2009-07-22 藤倉化成株式会社 Silver compound paste

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01154899A (en) * 1987-12-09 1989-06-16 Origin Electric Co Ltd Arc welding method
JPH02135323A (en) * 1988-11-16 1990-05-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical ring resonator
EP1306947A1 (en) * 2001-10-12 2003-05-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Planar lightwave circuit type optical amplifier
KR100416999B1 (en) * 2001-10-12 2004-02-05 삼성전자주식회사 Planar waveguide circuit type optical amplifier
US7515626B2 (en) 2003-05-29 2009-04-07 Novera Optics, Inc. Light source capable of lasing that is wavelength locked by an injected light signal
KR100626270B1 (en) 2005-02-24 2006-09-22 영 철 정 Widely Tunable Coupled-Ring Reflector Laser Diode

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0554716B2 (en) 1993-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5715268A (en) Laser amplifiers with suppressed self oscillation
US7127145B2 (en) Semiconductor optical amplifier, and optical module using the same
JPH05218594A (en) Monolithic integrated master oscillation power amolifier
JPH07503581A (en) Tapered semiconductor laser gain structure with cavity spoil groove
JPH01114093A (en) Semiconductor laser
JPH041614A (en) Optical amplifying device
JP7408924B2 (en) Semiconductor optical amplifiers, optical output devices, and distance measurement devices
JP2708467B2 (en) Tunable semiconductor laser
JPS6146084A (en) Optical amplifier
JP4321970B2 (en) Semiconductor optical amplifier, light source device for ASE radiation, optical gate array, wavelength tunable laser device, multi-wavelength laser device, and optical transmission system
JP4485745B2 (en) Optical functional device and optical functional device
Mehuys et al. Characteristics of multistage monolithically integrated master oscillator power amplifiers
JP2004266095A (en) Semiconductor optical amplifier
Gehrig et al. Experimental characterization and numerical modelling of an AlGaAs oscillator broad area double pass amplifier system
JP2005276904A (en) Semiconductor light-emitting element
JPH03248130A (en) Semiconductor optical amplifying element, semiconductor optical element and method for using these elements
JP2728974B2 (en) Optical integrated device
GB2298958A (en) Optical integrated semiconductor laser and waveguide
JP2020177966A (en) Semiconductor optical amplifier, optical output device, and distance measuring device
JP2532632B2 (en) Semiconductor laser device, semiconductor photodetector and manufacturing method thereof
JP2891753B2 (en) Optical semiconductor device
JP3238734B2 (en) Optical semiconductor device
JPH04337684A (en) Positive feedback device for processing optical signal
JPS6289378A (en) Semiconductor laser device with stabilized frequency
JP3043797B2 (en) Semiconductor optical device

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term