JPS6142391B2 - - Google Patents

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JPS6142391B2
JPS6142391B2 JP7510380A JP7510380A JPS6142391B2 JP S6142391 B2 JPS6142391 B2 JP S6142391B2 JP 7510380 A JP7510380 A JP 7510380A JP 7510380 A JP7510380 A JP 7510380A JP S6142391 B2 JPS6142391 B2 JP S6142391B2
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circuit
voltage
switching semiconductor
current
pulse width
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JP7510380A
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Japanese (ja)
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Kenji Hatsutori
Takumi Mizukawa
Mitsusachi Kiuchi
Hideyuki Kominami
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は誘導加熱調理器に関するもので、特に
その制御回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an induction heating cooker, and particularly to a control circuit thereof.

従来、パワースイツチング半導体を用いた高周
波インバータ装置を電源とする誘導加熱調理器に
おいては、金属製鍋材質、あるいは鍋の大きさな
どが大きく変化して負荷変動が非常に大きく、パ
ワースイツチング半導体の使用条件が非常に厳し
くなる欠点があつた。特に、誘導加熱調理器にお
いては、加熱出力を所望のレベルに制御するため
に入力電流を検知して、使用者の設定出力となる
ようにフイードバツク制御する手段が一般的であ
つた。しかし、入力電流を単に所定のレベルに制
御すると、負荷変動、あるいは入力電源電圧の変
動により、パワースイツチング半導体に大きな負
坦がかかり、損失が増加して温度上昇が高くなつ
たり、あるいは、パワースイツチング半導体が破
壊するなどの欠点があつた。本発明は、以上の欠
点を除き、負荷変動、および入力電源電圧変動を
検知して、パワースイツチング半導体の導通を制
御する誘導加熱調理器の制御回路を提供するもの
である。
Conventionally, in induction heating cookers whose power source is a high-frequency inverter device using power switching semiconductors, the material of the metal pot or the size of the pot changes greatly, resulting in extremely large load fluctuations. The disadvantage was that the usage conditions were very strict. In particular, in induction heating cookers, in order to control the heating output to a desired level, it has been common to detect the input current and perform feedback control so as to achieve the output set by the user. However, if the input current is simply controlled to a predetermined level, load fluctuations or fluctuations in the input power supply voltage will place a large load on the power switching semiconductor, increasing losses and increasing temperature. There were drawbacks such as destruction of the switching semiconductor. The present invention eliminates the above drawbacks and provides a control circuit for an induction heating cooker that detects load fluctuations and input power supply voltage fluctuations and controls conduction of a power switching semiconductor.

以下、図面に従がい本発明の一実施例の詳細な
説明を行なう。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail according to the drawings.

第1図は本発明による誘導加熱調理器のインバ
ータ装置の一実施例であり、第2図は本発明によ
る制御回路のブロツクダイヤグラムの一実施例で
ある。第3図は第1図に示すインバータ回路の電
源電圧変動と負荷変動に対する特性図であり、第
4図は本発明による制御回路の一部、具体的実施
例である。
FIG. 1 shows an embodiment of an inverter device for an induction cooking device according to the present invention, and FIG. 2 shows an embodiment of a block diagram of a control circuit according to the present invention. FIG. 3 is a characteristic diagram of the inverter circuit shown in FIG. 1 with respect to power supply voltage fluctuations and load fluctuations, and FIG. 4 is a specific example of a part of the control circuit according to the present invention.

第1図において、低周波交流電源1より整流回
路2に交流電圧を加え、直流電圧に変換し、直流
電源を構成する。整流回路2の直流出力側に、イ
ンバータ回路3を接続する。インバータ回路3は
直流電力を高周波電力に変換するもので、直流電
源ライン間に入力コンデンサ30を接続し、入力
コンデンサ30と並列関係に、加熱コイル31と
スイツチング半導体32の直列接続体を接続す
る。スイツチング半導体32と逆並列にダンパー
ダイオード33を接続し、加熱コイル31と並列
関係に共振用コンデンサ34を接続する。共振用
コンデンサ34は、スイツチング半導体32と並
列接続しても動作は同じである。スイツチング半
導体32はパワートランジスタあるいは、ゲート
ターンオフサイリスタ(略してGTO)などのオ
ンオフ制御可能なパワースイツチング素子であ
る。制御回路4は、インバータ回路3の入力電流
検知用電流変成器40に接続される入力検知端子
40a,40b、入力直流電圧検知端子41a、
スイツチング半導体32の順方向電圧検知端子4
1bおよび、直流電源の一側に接続される共通端
子41c、スイツチング半導体32の制御端子に
接続される出力端子42a,42b、使用者が操
作する可変抵抗器43とその接続端子である入力
設定端子43a,43bを備える。インバータ回
路3の動作は、準E級モードの動作で、ダイパー
ダイオード33が導通してから、スイツチング半
導体32を導通させ、スイツチング半導体32が
ターンオフした時には、加熱コイル31と共振用
コンデンサ34のLC共振により、スイツチング
半導体32の順方向電圧、いわゆるフライバツク
電圧は正弦波状に上昇し、ターンオン損失、ター
ンオフ損失とも少ない特徴がある。
In FIG. 1, an AC voltage is applied from a low frequency AC power source 1 to a rectifier circuit 2 and converted to a DC voltage to constitute a DC power source. An inverter circuit 3 is connected to the DC output side of the rectifier circuit 2. The inverter circuit 3 converts DC power into high frequency power, and has an input capacitor 30 connected between the DC power lines, and a series connection of a heating coil 31 and a switching semiconductor 32 connected in parallel with the input capacitor 30. A damper diode 33 is connected antiparallel to the switching semiconductor 32, and a resonance capacitor 34 is connected in parallel to the heating coil 31. The resonance capacitor 34 operates in the same way even if it is connected in parallel with the switching semiconductor 32. The switching semiconductor 32 is a power switching element that can be turned on and off, such as a power transistor or a gate turn-off thyristor (abbreviated as GTO). The control circuit 4 includes input detection terminals 40a and 40b connected to the input current detection current transformer 40 of the inverter circuit 3, an input DC voltage detection terminal 41a,
Forward voltage detection terminal 4 of switching semiconductor 32
1b, a common terminal 41c connected to one side of the DC power supply, output terminals 42a and 42b connected to the control terminal of the switching semiconductor 32, a variable resistor 43 operated by the user, and an input setting terminal that is a connection terminal thereof. 43a and 43b. The operation of the inverter circuit 3 is in a quasi-class E mode, and after the diper diode 33 becomes conductive, the switching semiconductor 32 is made conductive, and when the switching semiconductor 32 is turned off, the LC resonance of the heating coil 31 and the resonant capacitor 34 is activated. As a result, the forward voltage, so-called flyback voltage, of the switching semiconductor 32 rises in a sinusoidal manner, and is characterized by low turn-on loss and low turn-off loss.

第2図は、本発明による制御回路のブロツクダ
イヤグラムである。インバータ回路3の基本的な
発振制御法は、入力直流電圧VDCとスイツチング
半導体32の順方向電圧VCEとを電圧比較回路4
4に加え、VCEがVDCよりも低くなつた時、同期
パルスVtを発生させて、パルス幅制御回路45
に、同期パルスVtを加え、スイツチング半導体
32のパルス幅制御信号Vpを発生させる。パル
ス幅制御回路45の出力パルス幅は、パルス幅設
定信号VSにより制御される。信号VPは、ゲート
回路46を介して駆動回路47に加えられ、駆動
回路47は、スイツチング半導体32を十分に導
通制御できる電気信号に増幅する。ゲート回路4
6は、発振起動停止回路48により制御され、パ
ルス幅制御信号VPをオンオフさせて、発振停止
させる。順方向電圧検知端子41bより、出力検
知回路49が接続され、スイツチング半導体32
の順方向印加電圧のピーク値にほぼ比例する電圧
信号に変換する。加熱コイル31の電流又はスイ
ツチング半導体32の順方向電流でも動作は同じ
である。出力検知回路49の出力信号VCPは、第
1の比較増幅回路50に加えられ、フライバツク
電圧VCEの電圧設定回路の出力信号VCSと比較増
幅され、オア回路52に加えられる。電圧設定回
路51は、入力直流電圧VDCによつて制御され
る。電流変成器40の信号は、入力電流検知回路
53に加えられ、インバータ回路3の入力電流に
応じた電圧信号に変換され、第2の比較増幅回路
54により、入力設定回路55の入力電流設定信
号と比較増幅され、オア回路52に加えらる。入
力設定回路55は、使用者が操作できる可変抵抗
器55によりその入力電流設定信号を可変でき、
入力電流を所望のレベルに設定できる。オア回路
52は、第1又は第2の比較増幅回路のいずれか
一方の信号レベルを優先するものである。オア回
路52の出力信号は、電圧制限回路よりなるパル
ス幅制限回路56を介して、パルス幅制御回路4
5にパルス幅設定信号VSを加える。第3図は、
インバータ回路3において、電源電圧、およびフ
ライバツク電圧のフイードバツクを行なわない場
合、インバータ回路の入力電流が、電源電圧によ
りどのように変化するかを示したもので、Aは、
通常の鉄系鍋負荷、Bは、非磁性ステンレス系
(SUS304)の鍋負荷である。非磁性ステンレス系
鍋、あるいは、アルミ張り、銅張り鍋は、加熱コ
イル31の等価インダクタンスを減少させ、加熱
コイルインピーダンスを下げて、加熱コイル電流
を増加させ、結果的に出力電力が増加する傾向が
ある。第3図において、Aの鉄系鍋において、電
源電圧100Vにて、入力電流がIOとなるように、
パルス幅制限回路56を調整すると、電源電圧が
100V以下では、スイツチング半導体31の導通
パルス幅は制限されて、ほぼ電源電圧に比例して
入力電流は減少する。また、電源電圧が100V以
上の場合には、入力電流は、一定値IOに制限さ
れ、パルス幅制御される。ところが、加熱コイル
のインピーダンスを下げる傾向の鍋では、電源電
圧が下がつても、入力電流が、一定値IOとな
り、スイツチング半導体31のパルス幅は広が
り、スイツチング半導体31ばかりではなく、
LC部分の発熱は大であり、電源電圧が下がれ
ば、冷却装置である、フアンモータの回転数が下
がり、有効な冷却ができない。
FIG. 2 is a block diagram of a control circuit according to the invention. The basic oscillation control method of the inverter circuit 3 is to convert the input DC voltage V DC and the forward voltage V CE of the switching semiconductor 32 into the voltage comparison circuit 4.
In addition to 4, when V CE becomes lower than V DC , a synchronizing pulse V t is generated and the pulse width control circuit 45
A synchronizing pulse V t is added to the pulse width control signal V p of the switching semiconductor 32 to generate the pulse width control signal V p. The output pulse width of the pulse width control circuit 45 is controlled by a pulse width setting signal V S . The signal V P is applied to a drive circuit 47 via a gate circuit 46, and the drive circuit 47 amplifies it into an electrical signal that can sufficiently control the conduction of the switching semiconductor 32. Gate circuit 4
6 is controlled by an oscillation start/stop circuit 48 to turn on/off the pulse width control signal V P to stop oscillation. An output detection circuit 49 is connected to the forward voltage detection terminal 41b, and the switching semiconductor 32
is converted into a voltage signal approximately proportional to the peak value of the forward applied voltage. The operation is the same whether the heating coil 31 current or the switching semiconductor 32 forward current is used. The output signal V CP of the output detection circuit 49 is applied to a first comparison amplifier circuit 50 , where it is compared and amplified with the output signal V CS of the voltage setting circuit for the flyback voltage V CE and applied to an OR circuit 52 . Voltage setting circuit 51 is controlled by input DC voltage V DC . The signal from the current transformer 40 is applied to an input current detection circuit 53 and converted into a voltage signal corresponding to the input current of the inverter circuit 3.The signal from the current transformer 40 is then converted into a voltage signal corresponding to the input current of the inverter circuit 3. It is compared with and amplified and added to the OR circuit 52. The input setting circuit 55 can vary its input current setting signal using a variable resistor 55 that can be operated by the user.
Input current can be set to desired level. The OR circuit 52 gives priority to the signal level of either the first or second comparison amplifier circuit. The output signal of the OR circuit 52 is transmitted to the pulse width control circuit 4 through a pulse width limiting circuit 56 consisting of a voltage limiting circuit.
Add the pulse width setting signal V S to 5. Figure 3 shows
This shows how the input current of the inverter circuit changes depending on the power supply voltage when the power supply voltage and flyback voltage are not fed back in the inverter circuit 3.
A normal iron pot load, B, is a non-magnetic stainless steel (SUS304) pot load. Non-magnetic stainless steel pots, aluminum-clad pots, and copper-clad pots tend to reduce the equivalent inductance of the heating coil 31, lower the heating coil impedance, and increase the heating coil current, resulting in an increase in output power. be. In Fig. 3, in the iron pot A, the input current is IO at a power supply voltage of 100V.
By adjusting the pulse width limiting circuit 56, the power supply voltage
Below 100V, the conduction pulse width of the switching semiconductor 31 is limited, and the input current decreases approximately in proportion to the power supply voltage. Further, when the power supply voltage is 100V or more, the input current is limited to a constant value I O and pulse width controlled. However, in a pot that tends to lower the impedance of the heating coil, even if the power supply voltage decreases, the input current remains at a constant value I O , and the pulse width of the switching semiconductor 31 widens.
The LC section generates a large amount of heat, and if the power supply voltage drops, the rotation speed of the fan motor, which is the cooling device, will drop, making effective cooling impossible.

そこで、負荷変動による補正をするために、ス
イツチング半導体のフライバツク電圧などのイン
バータ回路の出力に応じた信号を検知してフイー
ドバツク制御するだけではなく、電源電圧を検知
して、電源電圧が下がれば、スイツチング半導体
のパルス幅を狭くする。第4図は、本発明の具体
的な一実施例であり、順方向電圧検知端子41b
より、抵抗490a,490bを直列接続し、ダ
イオード491と、平滑コンデンサ492と抵抗
493よりなる積分回路の直列接続体を抵抗49
0bと並列関係に接続する。平滑コンデンサ49
2の電圧は、スイツチング半導体32の順方向ピ
ーク電圧にほぼ比例した電圧となり、この電圧信
号VCPを第1の比較増幅回路50のオペレーシヨ
ナルアンプリフアイヤ(略してオペアンプ)50
0の+入力に加える。オペアンプ500の−入力
には、電圧設定回路51の出力信号VCSが入力抵
抗501を介して加えられ、帰還抵抗502によ
り、ゲインが調整される。電圧設定回路51の出
力信号VCSが一定ならば、フライバツク電圧VCE
にほぼ比例して比較増幅回路50の出力電圧は変
化する。電圧設定回路51の構成は、入力直流電
圧検知端子41aより、抵抗510a,510b
を直列接続し、抵抗510bと並列にチエナーダ
イオード511を接続する。チエナーダイオード
511の両端の電圧は、交流電源電圧が定常状
態、例えば100Vでちようどクリツプし、定常電
圧以下では、電源電圧にほぼ比例した電圧が出
る。抵抗510bには、平滑コンデンサ512を
並列接続し入力直流電圧のリツプル分を減らす。
チエナーダイオード511のカソード端子よりト
ランジスタ513のベースに接続し、トランジス
タ513のコレクタはコレクタ抵抗514を介し
て、制御回路の直流低電圧+VCCな接続される。
トランジスタ513のエミツタには、抵抗515
とコンデンサ516よりなる並列回路が接続さ
れ、インピーダンス変換をする。抵抗515に生
じる電圧VCSは、ほぼ、チエナーダイオード51
1の電圧に等しく、定常の電源電圧以上では、一
定値となり、定常値よりも下がると、電源電圧に
対応した値となる。よつて、第1の比較増幅回路
50の設定電圧VCSは、電源電圧が下がれば、下
がり、比較するスイツチング半導体32の順方向
電圧VCEを電源電圧に応じて下げる役目をする。
第1の比較増幅回路50の出力信号は、オア回路
52に加えられ、オア回路52は、第1の比較増
幅回路50の電圧又は、第2の比較増幅回路54
のいずれか、電圧の高い信号が、ダイオード52
0a,520bのダイオードオア接続により、コ
ンデンサ521と抵抗522よりなる平滑回路に
加えられる。コンデンサ521の電圧が高くなれ
ば、スイツチング半導体32の導通パルス幅は狭
くなる。フライバツク電圧VCEが高くなるか、あ
るいは入力直流電圧が低くなると、第1の比較増
幅回路50の出力信号は高くなり、スイツチング
半導体32の導通パルス幅を狭くする動作を行な
う。交流電源電圧が定常値以上となつた場合に
は、電圧設定回路51の出力電圧VCSは一定値に
クリツプされるが、スイツチング半導体32の順
方向電圧も上昇するので、第1の比較増幅回路5
0の出力電圧が上昇し、スイツチング半導体32
の導通パルス幅を狭くし、スイツチング半導体3
2の順方向ピーク電圧が所定レベル以上とならな
いように制御する。
Therefore, in order to compensate for load fluctuations, we not only need to detect a signal corresponding to the output of an inverter circuit, such as the flyback voltage of a switching semiconductor, and perform feedback control, but also detect the power supply voltage and, if the power supply voltage drops, Narrow the pulse width of the switching semiconductor. FIG. 4 shows a specific embodiment of the present invention, and shows a forward voltage detection terminal 41b.
Therefore, the resistors 490a and 490b are connected in series, and the series connected body of the integrating circuit consisting of the diode 491, the smoothing capacitor 492, and the resistor 493 is connected to the resistor 49.
Connect in parallel with 0b. smoothing capacitor 49
2 is a voltage approximately proportional to the forward direction peak voltage of the switching semiconductor 32, and this voltage signal V CP is applied to the operational amplifier (abbreviated as operational amplifier) 50 of the first comparison amplifier circuit 50.
Add to + input of 0. The output signal V CS of the voltage setting circuit 51 is applied to the negative input of the operational amplifier 500 via the input resistor 501, and the gain is adjusted by the feedback resistor 502. If the output signal V CS of the voltage setting circuit 51 is constant, the flyback voltage V CE
The output voltage of the comparison amplifier circuit 50 changes approximately in proportion to . The voltage setting circuit 51 has an input DC voltage detection terminal 41a connected to resistors 510a and 510b.
are connected in series, and a Chener diode 511 is connected in parallel with the resistor 510b. The voltage across the Chener diode 511 just clips when the AC power supply voltage is in a steady state, for example 100V, and below the steady state voltage, a voltage approximately proportional to the power supply voltage is generated. A smoothing capacitor 512 is connected in parallel to the resistor 510b to reduce ripples in the input DC voltage.
The cathode terminal of the Chener diode 511 is connected to the base of a transistor 513, and the collector of the transistor 513 is connected to the DC low voltage +V CC of the control circuit via a collector resistor 514.
A resistor 515 is connected to the emitter of the transistor 513.
A parallel circuit consisting of a capacitor 516 and a capacitor 516 are connected to perform impedance conversion. The voltage V CS generated across the resistor 515 is approximately equal to that of the Chener diode 51.
1, and above the steady power supply voltage, it becomes a constant value, and when it falls below the steady value, it takes a value corresponding to the power supply voltage. Therefore, the set voltage V CS of the first comparison amplifier circuit 50 decreases as the power supply voltage decreases, and serves to lower the forward voltage V CE of the switching semiconductor 32 to be compared in accordance with the power supply voltage.
The output signal of the first comparison amplifier circuit 50 is applied to the OR circuit 52, and the OR circuit 52 outputs the voltage of the first comparison amplifier circuit 50 or the voltage of the second comparison amplifier circuit 54.
Either one of the high voltage signals is connected to the diode 52.
The diode OR connection of 0a and 520b adds it to a smoothing circuit consisting of a capacitor 521 and a resistor 522. As the voltage of the capacitor 521 becomes higher, the conduction pulse width of the switching semiconductor 32 becomes narrower. When the flyback voltage V CE increases or the input DC voltage decreases, the output signal of the first comparator amplifier circuit 50 becomes high and the conduction pulse width of the switching semiconductor 32 is narrowed. When the AC power supply voltage exceeds a steady value, the output voltage V CS of the voltage setting circuit 51 is clipped to a constant value, but the forward voltage of the switching semiconductor 32 also increases, so the first comparison amplifier circuit 5
0 output voltage rises and the switching semiconductor 32
By narrowing the conduction pulse width of the switching semiconductor 3
The forward peak voltage of No. 2 is controlled so as not to exceed a predetermined level.

以上述べた如く、本発明は、交流電源電圧、も
ししくは、インバータ回路の入力直流電圧が定常
値以上となつた場合には、スイツチング半導体の
順方向電圧あるいは順方向電流などを一定値に制
御し、入力直流電圧が下がつた時には、入力直流
電圧に応じて、スイツチング半導体の順方向電圧
あるいは順方向電流を下げるものである。従来の
如き、インバータ回路の入力電流、もしくは、入
力電流とスイツチング半導体の順方向電圧のどち
らかを制御する方法においては、インバータ回路
入力直流電圧が下がつた場合において、負荷によ
つては、スイツチング半導体の使用条件が悪化
し、温度上昇が大となる欠点があつた。しかしな
がら、本発明になる如く、インバータ回路入力電
流と、負荷変動による信号、およびインバータ回
路の入力直流電圧の3つの信号に応じて、パワー
スイツチング半導体の導通を制御すれば、パワー
スイツチング半導体の温度上昇が少なく、異常条
件で使用させない特徴となる。特に、誘導加熱出
力の少ない鍋において、定格出力となるように設
計でき誘導加熱出力の大となる鍋でも、パワース
イツチング半導体に異常な負担がかからず、鍋の
種類にかかわらず、均一一な出力を得ることがで
きる。よつて、従来の欠点であつた。鍋の種類に
より誘導加熱出力が大きく変化する欠点、あるい
は、パワースイツチング半導体の使用条件が悪化
する欠点を除くことができる。
As described above, the present invention controls the forward voltage or forward current of the switching semiconductor to a constant value when the AC power supply voltage or the input DC voltage of the inverter circuit exceeds a steady value. However, when the input DC voltage drops, the forward voltage or forward current of the switching semiconductor is lowered depending on the input DC voltage. In the conventional method of controlling either the input current of the inverter circuit or the input current and the forward voltage of the switching semiconductor, when the inverter circuit input DC voltage drops, depending on the load, the switching The drawback was that the operating conditions for semiconductors deteriorated and the temperature rose significantly. However, as in the present invention, if the conduction of the power switching semiconductor is controlled according to three signals: the inverter circuit input current, a signal due to load fluctuation, and the input DC voltage of the inverter circuit, the power switching semiconductor There is little temperature rise, which is a feature that prevents it from being used under abnormal conditions. In particular, in pots with low induction heating output, it is possible to design the rated output, and even in pots with high induction heating output, there is no abnormal load on the power switching semiconductor, and the power switching is uniform regardless of the type of pot. You can get the same output. Therefore, this was a drawback of the conventional method. It is possible to eliminate the disadvantage that the induction heating output varies greatly depending on the type of pot, or the disadvantage that the usage conditions of the power switching semiconductor deteriorate.

なお、本発明の実施例として、出力検知回路4
9はスイツチング半導体の電圧を検知する方法を
示したが、加熱コイルの電圧、又は加熱コイル電
流、スイツチング半導体の電流などいずれでも効
果は同じである。
Note that as an embodiment of the present invention, the output detection circuit 4
9 shows a method of detecting the voltage of the switching semiconductor, but the effect is the same whether the voltage of the heating coil, the current of the heating coil, or the current of the switching semiconductor is used.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例における誘導加熱調
理器のインバータ装置の回路図、第2図は同制御
回路のブロツクダイヤグラム、第3図は第1図に
示すインバータ回路の電源電圧変動と負荷変動に
対する特性図、第4図は本発明による制御回路の
一部具体回路図である。 1……低周波交流電源、2……整流回路、3…
…インバータ回路、30……入力コンデンサ、3
1……加熱コイル、32……スイツチング半導
体。
Fig. 1 is a circuit diagram of an inverter device for an induction heating cooker according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a block diagram of the same control circuit, and Fig. 3 is a power supply voltage fluctuation and load of the inverter circuit shown in Fig. 1. FIG. 4 is a specific circuit diagram of a part of the control circuit according to the present invention. 1... Low frequency AC power supply, 2... Rectifier circuit, 3...
...Inverter circuit, 30...Input capacitor, 3
1... Heating coil, 32... Switching semiconductor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 直流電力を高周波電力に変換するインバータ
回路と、その制御回路よりなり、前記インバータ
回路は、加熱コイルと上記加熱コイルと直列接続
されたスイツチング半導体と、共振用コンデンサ
よりなり、前記制御回路は前記インバータ回路の
入力電流を検知する入力電流検知回路と、前記イ
ンバータ回路の入力電圧に応じて前記インバータ
回路のスイツチング素子又は加熱コイルの電流あ
るいは電圧の上限を越えないように所定値を設定
する電圧設定回路と、前記スイツチング半導体又
は前記加熱コイルの電圧、あるいは電流を検知す
る出力検知回路と、前記入力電流検知回路、ある
いは、前記出力検知回路の出力信号に応じて前記
スイツチング半導体のパルス幅を制御するパルス
幅制御回路と、前記電圧設定回路の出力信号と前
記出力検知回路の出力信号を入力する比較増幅回
路を備え、前記比較増幅回路は出力検知回路の出
力信号と前記電圧設定回路により設定された所定
値との差を比較増幅し、前記出力検知回路が上限
を越えるとき前記パルス幅制御回路をパルス幅を
狭くするように動作させる誘導加熱調理器。 2 出力検知回路は、スイツチング半導体の順方
向ピーク電圧、又は順方向電流を検知することを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の誘導加熱
調理器。 3 出力検知回路は、前記加熱コイルの電圧、又
は電流を検知することを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の誘導加熱調理器。
[Scope of Claims] 1. Consists of an inverter circuit that converts DC power into high-frequency power and its control circuit, and the inverter circuit consists of a heating coil, a switching semiconductor connected in series with the heating coil, and a resonance capacitor. , the control circuit includes an input current detection circuit that detects the input current of the inverter circuit, and a predetermined circuit configured to prevent the current or voltage of a switching element or heating coil of the inverter circuit from exceeding an upper limit depending on the input voltage of the inverter circuit. a voltage setting circuit for setting a value; an output detection circuit for detecting the voltage or current of the switching semiconductor or the heating coil; a pulse width control circuit that controls the pulse width of the voltage setting circuit; and a comparison amplifier circuit that inputs the output signal of the voltage setting circuit and the output signal of the output detection circuit, and the comparison amplifier circuit controls the output signal of the output detection circuit and the voltage. An induction heating cooker that compares and amplifies a difference from a predetermined value set by a setting circuit, and operates the pulse width control circuit to narrow the pulse width when the output detection circuit exceeds an upper limit. 2. The induction heating cooker according to claim 1, wherein the output detection circuit detects a forward peak voltage or a forward current of the switching semiconductor. 3. The induction heating cooker according to claim 1, wherein the output detection circuit detects the voltage or current of the heating coil.
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