JPS6143686A - El element - Google Patents

El element

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JPS6143686A
JPS6143686A JP16423584A JP16423584A JPS6143686A JP S6143686 A JPS6143686 A JP S6143686A JP 16423584 A JP16423584 A JP 16423584A JP 16423584 A JP16423584 A JP 16423584A JP S6143686 A JPS6143686 A JP S6143686A
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JP
Japan
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layer
light
film
emitting layer
organic compound
Prior art date
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Pending
Application number
JP16423584A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Eguchi
健 江口
Harunori Kawada
河田 春紀
Yukio Nishimura
征生 西村
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPS6143686A publication Critical patent/JPS6143686A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide an EL element emitting luminescence in high luminance even at a low voltage, and producible easily at a low cost, by using a double- layered luminescent layer, wherein each of the first and the second luminescent layers is made of a thin film of an electroluminescent organic compound having different electronegativity from each other. CONSTITUTION:The first luminescent layer placed opposite to the transparent electrode layer 1 is made of a mixed monomolecular film or its built-up film composed of a mixture of an electroluminescent compound 5 having higher electron affinity than the second luminescent layer and an organic compound 5' having higher electron donative property than the compound 5. The second luminescent layer is placed opposite to the back electrode layer 3, and is made of a mixed built-up film composed of a mixture of an electroluminescent organic compound 4 having higher electron donative property than the first luminescent layer and an organic compound 4' having higher electron affinity than the organic compound 4.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野”) 末完明は、電気的な発光、すなわちELを用いたEL素
子に関し、更に詳しくは、発光層が2層構造からなり、
各々の層が隣接する他の層に対して相対的に電気陰性度
が異な葛少なくとも1種の電気的発光性有機化合物の薄
膜からなるE゛L i子に関する。
[Detailed Description of the Invention] (Industrial Field of Application) Shukanmei relates to an EL element using electrical light emission, that is, EL, and more specifically, the light emitting layer has a two-layer structure,
The present invention relates to an ELi device comprising a thin film of at least one electroluminescent organic compound, each layer having a different electronegativity relative to the other adjacent layers.

(従来の技術)′ 、 従来めEL素子は、MnあるいはCuまたは□Re
 F3 (Re  ;希」;類イオン)等を付活剤とし
て含むZnS’を発光flj材とする発光層からなるも
のであり、該発光層の基本構造の違いにより粉末型EL
と薄IIi型EI、に大きく構造的に分類される。
(Prior art)', Conventional EL elements are made of Mn, Cu or □Re.
It consists of a light-emitting layer whose light-emitting material is ZnS' containing F3 (Re: rare ion) etc. as an activator, and due to the difference in the basic structure of the light-emitting layer, powder type EL
and thin type IIi type EI.

実用化されている素子のうち、薄#ELは、一般的に粉
末型ELに比べ輝度が高いが、薄膜ELは発光母材を基
板に蒸着して発光層を形成しているため、大面積末子の
製造が難しく、また製造コストが非常に高くなる等の欠
点を有していたりそのため、最も量産性に富み、コスト
的に11膜型素子の数十分の一1t! 3Mですむ有機
バインダー中に発光母材、すなわち、Zn’Sを分散さ
せた粉末′型ELが注目されるように゛なった。一般的
には、EL発先においては、発光層の厚さが薄い程発光
特性が良くなる。しかし、該粉末型ELの場合は、発光
母材が不連続の粉末であるため、発光層を薄くすると、
発光層中にピンホールが生じ易く、層厚を薄くすること
が困難であり、従って十分な輝度特性が得られないとい
う大きな欠点を持っている。近時においても、該粉末型
ELの発光層内にフッ化ビニリデン系重合体から成る中
間誘電体層を配置した改良型素子が、特開昭58−17
2.891号公報に示されているが、未だ発光輝度、消
費電力等に十分な性能を得るにいたっていない、一方、
最近、有機材料の化学構造や高次構造を制御して、新し
くオプティカルおよびエレクトロニクス用材料とする研
究開発が活発に行なわれ、EC素子、圧電性素子、焦電
性素子、非線計光学素子、強誘電性液品等、金属、無機
材料に比肩し得るか、またはそれらを凌駕する有機材料
が発表されている。このように、無機物を凌ぐ新しい機
能素材としての機能性有機材料の開発が要望される中で
1分子内に親木基と疎水基を持つアントラセン誘導体や
ピレン誘導体の単分子層の累積膜を電極基板上に形成し
たEL素子が特開昭52−35587号公報に提案され
ている。しかし、それらのEL素子は、その輝度、消費
電力等、現実のEL素子として十分な性能を得るに至っ
ておらず、更に、該有機EL素子の場合、キャリア電子
あるいはホールの密度が非常に小さく、キャリアの再結
合等による機能分子の励起確率が非常に小さくなり、効
率の良い発光が期待できないものである。
Among devices that have been put into practical use, thin #ELs generally have higher brightness than powder-type ELs, but thin-film ELs have a large area because the light-emitting layer is formed by vapor-depositing a light-emitting base material on the substrate. The youngest element is difficult to manufacture and has drawbacks such as extremely high manufacturing costs.Therefore, it is the most mass-producible and only a few tenths of the cost of an 11-layer element! Powder type EL, in which a luminescent base material, ie, Zn'S, is dispersed in an organic binder that requires only 3M has started to attract attention. Generally, in an EL device, the thinner the light emitting layer is, the better the light emitting characteristics will be. However, in the case of the powder type EL, the luminescent base material is a discontinuous powder, so if the luminescent layer is thinned,
This has the major disadvantage that pinholes are likely to occur in the light-emitting layer, making it difficult to reduce the layer thickness, and therefore, sufficient brightness characteristics cannot be obtained. Recently, an improved device in which an intermediate dielectric layer made of vinylidene fluoride polymer is disposed within the light-emitting layer of the powder type EL has been disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-17.
2.891, but it has not yet achieved sufficient performance in terms of luminance brightness, power consumption, etc.
Recently, research and development has been actively conducted to control the chemical structure and higher-order structure of organic materials to create new materials for optical and electronics. Organic materials such as ferroelectric liquid products that are comparable to or superior to metals and inorganic materials have been announced. In this way, as there is a demand for the development of functional organic materials as new functional materials that surpass inorganic materials, a cumulative film of monomolecular layers of anthracene derivatives and pyrene derivatives, which have a parent group and a hydrophobic group in one molecule, has been developed as an electrode. An EL element formed on a substrate is proposed in Japanese Patent Laid-Open No. 52-35587. However, these EL devices have not yet achieved sufficient performance as a real EL device in terms of brightness, power consumption, etc. Furthermore, in the case of organic EL devices, the density of carrier electrons or holes is extremely low. The probability of excitation of functional molecules due to carrier recombination or the like becomes extremely small, and efficient light emission cannot be expected.

(発明の開示) 従って1本発11の目的は、上述のような従来技術の欠
点を解消して、低電圧駆動でも十分輝度の高い発光が得
られ、安価で、且つ製造が容易なEL素子を提供するこ
とである。
(Disclosure of the Invention) Therefore, the purpose of the single light source 11 is to eliminate the drawbacks of the prior art as described above, to provide an EL element that can emit light with sufficiently high brightness even when driven at a low voltage, is inexpensive, and is easy to manufacture. The goal is to provide the following.

上記本発明のL1的は、EL素子の発光層を、特定の材
料を組合せて、且つ特定の構成に形成することにより達
成された。
The L1 objective of the present invention was achieved by forming the light emitting layer of the EL element by combining specific materials and having a specific configuration.

すなわち1本発明は、2層構造の発光層と、該発光層を
挟持するVL明電電極層よび背面電極層とからなるEL
禽子において、上記第1の発光層が、透明電極層に面し
、且つ第2の発光層に対して相対的に電子受容性の電気
的発光性有機化合物と該化合物に対し相対的に電子供与
性の有機化合物との混合物からなる混合単分子膜または
その累amからなり、且つ、第2の発光層が、背面電極
層に面し、且つ第1の発光層に対して相対的に電子供与
性の電気的発光性有機化合物と該化合物に対し相対的゛
に電子受容性の有機化合物との混合物からなる混合分子
堆積膜からなることを特徴とする上記EL素子である。
That is, one aspect of the present invention is an EL device consisting of a two-layered light emitting layer, and a VL Meiden electrode layer and a back electrode layer sandwiching the light emitting layer.
In the bird, the first light-emitting layer faces the transparent electrode layer and includes an electroluminescent organic compound that is electron-accepting relative to the second light-emitting layer and an electroluminescent organic compound that is electron-accepting relative to the second light-emitting layer. The second light emitting layer is made of a mixed monomolecular film made of a mixture with a donating organic compound or a stack thereof, and the second light emitting layer faces the back electrode layer and has an electron density relative to the first light emitting layer. The above-mentioned EL device is characterized in that it is composed of a mixed molecule deposited film consisting of a mixture of a donating electroluminescent organic compound and an electron-accepting organic compound relative to the donor electroluminescent organic compound.

本発明の詳細な説明すると1本発明において使用し、主
として本発明を特徴づける電気的発光性有機化合物とは
、高い発光量子効率を有し、更に外部摂動−を受は易い
π電子系を有し、電気的な励起が可能な化合物であり、
例えば、基本的には、縮合多環芳香族炭化水素、p−タ
ーフェニル。
To explain the present invention in detail, 1. The electroluminescent organic compound used in the present invention and which mainly characterizes the present invention has a high luminous quantum efficiency and also has a π-electron system that is easily susceptible to external perturbations. It is a compound that can be electrically excited,
For example, basically fused polycyclic aromatic hydrocarbon, p-terphenyl.

2.5−ジフェニルオキサゾール、1.4−ビス(2−
メチルスチリル)−ベンゼン、キサンチン、クマリン、
アクリジン、シアニン色素、ベンゾフェノン、ツタロシ
アニンおよびその金属錯体、ポルフィリンおよびその金
H錯体、8−ヒドロキシキノリンとその金属錯体、有機
ルテニウム錯体、有機稀土類錯体およびこれらの化合物
の誘導体等を挙げることができる。更に上記化合物に対
して電子受容体または電子供与体となり得る化合物とし
ては、前記以外の複素環式化合物およびそれらの誘導体
、芳香族アミンおよび芳香族ポリアミン、キノン構造を
もつ化合物、テトラシアノキノジメタンおよびテトラシ
アノエチレン等を挙げることができる。
2,5-diphenyloxazole, 1,4-bis(2-
methylstyryl) - benzene, xanthine, coumarin,
Examples include acridine, cyanine dyes, benzophenone, tuthalocyanine and metal complexes thereof, porphyrin and gold H complexes thereof, 8-hydroxyquinoline and metal complexes thereof, organic ruthenium complexes, organic rare earth complexes, and derivatives of these compounds. Furthermore, compounds that can serve as electron acceptors or electron donors for the above compounds include heterocyclic compounds other than those mentioned above and derivatives thereof, aromatic amines and aromatic polyamines, compounds with a quinone structure, and tetracyanoquinodimethane. and tetracyanoethylene.

本発明において、第1の発光層を形成するために有用な
化合物は、上記の如き電気的発光性化合物を必要に応じ
て公知の方法で化学的に修飾し。
In the present invention, the compound useful for forming the first light-emitting layer is obtained by chemically modifying the electroluminescent compound as described above by a known method as necessary.

その構造中に少なくとも1個の疎水性部分と少なくとも
1個の親木性部分(これらはいずれも相対的な意味にお
いてである1、)を併有させるようにした化合物であり
1例えば下記の一般式CI)で表わされる化合物および
その他の化合物を包含する。
It is a compound that has at least one hydrophobic part and at least one woody part (all of which are in a relative sense) in its structure. Compounds of formula CI) and other compounds are included.

[(X−R,)、Z]、−φ−R,(I )上記式中に
おけるXは、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基、
アルキルエーテル基、ニトロ基:カルボキシル基、スル
ホン酸基、リン酸基、ケイ酸基、第1〜3アミノ基;こ
れらの金属塩、1〜3級アミン塩、酸塩;エステル基、
スルホアミド基、アミド基、イミノ基、4級アミノ基お
よびそれらの塩、水酸基等であり;Rμ±炭素数4〜3
0、好ましくは10〜25個のアルキル基、好ましくは
直鎖状アルキル基であり:mは1または一5o2NR,
、−CO−1−〇〇〇−等の如き連結基(R3は水素原
子、アルキル基、アリール等の任意の置換基である)で
あり:φは後に例示する如き電場発光性化合物の残基で
あり;R2はXと同様に、水素原子またはその他の任意
の置換基であり;1個または複−の文、φおよびR2の
うち少なくとも1個は親水性部分であり、且つ少なくと
も1個は疎水性部分である。
[(X-R,), Z], -φ-R, (I) In the above formula, X is a hydrogen atom, a halogen atom, an alkoxy group,
Alkyl ether group, nitro group: carboxyl group, sulfonic acid group, phosphoric acid group, silicic acid group, primary to tertiary amino group; metal salts thereof, primary to tertiary amine salts, acid salts; ester group,
Sulfoamide group, amide group, imino group, quaternary amino group and their salts, hydroxyl group, etc.; Rμ±C4-3
0, preferably 10 to 25 alkyl groups, preferably linear alkyl groups: m is 1 or -5o2NR,
, -CO-1-〇〇〇-, etc. (R3 is a hydrogen atom, an alkyl group, an arbitrary substituent such as aryl), and φ is a residue of an electroluminescent compound as exemplified later. R2, like X, is a hydrogen atom or any other substituent; at least one of one or more characters, φ and R2 is a hydrophilic moiety, and at least one is It is a hydrophobic part.

また、本発明において、第2の発光層を形成するために
有用な有機化合物は、科学的に修飾されていることを除
き、上記と同種の化合物から選択して使用する。
Further, in the present invention, the organic compound useful for forming the second light-emitting layer is selected from the same types of compounds as above, except for those chemically modified.

第1層の形成に有用な一般式(I)の化合物のφとして
好ましいもの、および第2暦の形成に有用である化合物
のノ、(本骨格、およびその他の化合物を例示すれば、
以下の通りである。(但し、以下に例示するφ(]、(
本本骨格は、炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基
、アルキルエーテル基、ハロゲン原子、ニトロ基、第1
〜3級アミノ基、水酸基、カルボアミド基、スルフオア
ミド基等の一般的な置換ノ^を有し得る。) (以  下  余  白   ) Z=NH10、S    Z=CO%NHZ=CO1N
H,01SZ=NH%O% S z = NH1O15Z=NH,0,5Z=S%Se 
    Z=S、 Se       Z=Ss Se
Z = Nf(、OlS   Z=NH1Q S  Z
=NH,O,SM= Mgs Zns Sns ALC
L   M= Hz%Bes Mg、 Ca b Cd
Sn、ALCL、YbC2 M= Er、T亀Sm+ Eu、 Tb、    Z 
= 0、Nnu M=A4Ga、Ir、Ta、a=3   M=Er、S
m、EuM−Zns Cd * Mat t pb +
 a−2Gd s Tb s DyTm%Yb M=Er、 Sm、 Eu%Gd    M=Er、 
Sm、 EuTb 、 Dy 、 Tl1l、 Yb 
 、Gd 、 Tb、、 DyTm%yb Z=0、S、Se  O・;r、182以上の如き発光
性化合物は1本発明における各々の発丙居において単独
でも混合物としても使用できる。なお、これらの化合物
は好ましい化合物の例示であって、同一目的が達成され
る限り、他の°誘導体または他の化合物でも良いのは当
然である。
Preferred compounds of the general formula (I) useful for forming the first layer, and compounds useful for forming the second layer (this skeleton and other compounds are exemplified by:
It is as follows. (However, φ(], (
This main skeleton includes an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group, an alkyl ether group, a halogen atom, a nitro group, a primary
~ It may have general substituents such as tertiary amino group, hydroxyl group, carboxamide group, sulfoamide group, etc. ) (Margin below) Z=NH10, S Z=CO%NHZ=CO1N
H,01SZ=NH%O% S z = NH1O15Z=NH,0,5Z=S%Se
Z=S, Se Z=Ss Se
Z = Nf(, OlS Z = NH1Q S Z
=NH,O,SM= Mgs Zns Sns ALC
L M= Hz%Bes Mg, Ca b Cd
Sn, ALCL, YbC2 M= Er, T turtle Sm+ Eu, Tb, Z
= 0, Nnu M=A4Ga, Ir, Ta, a=3 M=Er, S
m, EuM-Zns Cd * Mat pb +
a-2Gd s Tb s DyTm%Yb M=Er, Sm, Eu%Gd M=Er,
Sm, EuTb, Dy, Tl1l, Yb
, Gd, Tb, DyTm%yb Z=0, S, Se O.; It should be noted that these compounds are examples of preferred compounds, and it goes without saying that other derivatives or other compounds may be used as long as the same purpose is achieved.

本発明において、上記の如き発光性化合物をそれらの電
気的陰性度に応じて、本発明のEL素子の・第1の発光
層と第2の発光MJに分けて使用することを特徴として
いる。すなわち、上記の如き発光性化合物は、それぞれ
電気陰性度が異なるから、それらのなかから、相対的に
電子受容性である前記化合物を、第1の発光層を形成す
るための発光性化合物として採用し、且つそれらに対し
て相対的に電子供与性である前記発光性化合物を第2の
発光層形成用化合物として選択すれば良い。
The present invention is characterized in that the luminescent compounds as described above are used separately in the first luminescent layer and the second luminescent MJ of the EL device of the present invention, depending on their electronegativity. That is, since the above-mentioned luminescent compounds have different electronegativities, among them, the compound that is relatively electron-accepting is selected as the luminescent compound for forming the first luminescent layer. However, the light-emitting compound that is relatively electron-donating to these compounds may be selected as the second light-emitting layer forming compound.

このような発光性化合物のなかで、電子供与性のもめ、
として特に好ましい化合物は、第1−i3級アミノ基、
水酸基、アルコキシ基、アルキルエーテル基等の電子供
与性基を有するもの、あるいは窒素へテロ環化合物が主
たるものであり、また、電子受容性のものとしては、カ
ルボニル基、スルホニル基、ニトロ基、第4級アミ7基
等の電子吸引性基を有する化合物が主たるものである。
Among these luminescent compounds, electron-donating problems,
Particularly preferred compounds include a 1-i tertiary amino group,
The main ones are those with electron-donating groups such as hydroxyl group, alkoxy group, alkyl ether group, or nitrogen heterocyclic compounds, and the electron-accepting ones include carbonyl group, sulfonyl group, nitro group, Compounds having an electron-withdrawing group such as a quaternary amine 7 group are the main ones.

このような発光性化合物は本発明において、それぞれの
発光層においては単独または複数の混合物として使用す
ることができる。
In the present invention, such luminescent compounds can be used alone or in combination in each luminescent layer.

本発明は、更にに記の如きf51層を形成する発光性化
合物に対゛して、該化合物よりも相対的に電子供与性の
有機化合物(以下ドナーという)を、好ましくは、前者
1モルあたり、約17Zoo〜1/10モルの割合で加
えて、第1層の電子受容性を調節すること、および第2
層を形成する発光性化合物に対して、該化合物よりも相
対的に電子受容性の有機化合物(以下アクセプターとい
、う5を、好ましくは、前者1モルあたり、約1/10
〜1/100モルの割合で加えて、第2層の電子供与性
をtJR節することを特徴としている。
The present invention further provides that, for the luminescent compound forming the f51 layer as described above, an organic compound (hereinafter referred to as donor) which is relatively more electron-donating than the compound is preferably added per mole of the former. , in a proportion of about 17 Zoo to 1/10 mole to adjust the electron acceptability of the first layer, and the second layer.
An organic compound (hereinafter referred to as acceptor) that is relatively more electron-accepting than the luminescent compound forming the layer, preferably about 1/10 per mol of the former.
It is characterized in that it is added at a ratio of ~1/100 mole to reduce the electron donating property of the second layer to tJR.

上記の如きアクセプターは、前記の発光性化合物から選
択してもよいし、前記以外の電子吸引性の大な他の有機
化合物から選択してもよい、また、ドナーも、前記の発
光性化合物から選択してもよいし、前記以外の電子供与
性の大な他の有機化合物から選択してもよい0例えば、
アクセプターとしては、前記の如き電子吸引性の大な置
換基を有する種々の化合物から、また、ドナーとしても
、同様に前記の如き電子供与性の大な置換基を有する種
々の有機化合物から選択することができる。
The acceptor as described above may be selected from the above-mentioned luminescent compounds, or may be selected from other organic compounds with large electron-withdrawing properties other than the above-mentioned, and the donor may also be selected from the above-mentioned luminescent compounds. For example,
The acceptor is selected from various compounds having a large electron-withdrawing substituent as mentioned above, and the donor is selected from various organic compounds having a large electron-donating substituent as mentioned above. be able to.

本発明のEL素子を形成する他の要素、すなわち透明電
極層と背面電極層は、発光層を挟持するものであって、
従来公知のものはいずれも使用できるが、少なくともそ
のl暦は透明性である必要がある。透明電極層としては
、従来同様目的の透明電極層がいずれも使用でき、好ま
しい、ものとしては1例えばポリメチルメタクリレート
、ポリエステル等の透明な合成樹脂、ガラス等の如き透
明性フィルムあるいはシートの表面に酸化インジウム、
酸化錫、インジウム−チン−オキサイドCITo)等の
透明導電材料を全面にあるいはパターン状に被覆したb
のである。一方の面に不透明な背面電極層を使用する場
合は、これらの不透明電極層も、従来公知のものでよく
、一般的且つ好ましいものは、厚さが約0.1−0.3
)bmのアルミニウム、銀、金等の蒸着膜である。また
透明電極層あるいは背面゛電極層の形状は、板状、ベル
ト状、円筒状等任意の形状でよく、使用目的に応じて選
択することができる。また、透明電極層の厚さは、約0
.01〜0.2終m程度が好ましく、この範囲以下のH
さでは、素子自体の物理的強度や電気的性質が不十分と
なり、また上記範vIJ以上の厚さでは透明性や軽量性
、小型性等に問題が生じるおそれがある。
The other elements forming the EL element of the present invention, namely the transparent electrode layer and the back electrode layer, sandwich the light emitting layer, and
Any conventionally known calendar can be used, but at least the calendar needs to be transparent. As the transparent electrode layer, any desired transparent electrode layer can be used, and preferred examples include 1, for example, transparent synthetic resins such as polymethyl methacrylate and polyester, and transparent films or sheets made of glass or the like. indium oxide,
b coated with a transparent conductive material such as tin oxide, indium-tin-oxide CITo) on the entire surface or in a pattern.
It is. If an opaque back electrode layer is used on one side, these opaque electrode layers may also be of conventionally known types, and typically and preferably have a thickness of about 0.1-0.3
)bm vapor-deposited film of aluminum, silver, gold, etc. The shape of the transparent electrode layer or the back electrode layer may be any shape such as a plate, a belt, or a cylinder, and can be selected depending on the purpose of use. Further, the thickness of the transparent electrode layer is approximately 0
.. 01 to 0.2 m is preferable, and H below this range
Otherwise, the physical strength and electrical properties of the element itself will be insufficient, and if the thickness exceeds the above-mentioned range vIJ, problems may occur with respect to transparency, lightness, compactness, etc.

本発明のEL素子は、上記の如き2Fjの電極層の間に
、前述の如き相対的に電気陰性度の異なる電気的発光性
化合物(アクセプターまたはドナーを含む)を別々に用
いて、2層からなる発光層を形成することにより得られ
るものであり、形成された2層構造の発光層を構成する
第1層が、透明電極層に面し、第2層に対して相対的に
電子受容性である化合物からなる高秩序の分子配向性を
もって配列した混合単分子膜あるいはその累aSであり
、第2暦が、背面型S層に面し、第1層に対して相対的
に電子共与性である化合物からなる混合分子堆積膜であ
ることを特徴としている。
The EL device of the present invention uses electroluminescent compounds (containing acceptors or donors) having relatively different electronegativities as described above between the 2Fj electrode layers as described above, thereby forming two layers. The first layer constituting the two-layered emissive layer faces the transparent electrode layer and has electron-accepting properties relative to the second layer. It is a mixed monomolecular film or a composite aS composed of a compound that is arranged with a highly ordered molecular orientation, and the second layer faces the back-type S layer and is electron-donating relative to the first layer. It is characterized by being a mixed molecule deposited film consisting of a chemical compound.

本発明において、このような第1層の単分子膜あるいは
その累amを形成する方法として、特に好ましい方法は
、ラングミュア・プロジェット法(LB法)である、こ
のLB法は1分子内に親水性基と疎水性基とを有する構
造の分子において、両者のバランス(両親媒性のバラン
ス)が適度に保たれているとき、分子は水面上で、親水
性基を下に向けて単分子の居になることを利用して、単
分子膜またはその累積膜を形成する方法である。
In the present invention, a particularly preferable method for forming such a first layer monomolecular film or its accumulation is the Langmuir-Prodgett method (LB method). When a molecule with a structure that has a hydrophilic group and a hydrophobic group maintains an appropriate balance between the two (amphiphilic balance), the molecule forms a single molecule on the water surface with the hydrophilic group facing downward. This is a method of forming a monomolecular film or a cumulative film thereof by utilizing the presence of carbon atoms.

具体的には水層上に展開した単分子膜が、水相−ヒを自
由に拡散して広がりすぎないように、仕切板(または浮
子)を設けて展開面積を制限して膜物質の集合状態を制
御し1表面圧を徐々に上昇させ、単分子膜あるいはその
累積膜の製造に適する表面圧を設定する。この表面圧を
維持しながら静かに清浄な基板を垂直に上昇または降下
させることにより、単分子膜が基板上に移しとられる。
Specifically, to prevent the monomolecular film spread on the water layer from spreading too much by freely diffusing the water phase, a partition plate (or float) is provided to limit the spread area and allow the film material to gather. The conditions are controlled and the surface pressure is gradually increased to set a surface pressure suitable for producing a monomolecular film or a cumulative film thereof. By gently raising or lowering the clean substrate vertically while maintaining this surface pressure, the monolayer is transferred onto the substrate.

単分子膜は以上で製造されるが、単分子膜の累積膜は前
記の操作を繰り返すことにより所望の累積度の累積膜と
して形成される。
Although a monomolecular film is manufactured in the above manner, a cumulative film of a monomolecular film is formed by repeating the above-described operations as a cumulative film having a desired degree of accumulation.

単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸漬法の他
、水平付着法、回転円筒法などの方法によっても可能で
ある。水平付着法は基板を水面に水平に接触させて移し
とる方法で1回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回
転させて単分子膜を基体表面に移しとる方法である。前
述した垂直  、浸漬法では1表面が親水性の基板を水
面を横切る方向に水中から引き−しげると分子の親木性
基が基板側に向いた単分子膜が基板上に形成される。前
述のように基板を1−下させると、各行程ごとに、1枚
ずつ単分子膜が重なっていく、成膜分子の向きが引き上
げ行程と浸漬行程で、逆になるので、この方法によると
各層間は分子の親水性基と親水性基1分子の疎水性J、
(と疎水性基が向かい合うY型膜が形成される。それに
対し、水平付着法は、基板を水面に水平に接着させて移
しとる方法で1分子の疎水性基が基板側に向いた単分子
膜がノ、(板上に形成される。この方法では、単分子膜
を累積しても、成膜分子の向きの交代はなく、全ての層
において、#水性基が基板側に向い;X型膜が形成され
る6反対に全ての暦において親水性基が基板側に向いた
累積膜はZ型膜と呼ばれる0回転円筒法は、円筒法の基
体水面上を回転させて単分子膜を基体表面に移しとる方
法である。単分子膜を基板上に移す方法は、これらに限
定されるわけでなく、即ち、大面積基板を用いる時には
、基板ロールから水層中に基板を押し出していく方法な
どもとり得る。また、前述した親木性基、疎水性基の基
板への向きは原則であり、基板の表面処理等によって変
えることができる。
In addition to the above-mentioned vertical dipping method, the monomolecular film can be transferred onto the substrate by methods such as a horizontal deposition method and a rotating cylinder method. The horizontal deposition method is a method in which the substrate is brought into horizontal contact with the water surface and transferred, and the one-turn cylinder method is a method in which a cylindrical substrate is rotated on the water surface to transfer the monomolecular film onto the surface of the substrate. In the above-mentioned vertical dipping method, when a substrate having a hydrophilic surface is pulled out of water in a direction transverse to the water surface, a monomolecular film is formed on the substrate with the tree-philic groups of the molecules facing the substrate. As mentioned above, when the substrate is lowered one step, the monomolecular film is overlapped one by one in each process.The direction of the film-forming molecules is reversed in the lifting process and the dipping process, so this method Between each layer, the hydrophilic group of the molecule and the hydrophobic J of one molecule of the hydrophilic group,
(A Y-shaped film is formed in which the hydrophobic groups face each other.On the other hand, in the horizontal attachment method, the substrate is attached horizontally to the water surface and transferred, and one molecule of the hydrophobic group faces the substrate side.) The film is formed on the board. In this method, even if a monomolecular film is accumulated, there is no change in the orientation of the film-forming molecules, and in all layers, the #aqueous groups face the substrate; On the contrary, in all cases, the cumulative film in which the hydrophilic groups face the substrate is called a Z-type film. This is a method of transferring a monomolecular film onto a substrate surface.The method of transferring a monomolecular film onto a substrate is not limited to these methods.In other words, when using a large-area substrate, the substrate is pushed out from a substrate roll into a water layer. In addition, the directions of the above-mentioned woodphilic groups and hydrophobic groups toward the substrate are in principle, and can be changed by surface treatment of the substrate, etc.

本発明において、第2の発光層を構成する混合分子堆積
膜を形成する方法として、特に好ましい方法は、抵抗加
熱蒸着法やCVD法であり、例えば、蒸着法では、第2
の発光層として、 5ooA程度のS膜が形成できる。
In the present invention, particularly preferred methods for forming the mixed molecule deposited film constituting the second light-emitting layer are resistance heating evaporation method and CVD method.
An S film of about 5ooA can be formed as a light emitting layer.

例えば、抵抗加熱蒸着法による場合は、材料を真空槽中
に置いたタングステンボードに入れ、基板から30cm
以にはなし、抵抗加熱し、昇華性のものは昇華温度に設
定し、溶融性のものは融点以上の温度に設定して蒸着す
る。前真空度は、2X10Torr以下にし、蒸着前に
シャッターでふさぎ、ポートを加熱し2分はど空とばし
した後。
For example, when using the resistance heating vapor deposition method, the material is placed in a tungsten board placed in a vacuum chamber, and the material is placed 30 cm from the substrate.
In the following, resistance heating is performed, and sublimable materials are set at the sublimation temperature, and meltable materials are vapor deposited at a temperature higher than the melting point. The pre-vacuum level was set to 2 x 10 Torr or less, and the port was closed with a shutter before vapor deposition, and the port was heated and left in the air for 2 minutes.

シャッターを開いて蒸着する。Open the shutter and deposit.

蒸着中の速度は、水晶振動子の膜厚モニターで測定しな
がら行なうが、好適な速度としては0゜lλ/sec 
〜100λ/secの間で行なう、その際の真空度は酸
化などを防ぐために、1OTarr以下、好ましくはl
 OTart程度になるように保つことにより行なう。
The speed during deposition is measured using a crystal oscillator film thickness monitor, but a suitable speed is 0゜λ/sec.
~100λ/sec, and the degree of vacuum at that time is 1OTarr or less, preferably l to prevent oxidation etc.
This is done by keeping it at about OTart.

本発明のEL素子は、前述の如き2層の電極層のうち、
透明電極層に面する第一1層として、上記の化合物から
相対的に電子受容性である化合物と適当なドナーを選択
して混合物とし1例えばLB法により、混合単分子膜ま
たはその累積膜を形成し、且つ、背面電極層に面する第
2層として、上記の化合物から相対的に電子供与性であ
る化合物と適当なアクセプターを選択して混合物とし、
上記の如き方法により混合分子堆積膜を形成し、発光層
を2暦構造とすることにより得られる。
In the EL element of the present invention, among the two electrode layers as described above,
As the first layer facing the transparent electrode layer, a relatively electron-accepting compound and an appropriate donor are selected from the above compounds, and a mixture is prepared.1 For example, by the LB method, a mixed monomolecular film or a cumulative film thereof is formed. forming a mixture of a relatively electron-donating compound and an appropriate acceptor selected from among the above-mentioned compounds as the second layer facing the back electrode layer;
This can be obtained by forming a mixed molecule deposited film using the method described above, and forming a light-emitting layer with a two-layer structure.

従来の技術の項で述べた通り、LB法によりEL素子を
形成することは公知であるが、該公知の方法では、十分
な性能のEL素子が得られず、本発明者は、種々研究の
結果、発光層を2層構造とし、・第1層の発光層を、前
述の如きドナーを含む相対的に電子受容性である化合物
を用いて混合単分子膜あるいはその累Mi11%として
形成し、且つ第2層を、第1NIに対してアクセプター
を含む相対的に電子供与性fある化合物から混合分子堆
積膜として形成することにより、従来技術のEL素子の
性能が著しく向上することを知見したものである。
As mentioned in the prior art section, it is known to form an EL element by the LB method, but this known method does not allow for obtaining an EL element with sufficient performance, and the present inventor has conducted various research studies. As a result, the light-emitting layer has a two-layer structure, and the first light-emitting layer is formed as a mixed monomolecular film or its cumulative Mi11% using a relatively electron-accepting compound containing a donor as described above, In addition, it has been discovered that the performance of the conventional EL element can be significantly improved by forming the second layer as a mixed molecule deposited film from a compound that is relatively electron-donating and contains an acceptor with respect to the first NI. It is.

本発明の1つの態様は、第1の発光層が、ドナーを含む
前記発光性材料からなる混合単分子膜である態様である
。この態様のEL素子は、まず最初に、第2の層に対し
て相対的に電子受容性である材料とドナーとからなる混
合物を、適当な有機溶剤、例えばクロロホルム、ジクロ
ロメタン、ジクロロエタン等中に約10−−1 (ii
”M程度の濃度に溶解し、該溶液を、各種の金属イオン
を含有してもよい適当なpH(例えば、pEI約1〜8
 )の水相上に展開させ、溶剤を蒸発除去して混合単分
子膜を形成し、前述の如くのLB法で、一方の透明電極
基板上に移し取って第1層とし、十分に乾燥し。
One embodiment of the present invention is an embodiment in which the first light-emitting layer is a mixed monomolecular film made of the luminescent material containing a donor. The EL device of this embodiment is prepared by first preparing a mixture of a donor and a material that is relatively electron-accepting for the second layer in a suitable organic solvent such as chloroform, dichloromethane, dichloroethane, etc. 10--1 (ii
"M", and the solution is adjusted to an appropriate pH (e.g., pEI of about 1 to 8), which may contain various metal ions.
), and the solvent was evaporated to form a mixed monomolecular film, which was then transferred onto one transparent electrode substrate as the first layer using the LB method as described above, and thoroughly dried. .

次いで、このように形成した第1層に対して相対的に電
子供与性である材料と7クセプターとからなる混合物を
、前記の如き分子堆積法により、混合分子堆積膜として
第2層を形成し、次いで、この第2の層の表面に2例え
ばアルミニウム、銀。
Next, a second layer is formed as a mixed molecular deposition film using a mixture of a material that is electron-donating relative to the first layer formed in this way and seven receptors by the molecular deposition method as described above. , then on the surface of this second layer 2, e.g. aluminum, silver.

金等の電極材料を、好ましくは蒸着等により蒸着させて
背面電極層を形成することによって得られる。
The back electrode layer is obtained by depositing an electrode material such as gold, preferably by vapor deposition or the like.

このようにして得られたEL素子の2層からなる発光層
の厚さは、使用した材料の種類によって異なるが、一般
的には約0.01〜lILmの厚さが好ましい。
The thickness of the two-layer light emitting layer of the EL device thus obtained varies depending on the type of material used, but is generally preferably about 0.01 to 1 ILm thick.

また、別の重要な態様は、本発明のEL素子の発光層を
構成する第1層を、上記の混合単分子膜の累積膜とする
態様である。該態様は、前記のLB法を用いることによ
り、上記のI20き混合単分子膜を種々の方法で必要な
暦数まで累積し、次いで第2層を上記の如くに形成する
ことによって得られる。
Another important aspect is that the first layer constituting the light emitting layer of the EL device of the present invention is a cumulative film of the above mixed monomolecular film. This embodiment can be obtained by accumulating the above I20 mixed monolayer in various ways to the required number of layers using the LB method described above, and then forming the second layer as described above.

このようにして得られる本発明のEL素子の発光層の厚
さは、任意に変更することができるが、本発明において
は、第1層の混合単分子膜の累積数を約4〜200とし
、第2層の厚さを約00O1〜0.5pmとし、発光層
全体の厚さを約0゜02〜1.mとするのが好適である
The thickness of the light-emitting layer of the EL device of the present invention obtained in this way can be changed arbitrarily, but in the present invention, the cumulative number of mixed monomolecular films in the first layer is about 4 to 200. , the thickness of the second layer is about 0.001~0.5 pm, and the thickness of the entire light emitting layer is about 0.02~1.0 pm. It is preferable to set it to m.

なお、基板として使用する一方の電極層あるいは両方の
電極層と発光層との接着は、LB法および分子堆積法に
おいては十分に強固なものであり、発光層が剥離したり
剥落したりすることはないが、接着力を強化する目的で
、基板表面をあらかじめ処理しておいたり、あるいは基
板と発光層との間に適当な接着剤層を設けてもよい、更
に、LB法において1発光層の形成用材料の種類や使用
する水層のpH,イオン種、水温、単分子膜の転移速度
あるいは単分子膜の表面圧等の種々の条件を調節によっ
ても接着力を強化することができる。
Note that the adhesion between one or both electrode layers used as a substrate and the light-emitting layer is sufficiently strong in the LB method and molecular deposition method, and the light-emitting layer does not peel or fall off. However, in order to strengthen the adhesive strength, the substrate surface may be treated in advance, or an appropriate adhesive layer may be provided between the substrate and the light emitting layer.Furthermore, in the LB method, one light emitting layer may be The adhesive strength can also be strengthened by adjusting various conditions such as the type of material used to form the adhesive, the pH of the water layer used, the ion species, the water temperature, the transfer rate of the monomolecular film, or the surface pressure of the monomolecular film.

以上の如くして形成されたEL素子は、そのままでは空
気中の湿気や酸素の影響でその性能が劣化することがあ
るので、従来公知の手段で耐湿。
Since the performance of the EL element formed as described above may deteriorate due to the influence of moisture and oxygen in the air, it is made moisture resistant by conventionally known means.

耐酸素性の′!E封構造とするのが望ましい。Oxygen resistant’! It is desirable to have an E-sealed structure.

以上の如き木:5?!す1のEL素子は、その発光層の
構造が、超薄膜であり、且つ第1層が、EL素子の作動
上必要な高度の分子秩序性と機能を有しており、且つ、
$2層と第1層とが、種々の電気的相互作用を行なうこ
とにより、優れた発光性能を発揮するものである。
Trees like the above: 5? ! In the EL device No. 1, the structure of the light emitting layer is an ultra-thin film, and the first layer has a high degree of molecular order and function necessary for the operation of the EL device, and
The $2 layer and the first layer exhibit excellent light emitting performance through various electrical interactions.

更に、未発rJ1のEI、素子の発光層は、第1図に図
解的に示すように、従来技術の単一層からなる発光層と
は異なり、第2図に図解的に示すように、第1の発光層
と第2の発光層とが均一な界面を有しているので、それ
らの電気陰性度の異なる2層間での各種相互作用が極め
て容易であり、従来技術では達成しえない程度の優れた
発光性能を発揮するものである。すなわち、第1の発光
層と第2の発光層との電気陰性度の差等を種々変更する
ことによって、発光強度を向上させたり、あるいは発光
色を任意に変更でき、また、その耐用寿命も著しく延長
させることができる。
Furthermore, the emissive layer of the device for the EI of unreleased rJ1 is different from the emissive layer consisting of a single layer in the prior art, as schematically shown in FIG. Since the first light-emitting layer and the second light-emitting layer have a uniform interface, various interactions between these two layers with different electronegativities are extremely easy, to a degree that cannot be achieved with conventional technology. It exhibits excellent light emitting performance. That is, by variously changing the difference in electronegativity between the first light-emitting layer and the second light-emitting layer, the light emission intensity can be improved or the light emission color can be changed arbitrarily, and the service life can also be changed. It can be significantly extended.

更に、従来技術では1発光性が優れているが。Furthermore, the conventional technology has excellent luminescence properties.

成膜性やnり強度が不十分な材料は実質上使用できなか
ったが、本発明においては、このような成膜性や膜強度
が劣るが、発光性に優れた材料でも、いずれか一方の層
に成膜性に優れた材料を使用することによって、発光性
、成膜性および膜強度のいずれもが優れた発光層を得る
ことができる。
Materials with insufficient film-forming properties or film strength could not be practically used, but in the present invention, even materials with poor film-forming properties or film strength but excellent luminescence properties can be used. By using a material with excellent film-forming properties for the layer, it is possible to obtain a light-emitting layer that is excellent in all of luminescent properties, film-forming properties, and film strength.

以上の本発明のEL素子は、その発光層に好適な電界等
の電気エネルギーが作用するように、電極層間に、交流
またはパルスあるいは直流電流等の電気エネルギーを印
加することにより、優れたEL発光を示すものである。
The EL device of the present invention described above can achieve excellent EL emission by applying electrical energy such as alternating current, pulse, or direct current between the electrode layers so that electrical energy such as a suitable electric field acts on the light emitting layer. This shows that.

次に実施例をあげて本発明を更に具体的に説明する。な
お、文中811とあるのは重量基準である。
Next, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples. Note that 811 in the text is based on weight.

実施例1 50iam角のガラス板の表面上にスパッタリング法に
より膜厚1500AのITO層を蒸着して、透明電極を
形成した。この成膜基板を充分洗浄後、Joyce −
Loebe1社製のLangmuir −Trough
4の4X10  molのGdG12を含みpi(6,
5に調整された水相中に浸漬した0次に。
Example 1 A transparent electrode was formed by depositing an ITO layer with a thickness of 1500 Å on the surface of a 50 ia square glass plate by sputtering. After thoroughly cleaning this film-forming substrate, Joyce -
Langmuir-Trough manufactured by Loebe1
Pi(6,
0 order immersed in an aqueous phase adjusted to 5.

(A)        (B) 上記化合物(A)およびCB)をlO:lのモル比でク
ロロホルムに溶かした( 10”” mol / fL
 )後、上記水相上にh(開させた。溶媒のクロロホル
ムを蒸発除去後1表面圧を高めて(30dyne/cm
) 、上記混合分子を膜状に析出させた。その後、表面
圧を一定に保ちながら、該成膜基板を、水面を横切る方
向に静かに上下させ(上下速度2crn/ win )
 、混合単分子膜を基板上に移し取り。
(A) (B) The above compounds (A) and CB) were dissolved in chloroform at a molar ratio of 1O:l (10”” mol/fL
), the solution was poured onto the aqueous phase. After the solvent chloroform was removed by evaporation, the surface pressure was increased (30 dyne/cm).
), the above mixed molecules were deposited in the form of a film. Thereafter, while keeping the surface pressure constant, the film-forming substrate was gently moved up and down in a direction across the water surface (vertical speed 2 crn/win).
, transfer the mixed monolayer onto the substrate.

5層に累積した混合単分子累積膜を作成した。この累積
工程において、該基板を水槽から引きあげる都度、30
分間以上放置して基板に付着している水分を蒸発除去し
た。
A mixed monomolecular cumulative film with five layers was created. In this cumulative process, each time the substrate is pulled up from the water tank,
The moisture adhering to the substrate was evaporated by leaving it for more than a minute.

次に、抵抗加熱蒸着装置を用いて、上記の混合単分子膜
の累積膜を設けた透明電極基板上に、アントラセン(B
)(mp、216℃)とインダゾル(D)(mp 、1
46℃)を50OAの膜厚に蒸着させた。この蒸着は、
蒸着槽を一度10−′Tartの真空度まで減圧し、抵
抗加熱ボード(MO)の温度を徐々に上げてゆき、イン
ダゾールの蒸着速度がIA/sec程度になるように、
抵抗加熱ボードに流れる電流を一定に保ち、全蒸着速度
が5 A / !eCとなるように、アントラセンを入
れたボードに流れる電流を調節して蒸着膜を形成した。
Next, using a resistance heating evaporation device, anthracene (B
) (mp, 216°C) and indasol (D) (mp, 1
46° C.) was deposited to a film thickness of 50 OA. This vapor deposition is
The vapor deposition tank was once depressurized to a vacuum level of 10-'Tart, and the temperature of the resistance heating board (MO) was gradually raised so that the indazole vapor deposition rate was approximately IA/sec.
Keeping the current flowing through the resistance heating board constant, the total deposition rate is 5 A/! A deposited film was formed by adjusting the current flowing through the board containing anthracene so that eC.

蒸着時の真空度は、9 X I O−’ Torrであ
った。また、基板ホルダーの温度は、20℃の水を循環
させて一定に保った。
The degree of vacuum during vapor deposition was 9 X I O-' Torr. Further, the temperature of the substrate holder was kept constant by circulating 20° C. water.

最後に、上記のように形成された薄膜を蒸27槽に入れ
て、核種を一度10Torrの真空度まで減圧した後、
真空度10 Torrに調整して蒸着速度20λ/se
c テ、  1500λ(7) II!厚でAIを該薄
膜上に蒸着して背面電極とした0作成されたEL素子を
図3に例示したように、シールガラスでシールしたのち
、従来方法に従って、精製および脱気、脱水されたシリ
コンオイルをシール中に注入して、本発明のEL発光セ
ルを形成した。これらのEL発光セルにIOV、400
Hzの交流電圧を印加したところ、電流密度0 、10
mA/c1fで輝度27ft−LのEL発光を示した。
Finally, the thin film formed as described above was placed in a steaming tank 27, and the nuclide was once depressurized to a vacuum level of 10 Torr.
Vacuum level adjusted to 10 Torr and deposition rate 20λ/se
c Te, 1500λ(7) II! The fabricated EL device was made by depositing AI on the thin film to form a back electrode, and as illustrated in FIG. Oil was injected into the seal to form the EL light emitting cell of the present invention. IOV, 400 for these EL light emitting cells
When an AC voltage of Hz was applied, the current density was 0, 10
It exhibited EL light emission with a brightness of 27 ft-L at mA/c1f.

上・記の本発明のEL素子は、従来例のZnSを発光母
体としたEL素子と比較し、駆動電圧が低く、発光輝度
特性の良いEL素子であった。
The EL devices of the present invention described above had lower driving voltages and better luminance characteristics than conventional EL devices using ZnS as a light emitting matrix.

比較例1 実施例1において、第2層を形成しなかったことを除い
て、他は実施例1と同様にして比較用のEL素子を得、
且つ実施例1と同様に評価したところ、電流密度0.1
1mA/c♂で輝度1ft−L以下であった。
Comparative Example 1 A comparative EL element was obtained in the same manner as in Example 1 except that the second layer was not formed.
Moreover, when evaluated in the same manner as in Example 1, the current density was 0.1
The brightness was 1 ft-L or less at 1 mA/c♂.

実施例2 実施例1における化合物A、B、CおよびDに代えて、
下記化合物E、F、GおよびHな使用し、 E       F      G      H他は
実施例1と同様にして1本発明のEL素子(但し、累積
数は5)を得、実施例1と同一条件で評価したところ、
電流密度0 、12mA/c履2で、輝度(Ft−L)
は28であった。
Example 2 In place of compounds A, B, C and D in Example 1,
The following compounds E, F, G and H were used, and E F G H and others were used in the same manner as in Example 1 to obtain an EL device of the present invention (however, the cumulative number was 5), and under the same conditions as Example 1. When evaluated,
Brightness (Ft-L) at current density 0, 12mA/c 2
was 28.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、従来技術のLB法によるEL素子を図解的に
示したものであり、第2図は、本発明のEL素子を図解
的に示したものであり、第3図は本発明のEL素子の断
面を図解的に示したものである。
FIG. 1 schematically shows an EL device using the LB method of the prior art, FIG. 2 schematically shows an EL device according to the present invention, and FIG. 3 schematically shows an EL device according to the present invention. It is a diagram schematically showing a cross section of an EL element.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  2層構造の発光層と、該発光層を挟持する透明電極層
および背面電極層とからなるEL素子において、第1の
発光層が、上記透明電極層に面し、且つ第2の発光層に
対して相対的に電子受容性の電気的発光性有機化合物と
該化合物に対し相対的に電子供与性の有機化合物との混
合物からなる混合単分子膜またはその累積膜からなり、
第2の発光層が、上記の背面電極層に面し、且つ第1の
発光層に対して相対的に電子供与性の電気的発光性有機
化合物と該化合物に対し相対的に電子受容性の有機化合
物との混合物からなる混合分子堆積膜からなることを特
徴とする上記EL素子。
In an EL device consisting of a two-layered light-emitting layer, a transparent electrode layer and a back electrode layer sandwiching the light-emitting layer, the first light-emitting layer faces the transparent electrode layer and the second light-emitting layer faces the second light-emitting layer. consisting of a mixed monomolecular film or a cumulative film thereof consisting of a mixture of an electroluminescent organic compound that is electron-accepting relative to the compound and an organic compound that is electron-donating relative to the compound;
A second light-emitting layer faces the back electrode layer and includes an electroluminescent organic compound that is electron-donating relative to the first light-emitting layer and an electroluminescent organic compound that is electron-accepting relative to the first light-emitting layer. The above-mentioned EL device is made of a mixed molecule deposited film made of a mixture with an organic compound.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0666302U (en) * 1993-03-10 1994-09-20 今野 均 Rubber boots for muddy

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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