JPS6131825B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6131825B2 JPS6131825B2 JP13808679A JP13808679A JPS6131825B2 JP S6131825 B2 JPS6131825 B2 JP S6131825B2 JP 13808679 A JP13808679 A JP 13808679A JP 13808679 A JP13808679 A JP 13808679A JP S6131825 B2 JPS6131825 B2 JP S6131825B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- transformer
- output
- secondary side
- semiconductor switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Relating To Insulation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気機器あるいは部品等の耐圧試験に
多用されている高安全自動耐圧試験回路に関す
る。
多用されている高安全自動耐圧試験回路に関す
る。
一般に電気機器等の試験に耐電圧試験器は広く
使用されており、この場合かかる耐電圧試験器は
1.5KV以上の高電圧を発生するにもかかわらず、
現在用いられている耐電圧試験器においては十分
な感電防止機能のあるものは少なく、特に自動検
査に用いられている自動耐圧試験回路では皆無に
近い実情にある。
使用されており、この場合かかる耐電圧試験器は
1.5KV以上の高電圧を発生するにもかかわらず、
現在用いられている耐電圧試験器においては十分
な感電防止機能のあるものは少なく、特に自動検
査に用いられている自動耐圧試験回路では皆無に
近い実情にある。
ところで、感電事故による被害を少なくするに
は10ｍＡ以下の少ない漏洩電流でも動作し、また
感電発生時に超高速で電圧を０にする必要がある
が、前者においては被検物に流れる充電電流があ
るため検出レベルを小さくしにくく、また後者に
おいては交流であるため検出の遅れ、動作の遅れ
があり高速化が困難であるという問題があつた。
は10ｍＡ以下の少ない漏洩電流でも動作し、また
感電発生時に超高速で電圧を０にする必要がある
が、前者においては被検物に流れる充電電流があ
るため検出レベルを小さくしにくく、また後者に
おいては交流であるため検出の遅れ、動作の遅れ
があり高速化が困難であるという問題があつた。
本発明は上記の点に鑑み提案されたもので、被
検物に流れる充電電流が殆んどなく１ｍＡ程度の
異常電流でも確実に動作し、かつ異常時には出力
電圧が高速でオフし得る高安全自動耐圧試験回路
を提供することを目的とするものである。
検物に流れる充電電流が殆んどなく１ｍＡ程度の
異常電流でも確実に動作し、かつ異常時には出力
電圧が高速でオフし得る高安全自動耐圧試験回路
を提供することを目的とするものである。
以下、図面に沿つて本発明の実施例を説明する
と、図において、Ｇは例えば60Hzの如き所定の周
波数を発生する発生回路でその出力は半導体スイ
ツチＳの接点を介し、FET型フオトカプラＱの
２次側の一方の端子に接続されている。A1は電
力増巾器で帰環抵抗Ｒfが入力端子間に接続さ
れ、また前記FET型フオトカプラＱの２次側の
他方の端子が入力端子に接続され、これらと増幅
系を構成し、その出力はトランスT1の１次側巻
線に接続されている。またこのトランスT1の２
次側巻線の一端にはカレントトランスT2の１次
側巻線が挿入されており、かつトランスT1の２
次側巻線間には分圧器Ｒおよび被検物Ｃが並列に
接続されている。
と、図において、Ｇは例えば60Hzの如き所定の周
波数を発生する発生回路でその出力は半導体スイ
ツチＳの接点を介し、FET型フオトカプラＱの
２次側の一方の端子に接続されている。A1は電
力増巾器で帰環抵抗Ｒfが入力端子間に接続さ
れ、また前記FET型フオトカプラＱの２次側の
他方の端子が入力端子に接続され、これらと増幅
系を構成し、その出力はトランスT1の１次側巻
線に接続されている。またこのトランスT1の２
次側巻線の一端にはカレントトランスT2の１次
側巻線が挿入されており、かつトランスT1の２
次側巻線間には分圧器Ｒおよび被検物Ｃが並列に
接続されている。
ところでFET型フオトカプラＱの１次側端子
は、前記分圧器Ｒに整流回路AD1を介して接続さ
れている差動増巾器A2の出力端子および緩上昇
電圧発生回路Ｂに接続されている。一方、前記カ
レントトランスT2の２次側は整流回路AD2を介し
比較器A3の入力端子に接続され、この比較器A3
の出力端子はフリツプフロツプFFへ接続され前
記半導体スイツチＳを制御するように構成されて
いる。
は、前記分圧器Ｒに整流回路AD1を介して接続さ
れている差動増巾器A2の出力端子および緩上昇
電圧発生回路Ｂに接続されている。一方、前記カ
レントトランスT2の２次側は整流回路AD2を介し
比較器A3の入力端子に接続され、この比較器A3
の出力端子はフリツプフロツプFFへ接続され前
記半導体スイツチＳを制御するように構成されて
いる。
次に本発明の動作を説明する。
通常、半導体スイツチＳが閉成されている状態
において60Hz発生回路Ｇで発生した交流信号は、
半導体ゲート素子等からなる半導体スイツチＳ、
およびFET型フオトカプラＱの２次側を介し電
力増巾器A1の入力端子に与えられる。この電力
増巾器A1で前記交流信号は十分な電力に増幅さ
れトランスT1で昇圧される。
において60Hz発生回路Ｇで発生した交流信号は、
半導体ゲート素子等からなる半導体スイツチＳ、
およびFET型フオトカプラＱの２次側を介し電
力増巾器A1の入力端子に与えられる。この電力
増巾器A1で前記交流信号は十分な電力に増幅さ
れトランスT1で昇圧される。
また、FET型フオトカプラＱの１次側はそれ
ぞれ緩上昇電圧発生回路Ｂおよび差動増巾器A2
にそれぞれ接続されており、FET型フオトカプ
ラＱの１次側電圧はゆつくり増加するようになつ
ている。このためFET型フオトカプラＱの２次
側、帰環抵抗Ｒfおよび電力増巾器A1よりなる増
幅系の増幅率は初め極めて小さくFET型フオト
カプラＱの１次側電流の増加とともにゆつくり上
昇し、電力増巾器A1の出力もゆつくり増加す
る。このためトランスT1の２次側電圧の上昇も
極めて緩やかに上昇するため被検物が容量性のも
のであつても大きな充電電流が流れることはな
い。
ぞれ緩上昇電圧発生回路Ｂおよび差動増巾器A2
にそれぞれ接続されており、FET型フオトカプ
ラＱの１次側電圧はゆつくり増加するようになつ
ている。このためFET型フオトカプラＱの２次
側、帰環抵抗Ｒfおよび電力増巾器A1よりなる増
幅系の増幅率は初め極めて小さくFET型フオト
カプラＱの１次側電流の増加とともにゆつくり上
昇し、電力増巾器A1の出力もゆつくり増加す
る。このためトランスT1の２次側電圧の上昇も
極めて緩やかに上昇するため被検物が容量性のも
のであつても大きな充電電流が流れることはな
い。
このトランスT1の２次側電圧は分圧器Ｒおよ
び整流回路AD1を介し前記差動増巾器A2に与えら
れ、可変抵抗VR1を操作することによつて設定さ
れた発生電圧設定用の所定電圧と差動増巾器A2
において比較され、トランスT1の２次電圧が所
定の電圧となつた時にFET型フオトカプラＱの
１次側の電流が一定の平衡値となり、それに伴い
トランスT1の出圧電圧が徐々に上昇し一定値に
落ち着くようになつている。
び整流回路AD1を介し前記差動増巾器A2に与えら
れ、可変抵抗VR1を操作することによつて設定さ
れた発生電圧設定用の所定電圧と差動増巾器A2
において比較され、トランスT1の２次電圧が所
定の電圧となつた時にFET型フオトカプラＱの
１次側の電流が一定の平衡値となり、それに伴い
トランスT1の出圧電圧が徐々に上昇し一定値に
落ち着くようになつている。
第２図はこのようすを示すもので、イ図は緩上
昇電圧発生回路Ｂからの出力電圧波形Ｖs、ロ図
はトランスT1の２次側より被検物に供給される
出力電圧波形である。
昇電圧発生回路Ｂからの出力電圧波形Ｖs、ロ図
はトランスT1の２次側より被検物に供給される
出力電圧波形である。
一方、トランスT1の２次側に設けられたカレ
ントトランスT2により、被検物に流れる電流が
検出され整流回路AD2を介し、比較器A3に与えら
れ、可変抵抗VR2によつて設定されている所定の
検出レベルと比較される。通常は大きな充電電流
が流れないため被検物に供給される電流はわずか
で前記検出レベルより小さいが、感電等の事故が
起きると２次側電流は増加し、前記検出レベルを
越える。このため比較器A3に出力が現われフリ
ツプフロツプFFが反転し、前記半導体スイツチ
Ｓを急速に開き、トランスT1の２次側電圧は0V
となる。この間には信号はなんら遅延を生じさせ
る要因が無いため、そのしや断時間は半導体の遅
延時間にほぼ等しく数μＳ以下であり、極めて安
全である。また充電電流をほとんど流さないため
数ｍＡの２次電流をも検出可能である。
ントトランスT2により、被検物に流れる電流が
検出され整流回路AD2を介し、比較器A3に与えら
れ、可変抵抗VR2によつて設定されている所定の
検出レベルと比較される。通常は大きな充電電流
が流れないため被検物に供給される電流はわずか
で前記検出レベルより小さいが、感電等の事故が
起きると２次側電流は増加し、前記検出レベルを
越える。このため比較器A3に出力が現われフリ
ツプフロツプFFが反転し、前記半導体スイツチ
Ｓを急速に開き、トランスT1の２次側電圧は0V
となる。この間には信号はなんら遅延を生じさせ
る要因が無いため、そのしや断時間は半導体の遅
延時間にほぼ等しく数μＳ以下であり、極めて安
全である。また充電電流をほとんど流さないため
数ｍＡの２次電流をも検出可能である。
以上の通り本発明によれば、入力信号を半導体
スイツチ、FET型フオトカプラの２次側を介し
電力増巾器によつて増巾し、さらにトランスの１
次側に加えると共に、前記FET型フオトカプラ
の１次側にそれぞれ緩上昇電圧発生回路および差
動増巾器を接続せしめ、この差動増巾器の一端に
出力電圧設定用の電圧を加えると共に、他端に前
記トランス２次側間に並列に接続された分圧器を
介し得た出力を加え、その差に応じた出力電圧に
より前記FET型フオトカプラを制御せしめ、か
つ前記トランスの２次側に挿入されたカレントト
ランスおよびこのトランスの出力が加えられる比
較器によつて被検物に流れる異常電流を検出し、
比較器からの出力によつて動作するフリツプフロ
ツプの出力によつて半導体スイツチを制御するよ
うに構成されており、被検物に加えられる出圧電
圧が徐々に増加するよう前述のようにFET型フ
オトカプラの１次側にそれぞれ緩上昇電圧発生回
路および差動増巾器を接続してあるため、被検物
に流れる充電電流が殆んどなく、よつて１ｍＡ程
の異常電流でも検出することができる。また、半
導体スイツチを用いているので高速で回路をしや
断することができるため、感電時の人体への被
害、漏電時のサンプルの損傷等が極めて少ない等
の利点を有する。
スイツチ、FET型フオトカプラの２次側を介し
電力増巾器によつて増巾し、さらにトランスの１
次側に加えると共に、前記FET型フオトカプラ
の１次側にそれぞれ緩上昇電圧発生回路および差
動増巾器を接続せしめ、この差動増巾器の一端に
出力電圧設定用の電圧を加えると共に、他端に前
記トランス２次側間に並列に接続された分圧器を
介し得た出力を加え、その差に応じた出力電圧に
より前記FET型フオトカプラを制御せしめ、か
つ前記トランスの２次側に挿入されたカレントト
ランスおよびこのトランスの出力が加えられる比
較器によつて被検物に流れる異常電流を検出し、
比較器からの出力によつて動作するフリツプフロ
ツプの出力によつて半導体スイツチを制御するよ
うに構成されており、被検物に加えられる出圧電
圧が徐々に増加するよう前述のようにFET型フ
オトカプラの１次側にそれぞれ緩上昇電圧発生回
路および差動増巾器を接続してあるため、被検物
に流れる充電電流が殆んどなく、よつて１ｍＡ程
の異常電流でも検出することができる。また、半
導体スイツチを用いているので高速で回路をしや
断することができるため、感電時の人体への被
害、漏電時のサンプルの損傷等が極めて少ない等
の利点を有する。
第１図は本発明にかかる高安全自動耐圧試験回
路の実施例、第２図イ，ロは同上の動作説明図を
示す。 Ｓ……半導体スイツチ、Ｑ……FET型フオト
カプラ、A1……電力増巾器、A2……差動増巾
器、A3……比較器、T1……トランス、T2……カ
レントトランス、Ｂ……緩上昇電圧発生回路、
FF……フリツプフロツプ。
路の実施例、第２図イ，ロは同上の動作説明図を
示す。 Ｓ……半導体スイツチ、Ｑ……FET型フオト
カプラ、A1……電力増巾器、A2……差動増巾
器、A3……比較器、T1……トランス、T2……カ
レントトランス、Ｂ……緩上昇電圧発生回路、
FF……フリツプフロツプ。
Claims (1)
- １ 入力信号を制御する半導体スイツチと、前記
半導体スイツチを介し入力信号が２次側に加えら
れ、かつその入力信号を増巾すべく電力増巾器に
送出するFET型フオトカプラと、前記電力増巾
器からの出力信号が１次側に加えられ、かつ２次
側から出力電圧を送出するトランスと、前記
FET型フオトカプラの１次側の一端に接続され
た緩上昇電圧発生回路と、前記FET型フオトカ
プラの１次側の他端に接続され、かつ出力電圧設
定用の電圧が一端に加えられていると共に他端に
前記トランスの２次側の電圧が加えられ、その差
によつて動作する差動増巾器と、前記トランスの
２次側に挿入された異常検出用のカレントトラン
スを介し一端に検出電圧が加えられ、かつ他端に
検出レベル設定電圧が加えられている比較器と、
前記比較器からの出力に応じて前記半導体スイツ
チをオン・オフするフリツプフロツプとを備えて
なる高安全自動耐圧試験回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13808679A JPS5661658A (en) | 1979-10-25 | 1979-10-25 | Highly safe automatic withstanding voltage testing circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13808679A JPS5661658A (en) | 1979-10-25 | 1979-10-25 | Highly safe automatic withstanding voltage testing circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5661658A JPS5661658A (en) | 1981-05-27 |
| JPS6131825B2 true JPS6131825B2 (ja) | 1986-07-23 |
Family
ID=15213620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13808679A Granted JPS5661658A (en) | 1979-10-25 | 1979-10-25 | Highly safe automatic withstanding voltage testing circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5661658A (ja) |
-
1979
- 1979-10-25 JP JP13808679A patent/JPS5661658A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5661658A (en) | 1981-05-27 |
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