JPS6132787B2 - - Google Patents

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JPS6132787B2
JPS6132787B2 JP53084919A JP8491978A JPS6132787B2 JP S6132787 B2 JPS6132787 B2 JP S6132787B2 JP 53084919 A JP53084919 A JP 53084919A JP 8491978 A JP8491978 A JP 8491978A JP S6132787 B2 JPS6132787 B2 JP S6132787B2
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induction heating
conductors
path
conductor
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Toyo Seikan Kaisha Ltd
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    • H05B6/362Coil arrangements with flat coil conductors
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は真空管発振による高周波誘導加熱装
置、特に高電圧高周波電源を複数巻数の加熱コイ
ルに接続した真空管発振による改良された高周波
誘導加熱装置に関するものである。
10キロヘルツ以上の高周波電力による誘導加熱
装置が種々の分野に応用されており、特に連続的
に供給される被加熱物の均一な大幅加熱に好適で
あり、例えば瓶容器の金属キヤツプに密閉用樹脂
シートを接着する際のキヤツプ底部加熱等に用い
られる。すなわち、金属キヤツプの瓶口に装着し
て瓶の密封を行う場合、キヤツプ内底面には鉛化
ビニール、ポリエチレンあるいはポリプロピレン
などの熱可塑性樹脂シート(ライナー)が接着さ
れ、この樹脂シートをパツキング材として瓶口の
密閉が行われる。前述した樹脂シートをキヤツプ
内底面に接着固定するため、キヤツプ内底面には
エキポキシ系などの接着性プライマーが塗布さ
れ、このプライマーが加熱溶融された状態で樹脂
シートが接着固定される。通常の場合、接着性プ
ライマーはキヤツプ底面と約100〜200℃に加熱し
た際樹脂シートとキヤツプ底面とを確実に接着
し、この加熱工程に前述した高周波誘導加熱が用
いられる。これらの瓶口密閉用キヤツプとして
は、ネジ付キヤツプ、王冠キヤツプあるいはピル
フアープルーフキヤツプなどがあるが、いずれの
キヤツプ形状においてもほとんどの場合その内底
面には樹脂シートがパツキング材としてプライマ
ーを介して接着される。
従来の金属キヤツプ材としては、一般にブリキ
あるいはテインフリースチールなどの強磁性材が
用いられ、このようなキヤツプの連続加工装置と
して従来より高周波誘導加熱装置が利用されてい
た。しかしながら、近年、キヤツプ材としてアル
ミニウム、アルミニウム合金等のようなアルミニ
ウム非磁性材が広く用いられるようになつてき
た。このようなアルミニウム非磁性材にあつて
は、従来の高周波誘導加熱装置では加熱効率が著
しく低下し、樹脂シートの接着に十分に温度を得
ることができないという欠点があつた。
このために、従来より、真空管式高周波電力発
生回路のタンクコイルをそのまま加熱コイルと
し、被加熱物である金属キヤツプとの間隙を減少
させるという提案が個々に行われていたが、この
ような従来装置では、加熱コイルと被加熱物との
間あるいは加熱コイル相互間に絶縁破壊が生じて
しまうという欠点があり、実用化することができ
なかつた。
特に、真空管を用いた発振器によれば10キロボ
ルト程度の高電圧を加熱コイルに直接加えるの
で、極めて容易に絶縁破壊事故が発生してしまう
という重大な欠点があり、このような真空管発振
による高周波誘導加熱装置では小型でかつ効率の
良い装置を得ることができなかつた。
以上のようにアルミニウム非磁性材に対しては
従来より高周波誘導加熱を適用することが困難で
あり、また、加熱コイルと被加熱物との間隙を小
さくして両者間の相互誘導係数を増加した場合に
は、前述した絶縁破壊の問題と共に、非磁性材か
らなる被加熱物の底部及びその近傍に誘起された
誘導電流と高周波加熱コイル磁界とによつて形成
される反発力によりキヤツプがコンベアなどの移
送体上を浮上跳躍して実際上の加熱作用を得るこ
とができないという事態が生じていた。
本発明は上記従来の課題に鑑み為されたもので
あり、その目的は、小型簡単な装置で効率良くア
ルミニウム非磁性材からなる容器用のキヤツプを
加熱することのできる改良された高周波誘導加熱
装置を提供することにある。
本発明の他の目的は加熱コイルと容器用キヤツ
プとの間隙を実質的に減小しても両者間の絶縁破
壊を生じさせることの無い改良された高周波誘導
加熱装置を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、誘導加熱コイルに容
器用キヤツプを近接させた時に生じる両者間の反
発力に基づく被加熱物の浮上跳躍を確実に阻止す
ることのできる改良された高周波誘導加熱装置を
提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、加熱コ
イルが設けられた誘導加熱路に沿つてアルミニウ
ム非磁性材からなる容器用のキヤツプを移送させ
該キヤツプを加熱する真空管発振による高周波誘
導加熱装置において、誘導加熱路は、加熱コイル
に対向配置されかつ高周波電流反発作用により浮
上跳躍する容器用キヤツプをその案内面にてに滑
動可能に支承する案内部材を有し、また前記加熱
コイルは、誘導加熱路に沿つて配設された複数組
の往復路高周波電流導体を以て形成され、該加熱
コイルの電流往路を形成する複数の高周波電流導
体は、誘導加熱路の一半分側に沿つて設置され、
電流復路を形成する複数の高周波電流導体は、誘
導加熱路の他半分部側に沿つて配置され、これら
各高周波電流導体は、キヤツプとの間の電位傾度
がそれぞれ一定値以下に抑制されるよう、電圧が
高い導体ほどキヤツプからの距離が大きく設定さ
れ、各高周波電流導体とキヤツプとの間の絶縁破
壊を防止することを特徴とする。
以下図面に基づいて本発明の好適な実施例を説
明する。
第1図には被加熱物であるアルミニウムキヤツ
プを連続的に加熱する本発明に係る高周波誘導加
熱装置の好適な実施例が示されている。図示して
いない駆動装置により回転駆動される回転テーブ
ル10の周縁部には多数の半円形切欠部12が等
間隔に設けられ、各切欠部12にはシユート14
からキヤツプ16が順次供給される。キヤツプ1
6はその底部が下向きとなるようシユート14内
にて整列されて1個づつ切欠部12内に挿入され
る。キヤツプ16は回転テーブル10の回転に伴
い矢印A方向に移送され、誘導加熱路18にて高
周波誘導加熱により所望の温度例えば100〜200℃
と加熱され、その後、後続するパツキング材供給
工程に送られる。
誘導加熱路18には3巻の加熱コイルが設けら
れ、この加熱コイルが真空管発振回路のタンクコ
イルを形成し、電源20からの電力を高周波電力
に変換する。加熱路18の構造が第2図の断面図
に詳細に示されている。
第2図において、高周波誘導加熱コイルを形成
する電流導体22,24,26,28,30及び
32は回転テーブル10の外周面下方に固定され
たシリコン樹脂、テフロン樹脂あるいはベークラ
イトなどからなる弧状のコイル基盤34に埋設固
定されている。従つて、回転テーブル10により
移送される各キヤツプ16は加熱路18にて誘導
加熱され、この加熱作用時、各キヤツプ16は回
転テーブル10の外周近傍に固定された案内壁3
6及び回転テーブル10の外周近傍上面に固定さ
れた案内板38により移送路中を案内される。前
述したように、アルミニウム非磁性材からなるキ
ヤツプ16が高周波電流導体上に送られると、電
流導体とキヤツプとの反発力によりキヤツプは上
方に浮上跳躍するが、第2図から明らかなよう
に、キヤツプ16の上方には案内板38が設けら
れているので、キヤツプ16の開口面は案内板3
8の対向面38aと当接し、キヤツプ16はこの
対向面38aを滑動しながら回転テーブル10に
より移送される。従つて、キヤツプ16の底部1
6aは各電流導体22,24,26,28,3
0,32から常に予め定められた所定間隙で移動
することとなり、キヤツプ16の底部16aは極
めて均一に誘導加熱される。そして、この結果、
底部16aに付着された接着性プライマー40は
良好な接着作用に適する温度まで加熱される。案
内板38はその上下固定位置を任意に調節するこ
とができ、供給されるキヤツプ16の大きさ特に
キヤツプ高さに応じて加熱路18と対向面38a
との間隙を任意に調節しキヤツプ16の底部16
aを最適の位置に保持することが可能である。案
内板38には浮上跳躍したキヤツプが衝撃当接す
るので、このような衝撃力により変形または損傷
されないことが必要であり、またその対向面38
aはキヤツプ16の開口面が滑動するために滑ら
かな平面を有すると共にキヤツプ16との滑動に
より摩耗損傷が起こりにくいという要求を満足し
なければならない。図示した実施例においては、
案内板38として5〜10ミリメートルの厚さを有
する強化ガラス板が用いられ、この強化ガラスに
よれば、、更に、装置の上方から加熱時のキヤツ
プ16の送り状態を監視することができるいう利
点をも得ることができる。
非磁性材からなるキヤツプを効果的に加熱する
ために電流導体とキヤツプとの間隙は小さい程良
い。第3図にはキヤツプ底部16aと導体30,
32の上端部との間隙lに対するキヤツプ底部1
6aの温度上昇率αの特性図が示され、この特性
図から明らかなように、キヤツプ底部16aと導
体30,32上端部との距離lは2ミリメートル
以下、好ましくは1.5〜0.5ミリメートルであるこ
とが必要である。しかしながら、この間隙を減少
すると電流導体とキヤツプとの間に絶縁破壊の危
険が増大するという問題があり、本発明において
は、この問題を各電流導体の配置により解決して
いる。
第4図には本発明に係る電流導体とキヤツプと
の配置構成が詳細に示されている。第4図におい
て、電流往路を形成する3本の高周波電流導体2
2,26及び30は誘導加熱路18の一方の半部
側、すなわち、図の矢印Bで示される一半部側に
沿つて設置され、また電流往路を形成する3本の
高周波電流導体24,28及び32は他方の半部
側、すなわち矢印Cで示される他半部側に沿つて
設置されている。従つて、図示した実施例におい
ては3巻の高周波加熱コイルを形成することがで
き、前述のように往復路の電流導体をそれぞれ加
熱路18の各半部側に沿つて設置することによ
り、被加工物の内部には誘起された誘導電流が閉
回路を形成して流れ、ジユール熱による温度上昇
が効率良く行われる。すなわち、周知のように、
各半部に設置された導体は同一方向に流れる電流
束を形成し、効率の良い電磁誘導作用を行うこと
ができる。
真空管発振器を含む高周波電源20は100キロ
ヘルツ程度の高い周波数を有し、その加熱コイル
であるタンクコイルに発生する電圧実効値はほぼ
10キロボルト程度の高電圧となる。高周波回路2
1の一端は各電流導体に直列接続され、すなわち
導体22,24,26,28,30及び32の順
に接続され、その他端が接地される。本発明にお
いて重要なことは各導体のうち接地側に近く接続
された導体、図示した実施例においては導体30
(5)及び32(6)が被加熱物であるキヤツプ
16の近傍に配置され、順次高電圧側に近く接続
されるに従つて導体がキヤツプ16から離れて配
置されていることである。すなわち、導体30
(5),32(6)に比べて導体26(3),28
(4)はキヤツプ16から若干離れ、更に高電圧
側に近く接続される導体22(1)及び24
(2)はキヤツプ16から著しく離れて配置され
ている。すなわち、通常の場合、被加熱物16は
接地されており、この接地零電位に対して各導体
の有する電位は第5図に示されるように導体32
はV6、30はV5、28はV4、26はV3、24は
V2そしては22は高電圧側の電位であるV1とな
り、この電位が被加熱物との間に存在することと
なる。本発明では電位差の大きい高電圧側の導体
例ば導体22(1),24(2)をキヤツプ16
から離れて配置することにより両者間の電位傾度
を他の導体とキヤツプとの電位傾度にほぼ等しく
制御することが可能となつた。もちろん被加熱物
から遠く設置された導体は被加熱物内に誘導電流
を誘起させるためにはその寄与率が低下すること
となるが、本発明においては複数巻数のコイルを
用いてその設置側にある導体を従来と比較して著
しく被加熱物に近接配置することができ高電圧側
の導体はその一部を誘導電流を誘起するために用
いているので、全体の効率を従来に比して著しく
向上させることができた。また、従来と異なり、
接地側の導体と被加熱物との間に生じる電位傾度
は著しく小さく制御することができるので、高周
波発生電圧を増加させることが可能となり、この
電圧増加とコイル巻数増加及び導体と被加熱物と
の間隙減少により全体的な誘導電流による加熱効
率を著しく向上させることができた。
更に、本発明においては、各導体相互間距離も
各導体間の電位差に応じて選択され、各導体間に
おいてもそれらの電位傾度を一定値に以下に抑制
することにより導体間の絶縁破壊をも防止するこ
とが可能となる。すなわち、一方の半部Bにおい
ては導体22と26及び26と30との間隙は同
一に設定されているが、これらの間隙より導体2
2と30との間隙は大きく設定され、各導体間の
電位傾度が一定値以下に抑制される。同様に他方
の半部Cにおいても導体24と32との間隙は他
の導体間間隙より大きく設定され、導体相互間の
電位傾度が一定値以下に抑制される。
以上説明したように、本発明によれば、加熱コ
イルと容器用キヤツプとの間に絶縁破壊を生じさ
せることがないよう、両者の間隔を実質的に減少
させることができ、この結果装置全体を小型化す
ることができる。
更に、本発明によれば、コイルとキヤツプとの
間隔を小さくし、しかも加熱コイルに印加する高
周波発生電圧の値を増加させることができるた
め、誘導電流による全体的な加熱効率を著しく向
上させることができる。
更に、本発明によれば、加熱コイルにキヤツプ
を近接させる時に生ずる両者の反発力に基づくキ
ヤツプの浮上跳躍を、案内部材により確実に阻止
することができるため、良好な加熱作用を得るこ
とができ、この結果装置全体を更に小型かつ効率
の良いものとすることができる。
第4図の実施例においては、電源側導体22,
24を他の導体に整列させることなく二段構造と
したので、各導体を比較的コンパクトに基板34
内に埋没することができる利点を有する。しかし
ながら、第6図の他の実施例に示されるように、
全ての導体を一列に整列配置することも可能であ
り、被加熱物の形状に適合させて任意の導体配置
を得ることが可能である。第6図の各構成部材に
は第4図と同一符号を付して説明を省略する。
第4図の二段加熱コイル配置によれば、第6図
の一列配置に比較して高電圧側の電流導体22,
24の加熱に対する寄与率が大きいので全体効率
が増大し、実験によればほぼ2倍の効率を得るこ
とができた。
前述した各実施例においては導体は銅管からな
り、その内部に冷却水が供給され導体自体の抵抗
損失により発熱を防止している。
以上のような導体配置によりキヤツプ16の底
部16aには誘導電流回路が形成させ、そのジユ
ール熱により加熱されるが、通常の場合、底部1
6aにはほぼ20〜30℃の温度差が生じる。この温
度差を除去するためには、誘導加熱中にキヤツプ
16を回動させることが好ましい。キヤツプ16
をの回動は、例えば、回転テーブル10の切欠部
12に低摩擦材料(例えばテフロン)のライニン
グを施し、一方案内壁36のキヤツプ接触面に比
較的摩擦数の高いシリコンラバーのような弾性材
料のライニングを施すことにより行われ、この案
内部構造により、各キヤツプは案内壁36の摩擦
内面に押圧移送されるので、キヤツプ16は案内
壁36との摩擦により適当な回転が与えられ、前
述した温度差の発生を除去することができる。
前述した実施例においては、被加熱物は回転テ
ーブルにより移送され、その浮上跳躍力は案内板
により支承されているが、案内板自体を送りベル
トあるいは回転円板装置で構成することにより同
様の効率を得ることが可能である。
以上説明したように、本発明によれば、電流導
体とキヤツプとを絶縁破壊を生じること無く近接
配置することができ、キヤツプの誘導加熱効率を
著しく向上させることができる。
また、本発明によれば各導体間の配置も導体間
電位差に応じて設定されているので、導体間絶縁
破壊も確実に防止することが可能となる。
更に、本発明によればアルミニウム非磁性材か
ら成る金属キヤツプを極めて確実に加熱すること
のできる小型かつ能率の良い加熱装置を得ること
ができる。
本発明に掛る加熱装置は、特に連続して大量の
加熱を行うことができる。特に非磁性材キヤツプ
の加熱などに好適である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に掛る高周波誘導加熱装置の好
適な第1実施例を示す平面図、第2図は第1図の
−断面図であつて、加熱部と金属キヤツプ案
内部との構成を示す断面図、第3図は電流導体と
被加熱物との間隙に対する加熱温度上昇率特性を
示す断面図、第4図は第2図の要部を拡大して各
導体と被加熱物との配置構成を示す概略断面図、
第5図は第4図の導体間の電位差を示す回路図、
第6図は第4図と類似する本発明に係る加熱装置
の好適な第2実施例を示す各導体と被加熱物との
配置構成説明図である。 16……金属キヤツプ、16a……キヤツプ底
部、18……誘導加熱路、20……高周波電源、
22,24,26,28,30,32……電流導
体、38……案内板。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 加熱コイルが設けられた誘導加熱路に沿つて
    アルミニウム非磁性材からなる容器用のキヤツプ
    を移送させ該キヤツプを加熱する真空管発振によ
    る高周波誘導加熱装置において、 誘導加熱路は、加熱コイルに対向配置されかつ
    高周波電流反発作用により浮上跳躍する容器用キ
    ヤツプをその案内面にてに滑動可能に支承する案
    内部材を有し、 また前記加熱コイルは、誘導加熱路に沿つて配
    設された複数組の往復路高周波電流導体を以て形
    成され、 該加熱コイルの電流往路を形成する複数の高周
    波電流導体は、誘導加熱路の一半分側に沿つて設
    置され、 電流復路を形成する複数の高周波電流導体は、
    誘導加熱路の他半分部側に沿つて配置され、 これら各高周波電流導体は、キヤツプとの間の
    電位傾度がそれぞれ一定値以下に抑制されるよ
    う、電圧が高い導体ほどキヤツプからの距離が大
    きく設定され、各高周波電流導体とキヤツプとの
    間の絶縁破壊を防止することを特徴とする真空管
    発振による高周波誘導加熱装置。 2 特許請求の範囲1において、 各導体間の設置間隔を導体間の電位差に対応し
    て設定し、導体間の電位傾度を一定値以下に抑制
    して導体間の絶縁破壊を防止したことを特徴とす
    る真空発振による高周波誘導加熱装置。
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