JPS61269515A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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Publication number
JPS61269515A
JPS61269515A JP60110354A JP11035485A JPS61269515A JP S61269515 A JPS61269515 A JP S61269515A JP 60110354 A JP60110354 A JP 60110354A JP 11035485 A JP11035485 A JP 11035485A JP S61269515 A JPS61269515 A JP S61269515A
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JP
Japan
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circuit
signal
output
gate
level
Prior art date
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Pending
Application number
JP60110354A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazutaka Mori
和孝 森
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS61269515A publication Critical patent/JPS61269515A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass

Abstract

PURPOSE:To synchronize surely an input signal supplied asynchronously and to fetch the result by using an intermediate level detection circuit composing of two inverter circuits and a coincidence/dissidence circuit so as to detect an intermediate level of the input signal. CONSTITUTION:An input signal D from an external terminal is synchronized with an internal clock signal CK via a C-MOS inverter circuit IV1 and transmission gate MOSFETs Q1, Q2 and fetched by an output side node N1 composing of the FETs Q1, Q2. The signal from the node N1 is fed to a C-MOS inverter circuit IV3 having a comparatively high logic threshold voltage and a CMOS inverter circuit IV4 having a comparatively low logic threshold voltage. The output signal of the circuits IV3, IV4 is fed to an exclusive NOR circuit ENOR, where coincidence/dissidence of both the output levels is decided. The output of the circuit ENOR is fed to a gate of the MOSFETQ3 and when dissidence is decided, the FETQ3 is turned on and the output is pulled up to a high level.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、半導体集積回路装置に関するもので、例え
ば、非同期信号の外部信号が供給されるディジタル集積
回路装置の入力回路に利用して有効な技術に関するもの
である。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and for example, to a technology that is effective when used in an input circuit of a digital integrated circuit device to which an asynchronous external signal is supplied. It is.

〔背景技術〕[Background technology]

半導体集積回路技術の進展によりlチップの半導体集積
回路装置の中に高度の情報処理機能を内蔵させることが
出来るようになっているので、非同期信号を半導体集積
回路の内部信号に同期化することが必要になっている。
Advances in semiconductor integrated circuit technology have made it possible to incorporate advanced information processing functions into l-chip semiconductor integrated circuit devices, making it possible to synchronize asynchronous signals with internal signals of semiconductor integrated circuits. It has become necessary.

このような非同期信号を同期化させる回路として、第5
図に示すようなフリップフロップ回路が、特開昭59−
36418号公報によって公知である。このフリップフ
ロップ回路は、ラッチ形態にされた2つのノア(NOR
)ゲート回路G3.G4のロジックスレッシ日ルド電圧
を異ならせて、ナンド(NAND)ゲート回路Gl、G
2を通して入力された中間レベルをハイレベル又はロウ
レベルへ収束させるようにするものである。
As a circuit for synchronizing such asynchronous signals, the fifth
The flip-flop circuit shown in the figure is
It is known from the publication No. 36418. This flip-flop circuit consists of two NORs (NOR) in latch form.
) Gate circuit G3. By changing the logic threshold voltage of G4, NAND gate circuits Gl and G
This is to converge the intermediate level input through 2 to a high level or a low level.

しかしながら、このようなレベルセンスのフリップフロ
ップ回路では、クロックの切れる瞬間に入力信号が変化
すると不定レベルが取り込まれることとなり、その中間
レベルがいずれかのノアゲーーを回路G3又はG4のロ
ジックスレッショルド電圧付近にあると、正帰還ループ
が構成されているからそのロジックスレッショルド電圧
を中心として発振する虞れがあるという問題を有する。
However, in such a level-sensing flip-flop circuit, if the input signal changes at the moment the clock expires, an undefined level will be taken in, and the intermediate level will cause one of the NOR gates to be near the logic threshold voltage of circuit G3 or G4. If so, there is a problem that since a positive feedback loop is formed, there is a possibility that oscillation will occur around the logic threshold voltage.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

′この発明の目的は、非同期で供給される入力信号を内
部回路が異常動作をおこすことなく確実に同期化して取
り込む入力回路を備えた半導体集積回路装置を提供する
ことにある。
'An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device having an input circuit that reliably synchronizes and takes in input signals supplied asynchronously without causing abnormal operation of the internal circuit.

この発明の前記ならびにその(−の目的と新規な特徴は
、この明細書の記述および添付図面から明らかになるで
あろう。
The above-mentioned objects and novel features of the present invention will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本願において開示される発明のうち代表的なもののm要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
A brief description of typical aspects of the invention disclosed in this application is as follows.

すなわち、ロジックスレッショルド電圧が異なる2つの
インバータ回路と一致/不一致回路から成る中間レベル
検出回路によって入力信号の中間レベルが検出され、そ
の検出信号によって入力レベルをハイレベル又はロウレ
ベル側に固定され、中間レベルの受は付けが実質的に無
効にされるものである。
That is, the intermediate level of the input signal is detected by an intermediate level detection circuit consisting of two inverter circuits with different logic threshold voltages and a match/mismatch circuit, and the input level is fixed to the high level or low level side by the detection signal, and the intermediate level is fixed to the high level or low level side. This effectively invalidates the acceptance of this.

〔実施例1〕 第1図には、非同期信号の同期化を行う入力回□ 路の
一実施例の回路図が示されて′いる。
[Embodiment 1] FIG. 1 shows a circuit diagram of an embodiment of an input circuit for synchronizing asynchronous signals.

同図の各回路素子は、公知の0MO3(相補型MO5>
集積回路の製造技術によって、特に制限されないが、1
個め準結晶シリコンのような半導体基板上に形成された
ディジタル集積回路装置に内臓される。
Each circuit element in the figure is a well-known 0MO3 (complementary MO5>
Depending on the manufacturing technology of the integrated circuit, but not particularly limited, 1
It is incorporated into a digital integrated circuit device formed on a semiconductor substrate such as solid quasi-crystalline silicon.

外部端子からの非同期の入力信号は、CMOSインバー
タ回路IVIを介して内部に取り込まれる。このインバ
ータ回路IVIの出力信号は、並列形態にされたPチャ
ンネルとNチャンネルの伝送ゲートMO3FETQ1.
’Q2を介して内部クロック信号CKに同期化される。
An asynchronous input signal from an external terminal is taken into the circuit via a CMOS inverter circuit IVI. The output signal of this inverter circuit IVI is transmitted from the parallel P-channel and N-channel transmission gates MO3FETQ1.
' Synchronized to internal clock signal CK via Q2.

すなわち、上記NチャンネルMO3FETQ2のゲート
には、内部クロック信号CKが供給され、Pチャンネル
MO3F’ETQIのゲートには、上記クロック信号G
Kがインバータ回路IV2によって反転されて供給され
る。
That is, the internal clock signal CK is supplied to the gate of the N-channel MO3FETQ2, and the clock signal G is supplied to the gate of the P-channel MO3F'ETQI.
K is inverted and supplied by an inverter circuit IV2.

クロック信号CKがハイレベルの期間に、これら(7)
MO5FE’l’QlとG2はオン状態にされ、上記イ
ンバータ回路tviを通した外部信号りが伝えられる。
During the period when the clock signal CK is at high level, these (7)
MO5FE'l'Ql and G2 are turned on, and an external signal is transmitted through the inverter circuit tvi.

そして、クロック信号GKがハイレベルからロウレベル
に変化したタイミングで上記M OS F E ’r 
Q 1とG2がオフ状態にされることによって、その出
力側ノードNlには上記タイミングに同期した上記外部
信号りが取り込まれる。
Then, at the timing when the clock signal GK changes from high level to low level, the above MOS F E 'r
By turning off Q1 and G2, the external signal synchronized with the timing is taken into the output node Nl.

この取り込んだ外部信号りが中間レベルであると、これ
を受む〕る内部回路に不定レー・ルが供給されることに
よって、0M03回路では大きな貫通電流カ生じたり、
レベルセンステイブなプリンプフロップ回路では発振動
作が生じてしまう。
If this imported external signal is at an intermediate level, an undefined rail is supplied to the internal circuit that receives it, causing a large through current in the 0M03 circuit.
Oscillation occurs in level-sensitive preamp-flop circuits.

このような不所望な動作を回避するため、この実施例で
は、次の各回路から成る中間レベル検出回路及びMO3
FETQ3が付加される。すなわち、上記ノードN1の
信号は、比較的高いロジックスレッショルド電圧VTI
を持つCMOSインバータ回路IV3と、比較的低いロ
ジックスレッショルド電圧VT2を持つCMOSインバ
ータ回路IV4に供給される。これらのインバータ回路
IV3とIV4の出力信号は、排他的論理和否定回路E
NOHに供給され、ここで両川力レベルの一致/不一致
が判定される。この一致/不一致回路としての排他的論
理和否定回路ENOHの出力信号N2は、上記ノードN
1と電源電圧Vccとの間に設けられたプルアップ用の
PチャンネルMO3IETQ3のゲートに供給される。
In order to avoid such undesired operation, in this embodiment, an intermediate level detection circuit and MO3 consisting of the following circuits are used.
FETQ3 is added. That is, the signal at the node N1 has a relatively high logic threshold voltage VTI.
and a CMOS inverter circuit IV4 having a relatively low logic threshold voltage VT2. The output signals of these inverter circuits IV3 and IV4 are sent to the exclusive OR NOT circuit E.
It is supplied to the NOH, where it is determined whether the power levels of both rivers match or do not match. The output signal N2 of the exclusive OR NOT circuit ENOH as this match/mismatch circuit is connected to the node N
1 and the power supply voltage Vcc, and is supplied to the gate of a pull-up P-channel MO3IETQ3.

この排他的□論理和否定回路ENORは、その両人力信
号が不一致のとき、言い換えるならば、両信号のうち一
方がハイレベルで他方がロウレベルのとき、ロウレベル
(論理”0’)の不一致出力信号を形成する。上記ノー
ドN1は、CMOSインバータ回路■v5を介して図示
しない内部回路へ送出される。
This exclusive □ OR negation circuit ENOR outputs a mismatch output signal of low level (logic "0") when the two signals do not match, in other words, when one of the two signals is high level and the other is low level. The node N1 is sent to an internal circuit (not shown) via a CMOS inverter circuit v5.

なお、プルアップ用MO3FETQ3は、それがオン状
態にされたときの動作インピーダンスが比較的大きな値
を持つように設定される。言い換えるならば、MO3F
ETQ3は、それがオン状態にされたときでもノードN
1の信号レベルがCMOSインバータ回路IVIの出力
信号に従って決定されるように、大きなインピーダンス
を持つようにされる。このことは、後で説明する第2の
実施例においても同様である。
Note that the pull-up MO3FET Q3 is set so that its operating impedance has a relatively large value when it is turned on. In other words, MO3F
ETQ3 is connected to node N even when it is turned on.
It is made to have a large impedance so that the signal level of 1 is determined according to the output signal of the CMOS inverter circuit IVI. This also applies to the second embodiment described later.

この実施例回路の動作の一例を第2図のタイミング図に
従って説明する。
An example of the operation of this embodiment circuit will be explained with reference to the timing diagram of FIG.

クロック48号cKがハイレベルからロウレベルに変化
するタイミングでMO3FB’l’Q]とQ2はオフ状
態にされる。このタイミングでCMOSインバータ回路
IVIを介した非同期信号りがハイレベルからロウレベ
ルに変化して上記インバータ回路IV3とIV4のロジ
ンクスレソショルド電圧V T lとV T 2の間の
中間レベルの領域にあると、インバータ回路IV3の出
力信号はハイレベル、インバータ回路IV4の出力信号
はロウレベルにされる。これによって、排他的論理和否
定回路ENORは、その出力N2にロウレベルの不一致
信号を送出させる。この出力信号N2のロウレベルによ
ってPチャンネルMO3FETQ3はオン状態にされ、
上記中間レベルを電源電圧Vccのようなハイレベルに
プルアップさせる。これによって、クロック信号CKが
ロウレベルの期間に、取り込まれた内部信号(N1)が
中間レベルのままにされることによってインバータ回路
IV5等においな不所望な貫通電流や、図示しないレベ
ルセンシティブなフリップフロップ回路において不所望
な発振動作等が生じるを防止できる。
MO3FB'l'Q] and Q2 are turned off at the timing when clock No. 48 cK changes from high level to low level. At this timing, the asynchronous signal via the CMOS inverter circuit IVI changes from high level to low level and is in the intermediate level region between the rosin threshold voltages VT1 and VT2 of the inverter circuits IV3 and IV4. Then, the output signal of the inverter circuit IV3 is set to a high level, and the output signal of the inverter circuit IV4 is set to a low level. This causes the exclusive OR NOT circuit ENOR to send out a low-level mismatch signal at its output N2. P-channel MO3FETQ3 is turned on by the low level of this output signal N2,
The intermediate level is pulled up to a high level such as power supply voltage Vcc. As a result, while the clock signal CK is at a low level, the internal signal (N1) taken in is kept at an intermediate level, causing an undesired through current in the inverter circuit IV5, etc., and a level-sensitive flip-flop (not shown). Undesirable oscillations and the like can be prevented from occurring in the circuit.

次のクロック信号CKの到来によって、上記変化途中の
外部信号りは、確実にロウレベルにされるものであるか
ら、このクロック信号CKのロウレベルに同期してその
信号を取り込むことができる。このようにするため、ク
ロック信号GKは、非同期の外部信号りの最小周期の約
1/2以下の周期に投定される。
When the next clock signal CK arrives, the external signal that is in the process of changing is reliably brought to a low level, so that signal can be taken in in synchronization with the low level of this clock signal CK. In order to do this, the clock signal GK is applied with a cycle that is approximately 1/2 or less of the minimum cycle of the asynchronous external signal.

なお、内部回路において、上記クロック信号CKがロウ
レベルにされたタイミングで、排他的論理和否定回路E
 N OHの出力信号N2のレベルを判定して、ノード
N1の信号の有効/無効を識別するものであってもよい
。すなわち、上記タイミングで排他的論理和否定回路E
NOHの出力信号N2がロウレベルなら、ノードNlの
信号を無効にして、次のサイクルでノードNlを取り込
むようにするものである。これによって、高速に非同期
信号を取り込むことができる。
In addition, in the internal circuit, at the timing when the clock signal CK is set to low level, the exclusive OR NOT circuit E is activated.
It may be possible to determine whether the signal at the node N1 is valid or invalid by determining the level of the output signal N2 of the NOH. That is, at the above timing, the exclusive OR NOT circuit E
If the NOH output signal N2 is at a low level, the signal at the node Nl is invalidated, and the signal at the node Nl is taken in in the next cycle. This allows asynchronous signals to be captured at high speed.

〔実施例2〕 第3図には、この発明の他の一実施例の回路図が示され
°ζいる。
[Embodiment 2] FIG. 3 shows a circuit diagram of another embodiment of the present invention.

この実施例では、入力ゲート回路として、クロックドイ
ンバータ回路が利用される。すなわち、外部端子から供
給される非同期信号は、PチャンネルMO3FB’T’
QIIとNチャンネルMO8FETQ12のゲートに供
給される。上記MO5FETQIIのソースには、前記
同様にインバータ回路IV2によって反転されたクロッ
ク信号がゲートに供給されたPチャンネルMO3FET
QIOを介して電源電圧Vccを供給させる。また、上
記MO3FETQ13のソースには、クロック信号CK
がゲートに供給されたNチャンネルMO3FETQ12
を介して回路の接地電位を供給させる。これによって、
上記インバータ回路を構成する両MO3FETQI 1
とQ12は、クロック信号CKに同期し′ζ動作状態に
される。
In this embodiment, a clocked inverter circuit is used as the input gate circuit. That is, the asynchronous signal supplied from the external terminal is P channel MO3FB'T'
QII and the gate of N-channel MO8FET Q12. The source of the MO5FET QII is a P-channel MO3FET whose gate is supplied with a clock signal inverted by the inverter circuit IV2 in the same way as described above.
Power supply voltage Vcc is supplied via QIO. In addition, the source of the MO3FETQ13 has a clock signal CK.
is supplied to the gate of N-channel MO3FETQ12
The ground potential of the circuit is supplied through the circuit. by this,
Both MO3FETQI 1 forming the above inverter circuit
and Q12 are put into the 'ζ operating state in synchronization with the clock signal CK.

また、排他的論理和否定回路ENOHの出力にインバー
タ回路を設けることによって、反転された信号N2°を
形成して、Nチャンネル型のプルダウンMO3FE’l
”Q14をノードN1と回路の接地電位点との間に設け
るものである。この実施例では、上記クロックドインバ
ータ回路を介して取り込んだ信号(ノードNl)のレベ
ルが中間レベルなら、プルダウンMO5FETQI 4
がオン状態にされるから、中間レベルをロウレベル(l
it ニ固定させるものである。
Furthermore, by providing an inverter circuit at the output of the exclusive OR NOT circuit ENOH, an inverted signal N2° is formed and an N-channel pull-down MO3FE'l
"Q14 is provided between the node N1 and the ground potential point of the circuit. In this embodiment, if the level of the signal (node Nl) taken in through the clocked inverter circuit is at an intermediate level, the pull-down MO5FETQI4
is turned on, the intermediate level is changed to the low level (l
It is something that fixes it.

この実施例の動作は、前記第1図の回路の実質的に等価
であるので、その説明を省略する。
The operation of this embodiment is substantially equivalent to that of the circuit shown in FIG. 1, so a description thereof will be omitted.

〔実施例3〕 第4図には、この発明の他の一実施例の回路図が示され
ている。
[Embodiment 3] FIG. 4 shows a circuit diagram of another embodiment of the present invention.

この実施例は、外部端子から供給された非同期信号りを
ノードN1に取り込むとき、その変化時(中間レベル)
に、前記同様なプルダウンMO3F ETQ3”がオン
状態にされることによって、そのレベル変化を遅くして
しまう不都合を防止するものである。すなわち、クロッ
ク信号CKがハイレベルで前記同様な伝送ケートMO3
FE、TQ1とQ2がオン状態のとき、ノードN1にお
ける非同期信号がロウレベルからハイレベルへ変化する
中間レベルにおいで、前記実施例のようにプルタ′ウン
M OS F E T Q 3 ’ がオン状態にされ
ると、ハイレベルへの立ち上がりが遅くされる。そこで
、上記〃ト伯的論理和否定回路BNORの出力信号をノ
アゲート回路NORを介して出力させる。このノアゲー
ト回路NORは、その制御入力にクロック信号CKI(
この実施例では、インバータ回路IV2の出力信号をイ
ンバータ回路IV6によって反転さセることによって、
非反転のクロック信号CKIを形成している)を供給す
るものである。
In this embodiment, when an asynchronous signal supplied from an external terminal is taken into node N1, when the signal changes (intermediate level)
This is to prevent the inconvenience of delaying the level change when the similar pull-down MO3F ETQ3 is turned on. In other words, when the clock signal CK is at a high level, the similar pull-down MO3F ETQ3 is turned on.
When FE, TQ1 and Q2 are in the on state, at the intermediate level where the asynchronous signal at the node N1 changes from low level to high level, the pull town MOS FET Q3' is in the on state as in the previous embodiment. When this happens, the rise to high level is delayed. Therefore, the output signal of the above-described logical OR NOT circuit BNOR is outputted via the NOR gate circuit NOR. This NOR gate circuit NOR has a clock signal CKI (
In this embodiment, by inverting the output signal of the inverter circuit IV2 by the inverter circuit IV6,
(forming a non-inverted clock signal CKI).

これによって、クロック信号CKIがハイレベルのとき
、ノアゲート回路NOHの出力信号N2″は、上記排他
的論理和否定回路ENORの出力信号とは無関係にロウ
レベルにされる。このようなロウレベルの信号N2°に
よって、プルダウンMO5FE”l’Q3°はオフ状態
にされる。したがって、非同期信号の取り込み動作の時
にプルダウンM OS FE Tによって、信号変化動
作が遅くされてしまうことを防止できる。したがって、
MO3FETQ3°は、他の実施例の場合よりCKIが
ロウレベルの時のインピーダンスを低くすることができ
、プルダウンを高速に行うことができる。
As a result, when the clock signal CKI is at a high level, the output signal N2'' of the NOR gate circuit NOH is set to a low level regardless of the output signal of the exclusive OR NOT circuit ENOR.Such a low level signal N2° As a result, pull-down MO5FE"l'Q3° is turned off. Therefore, it is possible to prevent the signal change operation from being slowed down by the pull-down MOS FET during the asynchronous signal capture operation. therefore,
MO3FETQ3° can lower the impedance when CKI is at low level than in other embodiments, and can perform pull-down at high speed.

また、この実施例では、前記同様なインバータ回路IV
5の出力信号D°を同様な伝送ゲートMO3FE’l”
(,14とQ5によって、クロック信号CK2によって
取り込むようにするものである。すなわち、この実施例
では、2相のクロック信号CKlとCK2を用い、クロ
ック信号CK2に同期して、図示しない内部回路へ供給
する同期化信号を形成するものである。
Further, in this embodiment, an inverter circuit IV similar to the above
5's output signal D° to a similar transmission gate MO3FE'l''
, 14 and Q5, the data is captured by the clock signal CK2. In other words, in this embodiment, two-phase clock signals CKl and CK2 are used, and the data is sent to an internal circuit (not shown) in synchronization with the clock signal CK2. It forms the synchronization signal to be supplied.

〔効 果〕〔effect〕

(1)異なる2つのロジンクスレソショルド電圧を持つ
インバータ回路と一致/不一致回路によって、戦り込ん
だ非同期信号が中間レベルであることを検出できる。こ
の検出出力により、中間レベルをプルアンプ又はプルダ
ウンさせることによって、内部回路での貫通電流や発振
動作等の不所望な異常動作を防止することができるとい
う効果が得られる。
(1) By using an inverter circuit with two different logic threshold voltages and a match/mismatch circuit, it is possible to detect that a mixed asynchronous signal is at an intermediate level. By pulling-amplifying or pulling down the intermediate level using this detection output, it is possible to prevent undesired abnormal operations such as through current and oscillation in the internal circuit.

(2)上記+11により、発振動作等の異常動作が自然
に停止するまで待つことなく高速、確実に非同期の外部
信号を取り込むことができるという効果が得られる。す
なわち、クロック信号に対して、これと非同期のタイミ
ングで変化する外部信号を最大でもクロック信号の2回
分の時間で正確に取り込むことができる。これにより、
この発明が通用されたディジタル制御システムにおいて
は、内部クロックに同期しない信号(割り込みや、入出
力装置からの信号)に苅する応答が速くなるという効果
が得られる。
(2) The above +11 provides the effect that asynchronous external signals can be taken in quickly and reliably without waiting until abnormal operations such as oscillation stop naturally. In other words, an external signal that changes at a timing asynchronous to the clock signal can be accurately captured in the time equivalent to two clock signals at most. This results in
In a digital control system to which this invention is applied, the effect of speeding up the response to signals that are not synchronized with the internal clock (interrupts and signals from input/output devices) can be obtained.

(3)クロック信号による非同期信号の取り込みタイミ
ングでの一致/不−砂検出IN号を調べることによって
、取り込んだ信号の有効/無効を識別することによって
、最短時間での非同期信号の取り込みを行うとこができ
るという効果が得られる。
(3) Coincidence/non-sand detection at the timing of asynchronous signal capture using a clock signal By checking the IN signal, it is possible to identify whether the captured signal is valid or invalid, thereby capturing the asynchronous signal in the shortest possible time. This has the effect of being able to.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。一致/不一致回路は、
排他的論理和否定回路の他、実質的にこれと同様な動作
を行うものであれば何であってもよい。例えば、第1図
の排他的論理和否定回路ENORは、インバータ回路!
■3の出力と、インバータ回路IV4の否定出力を受け
るナントゲート回路に置き換えることができる。第1図
において、回路ENORは省略することができる。この
場合、例えばインバータ回路I V 40)出力がMO
3FETQ:M)ゲ−1−に直4’!供給され、インバ
ータ回路IV3の出力が反転された上で追加のMOSF
ETのゲートに供給される。かかる追加のMOSFET
は、MO3FETQ3と直列接続される。また、各回路
は、CMOS回路の他、NチャンネルMO3FET又は
Pチ中ンネルM OS F E ’l’のみににって構
成されるものであってもよい。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that this invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor. The match/mismatch circuit is
In addition to the exclusive OR NOT circuit, any circuit that performs substantially the same operation as the exclusive OR NOT circuit may be used. For example, the exclusive OR NOT circuit ENOR in FIG. 1 is an inverter circuit!
(2) It can be replaced with a Nant gate circuit which receives the output of 3 and the negative output of the inverter circuit IV4. In FIG. 1, the circuit ENOR can be omitted. In this case, for example, the output of the inverter circuit I V 40) is MO
3FETQ:M) Directly 4' to Game 1-! The output of the inverter circuit IV3 is inverted, and an additional MOSF
Supplied to the gate of ET. Such additional MOSFET
is connected in series with MO3FETQ3. In addition to the CMOS circuit, each circuit may be configured only with an N-channel MO3FET or a P-channel MOSFET 'l'.

(利用分野) この発明は、非同期信号を同期化する入力回路を含む各
種半導体築積回路装置に広く利用できるものである。
(Field of Application) The present invention can be widely used in various semiconductor integrated circuit devices including an input circuit that synchronizes asynchronous signals.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、この発明の一実m例、fc示す回路図、第2
図は、その動作の一例を説明するだめのタイミング図、 第3図は、この発明の他の一実施例を示す回路図・ 第4図は、この発明の更に他の一実施例を示す回路図、 第5図は、従来技術の一例を説明するための回路図ごあ
る。 IVI−IVI3・、インバータ回路、ENOR・・排
他的論理和否定回路 第 1 図 第2図 第3図
Fig. 1 is an example of the present invention, a circuit diagram showing fc,
The figure is a timing diagram for explaining an example of its operation. Figure 3 is a circuit diagram showing another embodiment of the invention. Figure 4 is a circuit diagram showing still another embodiment of the invention. FIG. 5 is a circuit diagram for explaining an example of the prior art. IVI-IVI3・, Inverter circuit, ENOR・・Exclusive OR NOT circuit Figure 1 Figure 2 Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、内部のクロック信号に従ってこれと非同期で外部端
子から供給された入力信号を取り込む3状態出力機能を
持つゲート回路と、上記ゲート回路の出力信号が所定の
レベル範囲に有るか否かを検出する検出回路と、この検
出回路の検出信号によって動作状態にされ、上記ゲート
回路の出力端子をハイレベル又はロウレベルに固定させ
る電圧供給回路とを含む入力回路を具備することを特徴
とする半導体集積回路装置。 2、上記検出回路は、上記クロック信号によって制御さ
れ、上記ゲート回路が開いた状態での検出信号の送出を
無効にする論理ゲート回路を含んでなるものであること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体集積回
路装置。
[Claims] 1. A gate circuit having a three-state output function that takes in an input signal supplied from an external terminal asynchronously with an internal clock signal, and an output signal of the gate circuit within a predetermined level range. The gate circuit is characterized by comprising an input circuit including a detection circuit that detects whether or not the gate circuit is in the gate, and a voltage supply circuit that is activated by a detection signal of the detection circuit and fixes the output terminal of the gate circuit at a high level or a low level. Semiconductor integrated circuit device. 2. Claims characterized in that the detection circuit includes a logic gate circuit that is controlled by the clock signal and disables the transmission of the detection signal when the gate circuit is open. 2. The semiconductor integrated circuit device according to item 1.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02196507A (en) * 1989-01-25 1990-08-03 Nec Corp Input latch circuit
JPH04142112A (en) * 1990-10-02 1992-05-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Input buffer circuit
KR100474982B1 (en) * 1997-05-07 2005-06-23 삼성전자주식회사 Internal Signal Generation Circuit of Synchronous Semiconductor Device
JP2006324359A (en) * 2005-05-17 2006-11-30 Elpida Memory Inc Semiconductor chip and semiconductor device

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