JPS6128121A - 位置検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は任ハの指示位置の座標値を簡易かつ止（ｊｌｆ
に検出しＩ、Ｉる位［１″′ｉ′検出装置に関りるもの
Ｃある１゜ （従来の技術） 従来の位置検出装置としては、磁歪伝達媒体の一端３１
ｋ（，１位置指示ペンの先端に設りた駆動コイルにパル
ス電流を印加して前記磁歪仏′ｆｆ媒体に磁；を振動波
を生起させ、その時点ＪＺり位置指示ペンの先端または
磁歪伝達媒体の−・端に設（プた検出−コイルに前記磁
歪振動波に基づく誘導電圧を検出するまでの局間を処理
器等で測定し、これより位置指示ペンの指示位置を算出
する如くなしたちのや、Ｍ数の駆動線ど検出線とを厚い
に直交して配置し、駆動線に順次電流を流Ｊととムに検
出線を順次選択して誘導電圧を検出し、７１′）イ１〜
のような磁性体を有ηる位置指示ペンで指定した位置を
大きな誘導電圧が誘起された検出線の位置より検出する
ようになしたもの等があった。

（発明が解決しようとする問題点） 前者の装置【５１位位置検出装置比較的良好Ｃ゛あるが
他の機器からの誘導を受【ノやづく誤動作したり、逆に
ノイズの発生源となる恐れがあり、また後者の装置は座
標位置の分解能が線のｌ！Ｉ隔Ｃ・決まり、分解能を上
げるために線の間隔を小さくするとＳＮ比及び安定度が
悪くなり従って分解能を−１げることが困難１であり、
かつ駆動線と検１」ｉ線の交点の真上の位置検出が困難
であり、更にこれらの装置では位置ノ１ｊ示ペンを磁歪
伝達媒体や検出線等に極く接近さぜな（ブれば位置検出
の粘度が極端に低下したり、または検出不能となるため
入力板面上の高さ方向を含めた、いわゆる３次元的な位
置検出ができないという問題点があった。

本発明は前述したにうな従来の問題点をＷ１決し、１シ
置指定用磁気発生器がどこにも接続されず操作性がよく
、しかも外部からの誘導ノイズ等に強い高粘度な位置検
出装置を捉供りることを目的どづるものＣ゛ある。

（発明の構成） 本発明は前記問題点を解決づ゛るため、平板状の磁１ノ
１休１１、あるいは′＃数の長尺の磁性体片を互いに（
よは平行に配列しこれを２相亙いに直交する如く重ね合
わ（！−Ｕ構成した磁性体１〔うの−下面の上にＸ方向
（またはＹ方向）の励磁線１２２ａ〜１２２１と検出線
１２３ａ・〜１２３ｈとを交互に並設し、ざらにその上
にＹノ）向（またはＸ方向）の励磁線１３２ａ〜１３２
１ど検出線１３３ａ〜１３３ｈとを交互に並設し、前記
磁性体１１、あるいは磁性体１６の下面の下に前記Ｙ方
向（またはＸ方向）の励磁線１３２ａ〜１３２１と検出
線１３３ａ−１３３ｈとを連続し−Ｃ配設し、さらにそ
の小（こ前記Ｘ方向（まｌＣはＹ方向）の励磁線１２２
ａ〜１２２Ｉと検出線１２３ａへ・１２３　ｔ＋とを連
続し−Ｃ配設してなるタプレツ１へ部１０と、前記Ｘ方
向及びＹ方向の各励磁線に所定周期の交番電流を加える
駆動電流源２０ど、前記Ｘ方向及びＹ方向の８検出線に
それぞれ接続されたＸ方向及びＹ方向の信号選択手段３
１，３２ど、前記磁性体１１あるいは１６に局部的な磁
気バイアスを加える位置指定用磁気発生器４０ど、該Ｘ
方向及びＹ方向のイ訂を択子段より取り出される各誘導
雷Ｊ１：ｈ１　＋ら少なくとも前記位置指定用磁気発生
器のＸ方向及びＹ方向の指示座標を検出１−る処理装置
５０どを（−１１えたことを特徴とするものである。

（実施例） 第１図は本発明の一実施例の要部（１４成を小りもので
、図中、１０はタブレフ１ル部、２０は駆動電流源、３
１．３２は信号選択手段２例えばマルチブレクリ−１／
ＩＯは位置指定用磁気発生器１例えば棒磁石、５０は処
理装置である。

タブレット部１０は、平板状の磁性体１１どＸ方向導体
部１２どＹ方向合体部１３どからなっている。磁性体１
１としては磁りを接近さけてｂ磁化されｆｉｔ　＜　、
即ら保持りが小さく１」つ透磁−ｔく（μ）の高い材料
、例えばアモルファス合金、パーマロイ合金等が好まし
い。アモルファス合金としては、例えばＶ　ｅ　７９　
Ｂ　１ｅ　Ｓ　ｌ　５（原子％）（保　−持方０．２０
ｅ、透磁率＜１１　）　＝　１４，０００）等が使用で
きる。また、磁性体１１は平板（シート）状であるが、
アモルファス合金は製造上、厚さが２０〜５０μｍの薄
いものを作れるので、これをそのまま適用してもよい。

Ｘ方向導イホ部１２は、銅線のような線状導体を多数平
行にブラスヂツクノイルム１２１等Ｃラミネートしたも
のからなっており、該線状導体が励磁線１２２ａ〜１２
２ｉど検出線１２３ａ〜１２３ｈを構成する如くなって
いる。このＸ方向導体部１２は長手方向の略中央付近で
二つ折りにされ、その間に前記磁性体１１が収納される
如くなっている。Ｘ方向導体部１２の磁性体１１の下面
１１ｂの下に位置づ−る部分１２ｂ側の各励磁線１２２
ａ、　１２２ｂ、　１２２ｃ、　１２２ｄ。

１２２ｅ、　１２２ｆ、　１２２ｇ、　１２２１１の一
端は、磁性体１１の上面１１ａの上に位置する部分１２
ａ側の励磁線１２２ｂ、　１２２ｃ、　１２２ｄ、　１
２２ｅ、　１２２ｆ、　１２２Ｌ、１２２ｈ、　１２２
　ｔの一端にそれぞれ接続さね、即ち励磁線１２２ａ−
ｉ２２ｉは直列に接続され、励磁線１２２ａの他端と励
磁線１２２１の他端は駆動電流源２０に接続される。ま
た、各励磁線１２２ａ〜１２２１は、Ｘ方向と直交覆る
方向、即らＹ方向に沿って所定間隔をおいて互いに平行
に配置されている。部分１２ａ側の各検出線１２３ａ〜
１２３ｈの一端はそれぞれマルチプレクサ−３１に接続
され、部分１２ｂ側の一端は共通に接地される。

また、各検出線１２３ａ〜１２３　ｈはそれぞれ励磁線
１２２ａ〜１２２１のぞれぞれの間に互いに平行に配ｆ
ｉ？！されている。

Ｙ方向身体部１３は、プラスデックフィルム１３１と励
磁線１３２ａ〜１３２１と検出線１３３ａ〜１３３　ｈ
とからなっており、その細部の１ｆＩＳ造はＸ方向導体
部１２と同様である。第２図に示すように、Ｙ方向身体
部１３の磁性体１１の上面１１ａの」二に位置する部分
１３ａはＸ方向導体部１２の部分１２ａの上に、またＹ
方向身体部１３の磁性１ホ１１の下面１１ｂの下に位置
する部分１３ｂはＸ方向う９体部１“２の部分１２ｂの
上になる如く配置される。

巷だ各励磁線１３２ａ〜１３２１は駆動電流源２０に接
続され、各検出線１３３ａ〜１３３ハはマルチプレクサ
３２に接続される。なＪ３、Ｘ方向導体部１２とＹ方向
身体部１３との配置は、部分１３ａの上に部分１、２８
が位置し、部分１３ｂの上に部分１２ｂが位置づる如く
なしても良い。また、これらタルッ１〜部１０は、外部
からの誘導やノイズの発散を防ぐため、第３図に示すよ
うに非磁性の金属、例えばアルミ板１／Ｉでその上部を
覆う如くなしても良い。なｄ５．１５は合成樹脂等から
なる保持板である。

駆動電流ｍ２０は所定周期の交番電流（ここでいう交番
電流とは正弦波、矩形波、三角波等の全てを含む）を常
時、励磁線１２２ａ〜１２２１及び１３２ａ〜１３２１
に送出する。また、マルチプレクサ３７゜＄２は処理装
置５０からの制御信号に従って検出線＋２３ａ　〜１２
３ｈ及び１３３ａ〜１３３ｈの出力信号を処理装置５０
’＼選択的に送出する如くなっている。

このような構成におい（、検出線１２３ａ〜１２３　ｂ
及び１３３ａ〜１３３ｂには前記励磁線１２２ａ〜１２
２１及び１３２８〜１３２１を流れる交番電流に塁つく
電磁誘導により誘導電圧が発生する。この電磁誘導（，
１磁性体１１を介して行なわれるＩこめ、磁性体１１の
透磁率が大きい程、前記誘導雷ＩＴの電ノエ１直は大き
くなる。どころで、磁性体１１の透磁率は外部から加わ
る磁気バイアスによって大きく変化づる。その変化のよ
うづ−は磁性体の組成、前記交流電流の周波数あるいは
磁性体に熱処理を加えること等にＪ：つて異なり、第４
図に示すように所定量の磁気バイアスを加えた時に最大
どなるように設定づ゛ることかできる。従ってこの場合
は、磁性体１１に前記所定量程度の磁気バイアスを加え
ると、励磁線１２２８〜１２２ｉ、　１３２ａ〜１３２
１から検出線１２３ａ〜１２３．ｂ。

１３３ａ〜１３３ｈへ誘起する電圧が大きくなる。

今、第１図において位置１１テア１　ＨＪ　＃磁７ＪＪ
ｉ４０かＮ極を下にして検出線１２３ａからＸ方向の距
６：ｉｌｌ：　ｘ　Ｓ、また検出線１３３ａからＹ方向
の距８１　ｙ　Ｓだ（Ｊ隔でたＹ方向身体部１３の位置
Ａ（７方向の距離はＯどする。）上にあり、前記所定（
イ）Ｐｉ！度の磁気バイアスを磁性体１１に加えている
ものとする。

この時、Ｘ方向の検出線１２３ａ〜１２３ｈには第５図
に示すようなｉｎｙ３ｍ圧ｖ１〜ｖ８が発生する。

第５図において、横軸は検出線１２３ａ〜１２３ｈの位
置をそれぞれ×１〜×８とするＸ方向の座標位置を示し
、縦軸は電圧値を示しているが、前記各電圧■１〜ｖ８
は位置Ａ直下で最大値（極大値）となる。前記各電圧Ｖ
、〜ｖ８はマルチプレクサ３１より得られるので、これ
らより誘起電圧が極大値となるＸ座標値を処理装置５０
′Ｃ″演算して求めれば、棒磁石４０のＸ座標値Ｘ、を
求めることができる。

座標値×８を求める算出方法の一つとして、第５図にお
【プる極大値付近の波形を適当な函数で近似し、その函
数の極大値の座標を求める方法が”　　ある。例えば、
各検出１ＩＡ１２３ａ〜１２３ｈの間隔をΔＸとし、第
５図において座標×３から座標Ｘ５までを２次函数（図
中、実線で示す）で近似すると、次のようにして算出す
ることができる。まず、各検出線の電圧と座標値より Ｖ３＝ａ　（ｘ３−ｘ、　）　　＋ｂ　　　・・・・・
・（１）Ｖ　　＝ａ　（ｘ５−ｘ、）　　＋ｂ　　　−
・・・（３）となる。ここで、ａ、ｂは定数（ａ＜Ｏ）
である。

また、 Ｘ　４Ｘ　３−Δｘ　　　　　　　　−−（４）ｘ５−
ｘ３＝２ＡＸ・・・・・・（５）となる。（４）、（５
）式を（２Ｌ（３）式に代入して整理すると、 ｘ　　＝Ｘ　　＋　ＡＸ／　２　（（３Ｖ　　−４Ｖ４
ｓ３　　　　　　　　　３ ＋ｖ５）／（ｖ３−２ｖ４＋ｖ５）） ・・・・・・（６） トナル。従ッテ、検出線１２３ｃ、　１２３ｄ、　１２
３ｅに誘起する電圧Ｖ３．Ｖ４．Ｖ５、及び検１ｎ１１
２３ｃの座標値ｘ３　（既知）から処理装置５０で（６
）式の演算を行なうことにより棒磁石４０のＸ座標値を
算出できる。また、棒磁石４０をＹ軸に沿って動かして
も同一のＸ座標値が得られる。

また、Ｙ方向の検出線１３３ａ〜１３３ｈにも第５図と
同様な誘導電圧が得られ、前記同様の演綿処理によって
Ｙ座標値ｙ３を求めることができる。

また、前述したように位置指定するためには磁性体１１
に局部的に数Ｏｅｌ￥度の磁気バイアスを与えるのみで
良いから、位置指定用棒磁石４０を磁性体１１より７方
向に多少離隔させて用いることもできる。ここで、位置
指定用棒磁石４０のＮ極側の一端より磁性体１１に加わ
る磁気バイアス量（即ち、磁界強さ）は該磁性体１１と
棒磁石４０の一端との間の距離、即ちＺ方向の距離の２
乗に反比例する。従って、位置指定用棒磁石４０の７方
向の距離をＯとした時、例えば第６図に示すようにタブ
レット部１０の上部に通常形成される入力面７０上に棒
磁石４０の一端が接した時に、該棒磁石４０より磁性体
１１に加えられる磁気バイアスが前記透磁率を最大とす
る値になるよう棒磁石４０の磁界強さを設定すれば、該
棒磁石４０の７方向の距離の略２乗に反比例して透磁率
が減少し、検出線１２３ａ　〜１２３ｈ、　１３３ａ　
〜１３３ｈへの誘導電圧が減少する。第５図において、
■３〜ｖ５は棒磁石４０のＮ極側の一端を前記位置Ａ上
で７方向にわずかの距離（５＃程度）をおいて保持した
場合の誘導電圧を示すものである。

指示位置における誘導電圧値ＶＳは磁性体１１の透磁率
の変化特性、棒磁石４０の磁界強さ及びＺ方向の距離で
決まるから、該電圧Ｖ、がわかれば棒磁石４０の７方向
の距離（位置）を算出することができる。しかしながら
、実際には該電圧Ｖ　を電圧Ｖ３〜ｖ５より式を用いて
算出づることが困難であるので、棒磁石４０の７方向の
正確な距離を知ることはできない。そこで電圧Ｖ。

の代りに指示位置に最も近い検出線の電圧、即ち誘導電
圧ｖ１〜ｖ８の中で最も大きな電圧値（第５図の例では
ｖ４）を取り出し、これを予めいくつか設定した閾値電
圧Ｖ□と比較し、その結果より棒磁石４０の７方向のお
およその距離を求めることができる。なお、棒磁石４０
の指示位置が各検出線の中間付近に位置する場合と各検
出線付近に位置する場合とでは、Ｚ方向の距離が同一で
も前記量も大きな誘導電圧の電圧値にかなりの相違が生
じることになるが、予めその差を考慮して閾値を設定し
ておくこともでき、また検出線及び励磁線の本数を増し
間隔を詰めて差を少なくすることもできる。

第７図は駆動電流源２０の具体例を示すものである。同
図において、２１はファンクションジェネレータ、例え
ばインターシル製ＩＣ１８０３８であり、コンデンサＣ
と抵抗Ｒの値で定まる所定の周波数の正弦波信号を出力
する。また２２はパワードライバであり、オペアンプと
電流増幅器とからなっており、前記正弦波信号を電流増
幅して励磁線１２２ａ〜１２２ｉ、　１３２ａ〜１３２
１へ送出する。

第８図は位置指定用磁気発生器４０の具体例を示す断面
図、第９図はその電気回路図である。

同図において、４１は合成樹脂等からなるペン状の容器
であり、その一端には同じく合成樹脂等からなる先端先
細状の中空スライド管４２が軸方向に摺動自在に収容さ
れている。また、４３は前記スライド管４２内に収納さ
れる如く容器４１の一端に取り付けられた棒磁石である
。また、４４は容器４１の側面より操作可能な位置に取
り付けられた操作スイッチであり、４５は超音波信号の
送信機、４６は超音波の送波器で、電池４７とともに容
器４１内の適所に収納されている。前記容器４１を保持
し中空スライド管４２の先端を入力面に接触させ位置指
定し、スイッチ４４を操作すれば、送信機４５内の発振
回路４５８及び増幅器４５−ｂが動作し、送波器４６よ
り測定開始を示す信号１例えば所定周波数の連続パルス
信号を超音波信号に変えて発信する。この時、容器４１
を入力面に対して強く押し付（プると、スライド管４２
が容器４１内にスライドし棒磁石４３の先端が入力面に
近接し、また逆に軽く押し付けるとスライド管４２がス
プリング４８の弾撥力により突出したままとなり棒磁石
４３の先端が入力面より離れることになり、従って棒磁
石４３の７方向の指示位置を容易に変えることができる
。

第１０図は処理装置５０の具体的構成を示す回路ブロッ
ク図である。同図において、前述した送波器４６より測
定開始を示す超音波信号が送出されると、該超音波信号
は受波器５１で受波され、更に受信器５２で増幅・波形
整形されて入力バッファ５３に送出される。演算処理回
路５４は入力バッフ７５３より前記測定開始信号を読み
取り、測定開始を認識すると、出力バッファ５５を介し
て切換回路５６及びマルチプレクサ３１へ制御信号を送
り、Ｘ方向の検出線１２３ａ〜１２３ｈの誘導電圧を増
幅器５７へ順次入力する。前記各誘導電圧は増幅器５７
で増幅され検波器５８で整流されて直流電圧に変換され
、更にアナログ−ディジタル（Ａ／Ｄ）変換器５９にて
ディジタル値に変換され入ツノバッファ５３を介して演
算処理回路５４に送出ざ”れる。演算処理回路５４では
前記各誘導電圧（ディジタル値）をメモリ６０に一時記
憶し、これらの中より最大の電圧値を有する誘導電圧Ｖ
ｋ’（ｋ＝１．２・・・・・・８）を検出する。更に演
算処理回路５４はメｔす６０内より前記誘導電圧Ｖ　と
その前後の誘導電圧ｖｋ−１、”ｋ＋ｉを取りに 出し、これらをそれぞれ前記（６）式における電圧Ｖ３
　、Ｖ４　、Ｖ５として（６）式の演算処理を、行ない
、Ｘ座標値を求める。また一方、前記最大の誘導電圧Ｖ
、と予め閾値メモリ６１内に記憶さけた所定の閾値電圧
Ｖ□とを比較し、棒磁石４０の７座標値を求める。

次に演算処理回路５４は出力バッファ５５を介して切換
回路５６及びマルチプレクサ３２に制御信号を送り、Ｙ
方向の検出線１３３ａ〜１３３ｈの誘導電圧を順次入力
し、前述と同様の処理を行ないＹ座標値を求める。

このようにして求められたディジタル値のＸ。

Ｙ及び２の座標値は出力バッファ６２を介してディジタ
ル表示器（図示せず）に送出され表示され、またはコン
ピュータ（図示せず）に送出され処理されたり、あるい
はディジタル−アナログ（Ｄ／Ａ）変換器６３を介して
アナログ信号に変換され処理される。前記Ｚ座標値は立
体物（但し、高さの極く低いものに限る。）を入力面上
に載置してその形状を入力する場合の他、入力図形の線
の太さのパラメータ等として用いることもできる。なお
、Ｙ方向の誘導電圧より７座標値を求めることができる
のはいうまでもない。

またー、実施例中の励磁線及び検出線の本数は−例であ
り、これに限定されないことはいうまでもない。また、
検出線の間隔は２〜６姻程度であれば、比較的精瓜良く
位置検出ができることが実験により確かめられている。

また、位置指定用磁気発生器も棒磁石に限定されること
はなく、板。

リング、角体等でもよく、あるいは電磁石でもよい。

前記実施例において、測定開始を示す信号を位置指定用
磁気発生器４０から処理装置５０まで超音波信号を用い
て伝送したのは、位置指定用磁気発生器４０をコードレ
スとし操作性を良くするためであって、コードを用いて
電気信号のまま伝送しても良いことはいうまでもない。

また、前記測定開始を示す信号は単に座標検出のタイミ
ングを演算処理回路５４に認識させる為のものであるか
ら特に磁気発生器４０より送ることを要するものではな
く、処理装Ｍ５０自体に設けたキーボードその他のスイ
ッチ回路より前記タイミングを認識させる信号を送る如
くなしても良い。

第１１図は本発明の磁性体の別の実施例を示ずものであ
る。同図においで、１６は磁性体であって、例えば直径
が０．１３ｍｍのアモルファスワイヤ（磁性体片）１６
１を複数本、所定間隔（１〜２ｍｍ）をおいて互いにほ
ぼ平行に配列し、これをプラスチックフィルム１６２等
でラミネートしたシート１６３を２枚、そのワイヤがＸ
方向及びＹ方向に沿って互いに直交する如く重ね合わせ
てなっており、より検出精度を上げることができる。

（発明の効果） 以上説明したように本発明によれば、平板状の磁性体の
上面の上にＸ方向（またはＹ方向）の励磁線と検出線と
を交互に並設し、さらにその上にＹ方向（またはＸ方向
）の励磁線と検出線とを交互に並設し、前記磁性体の下
面の下に前記Ｙ方向（またはＸ方向）の励磁線と検出線
とを連続して配設し、さらにその下に前記Ｘ方向（また
はＹ方向）の励磁線と検出線とを連続して配設してなる
タブレット部と、前記Ｘ方向及びＹ方向の各励磁線に所
定周期の交番電流を加える駆動電流源と、前記Ｘ方向及
びＹ方向の各検出線にそれぞれ接続されたＸ方向及びＹ
方向の信号選択手段と、前記磁性体に局部的な磁気バイ
アスを加える位置指定用磁気発生器と、該Ｘ方向及びＹ
方向の信号選択手段より取り出される各誘導電圧から少
なくとも前記位置指定用磁気発生器のＸ方向及びＹ方向
の指示座標を検出する処理装置とを備えたので、励磁線
と検出線との間の磁束変化が磁性体内のみで行なわれ、
その結合が畜で検出電圧が大きくなり、従ってＳＮ比が
良くなり、また外部からの誘導を受けにくくかつ外部へ
の誘導ノイズの発生が少ない。また、Ｘ方向及びＹ方向
の励磁線と検出線を共通の磁性体の周囲に配設したため
、Ｘ方向及びＹ方向の励磁線ど検出線と位置指定用磁気
発生器との間の距離がほぼ同一となり、その検出出力が
Ｘ方向及びＹ方向でほぼ同一となり、従って検′出精度
を向上させることができる。また、磁性体にわずかの磁
気バイアスを加えるのみで位置指定できるため、位置指
定用磁気発生器を磁性体に近接さゼる必要がなく、有効
読取り高さを大きくとることができ、また強磁性体以外
の金属を入力面上に載置することもできる。更に２次元
的なＸ、Ｙ座標値の他にこれらに直交するＺ座標値を検
出することができるため、立体物の形状を直接入力した
り、Ｘ及びＹ座標値以外のパラメータを位置指定ととも
に変化さぼることができる。また、磁性体として一部の
長尺の磁性体片を互いにほぼ平行に配列しこれを２組互
いに直交覆る如く重ね合わせて構成したものを用いれば
、より検出精度を上げることができる他、前記同様の利
点がある。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の説明に供するもので、第１図は本発明の
一実施例を示す一部切欠分解斜視図、第２図はタブレッ
ト部のＹ方向の励磁線に沿う断面図、第３図はタブレッ
ト部にアルミ板による覆いを取りつけた状態を示す一部
切欠斜祝図、第４図は磁気バイアス対透磁率の特性図、
第５図はＸ方向の各検出線に発生する誘導電圧の一例を
ポリグラフ、第６図は位置指定用棒磁石より磁性体に印
加される磁束のようすを示す説明図、第７図は駆動電流
源の具体例を示す電気回路図、第８図は位置指定用磁気
発生器の具体例を示す断面図、第９図はその電気回路図
、第１０図は処理装置の具体的構成を示す回路ブロック
図、第１１図は磁性体の別の実施例を示す一部切欠斜視
図である。 １０・・・タブレット部、２０・・・駆動電流源、３１
．３２・・・マルチプレクサ、４０・・・位置指定用磁
気発生器、５０・・・処理装置、１１゜１６・・・磁性
体、１２２ａ〜１２２ｉ、　１３２ａ〜１３２１・・・
励磁線、１２３ａ　〜１２３ｈ、　１３３ａ　〜１３３
ｈ・・・検出線。 特許出願人　　株式会社　ワコム 代理人弁理士　　吉　１）精　孝 第４図 石＆鈑バイアス　（Ｏｅ） 第５図 ＸＩ　　　Ｘ２　　　Ｘ３　　　Ｘ４ＸＳ　　ＸＳ　　
　ＸＳ　　　Ｘ７　　　ＸｓＸラダ托１４し惑ト士Ｐイ
装置 第６区 第７図　　　、２ 第８図 第９図 第１０図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）平板状の磁性体の上面の上にＸ方向（またはＹ方
   向）の励磁線と検出線とを交互に並設し、さらにその上
   にＹ方向（またはＸ方向）の励磁線と検出線とを交互に
   並設し、前記磁性体の下面の下に前記Ｙ方向（またはＸ
   方向）の励磁線と検出線とを連続して配設し、さらにそ
   の下に前記Ｘ方向（またはＹ方向）の励磁線と検出線と
   を連続して配設してなるタブレット部と、前記Ｘ方向及
   びＹ方向の各励磁線に所定周期の交番電流を加える駆動
   電流源と、前記Ｘ方向及びＹ方向の各検出線にそれぞれ
   接続されたＸ方向及びＹ方向の信号選択手段と、前記磁
   性体に局部的な磁気バイアスを加える位置指定用磁気発
   生器と、該Ｘ方向及びＹ方向の信号選択手段より取り出
   される各誘導電圧から少なくとも前記位置指定用磁気発
   生器のＸ方向及びＹ方向の指示座標を検出する処理装置
   とを備えたことを特徴とする位置検出装置。
2. （２）タブレット部の周囲を非磁性金属で覆うようにな
   したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の位置
   検出装置。
3. （３）複数の長尺の磁性体片を互いにほぼ平行に配列し
   これを２組互いに直交する如く重ね合わせて構成した磁
   性体の上面の上にＸ方向（またはＹ方向）の励磁線と検
   出線とを交互に並設し、さらにその上にＹ方向（または
   Ｘ方向）の励磁線と検出線とを交互に並設し、前記磁性
   体の下面の下に前記Ｙ方向（またはＸ方向）の励磁線と
   検出線とを連続して配設し、さらにその下に前記Ｘ方向
   （またはＹ方向）の励磁線と検出線とを連続して配設し
   てなるタブレット部と、前記Ｘ方向及びＹ方向の各励磁
   線に所定周期の交番電流を加える駆動電流源と、前記Ｘ
   方向及びＹ方向の各検出線にそれぞれ接続されたＸ方向
   及びＹ方向の信号選択手段と、前記磁性体に局部的な磁
   気バイアスを加える位置指定用磁気発生器と、該Ｘ方向
   及びＹ方向の信号選択手段より取り出される各誘導電圧
   から少なくとも前記位置指定用磁気発生器のＸ方向及び
   Ｙ方向の指示座標を検出する処理装置とを備えたことを
   特徴とする位置検出装置。
4. （４）タブレット部の周囲を非磁性金属で覆うようにな
   したことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の位置
   検出装置。