JPS6143690A - El element - Google Patents

El element

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JPS6143690A
JPS6143690A JP16423984A JP16423984A JPS6143690A JP S6143690 A JPS6143690 A JP S6143690A JP 16423984 A JP16423984 A JP 16423984A JP 16423984 A JP16423984 A JP 16423984A JP S6143690 A JPS6143690 A JP S6143690A
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JP
Japan
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film
layer
layers
substrate
light
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JP16423984A
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Japanese (ja)
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Takeshi Eguchi
健 江口
Harunori Kawada
河田 春紀
Yukio Nishimura
征生 西村
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide an EL element emitting luminescence in high luminance even at a low voltage, and composed of a luminescent layer having triple-layered structure, wherein each of the first and the third layers is composed if a thin film made of a highly oriented electroluminescent organic compound molecule having different electronegativity from the adjacent second layer. CONSTITUTION:The objective EL element is composed of a triple-layered luminescent layer 2 and a pair of electrode layers 1, 3 sandwiching said luminescent layer, wherein at least one of the electrode layers is transparent. The first and the third luminescent layers are made of a monomolecular film (or its built-up film) composed of electroluminescent organic compounds 4, 6 having higher electron affinity than the second luminescent layer. The second luminescent layer is made of a molecular built-up film composed of an electroluminescent organic compound 5 having higher electron-donative property than the first and the third higher electron-donative property than the first and the third luminescent layers. EFFECT:It can be produced easily at a low cost.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、電気的な発光、すなわちELを用いたEL素
子に関し、更に詳しくは、発光層が3層構造からなり、
第1および第3層が隣接する第2の暦に対して相対的に
電気陰性度が異なる少なくとも1種の電気的発光性有機
化合物を、高秩序の分子配向性をもって配列させた薄膜
からなるEL素子に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an EL element using electrical light emission, that is, EL, and more specifically, the present invention relates to an EL element using electrical light emission, that is, EL, and more specifically, the light emitting layer has a three-layer structure,
An EL device in which the first and third layers are thin films in which at least one electroluminescent organic compound having a different electronegativity relative to the adjacent second layer is arranged with highly ordered molecular orientation. Regarding elements.

(従来の技術) 従来のEL素子は、MnあるいはCuまたはl1ls 
F3(Re ;希土類イオン)等を付活剤として含むZ
nSを発光Iす材とする発光層からなるものであり、該
発光層の基本構造の違いにより粉末型ELと薄膜yJE
Lに大きく構造的に分類される。
(Prior art) Conventional EL elements are made of Mn, Cu or l1ls.
Z containing F3 (Re; rare earth ion) etc. as an activator
It consists of a light-emitting layer using nS as a material for emitting light, and due to the difference in the basic structure of the light-emitting layer, there are two types: powder type EL and thin film EL.
It is structurally classified into L.

実用化されている素子のうち、薄膜ELは、−゛般的に
粉末型ELに比べ輝度が高いが、薄@ELは発光母材を
基板に蒸着して発光層を形成しているため、大面積素子
の製造が難しく、また製造コストが非常に高くなる等の
欠点を有していた。
Among devices that have been put into practical use, thin film ELs generally have higher brightness than powder type ELs, but thin ELs have a light emitting layer formed by vapor depositing a light emitting base material on a substrate. It is difficult to manufacture a large-area device, and the manufacturing cost is extremely high.

そのため、最も量産性に富み、コスト的に薄膜型素子の
数十分の一程度ですむ有機バインダー中に発光母材、す
なわち、ZnSを分散させた粉末型ELが注目されるよ
うになった。一般的には、EL全発光おいては1発光層
の厚さが薄い程発光特性が良くなる。しかし、該粉末型
ELの場合は1発光母材が不連続の粉末であるため1発
光層を薄くすると、発光層中にピンホールが生じ易く、
層厚を薄くすることが困難であり、従って十分な輝度特
性が得られないという大きな欠点を持っている。近時に
おいても、該粉末型ELの発光層内にフッ化ビニリデン
系重合体から成る中間誘電体層を配置した改良型素子が
、特開11i58−172891号公報に示されている
が、未だ発光輝度、消費電力等に十分な性能を得るにい
たっていない、一方、最近、有機材料の化学構造や高次
構造を制御して、新しくオプティカルおよびエレクトロ
ニクス用材料とする研究開発が活発に行なわれ、EC素
子、圧電性素子、焦電性素子、非線計光学素子、強誘電
性液品等、金属、無機材料に比肩し得るか、またはそれ
らを凌駕する有機材料が発表されている。このように、
無機物を凌ぐ新しい機能素材としての機能性有機材料の
開発が要望される中で、分子内に親木基と疎水基を持つ
アントラセン誘導体やピレン誘導体の単分子層の累積膜
を電極基板−ヒに形成したEL素子が特開昭52−35
5871−;公報に提案されている。しかし、それらの
EL素子は、その輝度、消費電力等、現実のEL素子と
して十分な性能を得るに至っておらず、更に、該有機E
L素子の場合、キャリア電子あるいはホールの密度が非
常に小さく、キャリアの再結合等による機能分子の励起
確率が非常に小さくなり、効率の良い発光が期待できな
いものである。
For this reason, powder-type EL, in which a light-emitting base material, that is, ZnS, is dispersed in an organic binder, which is most easily mass-produced and costs only a few tenths of the cost of thin-film devices, has attracted attention. Generally, in full EL light emission, the thinner the thickness of one light emitting layer, the better the light emission characteristics. However, in the case of the powder type EL, one luminescent base material is a discontinuous powder, so if one luminescent layer is made thin, pinholes are likely to occur in the luminescent layer.
It has a major drawback in that it is difficult to reduce the layer thickness, and therefore sufficient brightness characteristics cannot be obtained. Recently, an improved device in which an intermediate dielectric layer made of a vinylidene fluoride polymer is disposed within the light-emitting layer of the powder type EL has been disclosed in Japanese Patent Application Laid-open No. 11i58-172891, but it is still difficult to emit light. However, recently, research and development has been actively conducted to control the chemical structure and higher-order structure of organic materials to create new materials for optical and electronics. Organic materials, such as EC elements, piezoelectric elements, pyroelectric elements, non-radiometer optical elements, and ferroelectric liquid products, have been announced that are comparable to or superior to metals and inorganic materials. in this way,
Amid the demand for the development of functional organic materials as new functional materials that surpass inorganic materials, a cumulative film of monomolecular layers of anthracene derivatives and pyrene derivatives, which have parent wood groups and hydrophobic groups in their molecules, has been developed as an electrode substrate. The formed EL element was published in Japanese Patent Application Laid-Open No. 52-35.
5871-; Proposed in the publication. However, these EL devices have not achieved sufficient performance as a real EL device in terms of brightness, power consumption, etc.
In the case of an L element, the density of carrier electrons or holes is very low, and the probability of excitation of functional molecules due to carrier recombination is very small, so efficient light emission cannot be expected.

(発明の開示) 従って1本発す1の目的は、上述のような従来技術の欠
点を解消して、低電圧駆動でも十分輝度の高い発光が得
られ、安価で、且つ製造が容易なEL素子を提供するこ
とである。
(Disclosure of the Invention) Therefore, the object of the present invention is to eliminate the drawbacks of the prior art as described above, to provide an EL element that can emit light with sufficiently high brightness even when driven at a low voltage, is inexpensive, and is easy to manufacture. The goal is to provide the following.

上記本発明の目的は、EL素子の発光層を、特定の材料
を組合せて、且つ特定の構成に形成することにより達成
された。
The above object of the present invention has been achieved by forming a light emitting layer of an EL element by combining specific materials and having a specific configuration.

すなわち、本発明は、3層積層構造の発光層と、該発光
層を挟持する少なくとも1層が透明である2層の電極層
からなるEL素子において、上記第1および第3の発光
層が、第2の発光層に対して相対的に電子受容性の少な
くとも1種の電気的発光性有機化合物からなる単分子膜
またはその累積膜からなり、且つ第2の発光層が第1お
よび第3の発光層に対して相対的に電子供与性の少なく
とも1種の電気的発光性有機化合物からなる分子堆積膜
からなることを特徴とする上記EL素子である。
That is, the present invention provides an EL device comprising a light emitting layer with a three-layer stacked structure and two electrode layers sandwiching the light emitting layer, at least one of which is transparent, in which the first and third light emitting layers are: The second light emitting layer is composed of a monomolecular film or a cumulative film thereof made of at least one electroluminescent organic compound that is electron-accepting relative to the second light emitting layer, and the second light emitting layer The above-mentioned EL device is characterized in that it is made of a molecular deposited film made of at least one electroluminescent organic compound that is electron-donating relative to the light-emitting layer.

本発明の詳細な説明すると、本発明において使用し、主
として本発明を特徴づける電気的発光性有機化合物とは
、高い発光量子効率を有し、更に外部摂動を受は易いπ
電子系を有し、電気的な励起が可能な化合物であり、例
えば、基本的には。
To explain the present invention in detail, the electroluminescent organic compound used in the present invention and which mainly characterizes the present invention has a high luminescence quantum efficiency and is easily susceptible to external perturbation.
Basically, it is a compound that has an electronic system and can be electrically excited.

縮合多環芳香族炭化水素、p−ターフェニル、2.5−
ジフェニルオキサゾール、l、4−ビス(2−メチルス
チリル)−ベンゼン、キサンチン、クマリン、アクリジ
ン、シアニン色素、ベンゾフェノン、フタロシアニンお
よびその金属錯体、ポルフィリンおよびその金属錯体、
8−ヒドロキシキノリンとその金属錯体、有機ルテニウ
ム錯体、有41!1稀土類錆体およびこれらの化合物の
誘導体等を挙げることができる。更に上記化合物に対し
て電子受容体または電子供与体となり得る化合物として
は、前記以外の複素環式化合物およびそれらの誘導体、
芳香族アミンおよび芳香族ポリアミン、キノンaAlを
もつ化合物、テトラシアノキノジメタンおよびテトラシ
アノエチレン等を挙げることができる。
Fused polycyclic aromatic hydrocarbon, p-terphenyl, 2.5-
diphenyloxazole, l,4-bis(2-methylstyryl)-benzene, xanthine, coumarin, acridine, cyanine dye, benzophenone, phthalocyanine and its metal complex, porphyrin and its metal complex,
Examples include 8-hydroxyquinoline and its metal complexes, organic ruthenium complexes, 41!1 rare earth rust bodies, and derivatives of these compounds. Furthermore, compounds that can serve as electron acceptors or electron donors for the above compounds include heterocyclic compounds other than those mentioned above and derivatives thereof;
Mention may be made of aromatic amines and aromatic polyamines, compounds with quinone aAl, tetracyanoquinodimethane, tetracyanoethylene, and the like.

本発明において、第1および第3の発光層を形成す゛る
ために有用な化合物は、上記の如き電気的発光性化合物
を必要に応じて公知の方法で化学的に修飾し、その構造
中に少なくとも1個の疎水性部分と少なくとも1個の親
木性部分(これらはいずれも相対的な意味においてであ
る。)を併有させるようにした化合物であり1例えば下
記の一般式CI)で表わされる化合物およびその他の化
合物を包含する。
In the present invention, the compounds useful for forming the first and third light-emitting layers are obtained by chemically modifying the electroluminescent compounds as described above by a known method as necessary, and having at least It is a compound that has one hydrophobic part and at least one wood-loving part (all of these are in a relative sense), and is represented by the following general formula CI). Compounds and other compounds.

[(X−R,)、Z]?L−φ−R2(I )上記式中
におけるXは、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基
、アルキルエーテル基、ニトロ基:カルボキシル基、ス
ルホン酸基、リン酸基、ケイ醜基、第1〜3アミ7基;
これらの金属塩、1〜3級アミン塩、酸塩:エステル基
、スルホアミド基、アミド基、イミノ基、4級アミノ基
およびそれらの塩、水酸基等であり;RIは炭素数4〜
30、好ましくは10〜25個のアルキル基、好ましく
は直鎖状アルキル基であり;mは1または基(R,は水
素原子、アルキル基、アリール等の任意の置換基である
)であり;φは後に例示する如き電場発光性化合物の残
基であり;R2はXと同様に、水素原子またはその他の
任意の置換基であり;l個または複数のX、φおよびR
2のうち少なくとも14Nは親水性部分であり、且つ少
なくとも1個は疎水性部分である。
[(X-R,), Z]? L-φ-R2 (I) In the above formula, X is a hydrogen atom, a halogen atom, an alkoxy group, an alkyl ether group, a nitro group: a carboxyl group, a sulfonic acid group, a phosphoric acid group, a silicic acid group, 1 to 3 Ami 7 groups;
These metal salts, primary to tertiary amine salts, acid salts: ester groups, sulfamide groups, amide groups, imino groups, quaternary amino groups and their salts, hydroxyl groups, etc.; RI has 4 to 4 carbon atoms;
30, preferably 10 to 25 alkyl groups, preferably linear alkyl groups; m is 1 or a group (R, is an arbitrary substituent such as a hydrogen atom, an alkyl group, aryl, etc.); φ is a residue of an electroluminescent compound as exemplified later; R2, like X, is a hydrogen atom or any other substituent; l or more X, φ and R
At least 14N of 2 is a hydrophilic moiety, and at least one is a hydrophobic moiety.

また、本発明において、第2の発光層を形成するために
有用な有機化合物は、科学的に修飾されていることを除
き、上記と同種の化合物から選択して使用する。
Further, in the present invention, the organic compound useful for forming the second light-emitting layer is selected from the same types of compounds as above, except for those chemically modified.

第1および第3層の形成に有用な一般式(I)の化合物
のφとして好ましいもの、第2層の形成に有用である化
合物の基本骨格、およびその他の化合物を例示すれば、
以下の通りである。(但し、以下に例示するφ(基本骨
格)は、炭素数1〜4のアルキルノ、(、アルコキシ基
、アルキルエーテル基、ハロゲン原子、ニトロ基、第1
〜3級アミノ基、水酸基、カルボアミド基、スルフオア
ミド基等の一般的な置換基を有し得る。)(以  下 
 余  白   ) Z=NH,O,S    Z=CO,NHZ=CO1N
H,O%SZセNH,01S z=N′H101SZ=NH%o%5 z=S%Sez;51sez=s%5eZ=N■■、0
.S  Z=NH1αS  Z=NH%0.SM−Mg
 s Z n s S n s AtCl    M 
=Hz s Be %Mg s Ca s CdSn、
ALCI% YbCI M= Er、 Tm、、 Sm、Eu、Tb、   z
=o、N基u M=A4 Gas 1r、Ta、a=3    M=E
r%Sm、EuM=Zn、CdtMg、pbn a=2
     Gd、Tbs DyTm、Yb M= Er、  Sm 、 Ell、  Gd    
     M= Ers  Sms  EuTb % 
Dy h i”m * Yb       Gd + 
Tb + DyTm%yb Z =O* Sn Se  0Sp52以上の如き発光
性化合物は、本発明における各々の発光層において単独
でも混合物としても使用できる。なお、これらの化合物
は好ましい化合物の例示であって、同一目的が達成され
る限り、他の訪導体または他の化合物でも良いのは当然
である。
Preferred examples of compounds of general formula (I) useful for forming the first and third layers, basic skeletons of compounds useful for forming the second layer, and other compounds include:
It is as follows. (However, φ (basic skeleton) illustrated below is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, (, alkoxy group, alkyl ether group, halogen atom, nitro group,
- It may have general substituents such as a tertiary amino group, a hydroxyl group, a carboxamide group, a sulfoamide group, etc. )(below
Margin) Z=NH, O, S Z=CO, NHZ=CO1N
H,O%SZSeNH,01S z=N'H101SZ=NH%o%5 z=S%Sez;51sez=s%5eZ=N■■,0
.. S Z=NH1αS Z=NH%0. SM-Mg
s Z n s S n s AtCl M
=Hz s Be % Mgs Ca s CdSn,
ALCI% YbCI M= Er, Tm, Sm, Eu, Tb, z
=o, N group u M=A4 Gas 1r, Ta, a=3 M=E
r%Sm, EuM=Zn, CdtMg, pbn a=2
Gd, Tbs DyTm, Yb M= Er, Sm, Ell, Gd
M= Ers Sms EuTb %
Dy h i”m * Yb Gd +
The luminescent compounds such as Tb + DyTm%yb Z = O* Sn Se 0Sp52 or more can be used alone or as a mixture in each luminescent layer in the present invention. Note that these compounds are examples of preferable compounds, and it goes without saying that other conductor-visitors or other compounds may be used as long as the same purpose is achieved.

本発明においては、上記の如き発光性化合物をそれらの
電気的陰性度に応じて、本発明のEL素子の第1〜ti
S3の発光層に分けて使用して発光層を3層の積層構造
としたことを特徴としている。
In the present invention, the luminescent compounds as described above are used in the first to ti
It is characterized in that the light emitting layer of S3 is used separately to form a three-layer laminated structure.

すなわち、上記の如き発光性化合物は、それぞれ電気陰
性度が異なるから、1種のまたは複数の前記化合物を第
1および第3の発光層を形成するための発光性化合物と
して採用したときには、これら採用した発光性化合物と
は、その電気的陰性度の異なる前記発光性化合物を第2
の発光層形成用化合物として選択すれば良い、このよう
な発光性化合物のなかで、電子供与性のものとして特に
好ましい化合物は、第1〜第3級アミン基、水酸基、“
アルコキシ基、アルキルエーテル基等の電子供与性基を
有するもの、あるいは窒素へテロ環化合物が主たるもの
であり、また電子受容性のものとしては、カルボニル基
、スルホニル基、ニトロ基、第4級アミツノ、(等の電
子吸引性基を有する化合物が主たるものである。このよ
うな発光性化合物は本発明において、それぞれの発光層
においては単独または複数の1層合物として使用するこ
とができる。
That is, since the above-mentioned light-emitting compounds have different electronegativity, when one or more of the above-mentioned compounds are employed as the light-emitting compounds for forming the first and third light-emitting layers, these employed A second luminescent compound is a luminescent compound having a different electronegativity.
Among such light-emitting compounds that can be selected as compounds for forming a light-emitting layer, particularly preferable electron-donating compounds include primary to tertiary amine groups, hydroxyl groups,
Those with electron-donating groups such as alkoxy groups and alkyl ether groups, or nitrogen heterocyclic compounds are the main ones, and those with electron-accepting properties include carbonyl groups, sulfonyl groups, nitro groups, and quaternary amino groups. Compounds having electron-withdrawing groups such as , (, etc.) are the main compounds. In the present invention, such luminescent compounds can be used alone or as a single-layer composite in each luminescent layer.

本発明のEL素了・を形成する他の要素、すなわち2暦
の電極層は、発光層を挟持するものであって、従来公知
のものはいずれも使用できるが、少なくともそのIHは
透明性である必要がある。透明電極としては、従来同様
目的の透明電極層がいずれも使用でき、好ましいものと
しては1例えばポリメチルメタクリレート、ポリエステ
ル等の透明な合成樹脂、ガラス等の如き透明性フィルム
あるいはシートの表面に酸化インジウム、酸化錫。
The other elements forming the EL structure of the present invention, namely the two electrode layers, sandwich the light emitting layer, and any conventionally known electrode layer can be used, but at least the IH thereof must be transparent. There needs to be. As the transparent electrode, any desired transparent electrode layer can be used as in the past, and preferred ones include (1) a transparent synthetic resin such as polymethyl methacrylate or polyester, a transparent film or sheet such as glass, etc., with indium oxide on the surface; , tin oxide.

インジウム−チン−オキサイド(ITO・)等の透明導
電材料を全面にあるいはパターン状に被覆したものであ
る。一方の面に不透明電極を使用する場合は、これらの
不透明電極も、従来公知のものでよく、一般的且つ好ま
しいものは、厚さが約0.1〜0.3.wmのアルミニ
ウム、銀、金等の蒸着膜である。また透明電極あるいは
不透明電極の形状は、板状、ベルト状、円筒状等任意の
形状でよ〈、使用目的に応じて選択することができる。
It is coated entirely or in a pattern with a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO). If opaque electrodes are used on one side, these opaque electrodes may be of conventionally known type, and generally and preferably have a thickness of about 0.1 to 0.3. It is a vapor deposited film of aluminum, silver, gold, etc. of wm. Further, the shape of the transparent electrode or the opaque electrode may be any shape such as a plate, a belt, or a cylinder, and can be selected depending on the purpose of use.

また、透明電極の厚さは、約0.01〜0゜2層m程度
が好ましく、この範囲以下の厚さでは、素子自体の物理
的強度や電気的性質が不十分となり、また上記範囲以上
の厚さでは透明性や軽量性、小型性等に問題が生じるお
それがある。
Further, the thickness of the transparent electrode is preferably about 0.01 to 0.2 layer m. If the thickness is less than this range, the physical strength and electrical properties of the element itself will be insufficient; , there is a risk of problems with transparency, light weight, compactness, etc.

本発明のEL素子は、上記の如き2層の電極層の間に、
前述の如き相対的に電気陰性度の異なる電気的発光性化
合物を別々に用いて3層からなる発光層を形成すること
により得られるものであり、形成された3Ji3構造の
発光層の内t51および第3層を構成する分子が、それ
ぞれ高秩序の分子配向性をもって配列した単分子膜ある
いはその累積膜であり、第2暦が分子堆積膜であること
を特徴としている。
In the EL element of the present invention, between the two electrode layers as described above,
It is obtained by forming a light emitting layer consisting of three layers using separately the electroluminescent compounds having relatively different electronegativities as described above, and among the light emitting layers of the formed 3Ji3 structure, t51 and The third layer is characterized in that the molecules constituting the third layer are each arranged in a monomolecular film or a cumulative film thereof with highly ordered molecular orientation, and the second layer is a molecular deposition film.

本発明において、このような単分子膜あるいはその累積
膜を形成する方法として、特に好ましい方法は、ラング
ミュア・ブロジェット法(LB法)である、このLD−
法は、分子内に親木性基と疎水性基とを有する構造の分
子において、両者のバランス(両親媒性のバランス)が
適度に保たれているとき、分子は水面上で、親水性基を
下に向けて単分子の層になることを利用して、単分子膜
またはその累積膜を形成する方法である。具体的には水
層上に展開した単分子膜が、水相上を自由に拡散して広
がりすぎないように、仕切板(または浮子)を設けて展
開面積を制限して膜物質の集合状態を制御し、表面圧を
徐々に上昇させ、単分子膜あるいはその累mGの製造に
適する表面圧を設定する。この表面圧を維持しながら静
かに清浄な基板を垂直に」;シIよ、たは降下させるこ
とにより、単分子膜が基板上に移しとられる。単分子膜
は以上で製造されるが、単分子膜の累積膜は前記の操作
を繰り返すことにより所望の累積度の累積膜として形成
される。
In the present invention, a particularly preferred method for forming such a monomolecular film or a cumulative film thereof is the Langmuir-Blodgett method (LB method).
In this method, when a molecule has a structure that has a lignophilic group and a hydrophobic group within the molecule, and the balance between the two (balance of amphiphilicity) is maintained appropriately, the molecule will absorb the hydrophilic group on the water surface. This is a method of forming a monomolecular film or a cumulative film thereof by utilizing the fact that the film turns downward into a monomolecular layer. Specifically, in order to prevent the monomolecular film spread on the water layer from freely diffusing and spreading too much, a partition plate (or float) is provided to limit the spread area and control the aggregated state of the film material. is controlled, the surface pressure is gradually increased, and a surface pressure suitable for manufacturing a monomolecular film or its cumulative mass is set. The monolayer is transferred onto the substrate by gently lifting or lowering the clean substrate vertically while maintaining this surface pressure. Although a monomolecular film is manufactured in the above manner, a cumulative film of a monomolecular film is formed by repeating the above-described operations as a cumulative film having a desired degree of accumulation.

単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸漬法の他
、水平付着法、回転円筒法などの方法によっても可能で
ある。水平付着法は基板を水面に水平に接触させて移し
とる方法で1回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回
転させて単分子膜を基体表面に移しとる方法である。前
述した垂直浸漬法では、表面が親水性の基板を水面を横
切る方向に水中から引き上げると分子の親木性基が基板
側に向いた単分子膜が基板上に形成される。前述のよう
に基板を上下させると、各行程ごとに1枚ずつ単分子膜
が重なっていく、成膜分子の向きが引き上げ行程と浸漬
行程で逆になるので、この方法によると各居間は分子の
親木性基と親木性基、分子の疎水性基と疎水性基が向か
い合うY型膜が形成される。゛それに対し、水平付着法
は、基板を水面に水平に接着させて移しとる方法で1分
子の疎水性基が基板側に向いた単分子膜が基板上に形成
される。この方法では、単分子膜を累積しても、成膜分
子の向きの交代はなく、全ての層において、疎水性基が
基板側に向いたX型膜が形成される0反対に全ての層に
おいて親水性基が基板側に向いた累Mi膜は2型膜と呼
ばれる0回転円筒法は、円筒法の基体水面上を回転させ
て単分子膜を基体表面に移しとる方法である。単分子膜
を基板上に移す方法は、これらに限定されるわ番すでな
く、即ち、大面積基板を用いる時には、基板ロールから
水層中にス(板を押し出していく方法なども□とり得る
。また、 ii;i述した親木性基、疎水性基の基板へ
の向きは原則であり、基板の表面処理等によって変える
ことができる。   ′    □本発明において、m
2の発光層を構成する分子堆積膜を形成する方法として
、特に好ましい方法は、抵抗加熱蒸着法やCVD法であ
り、例えば、蒸着法では、ff52の発光層として、5
00人程歳の薄膜が形成できる。
In addition to the above-mentioned vertical dipping method, the monomolecular film can be transferred onto the substrate by methods such as a horizontal deposition method and a rotating cylinder method. The horizontal deposition method is a method in which the substrate is brought into horizontal contact with the water surface and transferred, and the one-turn cylinder method is a method in which a cylindrical substrate is rotated on the water surface to transfer the monomolecular film onto the surface of the substrate. In the vertical immersion method described above, when a substrate with a hydrophilic surface is lifted out of water in a direction transverse to the water surface, a monomolecular film is formed on the substrate with the tree-philic groups of the molecules facing toward the substrate. As mentioned above, when the substrate is moved up and down, the monomolecular film is overlapped one by one in each process.The direction of the film-forming molecules is reversed between the lifting process and the dipping process, so according to this method, each living room A Y-shaped film is formed in which the woody groups of the molecules face each other, and the hydrophobic groups of the molecules face each other. On the other hand, in the horizontal adhesion method, a substrate is attached horizontally to the water surface and transferred, and a monomolecular film with one molecule of hydrophobic group facing the substrate is formed on the substrate. In this method, even if monomolecular films are accumulated, there is no change in the direction of the film-forming molecules, and an X-shaped film is formed in which the hydrophobic groups face the substrate in all layers. In the 0-rotation cylinder method, a cumulative Mi film in which the hydrophilic groups face the substrate is called a type 2 film, in which a monomolecular film is transferred to the surface of the substrate by rotating the cylinder above the water surface of the substrate. The method of transferring the monomolecular film onto the substrate is not limited to these methods; in other words, when using a large-area substrate, methods such as extruding a plate from a substrate roll into a water layer are also available. In addition, the orientation of the xylemophilic group and hydrophobic group to the substrate described in ii;i is a general rule and can be changed by surface treatment of the substrate, etc.'
Particularly preferable methods for forming the molecular deposition film constituting the light-emitting layer of ff52 are resistance heating evaporation and CVD.
A thin film about 0.000 years old can be formed.

例えば、抵抗加熱蒸着法による場合は、材料を真空槽中
に置いたタングステンボードに入れ、基板から30c■
以上はなし、抵抗加熱し、昇華性のものは昇華温度に設
定し、溶融性のものは融点以上の温度に設定して蒸着す
る。前真空度は、2×10  Torr以下にし、蒸若
前にシャッターでふさぎ、ポートを加熱し2分はど空と
ばしした後。
For example, when using the resistance heating evaporation method, the material is placed in a tungsten board placed in a vacuum chamber, and 30 cm
Otherwise, resistance heating is performed, and sublimable materials are set at the sublimation temperature, and meltable materials are vapor deposited at a temperature higher than the melting point. The pre-vacuum level was set to 2 x 10 Torr or less, the port was closed with a shutter, the port was heated, and the air was allowed to air for 2 minutes.

シャッターを開いて蒸着する。Open the shutter and deposit.

蒸着中の速度は、水晶振動子の膜厚モニターで測定しな
がら行なうが、好適な速度としては0゜I A/sec
w 100 A/5ecty)間で行なう、その際の真
空度は酸化などを防ぐために、1OTorr以下、好ま
しくはl O” Tart程度になるように保つことに
より行なう。
The speed during deposition is measured using a crystal oscillator film thickness monitor, but a suitable speed is 0°I A/sec.
In order to prevent oxidation, etc., the degree of vacuum is maintained at 1 O Torr or less, preferably about 1 O'' Tart.

本発明のEL素子は、前述の如き発光層形成用材料を好
ましくは上述の如きLB法および分子堆積膜により、前
述の如き2暦の電極層の間にそれぞれ電気陰性度の異な
る化合物から、 31EI構造として形成することによ
って得られるものである。
In the EL device of the present invention, the material for forming the emissive layer as described above is preferably formed by the LB method and the molecular deposition film as described above, and between the two electrode layers as described above, compounds having different electronegativities are formed. It is obtained by forming it as a structure.

従来の技術の項で述べた通り、LB法によりEL素子を
形成することは公知であるが、該公知の方法では、十分
な性能のEL素子が得られず、本発明者は、種々研究の
結果、発光層を3Fr:構造とし、両外側の電ai層に
接触する第1および第3層の発光層を前述の如き電気陰
性度の異なる化合物を用いて単分子1摸あるいはその累
積膜として形成し、且つt5z層を分子堆積膜として形
成することにより、従来技術のEL素子の性能が著しく
向上することを知見したものである。
As mentioned in the prior art section, it is known to form an EL element by the LB method, but this known method does not allow for obtaining an EL element with sufficient performance, and the present inventor has conducted various research studies. As a result, the light-emitting layer has a 3Fr: structure, and the first and third light-emitting layers in contact with both outer Ai layers are made of compounds with different electronegativities as described above, and are made of single molecules or a cumulative film thereof. It has been found that by forming the t5z layer as a molecular deposition film, the performance of the prior art EL device can be significantly improved.

本発明の1つの重要な態様は、第1および第3の発光層
が、前記発光性材料からなる単分子膜である態様である
。この態様のEL素子は、まず最初に、中間層として形
成すべき第2層に対して相対的に電子受容性である材料
を、適当な有機溶剤、例えばクロロホルム、ジクロロメ
タン、ジクロb−タン等中に約16゛〜x6−t146
程度の濃度に溶解し、該溶液を、各種の金属イオンを含
有してもよい適当なpH(例えば、PH約1〜8 )の
水相上に展開させ、溶剤を蒸発除去して単分子膜を形成
し、前述の如くのLB法で、一方の電極基板上に移し取
ってrtS1層とし、十分に乾帰し、次いで、このよう
に形成したtJ51 Wに対して相対的に電子供与性で
ある材料を、前記の如き分子堆積法により分子堆積膜を
形成して第2暦とし、該第2層の表面に、上記と同様に
して第2層に対して相対的に電子受容性の化合物から第
3層を形成し。
One important aspect of the present invention is an aspect in which the first and third light-emitting layers are monomolecular films made of the above-mentioned light-emitting material. In the EL device of this embodiment, first, a material that is relatively electron-accepting to the second layer to be formed as an intermediate layer is mixed in a suitable organic solvent such as chloroform, dichloromethane, dichloro-b-thane, etc. Approximately 16゛~x6-t146
The solution is developed on an aqueous phase of an appropriate pH (for example, pH about 1 to 8) that may contain various metal ions, and the solvent is evaporated off to form a monomolecular film. was formed and transferred onto one electrode substrate to form the rtS1 layer by the LB method as described above, sufficiently dried, and then the tJ51 layer formed in this way is relatively electron-donating to the W. A molecular deposition film is formed using the material by the molecular deposition method as described above to form a second layer, and an electron-accepting compound relative to the second layer is coated on the surface of the second layer in the same manner as described above. Form the third layer.

最後に1例えばアルミニウム、銀、金等の電極材料を、
好ましくは蒸着等により蒸着させて背面電極層を形成す
ることによって得られる。
Finally, 1. electrode material such as aluminum, silver, gold, etc.
Preferably, the back electrode layer is obtained by vapor deposition or the like.

このようにして得られたEL素子の3層の単分子膜から
なる発光層の厚さは、使用した材料の種類によって異な
るが、一般的には約0.01〜lルmの厚さが好適であ
る。
The thickness of the emissive layer consisting of three monomolecular layers of the EL device thus obtained varies depending on the type of material used, but is generally about 0.01 to 1 m thick. suitable.

また、別の重要な態様は1本発明のEL素子の発光層を
構成する第1および第3層のうち少なくとも一層、好ま
しくは両層ともが、上記の単分子膜の累積膜である態様
である。該態様は、前記のLB法および分子堆積法を用
いることにより、上記の如き単分子膜を種々の方法で必
要な層数まで累積し、且つ分子堆積膜を形成することに
よって得られる。
Another important aspect is an aspect in which at least one layer, preferably both layers, of the first and third layers constituting the light-emitting layer of the EL device of the present invention is a cumulative film of the above-mentioned monomolecular film. be. This embodiment can be obtained by accumulating the above monomolecular film by various methods to the required number of layers and forming a molecular deposition film using the LB method and molecular deposition method.

このようにして得られるEL素子の発光層の厚さ、すな
わち単分子膜の累積数は、任意に変更することができる
が、本発明においては、第1および第3層の合計で約2
00〜300の累積数が好適であり、全体としては約0
.5〜0.75.厘の厚さが好適である。
The thickness of the light-emitting layer of the EL device thus obtained, that is, the cumulative number of monolayers, can be changed arbitrarily, but in the present invention, the total thickness of the first and third layers is approximately 2.
A cumulative number between 00 and 300 is preferred, with a total of about 0
.. 5-0.75. The thickness of the ring is suitable.

なお、基板として使用する一方の電極層あるいは両方の
電極層と発光層との接着は、LB法においては十分に強
固なものであり1発光層が剥離したり剥落したりするこ
とはないが、接着力を強化する目的で、基板表面をあら
かじめ処理しておいたり、あるいは基板と発光層との間
に適当な接着剤層を設けてもよい、更に、発光層の形成
用材料や使用する水層のpH、イオン種、水温、単分子
膜の転移速度あるいは?11分子膜の表面圧等の種々の
条件を調節によっても接着力を強化することができる。
Note that the adhesion between one or both electrode layers used as a substrate and the light emitting layer is sufficiently strong in the LB method, and one light emitting layer will not peel or fall off. In order to strengthen the adhesive strength, the surface of the substrate may be pretreated or an appropriate adhesive layer may be provided between the substrate and the light emitting layer. The pH of the layer, the ionic species, the water temperature, the transfer rate of the monolayer, or? The adhesive strength can also be strengthened by adjusting various conditions such as the surface pressure of the 11-molecular film.

以上の如くして形成されたEL素子は、そのままでは空
気中の湿気や酸素の影響でその性能が劣化することがあ
るので、従来公知の手段で耐湿、耐酸素性の密封構造と
するのが望ましい。
The performance of the EL element formed as described above may deteriorate due to the influence of moisture and oxygen in the air if left as is, so it is desirable to create a moisture- and oxygen-proof hermetically sealed structure using conventionally known means. .

以上の如き未発IJJのEL素子は、その発光層の構造
が、超薄膜であり、且つ電極層に面する第1および第3
居が、EL素子の作動上必要な高度の分子秩序性と機能
を有しており、優れた発光性能を有するものである。
In the above-mentioned EL device with undeveloped IJJ, the structure of the light-emitting layer is an ultra-thin film, and the first and third layers facing the electrode layer are
The polymer has a high degree of molecular order and functionality necessary for the operation of an EL device, and has excellent light-emitting performance.

更に、本発明のEL素子の発光層は、m1図に図解的に
示すように、従来技術の単−暦からなる発光層とは異な
り、第2図に図解的に示すように、第1〜第3の発光層
とが均一な界面を有して夫々積層されているので、それ
らの電気陰性度の異なる3層間での各種相互作用が極め
て容易であり、従来技術では達成しえない程度の優れた
発光性能を発揮するものである。すなわち、第1〜第3
の発光層との電気陰性度の差等を種々変更することによ
って、発光強度を向上させたり、あるいは発光色を任意
に変更でき、また、その耐用寿命も著しく延長させるこ
とができる。
Furthermore, the light emitting layer of the EL element of the present invention is different from the light emitting layer of the prior art consisting of a single calendar, as schematically shown in Fig. m1, and as shown schematically in Fig. Since the third light-emitting layer and the third light-emitting layer are stacked with uniform interfaces, various interactions between the three layers with different electronegativities are extremely easy, which is impossible to achieve with conventional technology. It exhibits excellent luminous performance. That is, the first to third
By variously changing the difference in electronegativity between the light emitting layer and the light emitting layer, the light emission intensity can be improved, the light emission color can be arbitrarily changed, and the service life can be significantly extended.

更に、従来技術では、発光性が優れているが。Furthermore, the prior art has excellent luminescence.

成膜性や膜強度が不十分な材料は実質上使用できなかっ
たが、本発明においては、このような成膜性や膜強度が
劣るが、発光性に優れた材料でも。
Materials with insufficient film-forming properties and film strength could not be used in practice, but in the present invention, even materials with poor film-forming properties and film strength but excellent luminescence properties can be used.

少なくとも1層に成膜性に優れた材料を使用することに
よって、発光性、成膜性および膜強度のいずれもが優れ
た発光層を得ることができる。
By using a material with excellent film-forming properties in at least one layer, it is possible to obtain a light-emitting layer with excellent luminescence properties, film-forming properties, and film strength.

以上の本発明のEL素子は、その発光層に好適な電界等
の電気エネルギーが作用するように、電極層間に、交流
またはパルスあるいは直流電流等の電気エネルギーを印
加することにより、優れたEL発光を示すものである。
The EL device of the present invention described above can achieve excellent EL emission by applying electrical energy such as alternating current, pulse, or direct current between the electrode layers so that electrical energy such as a suitable electric field acts on the light emitting layer. This shows that.

次に実施例をあげて本発明を更に具体的に説明する。な
お、文中部とあるのは重量基準である。
Next, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples. Note that the words in the middle of the text are based on weight.

実施例1 50mm角のガラス板の表面上にスパッタリング法によ
り膜厚1500λのITOWを蒸着して、透明電極を形
成した。この成膜基板を充分洗浄後、 Joyce −
Loel+e1社製のLangmuir −Troug
h4のpH6,5に調整された水相+に浸漬した0次に
、上記化合物Aを、クロロホルムに溶かした( 10−
’mol / l )後、上記水相上に展開させた。溶
媒のクロロホルムを蒸発除去後、表面圧を高めて(30
dyne/ ci+) 、上記の分子を膜状に析出させ
た。
Example 1 ITOW with a thickness of 1500λ was deposited on the surface of a 50 mm square glass plate by sputtering to form a transparent electrode. After thoroughly cleaning this film-forming substrate, Joyce -
Langmuir-Troug manufactured by Loel+e1
Next, the above compound A was dissolved in chloroform (10-
'mol/l) and then developed on the above aqueous phase. After removing the solvent chloroform by evaporation, the surface pressure was increased (30
dyne/ci+), the above molecules were deposited in a film.

その後、表面圧を一定に保ちながら、該成膜基板を、水
面を横切る方向に静かに上下させ(上下速度2 cra
/ win ) 、単分子膜を基板上に移し取り。
Thereafter, while keeping the surface pressure constant, the film-forming substrate is gently moved up and down in the direction across the water surface (vertical speed 2 cra).
/win), transfer the monolayer onto the substrate.

単分子膜のみ、4層に累積した単分子累vI膜を作成し
た。この累積行程において、該基板を水槽から引きあげ
る都度、30分間以上放置して基板に付着している水分
を蒸発除去した。
A monomolecular cumulative VI film with four monolayer layers was created. In this cumulative process, each time the substrate was pulled out of the water tank, it was allowed to stand for 30 minutes or more to evaporate and remove the water adhering to the substrate.

次に、抵抗加熱蒸着装置を用いて、上記の単分子膜およ
びその累積膜を設けた透明電極基板上に、アンドラセフ
(B)(mp、216℃)を500λの膜厚に蒸着させ
て第2層とした。この蒸着は、蒸着槽を一度10−′T
orrの真空度まで減圧し、抵抗加熱ボード(MO)の
温度を徐々に上げてゆき、216℃の温度に一定に保ち
、更に、排気速度をgJ整して、真空度を9X10  
Torrに保ち、蒸着速度5A/secとなるように、
アントラセンを入れたボードに流れ゛る電流を調節して
蒸着膜を形成した。蒸着時の真空度は、9 X 10−
’T orrであった。また、基板ホルダーの温度は、
20℃の水を循環させて一定に保った。
Next, using a resistance heating evaporation apparatus, Andracef (B) (mp, 216°C) was evaporated to a thickness of 500λ on the transparent electrode substrate provided with the monomolecular film and its cumulative film. layered. During this deposition, the deposition tank was heated to 10-'T.
The pressure was reduced to a degree of vacuum of orr, the temperature of the resistance heating board (MO) was gradually increased, and the temperature was kept constant at 216℃, and the pumping speed was adjusted to gJ to reduce the degree of vacuum to 9X10.
Torr and at a deposition rate of 5 A/sec.
A deposited film was formed by adjusting the current flowing through the board containing anthracene. The degree of vacuum during vapor deposition was 9 x 10-
'It was Torr. In addition, the temperature of the substrate holder is
Water at 20°C was circulated and kept constant.

再度、上記第1層の形成に使用した同一材料を同一濃度
で同様な方法で上記第2層の表面に1層の単分子膜およ
び4層に累積して第3層とした。
Again, the same material used to form the first layer was used at the same concentration and in the same manner to form a third layer by accumulating one monomolecular film and four layers on the surface of the second layer.

最後に、上記のように形成された薄膜を有する基板を蒸
着槽に入れて、核種を一度10”” Tarrの真空度
まで減圧した後、真空度10Torrに調整して蒸着速
度20A/secで、1500人の膜厚でAIを該薄膜
上に蒸着して背面電極とした0作成されたEL素子を図
3に例示したように、シールガラスでシールしたのち、
従来方法に従って、精製および脱気、脱水されたシリコ
ンオイルをシール中に注入して、本発明の4個のEL発
光セルを形成した。これらのEL発光セルにlOv、5
0Hzの交流電圧を印加したところ、t51およびtj
S3層が単分子膜であるときは、電流密度0−17mA
 / Cゴで輝度1.3ft−LのEL発考が観察され
、第1および第3層が累積膜であるときは、電流密度0
.09mA/Crn”で輝度2.2ft−LのEL発光
が観察された。
Finally, the substrate with the thin film formed as described above was placed in a vapor deposition tank, and the nuclide was once depressurized to a vacuum level of 10'' Tarr, and then the vacuum level was adjusted to 10 Torr and the vapor deposition rate was 20 A/sec. After evaporating AI with a thickness of 1,500 yen on the thin film and using it as a back electrode, the fabricated EL element was sealed with a sealing glass as shown in Fig. 3.
Purified, degassed, and dehydrated silicone oil was injected into the seals to form four EL light emitting cells of the present invention according to conventional methods. lOv, 5 for these EL light emitting cells.
When an AC voltage of 0 Hz was applied, t51 and tj
When the S3 layer is a monolayer, the current density is 0-17mA.
An EL idea with a brightness of 1.3 ft-L is observed in /C Go, and when the first and third layers are cumulative films, the current density is 0.
.. EL emission with a brightness of 2.2 ft-L was observed at 09 mA/Crn''.

上記の本発明のEL素子は、従来例のZnSを発光母体
としたEL素子と比較し、駆動電圧が低く、発光輝度特
性の良いEL素子であった。
The above-mentioned EL element of the present invention had a lower driving voltage and better luminance characteristics than the conventional EL element using ZnS as a light emitting matrix.

比較例1 実施例1において、発光性化合物として化合物Aのみを
使用し、且つ単一層にしたことを除いて、他は実施例1
と同様にして比較用のEL素子を得、且つ実施例1と同
様に評価したところ、電流密度0 、19mA/ ct
r+′テ輝度1 f t−L以下であったー 実施例2 実施例1における化合物AおよびBに代えて、下記化合
物CおよびDを使用し。
Comparative Example 1 In Example 1, except that only Compound A was used as the luminescent compound and a single layer was used, the rest was Example 1.
An EL element for comparison was obtained in the same manner as in Example 1, and evaluated in the same manner as in Example 1. The current density was 0 and 19 mA/ct.
The luminance at r+' was less than 1 ft-L - Example 2 Compounds C and D below were used in place of compounds A and B in Example 1.

CD 他は実施例1と同様にして1本発明のEL素子(但し、
各々の累積数は4)を得、実施例1と同一条件で評価し
たkころ、電疏密度0 + 18mA/cゴで、M度(
Ft−L)は3.2であった。
The EL element of the present invention was prepared in the same manner as in Example 1 except for CD (however,
The cumulative number of each was 4) and evaluated under the same conditions as in Example 1.
Ft-L) was 3.2.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、従来技術のLB法によるEL素子を図解的に
示したものであり、第2図は1本発明のEL素子を図解
的に示したものであり、ftIJs図は本発明のEL素
子の断面を図解的に示したものである。 l;透明電極     2;発光層 3;背面電極     4;発光性化合物5;発光性化
合物   6;発光性化合物7:シールガラス   8
:シリコン絶縁油9;ガラス板
FIG. 1 schematically shows an EL device using the LB method of the prior art, FIG. 2 schematically shows an EL device of the present invention, and the ftIJs diagram schematically shows the EL device of the present invention It is a diagram schematically showing a cross section of the element. l; Transparent electrode 2; Luminescent layer 3; Back electrode 4; Luminescent compound 5; Luminescent compound 6; Luminescent compound 7: Seal glass 8
: Silicone insulating oil 9; Glass plate

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  3層積層構造の発光層と、該発光層を挟持する少なく
とも1層が透明である2層の電極層からなるEL素子に
おいて、上記の第1および第3の発光層が、第2の発光
層に対して相対的に電子受容性の少なくとも1種の電気
的発光性有機化合物からなる単分子膜またはその累積膜
からなり、且つ第2の発光層が第1および第3の発光層
に対して相対的に電子供与性の少なくとも1種の電気的
発光性有機化合物からなる分子堆積膜からなることを特
徴とする上記EL素子。
In an EL device consisting of a light emitting layer with a three-layer stacked structure and two electrode layers sandwiching the light emitting layer, at least one of which is transparent, the first and third light emitting layers are connected to the second light emitting layer. consisting of a monomolecular film or a cumulative film thereof made of at least one electroluminescent organic compound that is relatively electron-accepting to The above-mentioned EL device, characterized in that it is made of a molecular deposited film made of at least one relatively electron-donating electroluminescent organic compound.
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