JPS6129123A - Wafer supporting device - Google Patents

Wafer supporting device

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Publication number
JPS6129123A
JPS6129123A JP14953984A JP14953984A JPS6129123A JP S6129123 A JPS6129123 A JP S6129123A JP 14953984 A JP14953984 A JP 14953984A JP 14953984 A JP14953984 A JP 14953984A JP S6129123 A JPS6129123 A JP S6129123A
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JP
Japan
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wafer
holder
disk
ring
support device
Prior art date
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JP14953984A
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Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Shimizu
政之 清水
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6129123A publication Critical patent/JPS6129123A/en
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Abstract

PURPOSE:To reduce treating time when the size of a wafer is altered by providing a plurality of wafer holders which have different containing sizes and the same outer diameter, and inserting one of the holders replaceably between a disk and a clamping ring. CONSTITUTION:When a wafer holder 9 is placed on a supporting ring 24 and a clamping ring 17 is operated by a compression ring 22, a wafer holder 9 is reliably held between a retainer 23 and the ring 24 by the recoiling strength of the spring 22. Many holders 9 which have different containing space sizes and the same outer diameter are prepared replaceably. When the wafer 10 is altered in size, only the type of the holder 9 for containing the wafer 10 may be replaced to reduce the treating time when the size of the wafer is altered.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はウェハ支持技術に適用して特に有効な技術であ
って、たとえば、ウェハにイオンを注入するイオン注入
装置に利用して有効な技術に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field] The present invention relates to a technology that is particularly effective when applied to wafer support technology, and for example, relates to a technology that is effective when applied to an ion implanter that implants ions into a wafer. be.

〔背景技術〕[Background technology]

半導体装置製造において、たとえばプレスジャーナル社
発行、 Sem1conductor World、 
1982年。
In semiconductor device manufacturing, for example, Sem1conductor World published by Press Journal,
1982.

5〜月号、30〜36頁における伊藤による″高濃度ネ
オン注入技術″プレスジャーナル社発行。
"High Concentration Neon Injection Technology" by Ito in May issue, pp. 30-36, published by Press Journal.

Sem1conductorvorld、 1982.
8.月号39〜47頁における桐田による″イオン注入
技術″と題する文献に紹介されているように、ウェハ(
半導体薄板)の主面に高精度に不純物をドーピングする
技術として、イオン注入装置が開発されている。
Sem1conductorvorld, 1982.
8. Wafer (
Ion implantation equipment has been developed as a technique for doping impurities into the main surface of semiconductor thin plates with high precision.

ところで、大電流型イオン注入装置にあっては、ウェハ
は回転するディスクにウェハホルダ等の取付けJa′!
Rによって取付けられている。このウェハの取付は機構
は収容するウェハの寸法が決まっていることから、ウェ
ハの寸法が変わると、その都度ディスクの交換をしなけ
ればならない。前記ディスゲは、ウェハの処理量を増大
することから、その直径もしなければならない。前記デ
ィスクは、ウェハの処理量を増大することから、その直
径も大きくかつ重承的にも重い。このため、ディスクの
交換作業は人手を要するとともに、作業の段取時間(交
換時間)が長くなり、作業ゴス1〜低減および稗働率の
向上を妨げる因子となっている。
By the way, in a large current type ion implanter, the wafer is attached to a rotating disk with a wafer holder, etc.
It is attached by R. Since the size of the wafer to be accommodated in this wafer mounting mechanism is fixed, the disk must be replaced each time the size of the wafer changes. The diameter of the disgauge must also be large because it increases the throughput of wafers. Since the disk increases the throughput of wafers, its diameter is large and it is also heavy. For this reason, the work of replacing the disk requires manpower and the setup time (replacement time) of the work becomes long, which is a factor that hinders the reduction of work waste and the improvement of the worker efficiency.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的はウェハ寸法が異なるウェハの収容が可能
なウェハ支持装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a wafer support device capable of accommodating wafers of different wafer sizes.

本発明の他の目的はウェハ寸法の変更に伴う作業開始の
ための段取時間を必要としないウェハ支持装置を提供す
ることにある。
Another object of the present invention is to provide a wafer support device that does not require setup time for starting work due to changes in wafer dimensions.

本発明の他の目的はウェハ寸法の変更があっても稼働率
が低下しないイオン注入装置を提供をすることにある。
Another object of the present invention is to provide an ion implantation apparatus in which the operating rate does not decrease even when the wafer size is changed.

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
The above and other objects and novel features of the present invention include:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、ウェハは支持ホルダに重ねられるリング状の
蓋ホルダとからなるウェハホルダ内に収容され、この状
態でイオン注入装置のディスクとこのディスクの主面に
取付けられたクランプリングとの間にクランプされるよ
うになっていて、かつ前記ウェハホルダは外径寸法がい
ずれも同一でウェハを収容する収容部寸法がそれぞれ異
なるものが各種用意されていることから、ウェハの寸法
が変わった場合、使用しているウェハホルダの交換をす
るだけで良く、従来のように重いディスクの交換作業は
不要となる。したがって、本発明によれば被処理物であ
るウェハの寸法が変化しても作業開始に先立つ段取作業
も不要となり、イオン注入装置の稼働率向上が達成でき
る。
That is, the wafer is housed in a wafer holder consisting of a support holder and a ring-shaped lid holder, and in this state is clamped between the disk of the ion implanter and the clamp ring attached to the main surface of this disk. In addition, there are various wafer holders that have the same outer diameter but different dimensions for the wafer-accommodating part, so if the wafer dimensions change, the wafer holder cannot be used. All you have to do is replace the wafer holder, and there is no need to replace the heavy disks as in the past. Therefore, according to the present invention, even if the dimensions of the wafer to be processed change, there is no need for setup work prior to starting work, and an improvement in the operating rate of the ion implantation apparatus can be achieved.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の一実施例によるイオン注入装置におけ
るウェハ支持装置の要部を示す断面図、第2図は同じく
ウェハ支持装置におけるウェハホルダを示す分解状態の
斜視図、第3図は同じくイオン注入装置の概要を示す模
式図、第4図は同じくウェハの収容部寸法が小さいウェ
ハホルダを示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing the main parts of a wafer support device in an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an exploded perspective view showing a wafer holder in the wafer support device, and FIG. FIG. 4 is a schematic diagram showing an outline of the injection device, and a cross-sectional view showing a wafer holder having a small wafer storage portion.

この実施例はイオン注入装置に本発明を適用した例を示
す。イオン注入装置は、第3図に示されるように、本体
1と、本体1の一部に支軸2を中心に回動して開閉する
ドア3とからなっている。
This embodiment shows an example in which the present invention is applied to an ion implanter. As shown in FIG. 3, the ion implantation apparatus consists of a main body 1 and a door 3, which is attached to a part of the main body 1 and rotates around a support shaft 2 to open and close.

このドア3内には円板状のドア本体4および本体4に取
付けられた回転軸5に固定された円板状のディスク6と
を有している。また、前記ディスク6は前記回転軸5に
固定された円板状のディスク6とを有している。また、
前記ディスクlは前記回転軸5に連結されたモータ7の
駆動によって回転するようになっている。また、ディス
ク6にはウェハ支持装置8がその主面のリング状領域に
複数配設されている。このウェハ支持装置8には、後述
するウェハホルダ9が挿入されて保持されている。また
、ウェハホルダ9内にはウェハ10が収容さ九ている。
The door 3 includes a disc-shaped door main body 4 and a disc-shaped disc 6 fixed to a rotating shaft 5 attached to the main body 4. Further, the disk 6 includes a disc-shaped disk 6 fixed to the rotating shaft 5. Also,
The disk 1 is rotated by a motor 7 connected to the rotating shaft 5. Further, a plurality of wafer support devices 8 are disposed on the disk 6 in a ring-shaped area on its main surface. A wafer holder 9, which will be described later, is inserted into and held in this wafer support device 8. Further, a wafer 10 is housed in the wafer holder 9.

さらに、前記ドア3は本体1の開口部を塞ぐように閉め
られると、ターゲツト室11を形成する。
Further, when the door 3 is closed to close the opening of the main body 1, a target chamber 11 is formed.

一方、前記本体1内には、高圧電源12によって制御さ
れ、イオンビーム13を放出するイオンソース14を有
している。イオンソース14から放出されたイオンビー
ム13は質量分析用電磁石15によって所定のイオンの
みが選択分離され、スリット16を通過して、前記ター
ゲツト室11に位置したウェハ10の主面に照射される
。この際、イオンビーム13は磁場走査によってディス
ク6の半径方向に往復動するようになっていることと、
前記ディスク6は高速で回転(たとえば、101000
rpすることから、ディスク6のウェハ支持装置8に保
持されたウェハ10には均一に所望の不純物がドーピン
グされる。
On the other hand, the main body 1 includes an ion source 14 that is controlled by a high voltage power source 12 and emits an ion beam 13. The ion beam 13 emitted from the ion source 14 is selectively separated into only predetermined ions by the mass spectrometry electromagnet 15, passes through the slit 16, and is irradiated onto the main surface of the wafer 10 located in the target chamber 11. At this time, the ion beam 13 is configured to reciprocate in the radial direction of the disk 6 by scanning the magnetic field;
The disk 6 rotates at high speed (for example, 101,000
rp, the wafer 10 held by the wafer support device 8 of the disk 6 is uniformly doped with desired impurities.

つぎに、前記ウェハ支持装置8について第1図および第
2図を用いて説明する。ウェハ支持装置8は第1図に示
されるように、前記ディスク6に取付けられたクランプ
リング17と、このクランプリング17をディスク6の
主面側に接近させたりあるいは離反させたりするプッシ
ャー機栂18とからなっている。前記クランプリング1
7はリング状となり、処理されるウェハの最大寸法より
も大きくなっている。このクランプリング17はディス
ク6の主面に設けられた段付状の円形孔19の大径部に
載るように挿入される。このクランプリング17の下面
には数本のガイドピン20が取付けられている。このガ
イドピン20は前記ディスク6に穿たれたガイド孔に挿
入され、その先端はディスク6の下面に突出している。
Next, the wafer support device 8 will be explained using FIG. 1 and FIG. 2. As shown in FIG. 1, the wafer support device 8 includes a clamp ring 17 attached to the disk 6, and a pusher mechanism 18 that moves the clamp ring 17 toward or away from the main surface of the disk 6. It consists of The clamp ring 1
7 has a ring shape and is larger than the maximum dimension of the wafer to be processed. This clamp ring 17 is inserted so as to rest on the large diameter portion of a stepped circular hole 19 provided on the main surface of the disk 6. Several guide pins 20 are attached to the lower surface of this clamp ring 17. This guide pin 20 is inserted into a guide hole bored in the disk 6, and its tip protrudes from the lower surface of the disk 6.

また、各ガイドピン20の先端は被制御板21に固定さ
れている。そして、被制御板21とディスク6との間に
位置するガイドピン20部分には圧縮バネ22が挿入さ
れている。この結果、前記クランプリング17は常時円
形孔19内に挿入されるようになっている。また、前記
クランプリング17の内周には円形孔19内に挿入され
たウェハホルダ9の周縁部分を押えるための突出した押
さえ部23が設けられている。
Further, the tip of each guide pin 20 is fixed to a controlled plate 21. A compression spring 22 is inserted into a portion of the guide pin 20 located between the controlled plate 21 and the disk 6. As a result, the clamp ring 17 is always inserted into the circular hole 19. Furthermore, a protruding pressing portion 23 is provided on the inner periphery of the clamp ring 17 for pressing the peripheral portion of the wafer holder 9 inserted into the circular hole 19.

一方、前記円形孔19の段付部分にはウェハホルダ9が
円形孔19から脱落しないように、ウェハホルダ9を支
持するための薄い支持リング24が設けられている。そ
して、ディスク6に対して前記クランプリング17が接
近した状態では、クランプリング17における押さえ部
23と支持リング24との間にはウェハホルダ9の周縁
部分の厚さよりも狭い空隙が形成される。したがって、
前記支持リング24上にウェハホルダ9を載せ、クラン
プリング17を圧縮バネ22によって動作させると、ウ
ェハホルダ9は圧縮バネ22の復元力によって押さえ部
23と支持リング24との間に確実に保持されるように
なっている。
On the other hand, a thin support ring 24 is provided at the stepped portion of the circular hole 19 to support the wafer holder 9 so that the wafer holder 9 does not fall out of the circular hole 19. When the clamp ring 17 is close to the disk 6, a gap narrower than the thickness of the peripheral portion of the wafer holder 9 is formed between the holding portion 23 of the clamp ring 17 and the support ring 24. therefore,
When the wafer holder 9 is placed on the support ring 24 and the clamp ring 17 is operated by the compression spring 22, the wafer holder 9 is reliably held between the holding part 23 and the support ring 24 by the restoring force of the compression spring 22. It has become.

他方、前記被制御板21に対応するドア本体4部分には
プッシャー機構18がそれぞれ配設されている。プッシ
ャー機構18は、たとえば空圧シリンダー25からなり
、空圧シリンダー25のロッド26の先端を前記被制御
板21の中央部分に臨ませている。そして、前記空圧シ
リンダー25が駆動した場合は、ロッド26は被制御板
21に対して突出動作して被制御板21を押す。この結
果、クランプリング17はディスク6から離反し、ディ
スク6の平坦な主面と、クランプリング17の下面との
間には、第1回に示されるように、隙間が開き、この隙
間からウェハホルダ9を円形孔1゜l、g、: o −
5イッヶ、アラ。−、イッッ□61ように、なっている
。、また、前記空圧シリンダー25が駆動を停止した際
は、前記圧縮バネ22が作用してクランプリングディス
ク6に接近するように動作する。この際、前記ロッド2
6は被制御板21に押されて後退する。
On the other hand, pusher mechanisms 18 are disposed in portions of the door body 4 corresponding to the controlled plates 21, respectively. The pusher mechanism 18 is made up of, for example, a pneumatic cylinder 25, with the tip of a rod 26 of the pneumatic cylinder 25 facing the central portion of the controlled plate 21. When the pneumatic cylinder 25 is driven, the rod 26 projects toward the controlled plate 21 and pushes the controlled plate 21. As a result, the clamp ring 17 separates from the disk 6, and a gap opens between the flat main surface of the disk 6 and the bottom surface of the clamp ring 17, as shown in the first example, and the wafer holder 9 to circular hole 1゜l, g: o -
5 years old, okay. -, It's like □61. Furthermore, when the pneumatic cylinder 25 stops driving, the compression spring 22 acts to move closer to the clamp ring disk 6. At this time, the rod 2
6 is pushed back by the controlled plate 21.

前記ウェハホルダ9はイオン注入されるウェハ10の最
大寸法よりも僅かに大きい円板状の支持ホルダ27と、
こ支持ホルダ27の主面側に重ねられるリング状の蓋ホ
ルダ28とからなっている。
The wafer holder 9 includes a disk-shaped support holder 27 that is slightly larger than the maximum dimension of the wafer 10 to be ion-implanted;
It consists of a ring-shaped lid holder 28 which is stacked on the main surface side of the support holder 27.

また、前記支持ホルダ27の主面には位置決めピン29
が同一円周上に配設されている。これら位置決めピン2
9はウェハ10の位置決めのガイドとなる。また、ウェ
ハ10は真空ピンセット等によって保持されてこの支持
ホルダ27の主面上に載置されるが、その際、前記位置
決めピン29が邪魔にならないように、位置決めピン2
9は半円周上に偏って設けられている。一方、前記蓋ホ
ルダ28には前記位置決めピン29が挿入される孔30
が設けられている。したがって、前記孔30に位置決め
ピン29が入るように支持ホルダ27に蓋ホルダ28を
重ねれば、自動的に支持ホルダ27および蓋ホルダ28
ならびにウェハ10は同心、円的に重なる。また、第4
図に示されるように、前記蓋ホルダ28の裏/にはウェ
ハ10の厚さおよび外径、に対応した窪み、すなわち、
収容空間(収容部)31が設けられている。したがって
、ウェハ10は支持ホルダ27と蓋ホルダ28とによっ
て挟まれても、直接外力が加われないことから損傷を受
けないようになっている。さらに、前記蓋ホルダ28の
上面外周部分は段付状に薄くなっている。そして、この
蓋ホルダ28における段付内部分の外径は前記支持リン
グ24の内径よりも僅かに小さくなっていることから、
ディスク6、の高速回転時に蓋ホルダ28の段付内部分
が支持リング24の内周面に接触して支持されることか
ら、ウェハホルダ9の動きは停止し、安定する。
Further, a positioning pin 29 is provided on the main surface of the support holder 27.
are arranged on the same circumference. These positioning pins 2
Reference numeral 9 serves as a guide for positioning the wafer 10. Further, the wafer 10 is held by vacuum tweezers or the like and placed on the main surface of the support holder 27, but at that time, the positioning pins 29 are
9 is provided unevenly on a semicircle. On the other hand, the lid holder 28 has a hole 30 into which the positioning pin 29 is inserted.
is provided. Therefore, if the lid holder 28 is stacked on the support holder 27 so that the positioning pin 29 is inserted into the hole 30, the support holder 27 and the lid holder 28 will be automatically inserted.
The wafers 10 also overlap concentrically and circularly. Also, the fourth
As shown in the figure, the back side of the lid holder 28 has a recess corresponding to the thickness and outer diameter of the wafer 10, that is,
A housing space (accommodating portion) 31 is provided. Therefore, even if the wafer 10 is sandwiched between the support holder 27 and the lid holder 28, no external force is directly applied to the wafer 10, so that the wafer 10 is not damaged. Further, the outer peripheral portion of the upper surface of the lid holder 28 is thinned in a stepped manner. Since the outer diameter of the stepped inner portion of the lid holder 28 is slightly smaller than the inner diameter of the support ring 24,
When the disk 6 rotates at high speed, the stepped inner portion of the lid holder 28 contacts and is supported by the inner peripheral surface of the support ring 24, so that the movement of the wafer holder 9 is stopped and stabilized.

なお、図面では収容空間31の寸法が大きいウェハホル
ダ9(第1図参照)と、収容空間31が小さいウェハホ
ルダ9(第4図参照)が示されているが、実際には、収
容空間31の寸法が異なるウェハホルダ9が多数用意さ
れている6このようなイオン注入装置は、イオン注入さ
れるウェハ10の寸法が変わる場合は、ウェハホルダ9
を交換するだけでよく、従来のように、外径が800m
m、重量は30kgと一人では交換できないようなディ
スク6の交換は不要となり、作業開始に先立つ段取作業
時間は大幅に削減される(従来は段取時間は4時間以上
必要であった。)。
Although the drawings show the wafer holder 9 (see FIG. 1) with a large accommodation space 31 and the wafer holder 9 (see FIG. 4) with a small accommodation space 31, in reality, the dimensions of the accommodation space 31 are 6 In such an ion implantation apparatus, a large number of wafer holders 9 with different sizes are prepared, and when the dimensions of the wafer 10 to be ion implanted change,
It is only necessary to replace the
It is no longer necessary to replace the disk 6, which weighs 30 kg and cannot be replaced by one person, and the setup time before starting work is significantly reduced (previously, setup time was required to be over 4 hours). .

〔効果〕〔effect〕

1、本発明のイオン注入装置は、ウェハ10はウェハホ
ルダ9に保持されてディスク6の各ウェハ支持装置8に
取付けられるとともに、ウェハホルダ9はウェハサイズ
にあったものが複数種類あらかじめ用意されていること
から、ウェハ寸法変更時、ウェハ10を収容するウェハ
ホルダ9の品種の交換のみで良く、ウェハ寸法変更に伴
う段取時間は大幅に低減でき、装置の稼働率向上に伴う
スループット向上が達成できるという効果が得られる。
1. In the ion implantation apparatus of the present invention, the wafer 10 is held by a wafer holder 9 and attached to each wafer support device 8 of the disk 6, and a plurality of types of wafer holders 9 that match the wafer size are prepared in advance. Therefore, when changing the wafer size, it is only necessary to change the type of wafer holder 9 that accommodates the wafer 10, and the setup time associated with changing the wafer size can be significantly reduced, and throughput can be improved by improving the operating rate of the equipment. is obtained.

2、上記1からウェハ寸法変更であって、ウェハ寸法変
空に伴う段取時間は考慮しなくとも良くなす手軽にウェ
ハ寸法が変更できるようになり、処理性能が向上すると
いう効果が得られる。
2. From 1 above, the wafer size can be changed easily without having to take into account the setup time associated with changing the wafer size, and the processing performance can be improved.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、前記ウェハホ
ルダ9における蓋ホルダ28に設けた収容空間31は支
持ホルダ27に設けても前記実施例同様な効果が得られ
る。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. For example, even if the accommodation space 31 provided in the lid holder 28 of the wafer holder 9 is provided in the support holder 27, the same effect as in the embodiment described above can be obtained.

〔利用分野〕[Application field]

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるイオン注入技術に適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではなく、ウェハをバッチ処理する各種処理技術などに
適用できる6本発明は少なくともウェハのような物品の
バッチ処理技術に適用できる。
The above explanation has mainly focused on the case where the invention made by the present inventor is applied to ion implantation technology, which is the background application field, but is not limited to this, and various processing technologies for batch processing wafers. The present invention is applicable to at least batch processing techniques for articles such as wafers.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

を 第1図は本発明の一実施例によるイオン注入装置におけ
るウェハ支持装置の要部を示す断面図、第2図は同じく
ウェハ支持装置におけるウェハホルダを示す分解状態の
斜視図、 第3図は同じくイオン注入装置の概要を示す模式図、 第4図は同じくウェハの収容部寸が小さいウェハホルダ
を示す断面図である。 1・・・本体、2・・・支軸、3・・・ドア、4・・・
ドア本体、5・・・回転軸、6・・・ディスク、7・・
・モータ、8・・・ウェハ支持装置、9・・・ウェハホ
ルダ、10・・・ウェハ、11・・・ターゲット室、1
2・・・高圧電源、13・・・イオンビーム、14・・
・イオンソース、15・・・質量分析用電磁石、16・
・・スリット、17・・・クランプリング、18・・・
プッシャー機構、19・−・円形孔、20・・・ガイド
ピン、21・・・被制御板、22・・・圧縮バネ、23
・・・押さえ部、24・・・支持リング、25・・空圧
シリンダー、26・・・ロッド、27・・・支持ホルダ
、28・−蓋ホルダ、29・・・位置決めピン、30・
・・孔、31・・・収容空間。 第  1  図 第  2  図 り
FIG. 1 is a sectional view showing essential parts of a wafer support device in an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an exploded perspective view showing a wafer holder in the wafer support device, and FIG. 3 is the same. FIG. 4 is a schematic diagram showing an overview of the ion implantation apparatus. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a wafer holder having a small wafer storage area. 1...Main body, 2...Spindle, 3...Door, 4...
Door body, 5... Rotating shaft, 6... Disk, 7...
- Motor, 8... Wafer support device, 9... Wafer holder, 10... Wafer, 11... Target chamber, 1
2...High voltage power supply, 13...Ion beam, 14...
・Ion source, 15...Electromagnet for mass spectrometry, 16.
...Slit, 17...Clamp ring, 18...
Pusher mechanism, 19... Circular hole, 20... Guide pin, 21... Controlled plate, 22... Compression spring, 23
... Holding part, 24... Support ring, 25... Pneumatic cylinder, 26... Rod, 27... Support holder, 28... Lid holder, 29... Positioning pin, 30...
... Hole, 31... Accommodation space. Figure 1 Figure 2 Diagram

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、ディスクと、このディスクの主面に対して離反接近
制御可能に取付けられたグランプリングと、からなり、
前記ディスクとクランプリングとの間にウェハが保持さ
れる構造のウェハ支持装置であって、この装置は収容部
寸法がそれぞれ異なりかつ外径寸法が同一となるウェハ
ホルダを複数有し、前記ディスクとグランプリングとの
間にはそのうちの一つが交換可能に挿入されるように構
成されていることを特徴とするウェハ支持装置。
1. Consisting of a disk and a grapple ring attached to the main surface of the disk so as to be able to control separation and approach,
A wafer support device having a structure in which a wafer is held between the disk and a clamp ring, and this device has a plurality of wafer holders each having a different accommodating part size and the same outer diameter size, and has a plurality of wafer holders that have different accommodating portion dimensions and the same outer diameter size, and has a structure in which a wafer is held between the disk and the grand prize. 1. A wafer support device characterized in that one of the devices is configured to be replaceably inserted between the wafer support device and the wafer support device.
JP14953984A 1984-07-20 1984-07-20 Wafer supporting device Pending JPS6129123A (en)

Priority Applications (1)

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JP14953984A JPS6129123A (en) 1984-07-20 1984-07-20 Wafer supporting device

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JP14953984A JPS6129123A (en) 1984-07-20 1984-07-20 Wafer supporting device

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61167826U (en) * 1985-04-10 1986-10-17
JPS6239521U (en) * 1985-08-27 1987-03-09

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