JPS6144980A - El element - Google Patents

El element

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JPS6144980A
JPS6144980A JP16561784A JP16561784A JPS6144980A JP S6144980 A JPS6144980 A JP S6144980A JP 16561784 A JP16561784 A JP 16561784A JP 16561784 A JP16561784 A JP 16561784A JP S6144980 A JPS6144980 A JP S6144980A
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JP
Japan
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layer
film
light
substrate
compounds
Prior art date
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Pending
Application number
JP16561784A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Eguchi
健 江口
Harunori Kawada
河田 春紀
Yukio Nishimura
征生 西村
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPS6144980A publication Critical patent/JPS6144980A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide a thin EL element which gives emission with sufficiently high brightness even by low-voltage driving, can be easily produced and is inexpensive, by using a luminescent layer having a three-layer laminate structure wherein electroluminescent org. compds. are used. CONSTITUTION:A luminescent layer 2 of 0.01-1mu in thickness is interposed between a transparent electrode 1 and a back electrode 3 to obtain an EL element. The luminescent layer 2 has a laminate structure composed of a first layer 4, a second layer 5 and a third layer 6 wherein (i) the first layer is formed by a monomolecular or built-up film of an electroluminescent org. compd. which is relatively electron-donating as compared with the second layer, (ii) the second layer is formed by a monomolecular or built-up film of an electroluminescent org. compd. which is relatively electron-accepting as compared with the second layer and relatively electron-donating as compared with the third layer and (iii) the third layer is formed by a molecular layered film of an electroluminescent org. compd. which is relatively electron-accepting as compared with the second layer.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、−電気的な発光、すなわちELを用いたEL
素子に関し、更に詳しくは、発光層が3層構造からなり
、各々の層が隣接する他の層に対して相対的に電気陰性
度が異なる少なくとも1種の電気的発光性有機化合物の
薄膜からなるEL素子に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention is directed to - electrical light emission, that is, EL using EL;
Regarding the device, more specifically, the light-emitting layer has a three-layer structure, and each layer is composed of a thin film of at least one electroluminescent organic compound having a different electronegativity relative to other adjacent layers. Regarding EL elements.

(従来の技術) 従来のEL素子は、MflあるいはCuまたはRe F
3(Re  ;希土類イオン)等を付活剤として含むZ
nSを発光母材とする発光層からなるものであり、該発
光層の基本構造の違いにより粉末型ELと薄膜型ELに
大きく構造的に分類される。
(Prior art) Conventional EL elements are made of Mfl, Cu or ReF.
Z containing 3 (Re; rare earth ion) etc. as an activator
It consists of a light-emitting layer using nS as a light-emitting base material, and is broadly classified structurally into powder-type EL and thin-film type EL, depending on the basic structure of the light-emitting layer.

実用化されている素子のうち、薄膜ELは、一般的に粉
末型ELに比べ輝度が高いが、薄膜ELは発光母材を基
板に蒸着して発光層を形成しているため、大面積素子の
製造が難しく、また製造コストが非常に高くなる等の欠
点を有していた。
Among devices that have been put into practical use, thin-film ELs generally have higher brightness than powder-type ELs, but because thin-film ELs form a light-emitting layer by vapor-depositing a light-emitting base material onto a substrate, they are not suitable for large-area devices. It has the drawbacks that it is difficult to manufacture and the manufacturing cost is very high.

そのため、最も量産性に富み、コスト的に薄膜型素子の
数十分の一程度ですむ有機バインダー中に発光母材、す
なわち、ZnSを分散させた粉末型ELが注目されるよ
うになった。一般的には、EL発先においては、発光層
の厚さが薄い程発光特性が良くなる。しかし、該粉末型
ELの場合は、発光母材が不連続の粉末であるため、発
光層を薄くすると、発光層中にピンホールが生じ、易く
、層厚を薄くすることが困難であり、従って十分な輝度
特性が得られないという大きな欠点を持っている。近時
においても、該粉末型ELの発光層内にフッ化ビニリデ
ン系重合体から成る中間誘電体層を配置した改良型素子
が、特開昭58−172891号公報に示されているが
、未だ発光輝度、消費電力等に十分な性能を得るにいた
っていない。一方、最近、有機材料の化学構造や高次構
造を制御して、新しくオプティカルおよびエレクトロニ
クス用材料とする研究開発が活発に行なわれ、EC素子
、圧電性素子、無電性素子、非線計光学素子、強誘電性
液晶等、金属、無機材料に比肩し得るか、またはそれら
を凌駕する有機材料が発表されている。このように、無
機物を凌ぐ新しい機能素材としての機能性有機材料の開
発が要望される中で、分子内に親木基と疎水基を持つア
ントラセン誘導体やピレン誘導体の単分子層の累積膜を
電極基板上に形成したEL素子が特開昭52−3558
7号公報に提案されている。しかし、それらのEL素子
は、その輝度、消費電力等、現実のEL素子として十分
な性能を得るに至っておらず、更に、該有機EL素子の
場合、キャリア電子あるいはホールの密度が非常に小さ
く、キャリアの再結合等による機能分子の励起確率が非
常に小さくなり、効率の良い発光が期待できないもので
ある。
For this reason, powder-type EL, in which a light-emitting base material, that is, ZnS, is dispersed in an organic binder, which is most easily mass-produced and costs only a few tenths of the cost of thin-film devices, has attracted attention. Generally, in an EL device, the thinner the light emitting layer is, the better the light emitting characteristics will be. However, in the case of the powder type EL, since the luminescent base material is a discontinuous powder, pinholes easily occur in the luminescent layer when the luminescent layer is thinned, and it is difficult to reduce the layer thickness. Therefore, it has a major drawback in that sufficient brightness characteristics cannot be obtained. Recently, an improved device in which an intermediate dielectric layer made of a vinylidene fluoride polymer is disposed within the light-emitting layer of the powder type EL has been disclosed in Japanese Patent Application Laid-open No. 172891/1982, but it has not yet been reported. Sufficient performance in terms of luminance, power consumption, etc. has not yet been achieved. On the other hand, recently, research and development has been actively conducted to control the chemical structure and higher-order structure of organic materials to create new materials for optical and electronics. , ferroelectric liquid crystals, and other organic materials that are comparable to or superior to metals and inorganic materials have been announced. As described above, there is a demand for the development of functional organic materials as new functional materials that surpass inorganic materials, and a cumulative film of monomolecular layers of anthracene derivatives and pyrene derivatives, which have a parent tree group and a hydrophobic group in the molecule, is being used as an electrode. The EL element formed on the substrate was published in Japanese Patent Application Laid-Open No. 52-3558.
This is proposed in Publication No. 7. However, these EL devices have not yet achieved sufficient performance as a real EL device in terms of brightness, power consumption, etc. Furthermore, in the case of organic EL devices, the density of carrier electrons or holes is extremely low. The probability of excitation of functional molecules due to carrier recombination or the like becomes extremely small, and efficient light emission cannot be expected.

(発明の開示) 従って、本発明の目的は、上述のような従来技術の欠点
を解消して、低電圧駆動でも十分輝度の高い発光が得ら
れ、安価で、且つ製造が容易なEL素子を提供すること
である。
(Disclosure of the Invention) Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art, and to provide an EL element that can emit light with sufficiently high brightness even when driven at a low voltage, is inexpensive, and is easy to manufacture. It is to provide.

上記本発明の目的は、EL素子の発光層を、特定の材料
を組合せて、且つ特定の構成に形成することにより達成
された。
The above object of the present invention has been achieved by forming a light emitting layer of an EL element by combining specific materials and having a specific configuration.

すなわち、本発明は、3層積層構造の発光層と、該発光
層を挟持する少なくとも1層が透明である2層の電極層
からなるEL素子において、上記の第1の発光層が、第
2の発光層に対して相対的に電子供与性の少なくとも1
種の電気的発光性有機化合物からなる単分子膜またはそ
の累積膜からなり、第2の発光層が第1の発光層に対し
て相゛対的に電子受容性であり、同時に第3層に対し相
対的に電子供与性の少なくとも1種の電気的発光性有機
化合物からなる単分子膜またはその累積膜からなり、且
つ第3層が第2層に対し相対的に電子受容性である少な
くとも1種の電気的発光性有機化合物からなる分子堆積
膜からなることを特徴とする上記EL素子である。
That is, the present invention provides an EL device comprising a light emitting layer having a three-layer stacked structure and two electrode layers sandwiching the light emitting layer, at least one of which is transparent. at least one electron-donating material relative to the light-emitting layer of
The second emissive layer is relatively electron-accepting to the first emissive layer, and at the same time is relatively electron-accepting to the third layer. The third layer is composed of at least one electroluminescent organic compound that is electron-donating relative to the second layer, or a cumulative film thereof, and the third layer is electron-accepting relative to the second layer. The above-mentioned EL device is characterized in that it is made of a molecular deposited film made of various electroluminescent organic compounds.

本発明の詳細な説明すると、本発明において使用し、主
として本発明を特徴づける電気的発光性有機化合物とは
、高い発光量子効率を有し、更に外部摂動を受は易いπ
電子系を有し、電気的な励起が可能な化合物であり、例
えば、基本的には、縮合多環芳香族炭化水素、p−ター
フェニル、2.5−ジフェニルオキサゾール、1.4−
ビス(2−メチルスチリル)−ベンゼン、キサンチン、
クマリン、アクリジン、シアニン色素、ベンゾフェノン
、フタロシアニンおよびその金属錯体、ポルフィリンお
よびその金属錯体、8−ヒドロキシキノリンとその金属
錯体、有機ルテニウム錯体、有機稀土類錯体およびこれ
らの化合物の誘導体等を挙げることができる。更に上記
化合物に対して電子受容体または電子供与体となり得る
化合物としては、前記以外の複素環式化合物およびそれ
らの誘導体、芳香族アミンおよび芳香族ポリアミン、キ
ノン構造をもつ化合物、テトラシアノキノジメタンおよ
びテトラシアノエチレン等を挙げることができる。
To explain the present invention in detail, the electroluminescent organic compound used in the present invention and which mainly characterizes the present invention has a high luminescence quantum efficiency and is easily susceptible to external perturbation.
It is a compound that has an electronic system and can be electrically excited. For example, it basically includes fused polycyclic aromatic hydrocarbons, p-terphenyl, 2.5-diphenyloxazole, 1.4-
Bis(2-methylstyryl)-benzene, xanthine,
Examples include coumarin, acridine, cyanine dyes, benzophenone, phthalocyanine and its metal complexes, porphyrin and its metal complexes, 8-hydroxyquinoline and its metal complexes, organic ruthenium complexes, organic rare earth complexes, and derivatives of these compounds. . Furthermore, compounds that can serve as electron acceptors or electron donors for the above compounds include heterocyclic compounds other than those mentioned above and derivatives thereof, aromatic amines and aromatic polyamines, compounds with a quinone structure, and tetracyanoquinodimethane. and tetracyanoethylene.

本発明において、第1および第2の発光層を形成するた
めに有用な化合物は、上記の如き電気的発光性化合物を
必要に応じて公知の方法で化学的に修飾し、その構造中
に少なくとも1個の疎水性部分と少なくとも1個の親木
性部分(これらはいずれも相対的な意味においてである
。)を併有させるようにした化合物であり、例えば下記
の一般式(I)で表わされる化合物およびその他の化合
物を包含する。
In the present invention, the compounds useful for forming the first and second light-emitting layers are obtained by chemically modifying the electroluminescent compounds as described above by known methods as necessary, and at least It is a compound that has one hydrophobic part and at least one wood-loving part (both of which are in a relative sense), and is, for example, a compound represented by the following general formula (I). and other compounds.

[(、X −R,)、Z ]、−φ−R2(I )上記
式中におけるXは、水素原子、ハロゲン原子、アルコキ
シ基、アルキルエーテル基、ニトロ基;カルボキシル基
、スルホン酸基、リン酸基、ケイ酸基、第1〜3アミノ
基;これらの金属塩、1〜3級アミン塩、酸塩;エステ
ル基、スルホアミド基、アミド基、イミノ基、4級アミ
ノ基およびそれらの塩、水酸基等であり;R1は炭素数
4〜30、好ましくは10〜25個のアルキル基、好ま
しくは直鎖状アルキル基であり;mは1または2、Dは
1〜4の整数であり;Zは直接結合また基(R3は水素
原子、アルキル基、アリール等の任意の置換基である)
であり:φは後に例示する如き電場発光性化合物の残基
であり:R2はXと同様に、水素原子またはその他の任
意の置換基であり;1個または複数のX、φおよびR2
のうち少なくともl債は親木性部分であり、且つ少なく
とも1個は疎水性部分である。
[(,X-R,),Z],-φ-R2(I) In the above formula, Acid groups, silicic acid groups, primary to tertiary amino groups; metal salts thereof, primary to tertiary amine salts, acid salts; ester groups, sulfamide groups, amide groups, imino groups, quaternary amino groups and salts thereof; hydroxyl group, etc.; R1 is an alkyl group having 4 to 30 carbon atoms, preferably 10 to 25 carbon atoms, preferably a linear alkyl group; m is 1 or 2; D is an integer of 1 to 4; Z is a direct bond or group (R3 is any substituent such as a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group)
and: φ is a residue of an electroluminescent compound as exemplified below; R2 is a hydrogen atom or any other substituent, like X; one or more of X, φ and R2
At least one of the bonds is a woody moiety, and at least one is a hydrophobic moiety.

また、本発明において、第3の発光層を形成するために
有用な有機化合物は、科学的に修飾されていることを除
き、上記と同種の化合物から選択して使用する。
Further, in the present invention, the organic compound useful for forming the third light-emitting layer is selected from the same types of compounds as above, except for those chemically modified.

第1および第2層の形成に有用な一般式(I)の化合物
のφとして好ましいもの、第3層の形成に有用である化
合物の基本骨格、およびその他の化合物を例示すれば、
以下の通りである。(但し、以下に例示するφ(基本骨
格)は、炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基、ア
ルキルエーテル基、ハロゲン原子、ニトロ基、第1〜3
級アミン基、水酸基、カルボアミド基、スルフオアミド
基等の一般的な置換基を有し得る。)(以  下  余
  白   ) Z=NH,O,S    Z=CO,NHz=co、N
H,0,8Z = NH,0,5 Z=NH,0,S           Z=NH,0
1SZ=S% Se    Z=S、 Se     
 Z=S、 5eZ=NH,0、S   Z=NH,Q
S  Z=NH,O1SM−Mg t Z n 、S 
n i AZCZ   M−”Hz i B e i 
Mg 、Ca 、CdSn、AtC4YbCI M= Er、 Tm Sm+ Eu、 Tb、   z
=o、NmM=A4 Ga、 Ir、 Ta、 ’a=
3   M=Er、 Sm、 EuM=−Zn、 Cd
、 Mg、 pb、 a=2     Gd、 Tb、
 DyTm、Yb M=Er+ Sm、Eu、Gd     M=Er、S
m、EuTb、 Dy、 Tm、 Yb      G
d、 Tb、 DyTm、Yb 2=0、S、SeO≦p≦2 以上の如き発光性化合物は、本発明における各々の発光
層において単独でも混合物としても使用できる。なお、
これらの化合物は好ましい化合物の例示であって、同一
目的が達成される限り、他の誘導体または他の化合物で
も良いのは当然である。
Preferred examples of compounds of general formula (I) useful for forming the first and second layers, basic skeletons of compounds useful for forming the third layer, and other compounds include:
It is as follows. (However, φ (basic skeleton) illustrated below is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group, an alkyl ether group, a halogen atom, a nitro group,
It may have general substituents such as a class amine group, a hydroxyl group, a carboxamide group, a sulfoamide group, etc. ) (Margin below) Z=NH, O, S Z=CO, NHz=co, N
H,0,8Z = NH,0,5 Z=NH,0,S Z=NH,0
1SZ=S% Se Z=S, Se
Z=S, 5eZ=NH,0,S Z=NH,Q
S Z=NH, O1SM-Mg t Z n , S
n i AZCZ M-”Hz i B e i
Mg, Ca, CdSn, AtC4YbCI M= Er, Tm Sm+ Eu, Tb, z
=o, NmM=A4 Ga, Ir, Ta, 'a=
3 M=Er, Sm, EuM=-Zn, Cd
, Mg, pb, a=2 Gd, Tb,
DyTm, Yb M=Er+ Sm, Eu, Gd M=Er, S
m, EuTb, Dy, Tm, Yb G
d, Tb, DyTm, Yb 2=0, S, SeO≦p≦2 The above luminescent compounds can be used alone or as a mixture in each luminescent layer in the present invention. In addition,
These compounds are examples of preferred compounds, and it goes without saying that other derivatives or other compounds may be used as long as the same purpose is achieved.

本発明においては、上記の如き発光性化合物をそれらの
電気的陰性度に応じて、本発明のEL素子の第1〜第3
の発光層に分けて使用して発光層を3層の積層構造とし
たことを特徴としている。
In the present invention, the above-mentioned luminescent compounds are used as the first to third light-emitting compounds of the EL device of the present invention, depending on their electronegativity.
The light emitting layer is divided into two light emitting layers, and the light emitting layer has a three-layer laminated structure.

すなわち、上記の如き発光性化合物は、それぞれ電気陰
性度が異なるから、1種のまたは複数の前記化合物を第
1の発光層を形成するための発光性化合物として採用し
たときには、これら採用した発光性化合物とは、その電
気的陰性度の異なる前記発光性化合物を第3の発光層形
成用化合物として選択し、且つそれら選択した化合物の
中間的な電気陰性度の化合物を、第2の発光層形成用化
合物として選択し使用すればよい。
That is, since the above-mentioned luminescent compounds have different electronegativities, when one or more of the above-mentioned compounds are employed as the luminescent compound for forming the first luminescent layer, the luminescent properties of these employed The compound means that the luminescent compounds having different electronegativity are selected as the compound for forming the third luminescent layer, and a compound having an intermediate electronegativity among the selected compounds is used for forming the second luminescent layer. It may be selected and used as a compound for use.

このような発光性化合物のなかで、電子供与性のものと
して特に好ましい化合物は、第1〜第3級アミン基、水
酸基、アルコキシ基、アルキルエーテル基等の電子供与
性基を有するもの、あるいは窒素へテロ環化合物が主た
るものであり、また電子受容性のものとしては、カルボ
ニル基、スルホニル基、ニトロ基、第4級アミノ基等の
電子吸引性基を有する化合物が主たるものである。この
ような発光性化合物は本発明において、それぞれの発光
層においては単独または複数の混合物として使用するこ
とができる。
Among such light-emitting compounds, particularly preferable electron-donating compounds are those having electron-donating groups such as primary to tertiary amine groups, hydroxyl groups, alkoxy groups, alkyl ether groups, or nitrogen-donating compounds. Heterocyclic compounds are the main ones, and electron-accepting compounds are mainly compounds having electron-withdrawing groups such as carbonyl groups, sulfonyl groups, nitro groups, and quaternary amino groups. In the present invention, such luminescent compounds can be used alone or in combination in each luminescent layer.

本発明のEL素子を形成する他の要素、すなわち2層の
電極層は、発光層を挟持するものであって、従来公知の
ものはいずれも使用できるが、少なくともその1層は透
明性である必要がある。透明電極としては、従来同様目
的の透明電極層がいずれも使用でき、好ましいものとし
ては、例えばポリメチルメタクリレート、ポリエステル
等の透明な合成樹脂、ガラス等の如き透明性フィルムあ
るいはシートの表面に酸化インジウム、酸化錫、インジ
ウム−チン−オキサイド(ITO)等の透明導電材料を
全面にあるいはパターン状に被覆したものである。一方
の面に不透切電゛極を使用する場合は、これらの不透明
電極も、従来公知のものでよく、一般的且つ好ましいも
のは、厚さが約0.1〜0.3pmのアルミニウム、銀
、金等の蒸着膜である。また透明電極あるいは不透明電
極の形状は、板状、ベルト状、円筒状等任意の形状でよ
く、使用目的に応じて選択することができる。また、透
明電極の厚さは、約o、oi〜0゜2pm程度が好まし
く、この範囲以下の厚さでは、素子自体の物理的強度や
電気的性質が不十分となり、また上記範囲以上の厚さで
は透明性や軽量性、小型性等に問題が生じるおそれがあ
る。
The other elements forming the EL element of the present invention, that is, the two electrode layers sandwiching the light emitting layer, can be any conventionally known element, but at least one of the layers must be transparent. There is a need. As the transparent electrode, any desired transparent electrode layer can be used, and preferred examples include transparent synthetic resins such as polymethyl methacrylate and polyester, and transparent films or sheets made of glass, etc. with indium oxide on the surface. , tin oxide, indium-tin-oxide (ITO), or the like, on the entire surface or in a pattern. If an opaque cut-off electrode is used on one side, these opaque electrodes may also be of conventionally known types, and are generally and preferably made of aluminum with a thickness of about 0.1 to 0.3 pm; It is a vapor deposited film of silver, gold, etc. Further, the shape of the transparent electrode or the opaque electrode may be any shape such as a plate, a belt, or a cylinder, and can be selected depending on the purpose of use. The thickness of the transparent electrode is preferably approximately 0.02 to 0.2 pm; if the thickness is less than this range, the physical strength and electrical properties of the element itself will be insufficient; Otherwise, problems may arise in terms of transparency, light weight, compactness, etc.

本発明のEL素子は、上記の如き2層の電極層の間に、
前述の如き相対的に電気陰性度の異なる電気的発光性化
合物を別々に用いて3層からなる発光層を形成すること
により得られるものであり、形成された3層構造の発光
層の内、第1および第2層を構成する分子が、それぞれ
高秩序の分子配向性をもって配列した単分子膜あるいは
その累積膜であり、第3層が分子堆積膜であることを特
徴としている。
In the EL element of the present invention, between the two electrode layers as described above,
It is obtained by forming a light-emitting layer consisting of three layers using separately the electroluminescent compounds having relatively different electronegativities as described above, and among the light-emitting layers of the formed three-layer structure, The present invention is characterized in that the molecules constituting the first and second layers are each a monomolecular film or a cumulative film thereof in which molecules are arranged with highly ordered molecular orientation, and the third layer is a molecular deposition film.

本発明において、このような単分子膜あるいはその累積
膜を形成する方法として、特に好ましい方法は、ラング
ミュア争プロジェット法(LB法)である。このLB法
は、分子内に親木性基と疎水性基とを有する構造の分子
において、両者のバランス(両親媒性のバランス)が適
度に保たれているとき、分子は水面上−で、親水性基を
下に向けて単分子の層になることを利用して、単分子膜
またはその累積膜を形成する方法である。具体的には水
層上に展開した単分子膜が、水相上を自由に拡散して広
がりすぎないように、仕切板(または浮子)を設けて展
開面積を制限して膜物質の集合状態を制御し、表面圧を
徐々に上昇させ、単分子膜あるいはその累積膜の製造に
適する表面圧を設定する。この表面圧を維持しながら静
かに清浄な基板を垂直に上昇または降下させることによ
り、単分子膜が基板上に移しとられる。単分子膜は以上
で製造されるが、単分子膜の累積膜は前記の操作を繰り
返すことにより所望の累積度の累積膜として形成される
In the present invention, a particularly preferred method for forming such a monomolecular film or a cumulative film thereof is the Langmuir-Prodgett method (LB method). In this LB method, when the balance between the two (amphiphilic balance) is moderately maintained in a molecule with a structure that has a lignophilic group and a hydrophobic group in the molecule, the molecule is placed on the water surface. This is a method of forming a monomolecular film or a cumulative film thereof by utilizing the fact that a monomolecular layer is formed with the hydrophilic group facing downward. Specifically, in order to prevent the monomolecular film spread on the water layer from freely diffusing and spreading too much, a partition plate (or float) is provided to limit the spread area and control the aggregated state of the film material. is controlled, the surface pressure is gradually increased, and a surface pressure suitable for manufacturing a monomolecular film or a cumulative film thereof is set. By gently raising or lowering the clean substrate vertically while maintaining this surface pressure, the monolayer is transferred onto the substrate. Although a monomolecular film is manufactured in the above manner, a cumulative film of a monomolecular film is formed by repeating the above-described operations as a cumulative film having a desired degree of accumulation.

単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸漬法の他
、水平付着法、回転円筒法などの方法によっても可能で
ある。水平付着法は基板を水面に水平に接触させて移し
とる方法で、回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回
転させて単分子膜を基体表面に移しとる方法である。前
述した垂直浸漬法では、表面が親水性の基板を水面を横
切る方向に水中から引き上げると分子の親木性基が基板
側に向いた単分子膜が基板上に形成される。前述のよう
に基板を上下させると、各行程ごとに1枚ずつ単分子膜
が重なっていく。成膜分子の向きが引き上げ行程と浸漬
行程で逆になるので、この方法によると各層間は分子の
親水性基と親水性基、分子の疎水性基と疎水性基が向か
い合うY型膜が形成される。それに対し、水平付着法は
、基板を水面に水平に接着させて移しとる方法で、分子
の疎水性基が基板側に向いた単分子膜が基板上に形成さ
れる。この方法では、単分子膜を累積しても、成膜分子
の向きの交代はなく、全ての層において、疎水性基が基
板側に向いたX型膜が形成される。反対に全ての層にお
いて親水性基が基板側に向いた累積膜はZ型膜と呼ばれ
る。回転円筒法は、円筒法の基体水面上を回転させて単
分子膜を基体表面に移しとる方法である。単分子膜を基
板上に移す方法は、これらに限定されるわけでなく、即
ち、大面積基板を用いる時には、基板ロールから水層中
に基板を押し出していく方法などもとり得る。また、前
述した親水性基、疎水性基の基板への向きは原則であり
、基板の表面処理等によって変えることができる。
In addition to the above-mentioned vertical dipping method, the monomolecular film can be transferred onto the substrate by methods such as a horizontal deposition method and a rotating cylinder method. The horizontal deposition method is a method in which the substrate is brought into horizontal contact with the water surface and transferred, and the rotating cylinder method is a method in which a cylindrical substrate is rotated on the water surface to transfer the monomolecular film onto the surface of the substrate. In the vertical immersion method described above, when a substrate with a hydrophilic surface is lifted out of water in a direction transverse to the water surface, a monomolecular film is formed on the substrate with the tree-philic groups of the molecules facing toward the substrate. When the substrate is moved up and down as described above, one monolayer layer is overlapped with each step. Since the direction of the film-forming molecules is reversed between the pulling process and the dipping process, this method forms a Y-shaped film in which the hydrophilic groups of the molecules face each other, and the hydrophobic groups of the molecules face each other between each layer. be done. On the other hand, the horizontal adhesion method is a method in which a substrate is attached horizontally to the water surface and then transferred, and a monomolecular film with the hydrophobic groups of the molecules facing the substrate is formed on the substrate. In this method, even if monomolecular films are accumulated, there is no change in the direction of the film-forming molecules, and an X-shaped film is formed in which the hydrophobic groups face the substrate side in all layers. On the other hand, a cumulative film in which the hydrophilic groups in all layers face the substrate side is called a Z-type film. The rotating cylinder method is a method in which the monomolecular film is transferred to the surface of the substrate by rotating the cylinder above the water surface of the substrate. The method of transferring the monomolecular film onto the substrate is not limited to these methods; in other words, when using a large-area substrate, a method of extruding the substrate from a substrate roll into a water layer may also be used. Furthermore, the directions of the above-mentioned hydrophilic groups and hydrophobic groups toward the substrate are in principle, and can be changed by surface treatment of the substrate, etc.

本発明において、第3の発光層を構成する分子堆積膜を
形成する方法として、特に好ましい方法は、抵抗加熱蒸
着法やCVD法であり、例えば、蒸着法では、第3の発
光層として、500λ程度の薄膜が形成できる。
In the present invention, particularly preferred methods for forming the molecular deposition film constituting the third light-emitting layer are resistance heating evaporation method and CVD method. It is possible to form a thin film of about

例えば、抵抗加熱蒸着法による場合は、材料を真空槽中
に置いたタングステンボードに入れ、基板から30cm
以上はなし、抵抗加熱し、昇華性のものは昇華温度に設
定し、溶融性のものは融点以上の温度に設定して蒸着す
る。前真空度は、2×10−’ Torr以下にし、蒸
着前にシャッターでふさぎ、ポートを加熱し2分はど空
とばしした後、シャッターを開いて蒸着する。
For example, when using the resistance heating vapor deposition method, the material is placed in a tungsten board placed in a vacuum chamber, and the material is placed 30 cm from the substrate.
Otherwise, resistance heating is performed, and sublimable materials are set at the sublimation temperature, and meltable materials are vapor deposited at a temperature higher than the melting point. The pre-vacuum level is set to 2 x 10-' Torr or less, the port is closed with a shutter before vapor deposition, the port is heated and the air is blown for 2 minutes, and then the shutter is opened to perform vapor deposition.

蒸着中の速度は、水晶振動子の膜厚モニターで測定しな
がら行なうが、好適な速度としては0゜1 A/sec
” l OOλ/secの間で行なう、その際の真空度
は酸化などを防ぐために、I O”” Torr−ラ 以下、好ましくは1OTorr程度になるように保つこ
とにより行なう。
The speed during vapor deposition is measured using a crystal oscillator film thickness monitor, but a suitable speed is 0°1 A/sec.
In order to prevent oxidation, the degree of vacuum is maintained at less than IO Torr, preferably about 1 O Torr.

本発明のEL素子は、前述の如き発光層形成用材料を好
ましくは上述の如きLB法および分子堆積膜により、前
述の如き2層の電極層の間にそれぞれ電気陰性度の異な
る化合物から、3層構造として形成することによって得
られるものである。
In the EL device of the present invention, the above-mentioned light-emitting layer forming material is preferably formed by the above-mentioned LB method and molecular deposition film, and between the above-mentioned two electrode layers, three compounds having different electronegativities are formed. This can be obtained by forming it as a layered structure.

従来の技術の項で述べた通り、LB法によりEL素子を
形成することは公知であるが、該公知の方法では、十分
な性能のEL素子が得られず、本発明者は、種々研究の
結果、発光層を3層構造とし、第1および第2層の発光
層を前述の如き電気陰性度の異なる化合物を用いて単分
子膜あるいはその累積膜として形成し、且つ第3層を分
子堆積膜として形成することにより、従来技術のEL素
子の性能が著しく向上することを知見したものである。
As mentioned in the prior art section, it is known to form an EL element by the LB method, but this known method does not allow for obtaining an EL element with sufficient performance, and the present inventor has conducted various research studies. As a result, the light emitting layer has a three-layer structure, the first and second light emitting layers are formed as a monomolecular film or a cumulative film thereof using compounds with different electronegativities as described above, and the third layer is formed by molecular deposition. It has been found that the performance of conventional EL elements can be significantly improved by forming the film as a film.

本発明の1つの重要な態様は、第1および第2の発光層
が、前記発光性材料からなる単分子膜である態様である
。この態様のEL素子は、まず最初に、中間層として形
成すべき第2層に対して相対的に電子供与性である材料
を、適当な有機溶剤、例えばクロロホルム、ジクロロメ
タン、ジクロロエタン等中に約to−’−tσN程度の
濃度に溶解し、該溶液を、各種の金属イオンを含有して
もよい適当なpH(例えば、pn約1〜8)の水相上に
展開させ、溶剤を蒸発除去して単分子膜を形成し、前述
の如くのLB法で、一方の電極基板上に移し取って第1
層とし、次いで、このように形成した第1層に対して相
対的に電子受容供性であ   □す、同時に第3層に対
して相対的に電子供与性である材料からなる単分子膜を
、上記と同様にして形成して第2層とし、該第2層の表
面に、上記の如き分子堆積法によって第2層に対して相
対的に電子受容性の化合物から第3層を形成し、最後に
、例えばアルミニウム、銀、金等の電極材料を、好まし
くは蒸着等により蒸着させて背面電極層を形成すること
によって得られる。 このようにして得られたEL素子
の3層の単分子膜からなる発光層の厚さは、使用した材
料の種類によって異なるが、一般的には約0.01−1
gmの厚さが好適である。
One important aspect of the present invention is an aspect in which the first and second light-emitting layers are monomolecular films made of the above-mentioned light-emitting material. In the EL device of this embodiment, first, a material that is relatively electron-donating to the second layer to be formed as an intermediate layer is dissolved in a suitable organic solvent such as chloroform, dichloromethane, dichloroethane, etc. -'-tσN, the solution is developed on an aqueous phase of an appropriate pH (for example, pn about 1 to 8) that may contain various metal ions, and the solvent is removed by evaporation. to form a monomolecular film, and then transferred onto one electrode substrate using the LB method as described above.
layer, and then a monomolecular film made of a material that is electron-accepting and donating relative to the first layer thus formed and at the same time electron-donating relative to the third layer. , a second layer is formed in the same manner as above, and a third layer is formed on the surface of the second layer by a molecular deposition method as described above from a compound that is electron-accepting relative to the second layer. Finally, a back electrode layer is obtained by depositing an electrode material such as aluminum, silver, gold, etc., preferably by vapor deposition. The thickness of the luminescent layer consisting of three monomolecular layers of the EL device thus obtained varies depending on the type of material used, but is generally about 0.01-1.
A thickness of gm is preferred.

また、別の重要な態様は、本発明のEL素子の発光層を
構成する第1および第2層のうち少なくとも一層、好ま
しくは両層ともが、上記の単分子膜の累積膜である態様
である。該態様は、前記のLB法および分子堆積法を用
いることにより、上記の如き単分子膜を種々の方法で必
要な暦数まで累積し、且つ分子堆積膜を形成することに
よって得られる。
Another important aspect is an aspect in which at least one layer, preferably both layers, of the first and second layers constituting the light-emitting layer of the EL device of the present invention are a cumulative film of the above-mentioned monomolecular film. be. This embodiment can be obtained by accumulating the above-mentioned monomolecular film by various methods to the required number of times and forming a molecular deposition film using the LB method and the molecular deposition method.

このようにして得られるEL素子の発光層の厚さ、ナな
おち第1層および第2層の単分子膜の累積数は、任意に
変更することができるが、本発明においては、第゛1層
が約4〜150の累積数で、第2層が約4〜150の累
積数であり、且つ3層の合計で約0.03〜Igmの厚
さが好適である。
Although the thickness of the light-emitting layer of the EL device thus obtained and the cumulative number of monolayers in the first layer and the second layer can be changed arbitrarily, in the present invention, Preferably, one layer has a cumulative number of about 4 to 150, the second layer has a cumulative number of about 4 to 150, and the total thickness of the three layers is about 0.03 to Igm.

なお、基板として使用する電極層と発光層との接着は、
LB法および分子堆積法においては十分に強固なもので
あり、発光層が剥離したり剥落したりすることはないが
、接着力を強化する目的で、基板表面をあらかじめ処理
しておいたり、あるいは基板と発光層との間に適当な接
着剤層を設けてもよい。更に、発光層の形成用材料や使
用する水層のpH、イオン種、水温、単分子膜の転移速
度あるいは単分子膜の表面圧等の種々の条件を調節によ
っても接着力を強化することができる。
Note that the adhesion between the electrode layer used as a substrate and the light emitting layer is as follows.
The LB method and molecular deposition method are sufficiently strong and the light emitting layer will not peel or fall off, but in order to strengthen the adhesion, the substrate surface may be treated in advance or A suitable adhesive layer may be provided between the substrate and the light emitting layer. Furthermore, the adhesive force can be strengthened by adjusting various conditions such as the material for forming the light-emitting layer, the pH of the water layer used, the ion species, the water temperature, the transfer rate of the monomolecular film, or the surface pressure of the monomolecular film. can.

以上の如くして形成されたEL素子は、そのままでは空
気中の湿気や酸素の影響でその性能が劣化することがあ
るので、従来公知の手段で耐湿、耐酸素性の密封構造と
するのが望ましい。
The performance of the EL element formed as described above may deteriorate due to the influence of moisture and oxygen in the air if left as is, so it is desirable to create a moisture- and oxygen-proof hermetically sealed structure using conventionally known means. .

以上の如き本発明のEL素子は、その発光層の構造が、
超薄膜であり、且つ第1および第2層が、EL素子の作
動上必要な高度の分子秩序性と機能を有しており、優れ
た発光性能を有するものである。
In the EL device of the present invention as described above, the structure of the light emitting layer is as follows:
It is an ultra-thin film, and the first and second layers have a high degree of molecular order and function necessary for the operation of an EL device, and have excellent light-emitting performance.

更に、本発明のEL素子の発光層は、第1図に図解的に
示すように、従来技術の単一層からなる発光層とは異な
り、第2図に図解的に示すように、第1〜第3の発光層
とが均一な界面を有して夫々積層されているので、それ
らの電気陰性度の異なる3層間での各種相互作用が極め
て容易であり、従来技術では達成しえない程度の優れた
発光性能を発揮するものである。すなわち、第1〜第3
の発光層との電気陰性度の差等を種々変更することによ
って、発光強度を向上させたり、あるいは発光色を任意
に変更でき、また、その耐用寿命も著しく延長させるこ
とができる。
Furthermore, as schematically shown in FIG. 1, the light-emitting layer of the EL device of the present invention is different from the light-emitting layer of the prior art that is a single layer, as schematically shown in FIG. Since the third light-emitting layer and the third light-emitting layer are stacked with uniform interfaces, various interactions between the three layers with different electronegativities are extremely easy, which is impossible to achieve with conventional technology. It exhibits excellent luminous performance. That is, the first to third
By variously changing the difference in electronegativity between the light emitting layer and the light emitting layer, the light emission intensity can be improved, the light emission color can be arbitrarily changed, and the service life can be significantly extended.

更に、従来技術では、発光性が優れているが、成膜性や
膜強度が不十分な材料は実質上使用できなかったが、本
発明においては、このような成膜性や膜強度が劣るが、
発光性に優れた材料でも、少なくとも1層に成膜性に優
れた材料を使用することによって、発光性、成膜性およ
び膜強度のいずれもが優れた発光層を得ることができる
Furthermore, in the conventional technology, it was virtually impossible to use materials that had excellent luminescence but insufficient film formability or film strength; however, in the present invention, materials with poor film formability or film strength could not be used. but,
Even if a material has excellent luminescence properties, by using a material with excellent film-forming properties in at least one layer, a luminescent layer with excellent luminescence properties, film-forming properties, and film strength can be obtained.

以上の本発明のEL素子は、その発光層に好適な電界等
の電気エネルギーが作用するように、電極層間に、交流
またはパルスあるいは直流電流等の電気エネルギーを印
加することにより、優れたEL発光を示すものである。
The EL device of the present invention described above can achieve excellent EL emission by applying electrical energy such as alternating current, pulse, or direct current between the electrode layers so that electrical energy such as a suitable electric field acts on the light emitting layer. This shows that.

次に実施例をあげて本発明を更に具体的に説明する。な
お、文中部とあるのは重量基準である。
Next, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples. Note that the words in the middle of the text are based on weight.

実施例1 5011!1角のガラス板の表面上にスパッタリング法
により膜厚1500人のITO層を蒸着して、透明電極
を形成した。
Example 1 A transparent electrode was formed by depositing an ITO layer with a thickness of 1500 nm on the surface of a 5011!1 square glass plate by sputtering.

この成膜基板を充分洗浄後、Joyce −Loebe
1社製のLangmuir −Trough4のpH6
、5に調整された水相中に浸漬した。次に、 ((山)6(ON〜 A                  B上記化合物
AをおよびBを1:lのモル比でクロロホルムに溶かし
た( 10”’、3+sol / l )後、上記水相
上に展開させた。溶媒のクロロホルムを蒸発除去後、表
面圧を高めテ(30dyne/ cm) 、上記の混合
分子を膜状に析出させた。その後、表面圧を一定に保ち
ながら、該成膜基板を、水面を横切る方向に静かに上下
させ(上下速度20m/win ) 、混合単分子膜を
基板上に移し取り、混合単分子膜のみ、7Nに累積した
混合単分子累積膜を作成して第1層とした。この累積工
程において、該基板を水槽から引きあげる都度、30分
間以上放置して基板に付着している水分を蒸発除去した
After thoroughly cleaning this film-forming substrate, Joyce-Loebe
pH 6 of Langmuir-Trough4 made by 1 company
, immersed in an aqueous phase adjusted to 5. Next, ((mountain) 6(ON~AB) The above compounds A and B were dissolved in chloroform at a molar ratio of 1:l (10'', 3+sol/l), and then developed on the above aqueous phase. After removing the solvent chloroform by evaporation, the surface pressure was increased (30 dyne/cm) to precipitate the above mixed molecules in the form of a film.Then, while keeping the surface pressure constant, the film-forming substrate was placed on the water surface. The mixed monomolecular film was transferred onto the substrate by gently moving it up and down in the transverse direction (vertical speed 20 m/win), and a mixed monomolecular cumulative film of 7N was created and used as the first layer. In this accumulation process, each time the substrate was pulled out of the water tank, it was left to stand for 30 minutes or more to evaporate and remove the water adhering to the substrate.

次ぎに、上記水相上に残った混合単分子膜を完全に除去
し、新たに、 CD 上記化合物CおよびDをl:1のモル比で使用し、上記
と同様な濃度および方法を使用して混合単分子膜のみお
よび8層に累積して第2層を形成した。
Next, the mixed monolayer remaining on the aqueous phase was completely removed, and a new CD was prepared using the same concentration and method as above, using the above compounds C and D in a molar ratio of 1:1. The mixed monomolecular film alone and the second layer were formed by accumulating eight layers.

次いで、抵抗加熱蒸着装置を用いて、上記の混合単分子
膜およびその累積膜を設けた透明電極基板上に、アント
ラキノン(E)(mp、286℃)を500人の膜厚に
蒸着させて第3層とした。この蒸着は、蒸着槽を一度1
0−’″Torrの真空度まで減圧し、抵抗加熱ボード
(MO)の温度を徐々に上げてゆき、286℃の温度に
一定に保ち、更に、排気速度を調整して、真空度を9×
10−’ Tart ニ保ち、蒸着速度5λ/see 
となるように、アントラキノンを入れたボードに流れる
電流を調節して蒸着膜を形成した。蒸着時の真空度は、
9 X 10−’ Torrであった。また、基板ホル
ダーの温度は、20℃の水を循環させて一定に保った。
Next, anthraquinone (E) (mp, 286° C.) was vapor-deposited to a thickness of 500 μm on the transparent electrode substrate provided with the above-mentioned mixed monomolecular film and its cumulative film using a resistance heating vapor deposition device. It has three layers. This vapor deposition is performed once in the vapor deposition tank.
Reduce the pressure to a vacuum level of 0-''' Torr, gradually increase the temperature of the resistance heating board (MO), keep it constant at 286°C, and adjust the pumping speed to increase the vacuum level to 9x.
10-'Tart maintained, deposition rate 5λ/see
A deposited film was formed by adjusting the current flowing through the board containing anthraquinone so that The degree of vacuum during vapor deposition is
It was 9×10-' Torr. Further, the temperature of the substrate holder was kept constant by circulating 20° C. water.

最後に、上記のように形成された薄膜を有する基板を蒸
着槽に入れて、鉄槽を一度10−’ Torrの真空度
まで減圧した後、真空度10−’ Torrに調整して
蒸着速度20λ/secで、1500人の膜厚でAlを
該薄膜上に蒸着して背面電極とした。作成されたEL素
子を図3に例示したように、シールガラスでシールした
のち、従来方法に従って、精製および脱気、脱水された
シリコンオイルをシール中に注入して、本発明のEL発
光セルを形成した。これらのEL発光セルにIOV、4
00Hzの交流電圧を印加したところ、第1および第2
層が単分子膜であるときは、電流密度0.10m  ′
A/crIfで輝度1.7ft−L(7)EL発光が観
察され、第1および第2層が累積膜であるときは、電流
密度0 、08mA/crn”で輝度19.1ft−L
のEL発光が観察された。
Finally, the substrate with the thin film formed as described above was placed in a deposition tank, and the iron tank was once depressurized to a vacuum level of 10-' Torr.The vacuum level was then adjusted to 10-' Torr, and the deposition rate was set at 20λ. /sec, Al was evaporated onto the thin film to a thickness of 1500 to form a back electrode. As illustrated in FIG. 3, the produced EL device is sealed with a sealing glass, and then purified, degassed, and dehydrated silicone oil is injected into the seal according to a conventional method to produce an EL light-emitting cell of the present invention. Formed. IOV, 4 for these EL light emitting cells
When an AC voltage of 00Hz was applied, the first and second
When the layer is a monolayer, the current density is 0.10 m'
EL emission with a brightness of 1.7 ft-L (7) was observed at A/crIf, and when the first and second layers were cumulative films, the brightness was 19.1 ft-L at a current density of 0 and 08 mA/crn''.
EL emission was observed.

上記の本発明のEL素子は、従来例のZnSを発光母体
としたEL素子と比較し、駆動電圧が低く、発光輝度特
性の良いEL素子であった。
The above-mentioned EL element of the present invention had a lower driving voltage and better luminance characteristics than the conventional EL element using ZnS as a light emitting matrix.

比較例1 実施例1において、発光性化合物として化合物Aのみを
使用し、且つ単一層にしたことを除いて、他は実施例1
と同様にして比較用のEL素子を得、且つ実施例1と同
様に評価したところ、電流密度0 、13mA/ ct
n’c’輝度1ft−L以下であった・ 実施例2 実施例1における化合物A、CおよびEに代えて、下記
化合物F、GおよびHを使用し、F        Q
       H他は実施例1と同様にして、本発明の
EL素子(但し、各々の累積数は7および8)を得、実
施例1と同一条件で評価したところ、電流密度0゜10
mA/crn’で、輝度(Ft−1,)は19.1−t
’あった。
Comparative Example 1 In Example 1, except that only Compound A was used as the luminescent compound and a single layer was used, the rest was Example 1.
An EL element for comparison was obtained in the same manner as in Example 1, and evaluated in the same manner as in Example 1. The current density was 0 and 13 mA/ct.
n'c' luminance was 1 ft-L or less. Example 2 The following compounds F, G, and H were used in place of compounds A, C, and E in Example 1, and FQ
EL elements of the present invention (however, the cumulative number of each was 7 and 8) were obtained in the same manner as in Example 1, and evaluated under the same conditions as in Example 1. As a result, the current density was 0°10.
mA/crn', the brightness (Ft-1,) is 19.1-t
'there were.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、従来技術のLB法によるEL素子を図解的に
示したものであり、第2図は、本発明の    ・EL
素子を図解的に示したものであり、第3図は本発明のE
L素子の断面を図解的に示したものである。 1;透明電極     2:発光層 3;背面電極     4;発光性化合物5;発光性化
合物   6;発光性化合物7;シールガラス   8
;シリコン絶縁油9;ガラス板 特許出願人   キャノン株式会社 代理人  弁理士 台 1)勝 広−)ハ 第1図 第2図 第3図
FIG. 1 schematically shows an EL device using the LB method of the prior art, and FIG. 2 shows an EL device according to the present invention.
The device is diagrammatically shown, and FIG.
It is a diagram schematically showing a cross section of an L element. 1; Transparent electrode 2: Luminescent layer 3; Back electrode 4; Luminescent compound 5; Luminescent compound 6; Luminescent compound 7; Seal glass 8
; Silicone insulating oil 9 ; Glass plate patent applicant Canon Co., Ltd. agent Patent attorney 1) Katsuhiro-) C Figure 1 Figure 2 Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  3層積層構造の発光層と、該発光層を挟持する少なく
とも1層が透明である2層の電極層からなるEL素子に
おいて、上記の第1の発光層が、第2の発光層に対して
相対的に電子供与性の少なくとも1種の電気的発光性有
機化合物からなる単分子膜またはその累積膜からなり、
第2の発光層が第1の発光層に対して相対的に電子受容
性であり、同時に第3層に対し相対的に電子供与性の少
なくとも1種の電気的発光性有機化合物からなる単分子
膜またはその累積膜からなり、且つ第3層が第2層に対
し相対的に電子受容性である少なくとも1種の電気的発
光性有機化合物からなる分子堆積膜からなることを特徴
とする上記EL素子。
In an EL device consisting of a light-emitting layer with a three-layer stacked structure and two electrode layers sandwiching the light-emitting layer, at least one of which is transparent, the first light-emitting layer is opposite to the second light-emitting layer. Consisting of a monomolecular film or a cumulative film thereof consisting of at least one relatively electron-donating electroluminescent organic compound,
a monomolecule comprising at least one electroluminescent organic compound in which the second emissive layer is electron-accepting relative to the first emissive layer and simultaneously electron-donating relative to the third layer; The above EL, characterized in that the third layer is a molecular deposited film made of at least one electroluminescent organic compound that is electron-accepting relative to the second layer. element.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4779408A (en) * 1987-06-04 1988-10-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low-tension quenching of ply twist/heatset yarn

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