JPS6143292Y2 - - Google Patents
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- JPS6143292Y2 JPS6143292Y2 JP10571580U JP10571580U JPS6143292Y2 JP S6143292 Y2 JPS6143292 Y2 JP S6143292Y2 JP 10571580 U JP10571580 U JP 10571580U JP 10571580 U JP10571580 U JP 10571580U JP S6143292 Y2 JPS6143292 Y2 JP S6143292Y2
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- JP
- Japan
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- diode
- voltage
- circuit
- local oscillation
- varactor diode
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- Expired
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 11
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はPLL周波数シンセサイザ受信機におけ
る温度変化による受信感度の低下の改善に関する
ものである。[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to improving the reduction in reception sensitivity due to temperature changes in a PLL frequency synthesizer receiver.
一般にPLLシンセサイザ受信機としては第１図
のものが用いられており、アンテナ入力側の同調
回路１はバラクタダイオードC1とインダクタン
スL1とで構成され、ミキサ２に入力される。ミ
キサ２、局部発振器４及びIF増幅器３とはIC５
として集積化されている。PLL回路６は基準周波
数発振器７、分周器９、位相比較器８及びローパ
スフイルタ１０より成り、制御用直流電圧ＶTは
局部発振回器４に連なるバラクタダイオードC2
及び前記アンテナ入力側の同調回路１のバラクタ
ダイオードC1に導かれる。コイルL2は局部発振
回路４の共振回路を形成するインダクタンスであ
る。 Generally, the PLL synthesizer receiver shown in FIG. 1 is used, and a tuning circuit 1 on the antenna input side is composed of a varactor diode C 1 and an inductance L 1 and is input to a mixer 2. Mixer 2, local oscillator 4 and IF amplifier 3 are IC5
It is integrated as The PLL circuit 6 consists of a reference frequency oscillator 7, a frequency divider 9, a phase comparator 8, and a low-pass filter 10, and the control DC voltage V T is connected to a varactor diode C 2 connected to the local oscillator 4.
and is led to the varactor diode C 1 of the tuning circuit 1 on the antenna input side. Coil L 2 is an inductance forming a resonant circuit of local oscillation circuit 4 .
上述の従来より用いられている回路の場合、周
囲温度の変化に伴い、IC５の内部で、とくに局
部発振器４を構成するトランジスタのコレクタ電
流の変化がコレクタ容量の変化を生じさせても、
局部発振周波数のドリフトはPLLの動作により基
準周波数発振器７のドリフト、即ちクリスタルの
温度変化である50PPM／℃程度におさまること
になるが、制御用直流電圧ＶTは温度変化に伴な
い変化しているから同じ電圧を用いて制御される
バラクタダイオードC1はその分だけズレを生
じ、アンテナ側の同調回路１は同調周波数を移動
させて受信感度の低下を招くことになる。 In the case of the conventionally used circuit described above, even if a change in the collector current of the transistor constituting the local oscillator 4 causes a change in the collector capacitance inside the IC 5 due to a change in the ambient temperature,
The drift of the local oscillation frequency will be suppressed to about 50 PPM/℃, which is the drift of the reference frequency oscillator 7 due to the operation of the PLL, that is, the temperature change of the crystal, but the control DC voltage V T will change with the temperature change. Therefore, the varactor diode C 1 controlled using the same voltage will cause a corresponding deviation, and the tuning circuit 1 on the antenna side will shift the tuning frequency, resulting in a decrease in receiving sensitivity.
尚、上述例では高周波増幅段の同調回路を省略
してあるが、該同調回路のバラクタダイオードに
対しても前記制御用直流電圧ＶTは供給されてい
るので、同様の感度低下を招くことになる。 In the above example, the tuning circuit of the high-frequency amplification stage is omitted, but since the control DC voltage V T is also supplied to the varactor diode of the tuning circuit, a similar decrease in sensitivity may occur. Become.
本考案はこの点を改善したもので、第２図がそ
の回路例である。前述の従来例と同一の部分は同
一符号を用い、同一構成のブロツクは内部の構成
を省略してある。 The present invention improves this point, and FIG. 2 shows an example of the circuit. The same parts as in the conventional example described above are given the same reference numerals, and the internal structure of blocks having the same structure is omitted.
制御用直流電圧はアンテナ側の同調回路１のバ
ラクタダイオードC1に対してはそのまま供給さ
れるが、局部発振器４に連なるバラクタダイオー
ドC2に対してはダイオードD1を直列に挿入して
供給され、ダイオードD1の出力側は抵抗R1を介
して接地される。このように構成することによ
り、制御用直流電圧は、ダイオードD1、抵抗R1
の回路に電流を流し、バラクタダイオードC2に
加わる制御電圧はダイオードD1における電圧降
下分だけ低下する。一方、周囲温度の変化によ
り、前記のようにIC５の内部で容量変化が生じ
るが、この変動を打消す方向にバラクタダイオー
ドC2の容量を変化せしめれば目的は達せられる
わけで、これを前記のダイオードD1による電圧
降下の温度による変動によつて行うことになる。
これはダイオードD1の温度係数、抵抗R1の抵抗
値を選択することにより、充分満足の得られる結
果が得られる。 The control DC voltage is supplied as is to the varactor diode C 1 of the tuning circuit 1 on the antenna side, but is supplied to the varactor diode C 2 connected to the local oscillator 4 by inserting a diode D 1 in series. , the output side of diode D 1 is grounded via resistor R 1 . With this configuration, the control DC voltage is controlled by the diode D 1 and the resistor R 1
When current flows through the circuit, the control voltage applied to the varactor diode C2 is reduced by the voltage drop across the diode D1 . On the other hand, due to changes in ambient temperature, capacitance changes occur inside IC5 as described above, but the purpose can be achieved by changing the capacitance of varactor diode C2 in a direction that cancels out this variation. This is done by changing the voltage drop across the diode D1 due to temperature.
A fully satisfactory result can be obtained by selecting the temperature coefficient of the diode D1 and the resistance value of the resistor R1 .
以上のように、本考案は、温度補償用ダイオー
ドを上記局部発振回路のバラクタダイオードに直
列に挿入すると共に、同温度補償用ダイオードの
出力側を抵抗を介して接地して、上記制御用直流
電圧を局部発振回路のバラクタダイオードに供給
するようにし、上記局部発振回路を構成するトラ
ンジスタの温度変化によるコレクタ容量の変動分
を、上記温度補償用ダイオードの電圧降下分が上
記局部発振回路のバラクタダイオードの容量変化
を生じさせることにより打消すように構成し而し
て、本考案によれば従来の、PLL周波数シンセサ
イザ受信機における制御用直流電圧が温度変化に
伴ない変化して、アンテナ側の同調回路の同調周
波数を移動し、この結果、受信感度の低下を招く
欠点を解決しうる利点がある。 As described above, in the present invention, a temperature compensation diode is inserted in series with the varactor diode of the local oscillation circuit, and the output side of the temperature compensation diode is grounded via a resistor, and the control DC voltage is is supplied to the varactor diode of the local oscillation circuit, and the variation in collector capacitance due to temperature change of the transistor constituting the local oscillation circuit is compensated for by the voltage drop of the temperature compensation diode being supplied to the varactor diode of the local oscillation circuit. According to the present invention, the control DC voltage in the conventional PLL frequency synthesizer receiver changes with temperature change, and the tuning circuit on the antenna side changes. This has the advantage of being able to move the tuning frequency of the receiver, thereby solving the disadvantage of lowering reception sensitivity.
第１図は従来例、第２図は本考案の、それぞれ
の回路図であつて、図中、
１……アンテナ側同調回路、４……局部発振回
路、６……PLL回路、C1……アンテナ側同調用
バラクタダイオード、C2……局部発振器用バラ
クタダイオード、D1……温度補償用ダイオー
ド、ＶT……制御用直流電圧、である。
Fig. 1 is a circuit diagram of the conventional example, and Fig. 2 is a circuit diagram of the present invention . ... Varactor diode for antenna side tuning, C 2 ... Varactor diode for local oscillator, D 1 ... Diode for temperature compensation, V T ... DC voltage for control.
Claims (1)
制御用制御用直流電圧をアンテナ側及び高周波増
幅側の同調用バラクタダイオードの制御用直流電
圧としても利用するスーパーヘテロダイン受信機
において、温度補償用ダイオードを上記局部発振
回路のバラクタダイオードに直列に挿入すると共
に、同温度補償用ダイオードの出力側を抵抗を介
して接地して、上記制御用直流電圧を局部発振回
路のバラクタダイオードに供給するようにし、上
記局部発振回路を構成するトランジスタの温度変
化によるコレクタ容量の変化分を、上記温度補償
用ダイオードの電圧降下分が上記局部発振回路の
バラクタダイオードの容量変化を生じさせること
により打消すように構成したことを特徴とするシ
ンセサイザ受信器の温度補償回路。 In a superheterodyne receiver that uses a PLL circuit as a local oscillation circuit and uses the control DC voltage of the PLL circuit as the control DC voltage of the tuning varactor diode on the antenna side and high frequency amplification side, the temperature compensation diode is inserted in series with the varactor diode of the local oscillation circuit, and the output side of the temperature compensation diode is grounded via a resistor, so that the control DC voltage is supplied to the varactor diode of the local oscillation circuit. The voltage drop of the temperature compensating diode causes a change in the capacitance of the varactor diode of the local oscillation circuit, thereby canceling out a change in collector capacitance due to a temperature change of the transistor constituting the local oscillation circuit. A temperature compensation circuit for a synthesizer receiver, characterized in that:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10571580U JPS6143292Y2 (en) | 1980-07-28 | 1980-07-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10571580U JPS6143292Y2 (en) | 1980-07-28 | 1980-07-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5734606U JPS5734606U (en) | 1982-02-23 |
| JPS6143292Y2 true JPS6143292Y2 (en) | 1986-12-08 |
Family
ID=29467076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10571580U Expired JPS6143292Y2 (en) | 1980-07-28 | 1980-07-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6143292Y2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH075699Y2 (en) * | 1986-07-14 | 1995-02-08 | 東光株式会社 | AM receiver tuning circuit |
| JPH075700Y2 (en) * | 1986-07-14 | 1995-02-08 | 松下電器産業株式会社 | AM receiver tuning circuit |
-
1980
- 1980-07-28 JP JP10571580U patent/JPS6143292Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5734606U (en) | 1982-02-23 |
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