JPS61293204A - Photosensitive composition - Google Patents

Photosensitive composition

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JPS61293204A
JPS61293204A JP60133958A JP13395885A JPS61293204A JP S61293204 A JPS61293204 A JP S61293204A JP 60133958 A JP60133958 A JP 60133958A JP 13395885 A JP13395885 A JP 13395885A JP S61293204 A JPS61293204 A JP S61293204A
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photosensitive composition
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松岡 嘉夫
Akihiko Ikeda
章彦 池田
Hideo Ai
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0387Polyamides or polyimides

Abstract

PURPOSE:To photosensitive composition noncorrosive to metal and suitable for, e.g., coating semiconductors, obtained by adding a photoactive material to a polyamide compound produced from an aromatic dicarboxylic acid and a diamine by using a carbodiimide as a condensing agent. CONSTITUTION:A polyamide compound is obtained by reacting an aromatic dicarboxylic acid (e.g., terephthalic acid) with a diamine (e.g., hexamethylenediamine) by using a carbodiimide such as dicyclohexylcarbodiimide or diethylcarbodiimide. A photoactive substance (e.g., benzophenone or 1,4- benzenebissulfonazide) is added to the obtained polyamide compound to obtain the purpose photosensitive composition. Because the obtained photosensitive composition is one prepared by using a chlorine-free condensing agent, it does not contain chloride ions in an amount larger than the limit of detection and does not cause problems such as metal corrosion.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な合成方法によって製造されたポリアミド
化合物と、光活性物質とを含む感光性組成物に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a photosensitive composition comprising a polyamide compound produced by a novel synthetic method and a photoactive substance.

更に詳しくは、絶縁材料、成型材料等の電気、電子部品
材料、特に半導体の表面被覆材料、LSIの眉間絶縁膜
、耐熱性基板材料等の電子材料として有用な組成物を提
供するものである。
More specifically, the present invention provides compositions useful as electrical and electronic component materials such as insulating materials and molding materials, particularly electronic materials such as semiconductor surface coating materials, LSI glabellar insulating films, and heat-resistant substrate materials.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

芳香族ジカルボン酸類から誘導されるポリアミドとして
は多数のものが知られている。例えば、デュポン社のポ
リアミド(N6mex■)は、その優れた抗張力、引裂
き強さ、屈曲性、強じん性、耐熱性、難燃性のゆえに、
繊維材料としての用途以外にも、汎用の絶縁材料として
の用途が広がっている。その用途は電動機や変圧機等の
絶縁材、コイルボビン等の各種の成形品や、難燃化の要
求にこたえテレビ等の部品など広い範囲に及んでいる。
Many polyamides derived from aromatic dicarboxylic acids are known. For example, DuPont's polyamide (N6mex■) has excellent tensile strength, tear strength, flexibility, toughness, heat resistance, and flame retardancy.
In addition to its use as a fiber material, its use as a general-purpose insulating material is expanding. Its applications span a wide range of areas, including insulating materials for electric motors and transformers, various molded products such as coil bobbins, and parts for televisions and other products in response to demands for flame retardancy.

これらのポリアミドの合成方法については、米国デュポ
ン社のモーガン−派によって、酸クロリドを用いる界面
重縮合や低温溶液重縮合法の組織的研究がなされ、lり
jr年には室温内外の条件下で簡便に合成できる方法が
確立したとされている。
Regarding methods for synthesizing these polyamides, the Morgan faction of the DuPont Company in the United States carried out systematic research on interfacial polycondensation using acid chloride and low-temperature solution polycondensation, and in 2011, polyamides were synthesized under conditions both at and outside room temperature. It is said that an easy synthesis method has been established.

Interfacial and 5olutlon 
Methods v (Interselencs、 
New York。
Interfacial and 5olutlon
Methods v (Interselencs,
New York.

lり4j)に詳しい。これらの方法は以来ポリ°アミド
の合成方法として多用され、更K Nomex■やKe
vlar[F]等のポリアミドの工業的な製造方法とし
ても採用されて、現在に至っている。
I am familiar with 4j). Since then, these methods have been widely used as methods for synthesizing polyamides, and have also been used to synthesize K Nomex and Ke.
It has been adopted as an industrial manufacturing method for polyamides such as vlar[F], and continues to this day.

一方、近年、ポリイミドの半導体デバイスへの応用も進
歩している。例えば、佐藤らにょシ「機能材料」7月号
、タページ(1913年)Kその概略を示されているが
、特殊なポリアミドを半導体素子にコートして塗膜を形
成し、これを加熱によりポリイミド膜に変換せしめ、耐
熱性絶縁膜や表面保護膜とするもの等である。また、更
にこれらにマイクロリソグラフィー性を付与した技術も
注目される。例えば、ルブナーらKよって特公昭jj−
≠l弘2.2号公報に開示されているような、感光基を
エステル結合を介して持ったポリアミド、すなわち、感
光性ポリイミド前駆体が知られている。
On the other hand, in recent years, the application of polyimide to semiconductor devices has also progressed. For example, as outlined in La Nyoshi Sato's "Functional Materials" July issue, Tapage (1913) K, a special polyamide is coated on a semiconductor element to form a film, and this is heated to form a polyimide film. It is converted into a film and used as a heat-resistant insulating film or a surface protection film. Furthermore, techniques that provide microlithography properties to these materials are also attracting attention. For example, Lubner et al.
A polyamide having a photosensitive group via an ester bond, that is, a photosensitive polyimide precursor, as disclosed in Japanese Patent Publication No. 2.2, is known.

これを用いるととKより一般のリソグラフィープロセス
で、半導体素子上等に簡単にパターン化されたポリイミ
ドの表面保護膜、層間絶縁膜を形成せしめることができ
るものである。このポリアミドも基本的KH前述のモー
ガンらの合成方法を用いている。
When this is used, a patterned polyimide surface protective film and interlayer insulating film can be easily formed on a semiconductor element or the like by a more general lithography process. This polyamide also uses the basic KH Morgan et al. synthesis method described above.

〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、モーガンらの方法によって合成されたポリアミ
ドは塩素イオンを含み、これらの塩素イオンを含む材料
を含む組成物を、電子材料分野の表面被覆材料、層間絶
縁膜、ジャンクションコート膜等の素子や金属配線に直
接触れるような用途に用いると、その塩素イオンにより
、半導体やその金属の腐食あるいは電気特性への悪影響
が起こり、問題となっている。これらのことは、佐原ら
Kより機能材料、 /9♂ヶ年、j月号、≠7頁にも解
説されている。
[Problems to be Solved by the Invention] However, the polyamide synthesized by the method of Morgan et al. contains chlorine ions, and compositions containing materials containing these chlorine ions are used as surface coating materials and interlayer insulation in the field of electronic materials. When used in applications where it comes into direct contact with elements such as films, junction coat films, or metal wiring, the chlorine ions cause corrosion of semiconductors and their metals, or adversely affect electrical properties, which poses a problem. These matters are also explained by K. Sahara et al. in Functional Materials, /9♂year, J issue, page ≠7.

また、これらのポリマー、あるいはそれを含む組成物を
通常の方法で塩素イオン濃度が数−以下となるよう精製
するのは非常に困難である。
Furthermore, it is extremely difficult to purify these polymers or compositions containing them using conventional methods so that the chloride ion concentration is reduced to a few digits or less.

〔問題を解決する手段〕[Means to solve the problem]

本発明者らは以上の背景を踏まえ、塩素イオンを十分に
低い濃度しか含まない、ポリアミドを含む感光性組成物
の開発を進めた。
Based on the above background, the present inventors proceeded with the development of a photosensitive composition containing polyamide that contains only a sufficiently low concentration of chloride ions.

一般に感光性組成物に含まれる光開始剤、溶媒等のポリ
マー以外の成分は、低分子量化合物であり、比較的容易
に塩素イオンを除去することができる。したがって、組
成物の塩素イオン含量を下げるためには、ポリマーの塩
素イオン含量を下げればよい。以上の考え方に従い、本
発明者らは塩素イオ/を全く含まないポリアミドの合成
方法の開発を行なった。
Generally, components other than polymers, such as a photoinitiator and a solvent, contained in a photosensitive composition are low molecular weight compounds, and chloride ions can be removed relatively easily. Therefore, in order to reduce the chloride ion content of the composition, it is sufficient to reduce the chloride ion content of the polymer. Based on the above concept, the present inventors developed a method for synthesizing polyamide that does not contain any chlorine ions.

種々の塩素を含まない脱水縮合剤を検討した結果、これ
らの中で、カルボジイミド類を用いた時に最も良い結果
を与えることを見い出し、本発明を完成させるに至った
。す表わち、本発明は、カルボジイミド類を縮合剤とし
て、芳香族ジカルボン醸類とジアミン類とから作られた
ポリアミド化合物、及び光活性物質を含む感光性組成物
を開示するものである。
As a result of examining various chlorine-free dehydration condensation agents, it was found that among these, the use of carbodiimides gave the best results, leading to the completion of the present invention. Specifically, the present invention discloses a photosensitive composition containing a polyamide compound made from an aromatic dicarbonate and a diamine using a carbodiimide as a condensing agent, and a photoactive substance.

以下、本発明の組成物に用いるポリアミドの合成方法に
ついて説明する。本発明の組成物に用いるポリアミドの
重縮合方法としては、溶融重縮合法、界面重縮合法、溶
液重縮合法等を選ぶことができるが、生成したポリアミ
ドの単離が容易であることなどから溶液重縮合法が最も
好ましい。この際に用いる具体的な好ましい溶媒の例と
しては、テトラヒドロ7ラン、r−ブチロラクト/、ジ
オキサン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ヘキサメ
チルホスホリルトリアミド、クロルベンゼン、アセトン
、メチルエチルケトン、メチルイノブチルケトン、シク
ロヘキサノ/、シクロペンタノン、塩化メチレン、クロ
ロホルム、/、J−ジクロロエタン、クロロセン、酢酸
エチル、ジエチルエーテル、ジメチルスルホキシド、テ
トラメチル尿素、ピリジンなどが挙げられる。これらの
うちでも、非プロトン性極性溶媒が生成したポリアミド
の溶解性及び副反応の起こりにくさ等からさらに好まし
い。
The method for synthesizing the polyamide used in the composition of the present invention will be explained below. As the polycondensation method for the polyamide used in the composition of the present invention, melt polycondensation method, interfacial polycondensation method, solution polycondensation method, etc. can be selected, but since the produced polyamide can be easily isolated, etc. Solution polycondensation methods are most preferred. Examples of specific preferable solvents used in this case include tetrahydro7rane, r-butyrolacto/, dioxane, acetonitrile, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, hexamethylphosphoryltriamide, chlorobenzene, acetone, methylethylketone. , methylinobutylketone, cyclohexano/, cyclopentanone, methylene chloride, chloroform, J-dichloroethane, chlorocene, ethyl acetate, diethyl ether, dimethyl sulfoxide, tetramethylurea, pyridine, and the like. Among these, aprotic polar solvents are more preferred in view of the solubility of the polyamide produced and the difficulty in causing side reactions.

カルボジイミド類としては種々のものを用いることがで
きる。具体的な好ましい例としては、ジシクロベキジル
カルボジイミド、ンエチルヵルボジイミド、ジイソプロ
ピルカルボジイミド、エチルシクロヘキシルカルボジイ
ミド、ジフェニルカルボジイミド、l−エチル−3−(
3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド、l−シ
クロへキシル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)カ
ルボジイミド塩酸塩、カルボジイミド等である。
Various carbodiimides can be used. Specific preferred examples include dicyclobexylcarbodiimide, ethylcarbodiimide, diisopropylcarbodiimide, ethylcyclohexylcarbodiimide, diphenylcarbodiimide, l-ethyl-3-(
3-dimethylaminopropyl)carbodiimide, l-cyclohexyl-3-(3-dimethylaminopropyl)carbodiimide hydrochloride, carbodiimide, and the like.

ンカルボン酸類としては、組成物の使用目的に応じて程
々のものを用いることができるが、ポリアミドまたはそ
れから誘導されるポリイミドの耐熱性の高さから、芳香
族系のジカルボン酸を用いる。その具体的な好ましい例
としては、イソフタル酸、テレフタル酸、2.6−ナフ
タレンジカルボン酸、4弘−ナフタレンジカルボン酸、
メチルテレフタル醗、ビフェニル−コツ2′−ジカルボ
ン酸、ピフェニル−μ、lIL/−ジカルボン酸、ジフ
ェニルメタン−tt+tt’−ジカルボン酸、ジフェニ
ルエーテル−ψ、v′−ジカルボン酸、ジフェニルスル
フオ/−μ、tI’−ジカルボン酸、/、 /、 /、
 3.!、J、−へキサフルオロ−2,2′−ビス(≠
−カルボΦジフェニル)フロパン等が挙げられる。また
、ジカルボン酸類として、下記の一般式 %式% (XVii十m価の芳香環基、または複素環基、Y基ま
たはアミノ基を含まない基、mは/またはコ、更にここ
でCOYとC0OHは互いにオルト位またはペリ位の関
係にある。) で示されるものを用いれば、ポリアミドを使用する際に
、後の工程で加熱環化してイミド環にすることができ、
非常に高い耐熱性を持つポリアミドイミドまたはポリイ
ミドの前駆体となる。その具体的な好ましい例としては
、トリメリド酸−2−エチルエステル、トリメリド醸−
/−ジエチルアミド、ピロメリト51− J、j−ジメ
チルエステル、ピロメリト酸−2,4(−ジエチルエス
テルとピロメリト酸−コ、j−ジエチルエステルの混合
物、ナフタレン−八<’、j+ J’−テトラカルボン
酸−/、j−ジエチルエステル、ナフタレン−J、 3
.4.7−テトラカルボン酸−コ、6−ピスジメチルア
ミド% JIJ’1μ。
As the dicarboxylic acid, a suitable amount can be used depending on the intended use of the composition, but aromatic dicarboxylic acids are used because of the high heat resistance of polyamide or polyimide derived therefrom. Specific preferred examples include isophthalic acid, terephthalic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 4-naphthalenedicarboxylic acid,
Methyl terephthal, biphenyl-2'-dicarboxylic acid, piphenyl-μ, lIL/-dicarboxylic acid, diphenylmethane-tt+tt'-dicarboxylic acid, diphenyl ether-ψ, v'-dicarboxylic acid, diphenylsulfo/-μ, tI' -dicarboxylic acid, /, /, /,
3. ! , J, -hexafluoro-2,2'-bis (≠
-carboΦdiphenyl)furopane, and the like. In addition, as dicarboxylic acids, the following general formula % (XVii 10 m-valent aromatic ring group or heterocyclic group, a group not containing a Y group or an amino group, m is/or co, and furthermore, COY and C0OH are in an ortho- or peri-position relationship with each other.) When using a polyamide, it can be heated and cyclized to an imide ring in a later step,
It is a precursor of polyamideimide or polyimide, which has extremely high heat resistance. Specific preferred examples thereof include trimellidic acid-2-ethyl ester, trimellidic acid-2-ethyl ester,
/-diethylamide, pyromellitic acid 51- J,j-dimethyl ester, pyromellitic acid-2,4(-mixture of diethyl ester and pyromellitic acid-co,j-diethyl ester, naphthalene-8<', j+ J'-tetracarboxylic acid -/, j-diethyl ester, naphthalene-J, 3
.. 4.7-tetracarboxylic acid-co,6-pisdimethylamide% JIJ'1μ.

μ′−ジフェニルテトラカルボン酸−7,4(’−ジイ
ソプロピルエステル、/、 /、 /、 J、3.3−
へキサ°フルオローコ1.2−ビス(J、<4−ジカル
ボキシフェニル)フロパンジエチルエステル、ベンゾフ
エ/ y −J。
μ′-diphenyltetracarboxylic acid-7,4(′-diisopropyl ester, /, /, /, J, 3.3-
Hexa°fluoroco1,2-bis(J,<4-dicarboxyphenyl)furopane diethyl ester, benzophe/y-J.

J’、4c、弘′−テトラカルボン藪ジエチルエステル
、ビス(j、F−ジカルボキシフェニル)エーテルジメ
チルエステル、ビス(J、F−ジカルボキシフェニル)
スル7オンジフエニルエステル、エチレンテトラカルボ
ン酸ジエチルエステル、シ3−ジカルボエトキシー/1
μmブタンジカルボンfll、3.lI−ジカルボメト
キシアジビン雪、3−カルボキシグルタル酸−l−エチ
ルエステル等が挙げられる。
J', 4c, Hiro'-tetracarbon Yabu diethyl ester, bis(j,F-dicarboxyphenyl)ether dimethyl ester, bis(J,F-dicarboxyphenyl)
Sul7one diphenyl ester, ethylenetetracarboxylic acid diethyl ester, cy3-dicarboethoxy/1
μm butane dicarbonate full, 3. Examples include 1I-dicarbomethoxyazibin, 3-carboxyglutaric acid-1-ethyl ester, and the like.

また、本発明の組成物に含まれるポリアミドにおいて、
炭素−炭素二重結合等の感光性基を持ったジカルボン酸
を用いることKより、別に感光性基を持った化合物を加
えることなく、可視光線、紫外線、X線、電子線等によ
って硬化させ、フォトリソグラフィーの手法によってパ
ターンを描くことができる。その具体的な好ましい例と
しては、弘−カルボキシケイ皮酸、p−フ二二レンジア
クリ ル酸、  ト リ メ リ ト 酸 ア リ ル
、  ト リ メ リ ト 酸 (−2−アクリロキシ
エチル)、ゲ、ψ′−ジカルボキシカルコン、ジ(クー
カルボキシベンジリデン)アセトン等を挙げることがで
きる。
Furthermore, in the polyamide contained in the composition of the present invention,
By using a dicarboxylic acid having a photosensitive group such as a carbon-carbon double bond, it is cured by visible light, ultraviolet rays, X-rays, electron beams, etc. without adding any other compound having a photosensitive group. Patterns can be drawn using photolithography techniques. Specific preferable examples thereof include Hiro-carboxycinnamic acid, p-phinidia diacrylic acid, allyl trimellitate, and trimellitate (-2-acryloxyethyl). , ge, ψ′-dicarboxychalcone, di(coucarboxybenzylidene)acetone, and the like.

また、前述の感光性基がカルボン酸のオルト位またはべ
り位にカルボン酸エステル結合を介して置換されている
と、感光性ポリイミド前駆体となシ、加工性、耐熱性、
耐電圧などの特性が最も良いものとなる。その具体的な
好ましい例としては、ピロメリト酸−4≠−ジアリル、
ビpメリト酸−4μmジ(コーアクリロキシエチル)、
ピロメリト酸−4≠−ジ(コーメタクリロキシエチル)
とピロメリト酸−2,≠−ジ(コーメタクリロキシエチ
ル)の混合物、ベンゾフェノン−J、 j、’μ、μ′
−テトラカルボン酸ジアリル、J、!’、I1.v′−
ベンゾフェノンテトラカルボン! −,3,3’または
グ、弘′または3゜μ′−ジ(コーメタクリロキシエチ
ル)混合物等を挙げることができる。
In addition, when the above-mentioned photosensitive group is substituted at the ortho-position or the peri-position of the carboxylic acid through a carboxylic acid ester bond, the photosensitive polyimide precursor has poor processability, heat resistance,
Characteristics such as withstand voltage are the best. Specific preferred examples thereof include 4≠-diallyl pyromellitate,
bipmellitic acid-4μm di(co-acryloxyethyl),
-4≠-di(comethacryloxyethyl) pyromellitic acid
and a mixture of pyromellitic acid-2,≠-di(comethacryloxyethyl), benzophenone-J, j, 'μ, μ'
- Diallyl tetracarboxylate, J,! ', I1. v'-
Benzophenone tetracarvone! -, 3, 3', gu, hi' or 3'μ'-di(comethacryloxyethyl) mixtures, etc. can be mentioned.

これらのジカルボン酸類は一種または二糧以上を混合し
て用いることができる。
These dicarboxylic acids can be used alone or in combination of two or more.

ジアミン類としては、組成物の使用目的に応じて種々の
ものを用いることができる。例えば、脂肪族ないし脂環
族系のジアミンを用いることができ、その具体的な好ま
しい例としては、エチレンジアミン、43−プロピレン
ジアミン、4コープロピレンジアミン、4弘−ブタンジ
アミン、λ、2−ジメチルー43−プロピレンジアミン
、ヘキサメチレンジアミン、4≠−シクロヘキサンジア
ミン、3−メトキシへキサメチレンジアミン、デカメチ
レンジアミン、ビス(3−アミノプロピル)スルフィド
、ビス(弘−アミノシクロヘキシル)メタン、ピペラジ
ン岬を挙げることができる。また、芳香族ジアミンを用
いると耐熱性の高いポリアミドを製造でき、その具体的
な好ましい例としテハ、メタ−フェニレンジアミン、パ
ラ−7二二レンジアミン、p、p’−ジアミノジフェニ
ルプロパン、μ、4I′−ジアミノジフェニルメタン1
.?、J’−ジアミノジフェニルスルフォン、ジ≠′−
ジアミノジフェニルスルフォン、a、a!−ジアミノジ
フェニルスルフィド、ベンチジン、ψ、弘′−ジアミノ
ジフェニルエーテル、4!−ジアミノナフタレン、メタ
−トルイジン、!、3′−ジメチルベ/チジ/、3,3
′−ジメトキシペンチジン、3.μ′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、J、J’−ジメトキシペンチジン、オル
ト−トルイジンスルフォン、フェニルインダンジアミン
、/、 /、 /、 j、 j、 j、−へキサフルオ
ローコ、コービス(ψ−アミノフェニル)プロパン、/
、 /、 /、 j、 j、 j。
Various diamines can be used depending on the intended use of the composition. For example, aliphatic or alicyclic diamines can be used, and specific preferred examples thereof include ethylene diamine, 43-propylene diamine, 4-copropylene diamine, 4-propylene diamine, λ,2-dimethyl-43 - Propylene diamine, hexamethylene diamine, 4≠-cyclohexane diamine, 3-methoxyhexamethylene diamine, decamethylene diamine, bis(3-aminopropyl) sulfide, bis(hiro-aminocyclohexyl) methane, piperazine cape may be mentioned. can. In addition, polyamides with high heat resistance can be produced by using aromatic diamines, and specific preferred examples thereof include teha, meta-phenylene diamine, para-7 2-2 diamine, p,p'-diaminodiphenylpropane, μ, 4I'-diaminodiphenylmethane 1
.. ? , J'-diaminodiphenylsulfone, di≠'-
Diaminodiphenylsulfone, a, a! -Diamino diphenyl sulfide, benzidine, ψ, Hiro'-diaminodiphenyl ether, 4! -diaminonaphthalene, meta-toluidine,! , 3'-dimethylbe/thidi/, 3,3
'-Dimethoxypentidine, 3. μ'-diaminodiphenyl ether, J, J'-dimethoxypentidine, ortho-toluidine sulfone, phenylindane diamine, /, /, /, j, j, j, -hexafluoroco, Corbis (ψ-aminophenyl) propane, /
, /, /, j, j, j.

−へキサフルオローコ、コービス(弘−アミノフエノキ
シフエール)プロパン、ビスCμmアミノフエノキシフ
エエル)スルフォン、4μmヒX(4A−アミノフェノ
キシ)ベンゼン、/、3−ビス(弘−アミノフェノキシ
)ベンゼン、り、タービスCμmアミノフェニル)フル
オレン、μ+’l’−ジアミノベンズアニリド、ビス(
クーβ−アミノ−t−ブチルフェニル)エーテル、メタ
キシリレンジアミン等を挙げることができる。
-hexafluoroco, Corbis(Hiro-aminophenoxyphere)propane, bisCμm aminophenoxyphere) sulfone, 4μm HX(4A-aminophenoxy)benzene, /, 3-bis(Hiro-aminophenoxy)benzene , terbisCμmaminophenyl)fluorene, μ+'l'-diaminobenzanilide, bis(
Examples include co-β-amino-t-butylphenyl) ether and metaxylylene diamine.

更に1接着性を向上させるためK、耐熱性を低下させな
い範囲で、シロキサン構造を有するジアミノを共重合す
ることもできる。好ましい例として次の構造式で示され
るものなどが挙げられる。
Furthermore, in order to improve the adhesion, diamino having a siloxane structure can be copolymerized within a range that does not reduce the heat resistance. Preferred examples include those represented by the following structural formula.

これらのジアミン類は一種または二種以上を混合して用
いることができる。
These diamines can be used alone or in combination of two or more.

本発明の組成物に用いるポリアミドを製造する反応条件
は特に限定的ではなく、公知の条件を採用できる。反応
温度は反応が進行する条件であれば特に制限はないが、
反応速度及び副生成物の発生の問題から一コO℃から1
0℃が好ましく、−10℃から30℃がさらに好ましい
。縮合剤の比率はカルボ/酸またはアミンの少ないほう
に対して当量以上あればよく、過剰に存在してもIl!
iK大きな問題はない。通常l当量から/、!当量程度
用いるのが好ましい。溶剤の量は縮合剤1モルに対して
jOO−ないし101であることが好ましい。反応時間
は70分ないし100時間が好ましく、1時間ないしコ
ダ時間がさらに好ましい。また、反応時にl−ヒドロキ
シベンゾトリアゾール、N−ヒドロキシコハク酸イミド
、ピリジン等の添加物を用いて反応を円滑に行なうとと
も好ましい。試薬の添加順序はどのような順序でもよい
が、溶媒及びジカルボン酸類を入れておき、次いでカル
ボジイミド類を加えた後、ジアミン類を加えるという方
法によったほうが、より高分子量で安定性の良いポリア
ミド、を合成することができることから好ましい。ジカ
ルボン酸類とジアミン類のモル比は/、 0付近である
ことが好ましいが、目的とするポリアミドの分子量に応
じてQ、7ないし/、3とすることもできる。を九、反
応時に単官能性のアルコール、アミン等を添加して分子
量を制御することもできる。反応の停止は反応液を希釈
すること、生成したポリアミドを単離すること、アルコ
ール等で活性な反応末端を不活性化すること、等の公知
の方法を用いることができる。
The reaction conditions for producing the polyamide used in the composition of the present invention are not particularly limited, and known conditions can be employed. There is no particular restriction on the reaction temperature as long as the reaction progresses, but
Due to the problem of reaction rate and generation of by-products,
0°C is preferred, and -10°C to 30°C is more preferred. The ratio of the condensing agent should be at least equivalent to the carbo/acid or amine, whichever is smaller, and even if it is present in excess, Il!
iK: There are no major problems. Usually from l equivalent/,! It is preferable to use an equivalent amount. The amount of the solvent is preferably from jOO-1 to 101 moles of the condensing agent. The reaction time is preferably 70 minutes to 100 hours, more preferably 1 hour to Koda hours. It is also preferable to use additives such as l-hydroxybenzotriazole, N-hydroxysuccinimide, pyridine, etc. during the reaction to facilitate the reaction. Although the reagents can be added in any order, it is better to add the solvent and dicarboxylic acids first, then add the carbodiimides, and then add the diamines to form a polyamide with a higher molecular weight and better stability. , is preferable because it can synthesize. The molar ratio of dicarboxylic acids and diamines is preferably around 0, but it can also be between 7 and 3 depending on the molecular weight of the target polyamide. (9) The molecular weight can also be controlled by adding monofunctional alcohols, amines, etc. during the reaction. To stop the reaction, known methods such as diluting the reaction solution, isolating the produced polyamide, and inactivating active reaction terminals with alcohol or the like can be used.

本発明の組成物に用いるポリアミドの単離は、生成した
ポリアミドの性状及び使用した縮合剤の性状に応じて、
−過、洗浄、水または有機溶剤による再沈殿、留去等の
公知の方法を用いて溶媒、残存縮合剤、縮合剤からの生
成物である尿素類等を除去することKよって行なうこと
ができる。
Isolation of the polyamide used in the composition of the present invention depends on the properties of the produced polyamide and the properties of the condensing agent used.
- This can be carried out by removing the solvent, residual condensing agent, urea products produced from the condensing agent, etc. using known methods such as filtration, washing, reprecipitation with water or an organic solvent, and distillation. .

本発明の言う光活性物質とは、光開始剤、アジド化合物
、及びジアゾ化合物である。
The photoactive substances referred to in the present invention are photoinitiators, azide compounds, and diazo compounds.

本発明の組成物に用いるアジド化合物としては種々のも
のが選びうる。その具体的な好ましい例トシては、4≠
−ベンゼンビススルフォンアジド、弘−スルフォンアジ
ドフェニルブレインイミド、帽μ′−ジアジドカルコン
、43−ビス(弘−アシトベンザル−)アセトン、2.
6−ビス(弘−アシトヘンザル−)シクロヘキサン、2
.t−ビス(≠−アジドベンザルー)tI−メチルシク
ロヘキサンなどが挙げられる。
Various azide compounds can be selected for use in the composition of the present invention. A specific preferred example is 4≠
-benzene bissulfone azide, Hiro-sulfone azide phenylbrainimide, cap μ'-diazide chalcone, 43-bis(Hiro-acetobenzal-)acetone, 2.
6-bis(Hiro-acitohensal-)cyclohexane, 2
.. Examples include t-bis(≠-azidobenzalu)tI-methylcyclohexane.

本発明の組成物に用いるジアゾ化合物としては、糧々の
ものが選びうる。その具体的な好ましい例としては、≠
−ジアゾーN−エチルーN−β−ヒドロキシエチルアニ
リン、/、コーナフトキノンジアジドー≠−スルフォン
酸、p−ぺ/フキノンジアジド−p−ジアゾフェニルア
ミンなどが挙げられる。
A wide variety of diazo compounds can be selected as the diazo compound used in the composition of the present invention. As a specific preferable example, ≠
Examples include -diazo N-ethyl-N-β-hydroxyethylaniline, /, corneraphthoquinonediazide≠-sulfonic acid, p-pe/fuquinonediazide-p-diazophenylamine, and the like.

本発明の組成物に用いる光開始剤としては種々のものが
選びうる。その具体的な好ましい例としては、ベンゾフ
ェノン、0−ベンゾイル安息香酸メチル、p、4t’−
ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、≠、4t′−
ビス(ジエチルアミン)ヘンシフエノン、弘、ψ′−ジ
クロロベ/シフエノン、グーベンソイル−μ′−メチル
ジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン等
ベンゾフェノン誘導体。2,2′−ジェトキシアセトフ
ェノ/、ノーヒドロキシ−2−メチルグロピオフエノン
、P−1−ブチルジクロロアセトフェノン等アセトフェ
ノン誘導体。l−ヒドロキシシクロへキシルフェニルケ
トン。チオキサントン、2−メチルチオキサントン、2
−クロロチオキサントン、2−イングロビルチオキサン
トン、ジエチルチオキサントン等チオキサントン銹導体
。ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β
−メトキシエチルアセタール等ぺ/ジル誘導体。ベンゾ
イン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソブチ
ルエーテル轡べ/ジイン誘導体。アントラキノン、コー
t−ブチルアントラキノン、コーアミルアントラキノン
、β−クロルアントラキノン等アントラキ/711導体
。アントロン、ベンズアンスロン、ジペンゾスペロン、
メチレンアントロン等アントロン誘導体。/−フェニル
−4コープロパンジオン−J−(o−エトキシカルボニ
ル)オキシム、l−フェニル・−42−ブロパンジオン
ー2−(o−ベンゾイルオキシム)、α−ベンゾインオ
キシム等オキシム類、ナフタレンスルホニルクロライド
、キノリンスルホニルクロライド、N−フェニルチオア
クリドン、ψ、弘′−アゾビスイソブチロニトリル、ジ
フェニルジスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド
、トリフェニルホスフィン、カンファーキノン、四臭化
炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ヘンジイル
、及び、エオシン、メチレンブルー等光還元性色素とア
スコルビン酸、トリエタノールアミン等の還元剤の組み
合わせ等である。
A variety of photoinitiators can be selected for use in the compositions of the present invention. Specific preferred examples include benzophenone, methyl 0-benzoylbenzoate, p, 4t'-
Bis(dimethylamino)benzophenone, ≠, 4t'-
Benzophenone derivatives such as bis(diethylamine)hensiphenone, Hiro, ψ'-dichlorobe/siphenon, goubensoyl-μ'-methyldiphenylketone, dibenzylketone, and fluorenone. Acetophenone derivatives such as 2,2'-jethoxyacetophenone, no-hydroxy-2-methylglopiofenone, and P-1-butyldichloroacetophenone. l-Hydroxycyclohexylphenyl ketone. Thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2
- Thioxanthone rust conductors such as chlorothioxanthone, 2-ingrovirthioxanthone, and diethylthioxanthone. Benzyl, benzyl dimethyl ketal, benzyl-β
-Pe/zyl derivatives such as methoxyethyl acetal. Benzoin, benzoin methyl ether, benzoin isobutyl ether and diyne derivatives. Anthraquinone, coated t-butylanthraquinone, coated t-butylanthraquinone, co-amylanthraquinone, β-chloroanthraquinone, and other anthracite/711 conductors. anthrone, benzanthrone, dipenzosperone,
Anthrone derivatives such as methylene anthrone. Oximes such as /-phenyl-4-copropanedione-J-(o-ethoxycarbonyl)oxime, l-phenyl-42-propanedione-2-(o-benzoyloxime), α-benzoinoxime, naphthalenesulfonyl chloride, quinolinesulfonyl Chloride, N-phenylthioacridone, ψ, Hiro'-azobisisobutyronitrile, diphenyl disulfide, benzthiazole disulfide, triphenylphosphine, camphorquinone, carbon tetrabromide, tribromophenyl sulfone, hendiyl peroxide, and , a combination of a photoreducible dye such as eosin or methylene blue and a reducing agent such as ascorbic acid or triethanolamine.

光開始剤には適当な増感剤を加えることもできる。増感
剤の例としては、トリエチルアミン、ジェタノールアニ
リン、ミヒラーズケトン、ジメチルアミノ安息香酸イン
アミル、ジエチルアミノ安息香酸エチルの#1か、増感
性色素等がある。
A suitable sensitizer can also be added to the photoinitiator. Examples of sensitizers include triethylamine, jetanolaniline, Michler's ketone, inamyl dimethylaminobenzoate, ethyl diethylaminobenzoate #1, and sensitizing dyes.

これらの光活性物質は、単独または数種類の混合物で用
いられる。感光性組成物としてこれらの開始剤はポリア
ミドに対してo、1−ao%添加畜れる。
These photoactive substances can be used alone or in mixtures of several types. These initiators are added to the photosensitive composition in an amount of 0.1-ao% based on the polyamide.

本発明の組成物には、必t!に応じて炭素−炭素二重結
合を有する化合物を添加することができる。
The composition of the present invention has essential features! A compound having a carbon-carbon double bond can be added depending on the conditions.

この炭素−炭素二重結合を有する化合物は添加すること
Kより光重合反応を容易にするような化合物であって、
このようなものとしては、−一エチルへキシルアクリレ
ート、コーヒドロキシエチルアクリレート、N−ビニル
−2−ピロリド/、カルピトールアクリレート、テトラ
ヒドロフルフリルアクリレート、インボルニルアクリレ
ート、t6−ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペ
ンチルグリコールジアクリレート、エチレングリコール
ジアクリレート、ポリエチレンクリコールジアクリレー
ト、ペンタエリスリトールジアクリレート、トリメチロ
ールプロパントリアクリレート 、  ぺ / タ エ
 リ ス リ  ト − ル ト リ ア り リ し
 − ト 、  ジペンタエリスリトールへキサアクリ
レート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、
上記のアクリレートをメタ・クリレートに変えたもの、
メチレンビスアクリルアミド、N−メチロールアクリル
アミド、ジ(アクリルアミノメチル)エーテル、上記の
アクリルアミドをメタクリルアミドに変えたもの、N−
フェニルマレインイミド、ジフェニルメタン−ψ、tA
/−ビスマレインイミド、トリメチロールプロパントリ
アリルエーテル、ペンタエリスリトールトリアリルエー
テルなどが挙げられ、これらの中で好ましいものは、λ
つ以上の炭素−炭素二重結合を有する化合物である。
This compound having a carbon-carbon double bond is a compound that facilitates the photopolymerization reaction by adding K,
These include -monoethylhexyl acrylate, co-hydroxyethyl acrylate, N-vinyl-2-pyrrolido/carpitol acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, inbornyl acrylate, t6-hexanediol diacrylate, neo Pentyl glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, pentaerythritol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol, dipentaerythritol Kisaacrylate, tetramethylolmethanetetraacrylate,
The above acrylates are changed to meta acrylates,
Methylenebisacrylamide, N-methylolacrylamide, di(acrylaminomethyl)ether, methacrylamide in place of the above acrylamide, N-
Phenylmaleimide, diphenylmethane-ψ, tA
/-bismaleimide, trimethylolpropane triallyl ether, pentaerythritol triallyl ether, etc., and preferred among these are λ
A compound with more than one carbon-carbon double bond.

これらの炭素−炭素二重結合を有する化合物はポリアミ
ドに対して、必要に応じて30%以下の範囲で添加する
ことができる。
These compounds having a carbon-carbon double bond can be added to the polyamide in an amount of 30% or less, if necessary.

また、上記の炭素−炭素二重結合を有する化合物として
アリルエーテル系の化合物を用いる場合、及びポリアミ
ドとして炭素−炭素二重結合の感応基を持つジカルボン
酸より合成されたポリアミドのうち、感応基がアリル基
であるものを用いる場合には、光活性物質としてアジド
化合物を組み合わせるか、あるいは光開始剤と、ポリチ
オール化合物を含む組成物として用いることが好ましい
In addition, when an allyl ether compound is used as the above-mentioned compound having a carbon-carbon double bond, and when a polyamide is synthesized from a dicarboxylic acid having a sensitive group of a carbon-carbon double bond, the sensitive group is When using an allyl group, it is preferable to use it in combination with an azide compound as a photoactive substance, or as a composition containing a photoinitiator and a polythiol compound.

これらポリチオール化合物は、一般式 %式%) (ただし、Rsと82は「反応性」不飽和炭素−炭素結
合基を含まない有機基であり、nは2以上の整数である
)で示される。ここで「反応性炭素−炭素不飽和結合基
」という語は、適当な条件下でチを生じる基を意味する
These polythiol compounds are represented by the general formula % (where Rs and 82 are organic groups that do not contain a "reactive" unsaturated carbon-carbon bond group, and n is an integer of 2 or more). As used herein, the term "reactive carbon-carbon unsaturated bond group" means a group that forms a group under appropriate conditions.

本発明に適切なポリチオール化合物の例には、チオグリ
コール酸(H8−CH2COOH)、α−メルカプトプ
ロピオン酸(H8−CH(CHs)−COOH)及びβ
−メルカプトプロピオン酸(H8CHzCHzCOOH
)とグリコール、トリオール、テトラオール、ペンタオ
ール、ヘキサオール等のよう表ポリヒドクキシ化合物と
のエステルが含まれるが、それらに限定されるわけでは
ない。適切なポリチオールの特定の例には、エチレング
リコールジチオグリコレート、エチレングリコールジ(
3−メルカプトプロピオネート)、トリメチロールプロ
パントリチオグリコレート、トリメチロールプロパント
リ(3−メルカプトプロピオレート)、ペンタエリスリ
トールテトラチオグリコレート、ペンタエリスリトール
テトラ(3−メルカプトプロピオネート)、トリメチロ
ールエタントリチオグリコレート、トリメチロールエタ
ントリ(3−メルカプトプロピオネート、ジペンタエリ
スリトールヘキサ(3−メルカプトプロピオネート)等
が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
Examples of polythiol compounds suitable for the present invention include thioglycolic acid (H8-CH2COOH), alpha-mercaptopropionic acid (H8-CH(CHs)-COOH) and beta
-Mercaptopropionic acid (H8CHzCHzCOOH
) and polyhydroxy compounds such as glycols, triols, tetraols, pentaols, hexaols, and the like. Specific examples of suitable polythiols include ethylene glycol dithioglycolate, ethylene glycol di(
3-mercaptopropionate), trimethylolpropane trithioglycolate, trimethylolpropane tri(3-mercaptopropionate), pentaerythritol tetrathioglycolate, pentaerythritol tetra(3-mercaptopropionate), trimethylol Examples include, but are not limited to, ethane trithioglycolate, trimethylolethane tri(3-mercaptopropionate), dipentaerythritol hexa(3-mercaptopropionate), and the like.

これらのポリチオール化合物は、ポリアミドに対して、
必要に応じて0〜30%添加される。
These polythiol compounds are suitable for polyamides.
It is added in an amount of 0 to 30% as necessary.

また、本発明の組成物に重合禁止剤を添加することKよ
り、組成物の安定性を向上させることができる。禁止剤
の具体的な好ましい例としては、ヒドロキノン、N−二
トロンジフェニルア°ミン、p−t−ブチルカテコール
、フェノチアジン、N−フェニルナフチルアミン、J、
A−ジーt−ブチル−p−メチルフェノールなどが挙げ
られる。
Further, by adding a polymerization inhibitor to the composition of the present invention, the stability of the composition can be improved. Specific preferred examples of the inhibitor include hydroquinone, N-nitron diphenylamine, pt-butylcatechol, phenothiazine, N-phenylnaphthylamine,
Examples include A-di-t-butyl-p-methylphenol.

更に、本発明組成物にメルカプタン化合物を添加するこ
とにより、光感度を更に向上させることができる。メル
カプタン化合物の例としては、例えば、コーメルカブト
ベンズイミダゾール、−一メルカブトベンゾチアゾール
、/−フェニル−!−メルカプトー/H−テトラゾール
、−−メルカプトチアゾリン、λ−メルカプドーリーフ
ェニルチアゾール、−一アミノー!−メルカプ) −/
、 J。
Furthermore, photosensitivity can be further improved by adding a mercaptan compound to the composition of the present invention. Examples of mercaptan compounds include, for example, comelcabutobenzimidazole, -mercabutobenzothiazole, /-phenyl-! -mercapto/H-tetrazole, -mercaptothiazoline, λ-mercapdolyphenylthiazole, -monoamino! - Mercap) -/
, J.

μmチアジアゾール、コーメルカブトイミダゾール、2
−メルカプト−よ−メチル−/、 j、 弘−チアジア
ゾール、j−メルカプ)−/−メチル−/H−テトラゾ
ール、 J、弘、j−トリメルカプト−1−トリアジン
、2−ジブチルアミノ−μ、t−ジメルカプトー8−ト
リアジン1.2.j−ジメルカプト−43、グーチアジ
アゾール、!−メルカプトー/、3゜グーチアジアゾー
ル、/−エチk −j −メs、カブ)−/、2.j、
4’・−テトラゾール、コーメルヵグトー乙−二トロチ
アゾール、コーメルカブトベンゾオキサゾール、グーフ
ェニルーコーメルカブトチアゾール、メルカプトピリジ
ン、−一メルヵプトキノリン、/−メチル−一−メルカ
プトイミダゾール、コーメルカブトーβ−ナフトチアゾ
ール々どが挙げられる。
μm thiadiazole, comelcabutoimidazole, 2
-mercapto-yo-methyl-/, j, Hiro-thiadiazole, j-mercap)-/-methyl-/H-tetrazole, J, Hiro, j-trimercapto-1-triazine, 2-dibutylamino-μ, t -dimercapto 8-triazine 1.2. j-dimercapto-43, Goochiadiazole,! -Mercapto/, 3゜Goutiadiazole,/-ethik-j-meth, turnip)-/, 2. j,
4'-tetrazole, komelkabuto-nitrothiazole, komelkabutobenzoxazole, gouphenyl-komelkabutothiazole, mercaptopyridine, -1-mercaptoquinoline, /-methyl-1-mercaptoimidazole, komelkabuto β-naphtho Examples include thiazoles.

以下に本発明の組成物の使用法を述べる。The method of using the composition of the present invention is described below.

本発明の組成物は、該組成物中のすべての成分を溶解し
うる溶媒に溶解して所定の基体上に塗布する。この際、
シリコン半導体・−等の基体との密着性を高めるために
は、例えば、トリエトキシビニルシラン、トリ(メトキ
シエトキシ)ビニルシラン、γ−グリシドキシプロビル
トリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル
)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシランなどのシ
ランカップリング剤を添加するか、基体にプレコートす
ることが好まり、イ。
The composition of the present invention is applied onto a predetermined substrate after being dissolved in a solvent that can dissolve all the components in the composition. On this occasion,
In order to improve the adhesion with substrates such as silicon semiconductors, for example, triethoxyvinylsilane, tri(methoxyethoxy)vinylsilane, γ-glycidoxyprobyltrimethoxysilane, N-β(aminoethyl)γ- It is preferred that a silane coupling agent such as aminopropyltrimethoxysilane or N-β(aminoethyl)γ-aminopropylmethyldimethoxysilane be added or precoated on the substrate.

前記溶媒としては極性溶媒が好ましく、例えばジメチル
ホルムアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルアセト
アミド、ジグライム、酢酸イソブチル、シクロペンタノ
ンなど沸点が高すぎないものが望ましい。更に、アルコ
ール、芳香族炭化水素、エーテル、ケトン、エステルな
どの溶媒を成分を析出させない範囲で加えることもでき
る。
The solvent is preferably a polar solvent, such as one having a not too high boiling point, such as dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, dimethylacetamide, diglyme, isobutyl acetate, or cyclopentanone. Furthermore, solvents such as alcohols, aromatic hydrocarbons, ethers, ketones, and esters can also be added to the extent that the components are not precipitated.

基体上に塗布する方法としては、前記のようにして得ら
れた溶液を、フィルターで一過した後\スピンコーター
、バーコーター、フレードコーター、スクリーン印刷法
などで基体に塗布する方法、基体を該溶液に浸漬する方
法、該溶液を基体に噴霧する方法など種々の方法を用い
ることができる。
The method of applying the solution onto the substrate is to pass the solution obtained as described above through a filter and then apply it to the substrate using a spin coater, bar coater, flake coater, screen printing method, etc.; Various methods can be used, such as immersing the substrate in the solution and spraying the solution onto the substrate.

基体としては、金属、ガラス、シリコン半導体、金IX
醒化物絶縁体、9化ケイ素膜、ポリエステルフィルム、
ガラスエポキシ板など種々の材料を選ぶことができる。
Substrates include metal, glass, silicon semiconductor, gold IX
Atomized insulator, silicon 9ide film, polyester film,
Various materials can be selected, including glass epoxy plates.

次に、このようにして得られた塗膜を風乾、加熱乾燥、
真空乾燥などを組み合わせて乾燥したのち、露光を行な
う。この際、用いる活性光線としては、例えば、紫外線
、X線、電子線などが挙げられ、これらの中で紫外線が
好ましく、その光源としては、例えば、低圧水釧灯、高
圧水銀灯、超高圧水銀灯、・・ロゲンランプ、殺菌灯な
どが挙げられる。これらの光源の中で超高圧水銀灯が好
適である。また、露光は窒素雰囲気下で行なうことが好
ましい。この露光の際に、フォトマスクを用いる、縮少
投影装置を用いる、などの公知のプロセスを用いて、必
要とするパターンに従って露光を行なう。
Next, the coating film obtained in this way is air-dried, heat-dried,
After drying using a combination of vacuum drying and other methods, exposure is performed. In this case, the active light used includes, for example, ultraviolet rays, X-rays, electron beams, etc. Among these, ultraviolet rays are preferable, and the light sources include, for example, low-pressure water lamps, high-pressure mercury lamps, ultra-high-pressure mercury lamps, ...Rogen lamps, germicidal lamps, etc. Among these light sources, ultra-high pressure mercury lamps are preferred. Further, it is preferable that the exposure be performed under a nitrogen atmosphere. During this exposure, a known process such as using a photomask or a reduction projection device is used to perform exposure according to a required pattern.

このようにして露光したのち、未照射部を除去すべく、
浸漬法やスプレー法などを用いて現像を行なう。この除
用いる現僧液としては、未露光膜な適当な時間内に完全
に溶解除去しうるようなものが好ましく、例えば、N−
メチルピロリドン、N−アセチルーコービロリドン、N
、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリ
ックトリアミド、N−べ/ジルーコーピロリドン、γ−
ブチロラクトンなどの非プロトン性極性溶媒を単独で用
いてもよいし、あるいはこれらに第2成分として、例え
ば、エタノール、イソプロパノ−1fkどのアルコール
、ヘキサン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素、ト
ルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素化合物、メチル
エチルケトン、メチルイソブチルケト/などのケトン、
酢酸エチル、プロピオン酸メチルなどのエステル、テト
ラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテルなどの溶
媒を混合して用いてもよい。更に、現像直後に前記第2
成分として示したような溶媒でリンスすることが好11
−い。
After exposing in this way, in order to remove the unexposed area,
Development is performed using a dipping method, a spray method, etc. The liquid solution used for this removal is preferably one that can completely dissolve and remove the unexposed film within an appropriate time, such as N-
Methylpyrrolidone, N-acetyl-copyrrolidone, N
, N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphoric triamide, N-be/zilucopyrrolidone, γ-
Aprotic polar solvents such as butyrolactone may be used alone, or they may be combined with alcohols such as ethanol, isopropano-1FK, aliphatic hydrocarbons such as hexane and cyclohexane, toluene, xylene, etc. Aromatic hydrocarbon compounds, ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl keto/etc.
A mixture of solvents such as esters such as ethyl acetate and methyl propionate, and ethers such as tetrahydrofuran and dioxane may be used. Furthermore, immediately after development, the second
It is preferable to rinse with a solvent such as those shown as ingredients.
- Yes.

このようにして得られた、ポリアミドを主成分とする画
像を、乾燥後、レジスト、絶縁膜、保饅膜等の用途に用
いる。この際に必要に応じて加熱による不要成分の除去
、ポリアミドの化学構造の変換、などの処理を行なう。
After drying, the thus obtained image containing polyamide as a main component is used for applications such as resists, insulating films, and protective films. At this time, treatments such as removing unnecessary components by heating and converting the chemical structure of the polyamide are performed as necessary.

〔作  用〕[For production]

本発明の組成物においては、塗膜形成後、活性光線を用
いて分子間に架橋反応を起こし、有機溶媒等に対する溶
解速度の架橋部と未架橋部との差を利用して画像を得る
ものである。
In the composition of the present invention, after the coating film is formed, a crosslinking reaction is caused between molecules using actinic rays, and an image is obtained by utilizing the difference in dissolution rate between crosslinked and uncrosslinked parts in organic solvents, etc. It is.

また、本発明の組成物は、塩素イオンの含量が低いため
、塩素イオンに触媒される金属の腐食が進行せず、種々
の用途の保膿膜として用いる際の信頼性等の性能が向上
する。
Furthermore, since the composition of the present invention has a low content of chlorine ions, corrosion of metals catalyzed by chlorine ions does not progress, and performance such as reliability when used as a purulent membrane for various purposes is improved. .

更に、塩素イオンは系内に水が存在すると、ポリアミド
の加水分解を促進し、ポリアミド溶液の保存安定性に悪
影醤を与えるが、本発明の組成物は塩素イオンの含有が
低いため、良好な保存安定性を有する。
Furthermore, when water is present in the system, chlorine ions promote the hydrolysis of polyamide and adversely affect the storage stability of polyamide solutions, but the composition of the present invention has a low content of chlorine ions, so it has good performance. It has excellent storage stability.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明の組成物は、原料のポリアミドの合成に塩素を含
んだ縮合剤等を用いないため検出限界以上の塩素イオン
は含まれず、金属腐食等の問題も起こらないため、広く
電子材料、半導体分野に適用することができる。
Since the composition of the present invention does not use a chlorine-containing condensing agent in the synthesis of the polyamide raw material, it does not contain chlorine ions exceeding the detection limit and does not cause problems such as metal corrosion, so it is widely used in electronic materials and semiconductor fields. It can be applied to

また、本発明の組成物の溶液は、良好な保存安定性を有
し、使用の際の管理が容易であることなどの実用上の利
点を持っている。
Further, the solution of the composition of the present invention has practical advantages such as good storage stability and easy management during use.

〔実施例〕〔Example〕

以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれに限定さ
れるものではない。
Examples of the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto.

合成例/ 3θO−容のセパラブルフラスコに1イソフタル@t6
.4g、N−メチルビ017 )’ 7100d、p、
 e’ −ジアミノジフェニルエーテル−o、og、ピ
リジンo、tgを入れ、水冷下、攪拌しながら、ジシク
ロヘキシルカルボジイミド弘/、 、2 q  のN−
メチルピロリドンl10−の溶液を30分間で滴下した
。更に室温で2≠時間攪拌した後、エタノールj−を加
えて更にψ時間攪拌した後、沈殿をp遇し、得られた溶
液を攪拌下io1のエタノールに加え、生成した沈殿を
一過しエタノールで洗浄した後、真空乾燥して、白色粉
末(2zo91を得た。得られた粉末の濃硫酸中、30
℃、0.J9/dtでの固有粘度〔η] u o、so
 dV9であった。ゲルパーミェーションクロマトグラ
フィー(GPC)によって求めた重量平均分子量はs 
o、o o oであった。これをPA−/と称する。以
上を合成法人と称する。
Synthesis example/1 isophthale @t6 in a 3θO-volume separable flask
.. 4g, N-methyl bi017)' 7100d, p,
e'-diaminodiphenyl ether-o, og, pyridine o, and tg were added, and while stirring under water cooling, dicyclohexylcarbodiimide Hiroshi/, , 2 q of N-
A solution of 110 methylpyrrolidone was added dropwise over a period of 30 minutes. After further stirring at room temperature for 2≠ hours, ethanol was added and the mixture was further stirred for ψ hours. After washing with water and vacuum drying, a white powder (2zo91) was obtained.
°C, 0. Intrinsic viscosity at J9/dt [η] u o, so
It was dV9. The weight average molecular weight determined by gel permeation chromatography (GPC) is s
It was o, o o o. This is called PA-/. The above is referred to as a composite corporation.

比較合成例1 3θO−容のセパラブルフラスコに、ジアミノジフェニ
ルエーテル/9.19、N−メチルピロリドンtoow
l、ピリジン/7.09’に入れ、水冷下、攪拌しなカ
ライノフタル酸ジクロライトコ0.39を75分間で滴
下した。更に室温で21時間攪拌した後、エタノールj
−を加えて更にμ時間攪拌した。得られた溶液を攪拌下
、101の水に滴下し、生じた沈殿を一過し、水及びエ
タノールで洗浄した後真空乾燥して、白色粉末(2t、
09’)t−得た。得られた粉末の濃硫酸中、30℃、
0. ! 9/dlでの固有粘度[V)は0.1IId
l/gであった。GPCによって求めた重量平均分子量
はaZoooであった。これをPA −一と称する。
Comparative Synthesis Example 1 Diaminodiphenyl ether/9.19, N-methylpyrrolidone too much was placed in a 3θO-volume separable flask.
1, pyridine/7.09', and under water cooling, 0.39 ml of Karainophthalic acid dichlorite was added dropwise over 75 minutes without stirring. After further stirring at room temperature for 21 hours, ethanol
- was added and stirred for an additional μ hour. The resulting solution was added dropwise to 101ml of water while stirring, and the resulting precipitate was filtered out, washed with water and ethanol, and then vacuum dried to give a white powder (2t,
09') t-obtained. The obtained powder was heated in concentrated sulfuric acid at 30°C.
0. ! Intrinsic viscosity [V) at 9/dl is 0.1IId
It was l/g. The weight average molecular weight determined by GPC was aZooo. This is called PA-1.

参考例/ 無水ピロメリト酸100gを300tnt容のフラスコ
に入れ、エタノール200−を加えて70℃に7時間加
熱した。冷却後、生成した結晶をp別し、エタノールで
再結晶してピロメリト酸−4≠−ジエチルエステル(’
I’1.09’)を得た。この化合物の核磁気共鳴スペ
クトルは次の吸収を示した。δ値/、110三重線、i
<H相当;り、≠01四重線、4(H相当;J’、03
、−重線、コH相当”、//、IO,幅広、コH相当。
Reference Example/100 g of pyromellitic anhydride was placed in a 300 tnt flask, 200 g of ethanol was added, and the mixture was heated to 70° C. for 7 hours. After cooling, the formed crystals were separated and recrystallized with ethanol to obtain pyromellitic acid-4≠-diethyl ester ('
I'1.09') was obtained. The nuclear magnetic resonance spectrum of this compound showed the following absorption. δ value/, 110 triplet, i
<H equivalent; ri, ≠01 quartet, 4 (H equivalent; J', 03
, -Double line, equivalent to CH", //, IO, wide, equivalent to CH.

合成例コ 300m1容のセパラブルフラスコに、ピロメリト!!
−/、 <Z−ジエチルエステルj1.09、γ−ブチ
ロラクトン/、00m1.ピリジンtyo9を入れ、水
冷下撹拌しながらジシクロへキシルカルボジイミドμ/
、Jりのγ−ブチロラクト/参〇wtの溶液′f:IO
分間で滴下した。更に水冷下グ、μ′−ジアミノジフェ
ニルメタンλO6θりのγ−ブチロラクト7100m1
の溶液を75分間で滴下した。更に10℃でt時間攪拌
1−た後、エタノールldを加えて、更に室温で≠時間
攪拌し、沈殿を一過して得られた溶液を撹拌下101の
インプロパツールに加工、生成した沈殿を一過、洗浄し
た後、真空乾燥して淡赤色粉末(弘−109)を得た。
Synthesis Example: Pyromellito in a 300ml separable flask! !
-/, <Z-diethyl ester j1.09, γ-butyrolactone/, 00m1. Add pyridine tyo9 and dicyclohexylcarbodiimide μ/ while stirring under water cooling.
, Juri's γ-butyrolact/30wt solution'f: IO
It was dripped in minutes. Furthermore, in a water-cooled container, 7100 ml of γ-butyrolactin μ′-diaminodiphenylmethane λO6θ
solution was added dropwise over 75 minutes. After further stirring at 10°C for t hours, ethanol was added and further stirring was carried out at room temperature for ≠ hours to remove the precipitate. After passing through and washing, vacuum drying was performed to obtain a pale red powder (Hiro-109).

得られた粉末のN−メチルピロリドン中、30℃、/ 
97dlでの固有粘度〔η〕は0.30de19であっ
た。GPCKよって求めた重量平均分子量はコ’y、o
ooであった。これをPI−/と称する。以上を合成法
Bと称する。
The obtained powder was dissolved in N-methylpyrrolidone at 30°C.
The intrinsic viscosity [η] at 97 dl was 0.30 de19. The weight average molecular weight determined by GPCK is
It was oo. This is called PI-/. The above method is referred to as synthesis method B.

参考例λ かきまぜ機、乾燥管を付けた還流冷却器、温度計を備え
た四つロフラスコに、アリルアルコール3tI99 、
!: 3,3’−II、II’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物joo9を加え、油浴中でioo℃
で3時間かきまぜた。放冷の後、反応混合物から工バボ
レーターによりアリルアルコールを留去し、真空乾燥し
て67グクの固体を得た。この生成物をC−/とする。
Reference example λ Allyl alcohol 3tI99,
! : 3,3'-II, II'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride joo9 was added and heated to io0°C in an oil bath.
I stirred it for 3 hours. After cooling, allyl alcohol was distilled off from the reaction mixture using a vaporizer, and the mixture was vacuum dried to obtain 67 grams of solid. This product is designated as C-/.

C−/の核磁気共鳴スペクトル(100M比、溶媒Cl
) CI、 )は、次の吸収を示した。
Nuclear magnetic resonance spectrum of C-/ (100M ratio, solvent Cl
) CI, ) showed the following absorption.

(δ値グ、♂−2二重線、4AH相当分)、(よ/〜よ
4多重線、μH)、(よ7〜乙、コ、多重線、コH)、
(71Njr、j、 多重線、6H)、CI!、9.−
1線1,2H)6 合成例3 一〇〇−容のセパラブルフラスコに、C−/JJ、2q
、γ−ブチロラクトン7/、弘−、ピリジン!/d及び
≠、ψ′−ジアミノジフェニルエーテルry t−加え
、室温で30分間かきまぜて均一な溶液とし九この溶液
に氷/水による冷却下、ジシクロへキシルカルボジイミ
ドJO,19を加え、3時間かきまぜた後、エタノール
j−を加え、更に/時間かきまぜた。反応混合物を一過
しp液を攪拌しているコlのメタノールに滴下し、デカ
ンテーションにより生成した沈殿を分離した。この沈殿
を、/It、rdのTHFK溶かし、かきまぜている/
、 t lのイオン交換水に滴下した。生成した沈殿t
−p遇、風乾後真空乾燥し22.09の赤色粉末を得た
。N−メチルピロリドン中、30℃、19/diでの固
有粘度〔ワ〕は0、/≠であった。GPCKよって求め
た重量平均分子、 量は/A、000 であった。これ
をPI−,2と称する。
(δ value G, ♂-2 doublet, 4AH equivalent), (yo/~yo4 multiplet, μH), (yo7~Otsu, ko, multiplet, koH),
(71Njr, j, multiplet, 6H), CI! ,9. −
1 line 1,2H)6 Synthesis example 3 In a 100-volume separable flask, C-/JJ, 2q
, γ-butyrolactone 7/, Hiro-, pyridine! /d and ≠, ψ′-diaminodiphenyl ether ry t- were added and stirred at room temperature for 30 minutes to obtain a homogeneous solution. To this solution, dicyclohexylcarbodiimide JO, 19 was added under cooling with ice/water and stirred for 3 hours. After that, ethanol was added and the mixture was stirred for an additional hour. The reaction mixture was passed through, the p solution was added dropwise to methanol in a stirring column, and the precipitate formed was separated by decantation. This precipitate is dissolved in /It,rd THFK and stirred/
, tl of ion-exchanged water. The generated precipitate t
After drying in air and vacuum, a red powder of 22.09 was obtained. In N-methylpyrrolidone, the intrinsic viscosity at 30° C. and 19/di was 0, /≠. The weight average molecular weight determined by GPCK was /A,000. This is called PI-,2.

以上を合成法Cと称する。The above method is referred to as synthesis method C.

合成例ぐ joo−容のセパラブルフラスコに1 ピロノ9 )酸
無水物!4♂り、−一ヒドロキシエチルメタクリレート
コzOり、r−ブチロラクト/100−を入れ、氷冷下
、攪拌しながらピリジンt 7.o9を加えた。
Synthesis example: 1 pyrono9) acid anhydride in a 1-joo-volume separable flask! 4. Add -monohydroxyethyl methacrylate, r-butyrolact/100-, and add pyridine while stirring under ice-cooling.7. Added o9.

室温で!ip時間攪拌した後、ジシクロへキシル力。 
ルポジイミド幻−9のγ−ブチロラクト7uOdの溶液
を水冷下、10分間で加え、続いて弘、弘′−ジアミノ
ジフェニルエーテル/l、Ogt / 1分間で加えた
。水冷下、3時間攪拌した後、エタノールj−を加えて
更に7時間攪拌し、沈*t’tp遇した後、得られた溶
液を101fのエタノールに加え、生成した沈liをエ
タノールで洗浄1.た後、真空乾燥して淡かつ色の粉末
を得た。得られた粉末のN−メチルピロリドン中、30
℃、7g/dtでの固有粘度〔η〕は0.ココであった
。GPCKよって求めた重量平均分子量は/3.θθO
であった。核磁気共鳴スペクトルの代表的な吸収値は、
δ値でO9り〜t、rcffji広):/、Jr(ms
4H相当) : tt、S (幅広、d%gH相当);
よA(m、2H相当):/+、O(s、aH相当);7
0(d、 弘H相当)ニア7(d、4!H相当)ニア7
〜f、f(m、コH相当)であった。ここで、8は一重
線、dは二重線、mは多重線の一吸収であることを示す
At room temperature! After stirring for ip hours, dicyclohexyl power.
A solution of 7 uOd of γ-butyrolactate of Lupodiimide Gen-9 was added over 10 minutes under water cooling, followed by the addition of Hiro, Hiro'-diaminodiphenyl ether/l, Ogt/1 minute. After stirring for 3 hours under water cooling, ethanol j- was added and stirred for further 7 hours. After precipitation, the obtained solution was added to 101f of ethanol, and the resulting precipitate was washed with ethanol. .. After drying under vacuum, a light and colored powder was obtained. In N-methylpyrrolidone of the obtained powder, 30
The intrinsic viscosity [η] at 7 g/dt at ℃ is 0. It was here. The weight average molecular weight determined by GPCK is /3. θθO
Met. Typical absorption values of nuclear magnetic resonance spectra are:
δ value is O9ri~t, rcffji wide):/, Jr (ms
4H equivalent): tt, S (wide, d%gH equivalent);
Yo A (m, equivalent to 2H): /+, O (s, equivalent to aH); 7
0 (equivalent to d, HiroH) Near 7 (equivalent to d, 4!H) Near 7
~f, f (equivalent to m, koH). Here, 8 indicates a singlet, d indicates a doublet, and m indicates one absorption of a multiplet.

Ooり〜l、ざの吸収の積分値からポリマーの末端の5
0%がアシルウレア構造をとっていると推定された。赤
外線吸収スペクトルの代表的な吸収値をIM−”で示す
と、/73θ、/1lsO,/l/θ、11弘o、 1
joo。
From the integral value of the absorption of
It was estimated that 0% had an acylurea structure. Typical absorption values of the infrared absorption spectrum are expressed as IM-'': /73θ, /1lsO, /l/θ, 11 Hiroo, 1
jooo.

/1110、/’710、/30θ、/J4tO,11
43%1100であった。これをPI−Jと称する。以
上を合成法りと称する。
/1110, /'710, /30θ, /J4tO,11
It was 43%1100. This is called PI-J. The above is called a synthesis method.

比較合成例λ joowt容の化バラプルフラスコに1ピロメリトll
鍼水物λt♂り、2−ヒドロキシエチルメタクリレ−ト
コ109 、γ−ブチロラクトン100−を入れ、水冷
下、攪拌しながら、ピリジンJ J、09を加えた。
Comparative Synthesis Example: 1 liter of pyromellito is added to a bulk flask with a volume of λ joowt.
Acupuncture solution λt♂, 109% of 2-hydroxyethyl methacrylate, and 100% of γ-butyrolactone were added, and while stirring under water cooling, pyridine J.09 was added.

室温で16時間攪拌した後、チオニルクロライド、23
.rgを10〜lj℃で3θ分間で加えた。/時間/、
tCで放置した後、g、4t’−ジアミノジフェニルエ
ーテル16.θqをr−ブチロラクトンjOwdでスラ
リー状にしたものを水冷下30分で滴下した。
After stirring at room temperature for 16 hours, thionyl chloride, 23
.. rg was added for 3θ minutes at 10-1j°C. /time/,
After standing at tC, g,4t'-diaminodiphenyl ether 16. A slurry of θq with r-butyrolactone jOwd was added dropwise under water cooling for 30 minutes.

ltcで2時間放置した後、IO−のエタノールを加え
、室温で/4時間放置した。得られた溶液tr−ブチロ
ラクトンでコ倍に薄めた後、io6のイオン交換水中に
攪拌しながら滴下し、沈殿を一過、洗浄した後、テトラ
ヒドロフランt00mllfc再度溶解し、lOlのイ
オン交換水に滴下し、沈殿1!−一過、洗浄、乾燥して
淡黄色の粉末to、ogを得た。得られた粉末のN−メ
チルピロリド/中、30℃、/9/diでの固有粘度〔
η〕はo、iyでありた。
After being left for 2 hours at ltc, IO-ethanol was added and left at room temperature for 4 hours. The obtained solution was diluted with tr-butyrolactone to 5 times its original size, and then added dropwise to IO6 ion-exchanged water with stirring. After washing the precipitate, it was dissolved again in tetrahydrofuran and added dropwise to 100ml ion-exchanged water. , precipitation 1! - After passing through, washing and drying, a light yellow powder was obtained. Intrinsic viscosity of the obtained powder in N-methylpyrrolidium, 30°C, /9/di [
η] was o, iy.

GPCで求めた重量平均分子量は/よθθθであった。The weight average molecular weight determined by GPC was /yoθθθ.

これをPI−グと称する。This is called PI-G.

合成例I N/ / /)  3.itAμ′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸無水物、2)  λ−ヒドロキシエチルメタクリレ
ート3)偶ψ−ジアミノジフェニルエーテル弘)トリメ
リド酸モノエチル(/−エチルと2−エチルの混合物)
j)J、3:tA 44’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸ジエチルエステル参考例3 塩素イオン濃度の測
定 合成した全ポリマーにつき、少量の硫酸溶液を加えた有
機溶媒中にポリマーを溶解し、電気伝導度を測定しなが
ら硝酸調水溶液で滴定する方法で塩素イオン濃度を測定
した。PA−jには1Oya、PT−μにはrOPの塩
素イオンが含まれていたのに対し、その他のポリマーで
は塩素イオンは測定限界以下しか含まれていなかった。
Synthesis Example I N/ / /) 3. itAμ'-benzophenone tetracarboxylic anhydride, 2) λ-hydroxyethyl methacrylate, 3) even ψ-diaminodiphenyl ether, monoethyl trimellidate (mixture of ethyl and 2-ethyl)
j) J, 3: tA 44'-benzophenone tetracarboxylic acid diethyl ester Reference example 3 Measurement of chloride ion concentration For all synthesized polymers, the polymer was dissolved in an organic solvent to which a small amount of sulfuric acid solution was added, and the electrical conductivity was measured. The chloride ion concentration was measured by titrating with a nitric acid aqueous solution while measuring. PA-j contained 1 Oya of chlorine ions and PT-μ contained rOP chlorine ions, whereas the other polymers contained chlorine ions below the measurement limit.

なお、この測定方法の測定限界値は約/Pである。Note that the measurement limit value of this measurement method is approximately /P.

実施例/ PA−/219、エチレングリコールジアクリレート 
10g、ミヒラーケト7Q、19、ベンゾフェノン0.
jq、ベンジルジメチルケタールt、o9を、N−メチ
ルピロリドン ro9に溶解して、均一溶液を得た。こ
の溶液を表面をパフ研磨によシ整面した鋼張ガラスエポ
キシ積層板上Km布し、70℃で3時間乾燥して、膜厚
100μmの均一な塗膜を得た。次いで、フォトマスク
及び超高圧水銀灯(♂mW/lyl )を用いて、窒素
雰囲気下、5分間露光を行ない、次いで、N、N−ジメ
チルアセトアミドとエタノールの等当混合液で30秒間
スプレー現現金行なってポリアミドのパターンを得た。
Example/PA-/219, ethylene glycol diacrylate
10g, Michler Keto 7Q, 19, benzophenone 0.
jq, benzyl dimethyl ketal t, o9 were dissolved in N-methylpyrrolidone ro9 to obtain a homogeneous solution. This solution was spread over a steel-clad glass epoxy laminate whose surface had been smoothed by puff polishing, and dried at 70° C. for 3 hours to obtain a uniform coating film with a thickness of 100 μm. Next, exposure was performed for 5 minutes in a nitrogen atmosphere using a photomask and an ultra-high pressure mercury lamp (♂mW/lyl), and then an equal mixture of N,N-dimethylacetamide and ethanol was sprayed for 30 seconds. A polyamide pattern was obtained.

これを窒素雰囲気下、J♂O℃で2時間乾燥したものは
、十分な表面硬度を持ち、ハンダ浴中、JtO℃、io
秒間の浸漬を行なっても、パターンには外観上何の変化
も見られなかった。また、このパターンを温度10℃、
湿度rjチの環境下に200時間放置したが、塗膜下の
銅面には外観上何ら変化は生じなかった。
If this is dried for 2 hours at J♂O℃ in a nitrogen atmosphere, it has sufficient surface hardness and can be dried in a soldering bath at J♂O℃, IO.
No change in appearance was observed in the pattern even after the second immersion. In addition, this pattern was placed at a temperature of 10°C.
Although it was left in a humid environment for 200 hours, no change occurred in the appearance of the copper surface under the coating.

比較例1 PA−Jを用いて、他の条件は実施例/と全く同一にし
7てパターンを形成した。得られたパターンを、温度J
’θ℃、湿度rr%の環境下に、、200時間放置した
ところ、塗膜下の銅の表面に腐食によると思われるくも
りを生じた。
Comparative Example 1 A pattern was formed using PA-J under the same conditions as in Example 7, except for the same conditions. The obtained pattern is heated to a temperature of J
When it was left for 200 hours in an environment of θ°C and humidity of rr%, cloudiness appeared on the surface of the copper under the coating, which was thought to be due to corrosion.

実施例−〜7 PA−3、PA−μ、PA−j%PAI−/。Example-~7 PA-3, PA-μ, PA-j%PAI-/.

PAI−1を用いて、実施例/と同一の条件でパターン
形成を行なった。それぞれのパターンにつき適当な温度
で熱処理を行なった後、実施例/と同参考例を 実施例/、!、グ及び比較例/の溶液を室温で放置し、
溶液粘度の変化を観察した。比較例/の溶液は3日後か
ら溶液粘度の低下が起こったが、他のものけ7日後でも
変化を生じなかった。
Pattern formation was performed using PAI-1 under the same conditions as in Example. After heat-treating each pattern at an appropriate temperature, the Example/and the same reference example are combined into Examples/,! , G and comparative example/are left at room temperature,
Changes in solution viscosity were observed. In the solution of Comparative Example, the solution viscosity decreased after 3 days, but no change occurred in the other solutions even after 7 days.

実施例g PA−4,20り、2.t−ビス(tI−アンドペンザ
ル−)シクロヘキサンO3♂pt−一〇りのシクロヘキ
サノンに溶かし、均一な溶液を得た。これをシリコンウ
ェハー上にスピン塗布し、60℃で1時間乾燥して、膜
厚10μmの塗膜を得た。次いでフォトマスク及び超高
圧水銀灯(♂mW/clI)を用いて、10秒間露光し
た後、シクロヘキサノンとキシレンの混合溶媒系を用い
て現金を行ない、コOO℃で2時間乾燥を行なって、パ
ターンを得た。パターンは70μmの解像度を有してい
た。
Example g PA-4,20, 2. t-bis(tI-andopenzal-)cyclohexane O3♂pt-10 was dissolved in cyclohexanone to obtain a homogeneous solution. This was spin-coated onto a silicon wafer and dried at 60° C. for 1 hour to obtain a coating film with a thickness of 10 μm. Next, using a photomask and an ultra-high pressure mercury lamp (♂mW/clI), the pattern was exposed for 10 seconds, then exposed using a mixed solvent system of cyclohexanone and xylene, and dried for 2 hours at OO℃ to form the pattern. Obtained. The pattern had a resolution of 70 μm.

実施例り pI−,2を2jL7、ペンタエリスリトールテトラ(
3−メルカプトプロピオネート>i、art)、ミヒラ
ーケト10jり、ワード中ブレンキ/ング社製カウンタ
ーキュアPDO/、(7り、及び/−フェニル−!−メ
ルカプトー/H−テトラゾール0./2jりをN−メチ
ルピロリドン ljづとシクロペンタノン ljべの混
合溶液に加え、均一溶液を得た。
Example pI-,2 was 2jL7, pentaerythritol tetra (
3-Mercaptopropionate>i, art), Michler Keto 10j, Blenck/Ng Countercure PDO/(7), and/-phenyl-!-mercapto/H-tetrazole 0./2j It was added to a mixed solution of N-methylpyrrolidone lj and cyclopentanone lj to obtain a homogeneous solution.

コ(7)溶液を、NUCシIJ =y −y社It! 
A−/17 テ前処理したシリコンウェハー上ic 1
000回転、7秒間で回転塗布し、70℃で3時間乾燥
することによシ、膜厚jθμの均−表塗膜を得た。つい
で、窒素雰囲気下、ざmW/−の出力の超高圧水銀灯を
用いて≠10mJ/−の露光を行ない、ついでスプレ一
式現像機を用い、r−ブチロラクトンとキシレンの等当
混合液で300秒間現像行なった後、IQ秒秒間キシン
/全スプレーてリンスを行ない、窒素スプレーによる乾
燥全行なったところ、露光を行なった部分のみの塗膜が
パターンとして得られた。この際、パター7は60μの
ラインを解像していることが確認された。次いで、この
塗膜を窒素1¥囲気下、≠00℃で1時間熱処理し九と
ζろ、膜厚3♂μのポリイミドの塗膜のパターンが得ら
れた。
Co(7) solution is added to NUC Si IJ =y-y company It!
A-/17 IC 1 on pre-treated silicon wafer
The coating was spin-coated at 000 rpm for 7 seconds and dried at 70°C for 3 hours to obtain a uniform surface coating film with a film thickness of jθμ. Next, in a nitrogen atmosphere, exposure was carried out at ≠10 mJ/- using an ultra-high pressure mercury lamp with an output of 500 mW/-, and then development was performed for 300 seconds with an equal mixture of r-butyrolactone and xylene using a spray developing machine. After this, rinsing was performed with Xin/all spray for IQ seconds, and drying was performed with nitrogen spray, and a coating film was obtained as a pattern only in the exposed areas. At this time, it was confirmed that the putter 7 resolved a line of 60μ. Next, this coating film was heat-treated at ≠00° C. for 1 hour under an atmosphere of 1 μm of nitrogen to obtain a polyimide coating pattern with a thickness of 3♂μ.

実施例10 べ/タエリスリトールテトラ(3−メルカプトプロピオ
ネート)のかわりに、)リメチロールプロパントリチオ
グリコレートを7.7 jり用いる以外は実施例りと同
一の組成物を用い、これらをIIψ−〇N−メチルピロ
リドンに溶かして均一溶液を得た。この溶液を200O
rpmの回転数で20秒間スビンコートシ、得られた塗
膜を70℃で30分間乾燥した。その膜厚を接触式膜厚
計(タリステップ、テーラーボグンン社製)で測定した
ところ、q、jμであった。次に実施例りと同様に露光
し、γ−ブチロラクトンとキシレンの等量混合液で5秒
間現像を行なった後、10秒間キシレンでリンスし、窒
素スプレーにより乾燥した。その後、膜厚を各ステップ
露光量ととに測定した。この膜厚f、露光前の膜厚で除
した値を1TD’とする。
Example 10 The same composition as in Example 1 was used, except that 7.7 j of )limethylolpropane trithioglycolate was used instead of be/taerythritol tetra(3-mercaptopropionate), and these were IIψ-〇N-methylpyrrolidone to obtain a homogeneous solution. This solution was heated to 200O
The coated film was coated for 20 seconds at a rotation speed of 100 rpm, and the resulting coating film was dried at 70° C. for 30 minutes. The film thickness was measured using a contact type film thickness meter (Taristep, manufactured by Taylor Bogun) and found to be q, jμ. Next, the film was exposed to light in the same manner as in Example, developed for 5 seconds with a mixed solution of equal amounts of γ-butyrolactone and xylene, rinsed with xylene for 10 seconds, and dried with nitrogen spray. Thereafter, the film thickness was measured at each step exposure amount. The value obtained by dividing this film thickness f by the film thickness before exposure is defined as 1TD'.

感度の表示法として、TD=0.jIICなる露光量を
DgDO]、TD=0.r K 7!k ル露光量tD
gcro〕と定義すると、本実施例では、Dg CjO
] = jOmJ/cA 。
As a method of expressing sensitivity, TD=0. jIIC exposure amount DgDO], TD=0. rK7! k exposure amount tD
gcro], in this example, Dg CjO
] = jOmJ/cA.

D、C♂θ)=70mJ/−であった。また、jμのラ
インを解像していることを確認した。TT i! 0.
73であった。
D, C♂θ) = 70 mJ/-. It was also confirmed that the jμ line was resolved. TT i! 0.
It was 73.

実施例// PI−3を一!Og、ミヒラーケトン o、ttg、ψ
−アジドスル7オニルフエニルマレインイミトo、ti
−gをN−メチルピロリド722(jに加えて、均一な
溶液を得た。この溶液から実施例?と同様の方法で、膜
厚70μの均一な塗膜が得られた。
Example // One PI-3! Og, Michler ketone o, ttg, ψ
-azidosul7onyl phenylmaleimito o, ti
-g was added to N-methylpyrrolid 722 (j) to obtain a uniform solution. From this solution, a uniform coating film with a thickness of 70 μm was obtained in the same manner as in Example 2.

この塗膜に実施例りと同様の処理を行なうととにヨッテ
、膜厚3コμ、解像度toμのポリイミド塗膜のパター
ンが得られた。
When this coating film was subjected to the same treatment as in the example, a polyimide coating pattern with a thickness of 3 microns and a resolution of to microns was obtained.

実施例/2 実施例/lで得られたポリイミド塗膜を窒素雰囲気下で
示差熱天秤を用いて熱分解開始温度を測定したところj
μ0℃であった。また、PI−弘を実施例// と同様
に処理して、このポリイミド塗膜の熱分解開始温度全同
様にして測定したところ、グ30℃であった。
Example 2 The thermal decomposition onset temperature of the polyimide coating obtained in Example 1 was measured using a differential thermal balance in a nitrogen atmosphere.
The temperature was μ0°C. Further, PI-Hiroshi was treated in the same manner as in Example //, and the thermal decomposition initiation temperature of this polyimide coating film was measured in the same manner as in Example 1, and it was found to be 30°C.

実施例13 PI−3f:20g、)リメチロールプロパントリアク
リレート /、0り、ワード・ブレンキンツブ社のカン
タキュアPDO/、Oq、ミヒラーケトンo、 jg及
びl−フェニル−!−メルカプトー/H−テトラゾール
O+2g、ジフェニルニトロノアミンo、o、x9を用
い、これらをlj−のN−メチルピロリドンとlj−の
シクロペンタノンの混合溶媒に溶かして均一溶液を得た
。この溶液を接着助剤A ily (NUCシリコ−/
)で前処理したシリコーンウェハー上に滴下し、200
0 rpmの回転数で2θ秒間スピンコートシ、得られ
た塗膜を70℃で7時間乾燥1.た。その膜厚をダイヤ
ルゲージで測定したところ、/jμであった。次に、窒
素雰囲気下、超高圧水鍋灯(♂mW/m )と7オト1
スクを用いて、30秒間露光した。次いで、スプレ一式
現俸機を用い、γ−ブチロラクトンとキシレ/の婢量混
合液で70秒間現像を行なった後、lθ秒関キシレ/を
スプレーしてリンスを行ない、窒素スプレーによる乾燥
後、70℃で乾燥を行表った。
Example 13 PI-3f: 20 g,) Limethylolpropane triacrylate /, 0, Cantacure PDO/, Oq, Michler's ketone o, jg and l-phenyl-! -Mercapto/H-tetrazole O+2g, diphenylnitronoamine o, o, x9 were used and dissolved in a mixed solvent of lj-N-methylpyrrolidone and lj-cyclopentanone to obtain a homogeneous solution. This solution was added to the adhesion aid Aily (NUC Silico-/
) onto a silicone wafer pretreated with
Spin coat for 2θ seconds at a rotation speed of 0 rpm, and dry the resulting coating at 70°C for 7 hours.1. Ta. The film thickness was measured with a dial gauge and found to be /jμ. Next, under a nitrogen atmosphere, we used an ultra-high pressure water pot light (♂mW/m ) and
It was exposed for 30 seconds using a screen. Next, using a spray set developing machine, development was carried out for 70 seconds with a bulk mixture of γ-butyrolactone and xylene, followed by rinsing by spraying lθ seconds with xylene, and after drying with nitrogen spray, Drying was carried out at ℃.

パターンは十分な表面硬度を持っていた。次いでこのパ
ターンをl弘θ℃で2時間、弘oo℃で2時間加熱し、
ポリイミドのパターンを得た。得られたパターンt′i
lOμmの解像度を有していた。
The pattern had sufficient surface hardness. Next, this pattern was heated at 10°C for 2 hours and at 00°C for 2 hours,
A polyimide pattern was obtained. The obtained pattern t′i
It had a resolution of 10 μm.

参考例よ PI−3、グ、jにつき、実施例13と同様の方法で蒸
着直後のアルミニウムの鏡面上にポリイミドのパターン
を形成した。これを♂O℃、湿度qoqbの条件下でt
000時間放置したところ、PI−J及び!については
変化はなかったが、PI−≠についてはアルミニウムの
鏡面にくもりが発生した。
For Reference Examples PI-3, G, and J, a polyimide pattern was formed on the mirror surface of aluminum immediately after vapor deposition in the same manner as in Example 13. This is heated under the conditions of ♂O℃ and humidity qoqb.
When left for 000 hours, PI-J and! There was no change in PI-≠, but clouding occurred on the aluminum mirror surface.

また、シリコンウェハー上に酸化ケイ素膜を形成し、そ
の上に幅3μ、厚さ/μのアルミニウム配線300本を
形成し、この上KPI−3、弘、jを用いて前述の方法
でポリイミドフィルムを形成した。これに20Vの電圧
をかけ、tO℃、湿度りoqbの条件下で1ooo時間
放置したところ、PI−j及びjを用いたものKついて
は変化はなかったが、PI−4を用いたものKFi/1
本の断線を生じた。
In addition, a silicon oxide film was formed on a silicon wafer, 300 aluminum wirings with a width of 3μ and a thickness of /μ were formed on the silicon wafer, and then a polyimide film was formed using the method described above using KPI-3, Hiro, J. was formed. When a voltage of 20 V was applied to this and it was left for 100 hours under the conditions of tO ℃ and humidity oqb, there was no change in PI-j and K using PI-4, but KFi/K using PI-4 1
The book broke.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)カルボジイミド類を縮合剤として、芳香族ジカル
ボン酸類とジアミン類とから作られたポリアミド化合物
、及び光活性物質を含む、感光性組成物。
(1) A photosensitive composition comprising a polyamide compound made from aromatic dicarboxylic acids and diamines using carbodiimides as a condensing agent, and a photoactive substance.
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