JPS61266189A - Ceramic contact tip for arc welding and its production - Google Patents

Ceramic contact tip for arc welding and its production

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JPS61266189A
JPS61266189A JP10715285A JP10715285A JPS61266189A JP S61266189 A JPS61266189 A JP S61266189A JP 10715285 A JP10715285 A JP 10715285A JP 10715285 A JP10715285 A JP 10715285A JP S61266189 A JPS61266189 A JP S61266189A
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Japan
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contact tip
ceramic
coating layer
arc welding
ceramic contact
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Tadao Amasaka
天坂 格郎
Misao Iwata
美佐男 岩田
Kazumi Fujikawa
藤川 和美
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Noritake Co Ltd
Toyota Motor Corp
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Noritake Co Ltd
Toyota Motor Corp
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Abstract

PURPOSE:To prevent the sticking of spatters, etc. by constituting a contact tip base body of ceramics, forming the part for feeding power to a wire of a good electrical conductor and providing a coating layer consisting of TiC, etc. on the surface of the contact tip. CONSTITUTION:The contact tip body 1 is constituted oft the ceramics having the characteristics including >=0.02cal/cm.sec. deg.C heat conductivity, <=7.3X10<-6>/ deg.C coefft. of thermal expansion and >=2,500kg/cm<2> bending strength. The coating layer 3 consisting of the good electrical conductor is formed of a copper alloy or Ni alloy and the coating layer 6 consisting of TiC, TiN or Ti(C+N) is formed on the surface of the body 1. The coating layer 6 is formed of the material having extremely high hardness and low reactivity with the spatters and therefore the sticking of the spatters is prevented. Since the body 1 is made of the ceramics, the life is extended.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、アーク溶接に使用されるスパッタ付着が少な
く、寿命4長くかつ再使用可能なセラはツクコンタクト
チップおよびその製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a ceramic contact tip used in arc welding that has low spatter adhesion, a long life, and is reusable, and a method for manufacturing the same.

〔従来技術〕 従来のアーク溶接用コンタクトチップは、主として銅合
金又はアルミニウム合金で作られていたが、コンタクト
チップの表面が金属であるため、アーク溶接中に飛散し
てくるスパッタが熱化学反応などによりコンタクトチッ
プ表面に付着堆積して目づまりを起したり、溶接中のふ
く射熱によりコンタクトチップが焼鈍軟化しワイヤ通過
によるコンタクトチップ先端部の摩耗が加速されるなど
が原因となり、アーク溶接用コンタクトチップの寿命は
極めて短かいものであった。
[Prior Art] Conventional contact tips for arc welding are mainly made of copper alloy or aluminum alloy, but since the surface of the contact tip is metal, spatter scattered during arc welding can be caused by thermochemical reactions, etc. The contact tips for arc welding may be damaged due to the fact that they accumulate on the surface of the contact tip and cause clogging, and the contact tip is annealed and softened by the radiated heat during welding, accelerating the wear of the tip of the contact tip due to the wire passing through. Its lifespan was extremely short.

前述のような問題を解決する方法として、実開昭52−
26630号公報、実開昭59−49478号公報又は
実開昭57−8248号公報に記載されるように、コン
タクトチップのノズル部をセラミック製ガイド保護する
方法、あるいは実開昭50−76021号公報、実開昭
57−160887号公報K E載されるようにコンタ
クトチップをセラミックで被覆する方法が提案されてき
ている。
As a method to solve the above-mentioned problems,
A method of protecting the nozzle part of a contact tip with a ceramic guide as described in Japanese Utility Model Application No. 26630, Japanese Utility Model Application Publication No. 59-49478, or Japanese Utility Model Application Publication No. 57-8248, or Japanese Utility Model Application Publication No. 50-76021 A method of coating a contact chip with ceramic has been proposed as described in Japanese Utility Model Application Publication No. 57-160887 KE.

しかしながら前記のノズル部をセラミックガイドで保護
する方法は、コンタクトチップの構造が複雑になり製造
コスト的に問題があるばかりでなく、広範囲に飛散する
スパッタに対してコンタクトチップ全体を保護できない
という問題があった。
However, the above-mentioned method of protecting the nozzle part with a ceramic guide not only complicates the structure of the contact chip and causes problems in terms of manufacturing costs, but also has the problem that the entire contact chip cannot be protected from spatter scattered over a wide area. there were.

一方コンタクトチップをセラミックで被覆する方法は、
構造の複雑化およびチップ全体に対するスパッタ付着か
らの保護の問題を解決するもので、本発明者等もPVD
法又はCVD法によるコンタクトチップのセラミック被
覆法を開発し、先に実願昭59−163202号として
出願した。
On the other hand, the method of coating the contact tip with ceramic is
This solves the problems of complicating the structure and protecting the entire chip from sputter adhesion, and the inventors also believe that PVD
We developed a ceramic coating method for contact chips using the CVD method or the CVD method, and filed an application as Utility Model Application No. 59-163202.

しかしながら、前述のセラミック被覆コンタクトチップ
においても、基体自体が金属、特に銅合金又はアルミニ
ウム合金で構成されているため、セラミック被覆中の焼
鈍軟化およびアーク溶接中のふく射熱による焼鈍軟化に
より、耐摩耗性が低下し寿命にはおのずから限界があっ
た。また、一旦目づまりあるいはノズル部の摩耗により
使用不可能になったものは、再生する手段がなく廃棄さ
れているのが現状であり、これもアーク溶接のコストを
高くする大きな要因となっていた。
However, even in the above-mentioned ceramic-coated contact tip, since the base body itself is made of metal, especially copper alloy or aluminum alloy, wear resistance deteriorates due to annealing softening in the ceramic coating and annealing softening due to radiated heat during arc welding. There was a natural limit to its lifespan. Furthermore, once the nozzle becomes unusable due to clogging or wear, there is currently no way to recycle it and it is discarded, which is another major factor that increases the cost of arc welding. .

また、本発明者等は、前述の問題を解決するものとして
、コンタクトチップ基体を921 AzlO,。
In addition, the present inventors have developed a contact chip substrate made of 921 AzlO as a solution to the above-mentioned problem.

SiC系又はS i 3 N 4系などのセラミックで
構成し、ワイヤガイド孔内壁に電気良導体を被覆したア
ーク溶接用コンタクトチップを発明し、先に出願した。
He invented and previously filed an application for an arc welding contact tip made of ceramic such as SiC or Si 3 N 4 and having the inner wall of the wire guide hole coated with a good electrical conductor.

この発明により、焼鈍軟化によるノズル部の摩耗および
再使用の問題が解決され、コンタクトチップの寿命は著
るしく長くなったが、溶接中のスパッタ付着に関しては
、金属製コンタクトチップに比較して大巾に減少しては
いるものの、前記セラミックはFe  を主成分とする
スパッタと多少反応性があり未だスパッタ付着の問題は
残されていた。
This invention solved the problem of wear and reuse of the nozzle part due to annealing softening, and significantly extended the life of the contact tip.However, regarding spatter adhesion during welding, it is significantly larger than that of metal contact tips. Although this has been greatly reduced, the problem of sputter adhesion still remains as the ceramic is somewhat reactive with sputtering mainly containing Fe.

〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は、前述のとおりのスパッタ付着による目づまり
の問題、耐摩耗性の問題を同時に解決し、しかも繰返し
再生可能なアーク溶接用セラミックコンタクトチップと
、そのコンタクトチップを安定確実に製造できる製造方
法を提供することを目的としている。
[Problems to be Solved by the Invention] The present invention provides a ceramic contact tip for arc welding that simultaneously solves the problem of clogging due to spatter adhesion and the problem of wear resistance as described above, and can be repeatedly regenerated, and its contact. The purpose is to provide a manufacturing method that allows chips to be manufactured stably and reliably.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、前述の問題点を解決する手段を鋭意研究し7
た結果、アーク溶接用コンタクトチップは電気良導体で
ある金属で構成するという規定の概念を転換し、第1図
に示すアーク溶接用コンタクトチップ基体1をセラミッ
クで構成し、ワイヤに給電する部分のみを電気良導体3
で構成するという本発明者等による前述の先願の発明に
、更に第2図に示すように、七ラミック製コンタクトチ
ップ基体1の表面に、Fe  を主成分とするスパッタ
との反応性が低いTic 、 TiN又はTi(C+N
)の被覆層6を設けることにより、前述の目的が達成さ
れることを知見して完成されたものである。
The present invention is based on extensive research into means for solving the above-mentioned problems.
As a result, we changed the standard concept that arc welding contact tips are made of metal, which is a good electrical conductor, and instead made the arc welding contact tip base 1 shown in Fig. 1 out of ceramic, and only the part that supplies power to the wire was made of ceramic. Good electrical conductor 3
In addition to the above-mentioned invention of the prior application by the present inventors, as shown in FIG. Tic, TiN or Ti(C+N
) was completed based on the knowledge that the above-mentioned objective could be achieved by providing the coating layer 6.

更に本発明の具体的構成を詳細に説明すると、アーク溶
接用コンタクトチップの基体1を、好ましくは92チl
+、03. SiC系又は813N、などの熟伝導度0
.03 cab / Gll −813(! @ ’Q
以上、熱膨張係数7.3′XIO1/′C以下および曲
げ強度2500Ky /ct1以上の物理的特性を有す
るセラミックで構成するとともに、その基体1の表面K
PVT)法、CVD法又はプラズマ溶射法などによりF
e  を主成分とするスパッタと反応性の低いTiC、
TiNまたはTi(C+N)の被覆層6を形成し、また
該基体のワイヤガイド孔2内壁K 111、銅合金、N
j 合金、金合金、銀合金、プラチナ合金、チタン合金
などの電気良導体の被覆層を形成することにより、溶接
中のスパッタ伺着が極めて少なく、かつ摩耗の問題もな
く、繰返し使用可能なアーク溶接用セラミックコンタク
トチップを得たものである。
Further, to explain the specific configuration of the present invention in detail, the base body 1 of the contact tip for arc welding is preferably made of 92 liters.
+, 03. SiC type or 813N, etc. conductivity 0
.. 03 cab / Gll -813 (! @ 'Q
As described above, it is made of ceramic having physical properties of a thermal expansion coefficient of 7.3'XIO1/'C or less and a bending strength of 2500 Ky/ct1 or more, and the surface K of the base 1
PVT) method, CVD method, plasma spraying method, etc.
Sputtering mainly composed of e and TiC with low reactivity,
A coating layer 6 of TiN or Ti (C+N) is formed, and the inner wall K 111 of the wire guide hole 2 of the base body is made of copper alloy, N
By forming a coating layer of electrically conductive materials such as alloys, gold alloys, silver alloys, platinum alloys, and titanium alloys, arc welding can be used repeatedly with very little spatter during welding and without problems with wear. Ceramic contact chips for use in this process were obtained.

そして、前述のアーク溶接用土ラミックコンタクトチッ
プをT業的に安定して製造する方法として、予め作成し
たセラミックコンタクトチップ基体1の表面に、Tie
 、 TjN又はTi(C+N)をCVD法、PVD法
Vはプラズマ法1(より被覆層6を形成するとともに、
該セラミックコンタクトチップ基体のワイヤガイド孔2
の内壁を電気良導体で予ぬ被覆処理j〜たのち、該電気
良導体よりなる被覆層を電極として電気良導体3を電気
メッキする方法、および、第3図に示すように七ラミッ
ク製コンタクトチップ基体1のワイヤガイド孔2の孔径
と概略同じ夕1径の電気良導体のパイプ4を予め作成し
ておき、これをセラミック製コンタクトチップ基体1の
ガイド孔21L挿入する方法を開発したものである。
As a method for stably manufacturing the above-mentioned clay ceramic contact tip for arc welding, Tie
, TjN or Ti (C+N) using CVD method, PVD method V uses plasma method 1 (while forming coating layer 6,
Wire guide hole 2 of the ceramic contact chip base
A method of coating the inner wall of the substrate with a good electrical conductor, and then electroplating a good electrical conductor 3 using the coating layer made of the good electrical conductor as an electrode, and as shown in FIG. A method has been developed in which a pipe 4 of a good electrical conductor with a diameter approximately the same as that of the wire guide hole 2 is prepared in advance, and the pipe 4 is inserted into the guide hole 21L of the ceramic contact chip base 1.

前述のセラミック製コンタクトチップのガイド孔内壁に
電気良導体を電気メッキする方法としては、セラミック
に金属を電気メッキする公知のいずれの方法でも採用で
きるが、本発明者等の研究によれば次の方法によりメッ
キした場合良好な結果が確実に得られることが判明して
いる。
As a method of electroplating a good electrical conductor on the inner wall of the guide hole of the ceramic contact tip described above, any known method of electroplating metal on ceramic can be adopted, but according to the research of the present inventors, the following method is used. It has been found that good results are reliably obtained when plated with

(イ)CVD法又はPVD法により、電気導体であるT
iC又はTiN などでガイド孔内壁を被覆した後、そ
の被覆したTiC又はTiNなどの電気導体層を電極と
して、Cu 系合金、Ni 系合金、銀糸合金、金糸合
金、プラチナ系合金又はTi系合金などの電気良導体を
電気メッキする方法。
(a) By CVD or PVD, T, which is an electrical conductor, is
After coating the inner wall of the guide hole with iC or TiN, etc., the coated electrically conductive layer of TiC or TiN is used as an electrode to conduct a process such as a Cu alloy, a Ni alloy, a silver thread alloy, a gold thread alloy, a platinum alloy, or a Ti alloy. How to electroplate a good electrical conductor.

(ロ)前記ガイド孔内壁に金属粉をペースト状にして塗
布、又はどぶ付けなどにより被覆した後、N 、/ H
、中又は真空中で焼成するいわゆるメタライズ法により
該ガイド孔内壁に電気導体層を形成させた後、(イ)と
同様にして電気良導体を電気メッキする方法。このメタ
ライズ法1でおいては、穐々の金属粉を用いることがで
きるが、基体がA6,0゜などの酸化物系セラミックで
ある場合はNi、M。
(b) After coating the inner wall of the guide hole with metal powder in paste form or by gluing it, apply N2, /H.
A method in which an electrically conductive layer is formed on the inner wall of the guide hole by the so-called metallization method in which firing is performed in a vacuum or in a vacuum, and then a good electrical conductor is electroplated in the same manner as in (a). In this metallization method 1, a fine metal powder can be used, but if the substrate is an oxide ceramic such as A6.0°, Ni or M can be used.

、 Cu 、 rllto −Mn 、基体がSiC系
である場合はNi、MOそして基体がSi3N4系であ
る場合はM。
, Cu, rllto-Mn, Ni, MO if the substrate is SiC-based, and M if the substrate is Si3N4-based.

の組合せにおいて特に良い結果が得られる。Particularly good results are obtained with the combination of

(ハ)無電解メッキ法によりガイド孔内壁に予め電気導
体を被覆した後(イ)と同様に電気メッキを施す方法。
(c) A method in which the inner wall of the guide hole is coated with an electrical conductor in advance by electroless plating, and then electroplated in the same manner as in (a).

この無電解メッキ法によって被覆する電気導体は、導電
性を有するものであればいずれの金属でもよいが、安置
性および導電性の点からNi又はCuであることが望′
ましい。
The electrical conductor coated by this electroless plating method may be any metal as long as it has electrical conductivity, but from the viewpoint of stability and electrical conductivity, it is preferable to use Ni or Cu.
Delicious.

なお、前記電気良導体の被覆は給電効果に上げるためネ
ジ部7まで行ってもよい。
Incidentally, the coating with the electrically conductive material may extend up to the threaded portion 7 in order to improve the power feeding effect.

〔作用〕[Effect]

本発明においては、アーク溶接用コンタクトチップ基体
を硬度の高く耐熱性にすぐれたセラミックで構成してい
るため、従来の金属製コンタクトチップに比較して、溶
接中の焼鈍軟化の問題もなく耐摩耗性が格段にすぐれて
いる。また本発明においてはセラミックコンタクトチッ
プの表面にさらに極めて硬度が高くかつFe  を主成
分とするスパッタと反応性の低いTiC、TiN又はT
i(C+N )を被覆しているため、溶接中のスパッタ
の付着が。
In the present invention, the contact tip base for arc welding is made of ceramic with high hardness and excellent heat resistance, so compared to conventional metal contact tips, there is no problem of annealing softening during welding, and it is wear resistant. The quality is extremely good. In addition, in the present invention, the surface of the ceramic contact chip is coated with TiC, TiN, or T, which has extremely high hardness and has low reactivity with sputtering containing Fe as a main component.
Since the i(C+N) is coated, spatter does not adhere during welding.

少なく、かつ−dヌバツタが付着しても容易に除去する
ことができる。本願発明の他の大きな利点は、コンタク
トチップのワイヤガイド孔に設けた電気良導体がワイヤ
通過による摩擦で摩耗しワイヤへの給電が不可能になっ
た場合でも、コンタクトチップ基体−まで岸粍して使用
不可能になることはなく、再度電気良導体を被覆しなお
して、コンタクトチップ基体を繰返し使用できることで
ある。
Even if -d ivy adheres, it can be easily removed. Another great advantage of the present invention is that even if the electrically conductive material provided in the wire guide hole of the contact tip wears out due to friction caused by the wire passing through and becomes unable to supply power to the wire, the contact tip base will not be damaged. The contact tip base body can be used repeatedly by recoating it with a good electrical conductor without becoming unusable.

本願発明のアーク溶接用コンタクトチップ基体1の素材
としては、市販のいずれのセラミックを選択しても所定
の作用効果を得ることができるが、アーク溶接中にセラ
ミックコンタクトチップに割れが発生する機構を研究し
実験を重ねた結果、コンタクトチップ基体の素材として
、特に921A/、01. SiCおよび81.N4 
 などの熱伝導度0.03Ca’ / Cnl ” S
eC*て゛以上、熱膨張係数7.3X10’14■:J
下おtび曲げ強度2500 Kg / 611以上の物
理的特性を有するセラミックを選択することにより、長
時間の繰返し使用によっても割れの発生しない極めて寿
命の長いアーク溶接用コンタクトチップが得られること
が判明した。
As the material for the contact tip substrate 1 for arc welding of the present invention, any commercially available ceramic can be selected to obtain the desired effect, but the mechanism by which cracks occur in the ceramic contact tip during arc welding cannot be avoided. As a result of repeated research and experiments, we found that 921A/, 01. SiC and 81. N4
Thermal conductivity such as 0.03Ca'/Cnl''S
eC*Te゛ or more, thermal expansion coefficient 7.3X10'14■:J
It has been found that by selecting a ceramic with physical properties such as lower bending strength of 2500 Kg/611 or more, it is possible to obtain an extremely long-life arc welding contact tip that does not crack even after repeated use over a long period of time. did.

すなわち、アーク溶接においては、コンタクトチップは
局部加熱、急加熱が繰返し生じており、その熱ショック
によりコンタクトチップに割れが発生する機構を考察す
ると次のようなことが言える。
That is, in arc welding, the contact tip is repeatedly subjected to local heating and rapid heating, and when considering the mechanism by which cracks occur in the contact tip due to the thermal shock, the following can be said.

セラミック製コンタクトチップが、アーク溶接中に割れ
を発生する場合は、熱によって発生した内部応力が曲げ
強度を超えた場合である。アーク溶接においてはコンタ
クトチップは前述のとおり局部加熱、急加熱が繰返され
ており、加熱部分とその付近には大きな温度勾配が生じ
ること比なる。
A ceramic contact tip may crack during arc welding if the internal stress generated by heat exceeds the bending strength. In arc welding, the contact tip is repeatedly heated locally and rapidly as described above, and a large temperature gradient occurs in the heated portion and its vicinity.

すなわち、溶接部分は1200℃前後、そしてそれから
のふく射熱および給電時の自己アーク熱によりコンタク
トチップは200〜300℃になる。そして温度勾配を
有するコンタクトチップにおいては、各部分がその加熱
温度に応じた熱膨張を示し、その熱膨張量の差が内部応
力を発生させる基因となる。したがってアーク溶接中の
熱ショックによる割れを防止、すなわち各部分の熱膨張
量の差に起因する内部応力が曲げ強度を超えないように
するためには、熱伝導度の高い素材を選択することKよ
り各部分の温度勾配を小さくすること、熱膨張係数の小
さい素材を選択することにより各部分の熱膨張量を小さ
くし熱膨張量の差の絶対値を小にすることおよび曲げ強
度の高い素材を選択することが考えられる。
That is, the temperature of the welded portion is around 1200°C, and the temperature of the contact tip is 200 to 300°C due to radiated heat from the welding part and self-arc heat during power supply. In a contact chip having a temperature gradient, each part exhibits thermal expansion according to its heating temperature, and the difference in the amount of thermal expansion becomes a cause of internal stress. Therefore, in order to prevent cracking due to thermal shock during arc welding, that is, to prevent the internal stress caused by the difference in thermal expansion of each part from exceeding the bending strength, it is necessary to select a material with high thermal conductivity. By reducing the temperature gradient in each part, by selecting a material with a small coefficient of thermal expansion, the amount of thermal expansion in each part is reduced and the absolute value of the difference in the amount of thermal expansion is reduced, and by selecting a material with high bending strength. It is possible to select .

本発明者等は、前述の考察に基づいて、表1に示すとお
り種々のセラミックについて実験を重ねた結果、前述の
とおり、特に、熱伝導度0.03ca/ / (fn*
 see * ℃以上、熱膨張係数が7.3 X 10
−’1/℃および曲げ強度2500Kf/C−の物理的
特性を有するセラミックを素材としてアーク溶接用コン
タクトチップ基体を作成した場合、長時間の繰返しアー
ク溶接においても全く割れの生じないという作用効果を
得たものである。
Based on the above considerations, the present inventors conducted repeated experiments on various ceramics as shown in Table 1, and found that, as mentioned above, in particular, the thermal conductivity was 0.03ca//(fn*
see * ℃ or higher, thermal expansion coefficient is 7.3 x 10
When a contact tip base for arc welding is made of ceramic material that has the physical properties of -'1/℃ and bending strength of 2500Kf/C-, it has the effect that no cracks occur even during long-term repeated arc welding. That's what I got.

表  1 X   割れが生じ不良 また、本発明においては、セラミック製コンタクトチッ
プ基体のガイド孔内壁に電気良導体被覆層を設けて、こ
の被覆層により溶接ワイヤに電流を給電する方式として
いるため、アーク溶接中のふく射熱はコンタクトチップ
基体によって遮断され、ふく射熱による給電材としての
前記被覆層の溶損または焼鈍軟化に伴う耐摩耗性の低下
はほとんどみられない。
Table 1 The radiated heat inside the contact chip is blocked by the contact chip base, and there is almost no decrease in wear resistance due to melting or annealing softening of the coating layer as a power supply material due to radiated heat.

次に、本願の第2番目および第3番目の発明である前記
のアーク溶接用セラミックコンタクトチップの製造方法
に関してその作用効果を説明する。
Next, the effects of the method for manufacturing the ceramic contact tip for arc welding, which is the second and third invention of the present application, will be explained.

第2番目および第3番目の発明において、セラミックコ
ンタクトチップ基体1の表面にスパッタ粒と反応性の低
いTic 、 TiN又はTi(C+N)の被覆層6を
形成しているが、その被覆層の形成手段としては、CV
D法、PVD法あるいはプラズマ溶射法のいずれの方法
も採用し得るが、CVD法又はPVD法を採用した場合
は被覆層は数μ程度と薄いが表面の表面粗度が高くその
゛ままでも表面の凹凸によるスパッタのかかえ込み現象
に伴うスパッタ付着が少ないという利点があり、一方プ
ラズマ溶射法を採用した場合は被覆層を100μ以上に
厚くすることができるが、被覆層の表面が粗いため、表
面粗度20S以下、好ましくは0.5〜288度に研磨
する必要がある。
In the second and third inventions, a coating layer 6 of Tic, TiN, or Ti (C+N), which has low reactivity with sputtered particles, is formed on the surface of the ceramic contact chip substrate 1. As a means, CV
Any method such as D method, PVD method, or plasma spraying method can be adopted, but when CVD method or PVD method is adopted, the coating layer is thin, about several micrometers, but the surface roughness is high, and even if it is as it is, the surface The advantage is that there is less spatter adhesion due to the spatter trapping phenomenon caused by the unevenness of the coating.On the other hand, when plasma spraying is used, the coating layer can be made thicker than 100μ, but the surface roughness of the coating layer is rough. It is necessary to polish to a degree of 20S or less, preferably 0.5 to 288 degrees.

因みに、セラミックコンタクトチップの面粗度とそれぞ
れの被覆法を採用した場合の表面粗度の関係を示すと@
2表のようになる。
By the way, the relationship between the surface roughness of a ceramic contact chip and the surface roughness when each coating method is adopted is shown below.
It will look like Table 2.

表2 第2番目の発明においては、最終的には効率的な電気メ
ッキにより給電材となる電気良導体被覆を形成している
が、その前処理として予めガイド孔内壁および必要に応
じてネジ部に電気導体を被覆する処理を施しているが、
これはコンタクトチップ基体を構成するセラミックは電
気伝導度が低く、これに直接電気メッキを施すことは困
難であり、このような電気伝導度が低いセラミックに電
気メッキを施すためにはメッキする部分を予め電極比し
ておく必要があるためである。
Table 2 In the second invention, the electrically conductive coating that will eventually become the power supply material is formed by efficient electroplating, but as a pretreatment, the inner wall of the guide hole and, if necessary, the threaded part are coated with the coating. Although it is treated to coat the electrical conductor,
This is because the ceramic that makes up the contact chip base has low electrical conductivity, and it is difficult to apply electroplating directly to it. This is because it is necessary to compare the electrodes in advance.

また、CVD法、PVD法、メタライズ法あるいは無電
解メッキ法により被覆された部分は、油脂分などの汚染
物もなく、かつ熱化学処理により活性化しているため電
気メッキが効果的に行えるという効果もある。
In addition, the areas coated by CVD, PVD, metallization, or electroless plating are free from contaminants such as oil and fat, and are activated by thermochemical treatment, making electroplating more effective. There is also.

第3番目の発明においては、七ラミック製コンタクトチ
ップ基体のガイド孔に、予め作成しておいた電気良導体
のパイプを嵌合することによってアーク溶接用コンタク
トチップを製造するものであるが、この製造方法の利点
は、第2番目の発明におけるような複雑なメッキ工程を
必要とせず、機械加工によるパイプの製造および該パイ
プをセラミック製コンタクトチップ基体のガイド孔に嵌
合するという比較的簡単な作業により製造できることお
よび再生する際に摩耗したパイプを簡単に取りはずし新
しいパイプと交換できるという点を挙げることができる
。−またこの製造方法のもう1つの大きな利点は、パイ
プを加工硬化した状態または硬化熱処理した状態でセラ
ミック製コンタクl・チップ基体に組込めるため、アー
ク溶接使用中のパイプの4耗を小さくすることができる
ことである。
In the third invention, a contact tip for arc welding is manufactured by fitting a previously prepared pipe with good electrical conductivity into a guide hole of a contact tip base made of seven lamics. The advantage of this method is that it does not require a complicated plating process as in the second invention, and it is a relatively simple process of manufacturing the pipe by machining and fitting the pipe into the guide hole of the ceramic contact chip base. The following points can be mentioned: the pipe can be manufactured using the same method, and the worn pipe can be easily removed and replaced with a new pipe during recycling. - Another major advantage of this manufacturing method is that the pipe can be assembled into the ceramic contactor/tip base in a work-hardened or heat-hardened state, which reduces pipe wear during arc welding. This is something that can be done.

なお、セラミックコンタクトチップ基体自体の製造に関
しては、通常のセラミック製品の製造と同様に、セラミ
ック粉体に有機バインダーを混合して造粒した後鋳込成
形法、プレス成形法又はインジエクジエクション成形法
によりコンタクトチップ基体を成形し、これを焼成する
方法で製造すこのネジ部を生加工等で加工することはコ
ストの面から不利であるため、このようなアーク溶接用
七うミックコンタクトチップ基体の成形法としては@6
図のフローシートに示すインジェクション成形を採用す
ることが有利である。
Regarding the manufacture of the ceramic contact chip base itself, in the same way as in the manufacture of ordinary ceramic products, ceramic powder is mixed with an organic binder and granulated, and then cast molding, press molding, or in-die extrusion molding is used. Since it is disadvantageous from a cost perspective to process the threaded part of the base by raw machining, etc., it is disadvantageous in terms of cost. The molding method is @6
It is advantageous to employ injection molding as shown in the flow sheet of the figure.

〈実施例〉 (イ)セラミックコンタクトチップ基体の製造92 ’
16 hiffio、  粉末に下記の組成比で有機バ
インダーを添加し第4図に示すように加熱混練、口−ル
造粒して成形用材粒を得て、 該成形用材料を下記の成形条件でインジェクション法に
よりアーク溶接用コンタクトチップ基体の形状に生成形
した。
<Example> (a) Manufacturing of ceramic contact chip substrate 92'
16 hiffio, an organic binder was added to the powder in the composition ratio shown below, and as shown in Fig. 4, the mixture was heated and kneaded and granulated using a mouth to obtain molding material granules, and the molding material was injected under the following molding conditions. This method was used to form the contact tip substrate for arc welding.

前記の生成形のアーク溶接用コンタクトチップ基体に下
記の条件でl(と脂処理を施した後、焼成しアーク溶接
用コンタクトチップ基体を作成した。
The contact tip base for arc welding of the above-mentioned form was subjected to a lubricant treatment under the following conditions, and then fired to produce a contact tip base for arc welding.

脱脂条件−(室温)〜80℃ 3Hrs80〜360℃
   5℃/Hr j6o℃        2Hrs保持↓ 放冷 焼成条件(気中)−(室温1〜1550℃ 7Hrs1
550℃      ])fr保持 ↓ 放冷 (ロ) セラミックコンタクトチップ基体表面へのTi
c 、 TiN又はTi(C+N)被覆層の形成前述の
工程で作成し7た9 2 % kltos  よりなる
七ラミックコンタクトチップ基体表面へ、CVD法、P
vI)法およびプラズマ溶射法によりTiC。
Degreasing conditions - (room temperature) ~80℃ 3Hrs80~360℃
5℃/Hr j6o℃ 2Hrs retention ↓ Cooling firing conditions (air) - (Room temperature 1-1550℃ 7Hrs1
550℃]) Hold fr ↓ Allow to cool (b) Ti on the ceramic contact chip substrate surface
c. Formation of a TiN or Ti(C+N) coating layer: The surface of the seven ramic contact chip substrate made of 92% kltos prepared in the above process was coated by CVD method, P
TiC by vI) method and plasma spraying method.

TiNおよびTi (C+N )の被覆1−を形成した
A coating 1- of TiN and Ti (C+N) was formed.

(ハ) 七ラミックコンタクトチップ基体のワイヤガイ
ド孔内壁への電気良導体の被覆 前述の’piC、TiNあるいはTl(C+N)被覆層
を形成されたセラミックコンタクトチップの外表面にマ
スギングシ7、ワイヤガイド孔内槽のみにNi を無電
解メッキした後、該Ni 無電解メッキ層を陰極とし、
下記の条件下で電気メッキを施し、0.1〜0.3 m
mの厚さのCu被覆層をワイヤガイド(20)   ’ 孔内壁に形成した。
(c) Coating the inner wall of the wire guide hole of the lamic contact chip base with a good electrical conductor. On the outer surface of the ceramic contact chip on which the above-mentioned 'piC, TiN or Tl (C+N) coating layer has been formed, a masking layer 7 is applied to the inner wall of the wire guide hole. After electrolessly plating Ni on only the tank, the Ni electroless plating layer is used as a cathode,
Electroplated under the following conditions, 0.1-0.3 m
A Cu coating layer with a thickness of m was formed on the inner wall of the wire guide (20)' hole.

浴組成         メッキ条件 に)溶接試験 前述の工程で作成したアーク溶接用コンタクトチップを
下記の実際のアーク溶接に近い条件で溶接試験を行った
結果は第3表に示すとおりであった。
Bath Composition Plating Conditions) Welding Test The arc welding contact tips prepared in the above steps were subjected to welding tests under conditions similar to actual arc welding described below, and the results are shown in Table 3.

但し、Cu製コンタクトチップの寿命はスパッタ付着に
より目づまりを発生するまでの時間実施例2 (イ)セラミックコンタクトチップ基体の製造St、N
4の粉末に下記の組成比で有機バインダーを混合し第4
図に示すように加熱混練、加熱押出し造粒して成形用材
料を得、 該成形用材料を下記の条件下でインジェクション法によ
ねアーク溶接用コンタクトチップ基体の形状に成形し、 成形条件−圧  力 850Ky/crl温   度 
 220℃ 金型温度  25℃ 射出時間   5 sec 冷却時間   5 sec 該生成形のアーク溶接用コンタクトチップ基体を下肥の
条件で脱脂後焼成した。
However, the lifespan of a Cu contact chip is the time until clogging occurs due to sputter adhesion.Example 2 (a) Production of ceramic contact chip substrate St, N
4. Mix an organic binder with the following composition ratio to the powder of 4.
As shown in the figure, a molding material was obtained by heating kneading and heating extrusion granulation, and the molding material was molded into the shape of a contact tip base for arc welding by an injection method under the following conditions. Force 850Ky/crl Temperature
220° C. Mold temperature: 25° C. Injection time: 5 sec Cooling time: 5 sec The produced contact tip base for arc welding was degreased and fired under conditions of fertilization.

脱脂条件  □  RT  〜80℃  3Hrs80
℃  〜550℃ 5℃/Hr 550℃     1211rs保持 ↓ 放冷 焼成条件(N2加圧下)  RT   〜800℃ 3
Hrs800℃〜1500℃2Hrs 1500℃〜1800℃6Hrs 1800℃    2Hrs保持 ↓ 放冷 (ロ) 七ラミックコンタクトチップ基体表面へのTi
c 、 TiNおよびTi(C’+N)被覆層の形成前
述の工程作成したセラミックコンタクチップ表面へ、C
VD法、PVD法およびプラズマ溶射法によねTiC、
TiNおよびTi(C+N)の被覆層を形成した。
Degreasing conditions □ RT ~80℃ 3Hrs80
℃ 〜550℃ 5℃/Hr 550℃ 1211rs held ↓ Cooling firing conditions (under N2 pressure) RT 〜800℃ 3
Hrs800℃~1500℃2Hrs 1500℃~1800℃6Hrs 1800℃ Hold for 2Hrs ↓ Cooling (b) Ti on the surface of the seven ramic contact chip substrate
c. Formation of TiN and Ti(C'+N) coating layers.
TiC, by VD method, PVD method and plasma spraying method.
A coating layer of TiN and Ti (C+N) was formed.

(ハ)セラミックコンタクトチップ基体のワイヤガイド
孔内への電気良導体パイプの挿入 Cu −Cr −Zr合金(Cr:1%、Cu99%)
を素杓とした外径1.90 +nrnφ、内径1.3内
径1御3付パイプを、実施例1で作成したと同様のコン
タクトチップ基体1のガイド孔3(孔径1.90mmφ
)にポンチで強制挿入し、該ガイド孔内面密着させるよ
うにして、アーク溶接用土ラミックコンタクトチップを
製造した。
(c) Insertion of electrically conductive pipe into wire guide hole of ceramic contact chip base Cu-Cr-Zr alloy (Cr: 1%, Cu 99%)
A pipe with an outer diameter of 1.90 + nrnφ and an inner diameter of 1.3, with an inner diameter of 1 and 3, was prepared using a ladle with a guide hole 3 (hole diameter 1.90 mmφ) of the contact tip base 1 similar to that made in Example 1.
) was forcibly inserted into the guide hole with a punch so that it was brought into close contact with the inner surface of the guide hole, thereby manufacturing a clay lamic contact tip for arc welding.

この工程により製造したアーク溶接用コンタクトチップ
について実施例1と同様な溶接試験を行った結果第4表
のとおりであった。
The same welding test as in Example 1 was conducted on the arc welding contact tip manufactured by this process, and the results are shown in Table 4.

以上の実施例ではセラミックコンタクトチップ基体をそ
れぞれ92 ’A At203および813N4で構成
しているが、その他にセラミックコンタクトチップ基体
の材料としてSiCを選択した場合も前記実施例1およ
び2におけると同様の性能を有するアーク溶接用コンタ
クトチップが得られることを確認している。
In the above examples, the ceramic contact chip substrates are made of 92'A At203 and 813N4, respectively, but even if SiC is selected as the material for the ceramic contact chip substrates, the same performance as in Examples 1 and 2 can be obtained. It has been confirmed that a contact tip for arc welding can be obtained.

〔効果〕〔effect〕

以上詳細に説明したとおり、本願発明は、従来のアーク
溶接用コンタクトチップ基体は銅合金などの電気良導体
で構成すべきであるとする既定の概念を転換し、コンタ
クトチップの基体をセラミックで構成し、更にそ表面に
極めて硬度が高くかつスパッタとの反応性の低い’I”
iC, TiN  又はTi(C+N)を被覆し、その
ワイヤ孔内壁に給電材としての電気良導体を被覆すると
いう新しい型のアーク溶接用セラミックコンタクトチッ
プおよびその製造方法を開発し、しかも本発明の前記構
成のアーク溶接用セラミックコンタクトチップを用いる
ことによって従来のアーク溶接用コンタクトチップを使
用した場合に問題となっていたスパッタ付着の問題、摩
耗の問題および再生再使用の問題を同時に解決できるも
のであるから、本発明のアーク溶接産業分野における利
用効果は極めて大きいものと言うことができる。
As explained in detail above, the present invention changes the conventional concept that the base of a contact tip for arc welding should be made of a good electrical conductor such as a copper alloy, and instead consists of a base of the contact tip made of ceramic. Furthermore, 'I' has extremely high hardness and low reactivity with sputtering on its surface.
We have developed a new type of ceramic contact tip for arc welding, in which the inner wall of the wire hole is coated with iC, TiN, or Ti (C+N) and a good electrical conductor as a power supply material, and a method for manufacturing the same, and moreover, the present invention has the above-mentioned structure. By using ceramic contact tips for arc welding, it is possible to simultaneously solve the problems of spatter adhesion, wear, and recycling and reuse, which were problems when using conventional arc welding contact tips. Therefore, it can be said that the application effect of the present invention in the arc welding industry field is extremely large.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はアーク溶接用セラミックコンタクトチップのワ
イヤガイド孔に電気良導体を形成した図、第2図はアー
ク溶接用セラミックコンタクトチップ基体のガイド孔内
壁に電気良導体の被覆層を形成するとともに基体表面に
TiC、 TiN又FiT i (C+N)を被覆した
図、第3〜5図は電気良導体のパイプをガイド孔に挿入
する図および第6図はアーク溶接用セラミックコンタク
トチップの基体の製造フローシートを示す図である。
Figure 1 is a diagram in which a good electrical conductor is formed in the wire guide hole of a ceramic contact tip for arc welding, and Figure 2 is a diagram in which a coating layer of a good electrical conductor is formed on the inner wall of the guide hole in the base of a ceramic contact tip for arc welding, and a coating layer of a good electrical conductor is formed on the surface of the base. Figures 3 to 5 show a diagram showing a case where a pipe with good electrical conductivity is inserted into a guide hole, and Figure 6 shows a manufacturing flow sheet for a base body of a ceramic contact tip for arc welding. It is a diagram.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)TiC、TiN又はTi(C+N)の被覆層を有
するセラミックコンタクトチツプ基体と、該コンタクト
チップ基体のワイヤガイド孔内壁に設けられた電気良導
体被覆層とからなることを特徴とするアーク溶接用セラ
ミックコンタクトチップ。
(1) For arc welding, comprising a ceramic contact chip base having a coating layer of TiC, TiN, or Ti (C+N), and a good electrical conductor coating layer provided on the inner wall of the wire guide hole of the contact chip base. Ceramic contact tip.
(2)前記セラミックコンタクトチップ基体が熱伝導度
0.03cal/cm・sec・℃以上、熱膨張係数7
.3×10^−^61/℃以下および曲げ強度2500
Kg/cm^3以上の物理的特性を有するセラミックで
構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載のアーク溶接用セラミックコンタクトチップ。
(2) The ceramic contact chip substrate has a thermal conductivity of 0.03 cal/cm・sec・℃ or more and a thermal expansion coefficient of 7.
.. 3×10^-^61/℃ or less and bending strength 2500
The ceramic contact tip for arc welding according to claim 1, characterized in that it is made of ceramic having physical properties of Kg/cm^3 or more.
(3)前記セラミック基体が92%Al_2O_3、S
iC系およびSi_3N_4系のセラミックから選択さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第1項または第2
項記載のアーク溶接用セラミックコンタクトチップ。
(3) The ceramic substrate is 92% Al_2O_3, S
Claim 1 or 2, characterized in that the ceramic is selected from iC-based and Si_3N_4-based ceramics.
Ceramic contact tip for arc welding as described in .
(4)前記電気良導体被覆層が銅系合金、ニッケル系合
金、Ti系合金、金合金、又はプラチナ合金で構成され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第
3項のいずれか記載のアーク溶接用セラミックコンタク
トチップ。
(4) Any one of claims 1 to 3, wherein the electrically conductive coating layer is made of a copper alloy, a nickel alloy, a Ti alloy, a gold alloy, or a platinum alloy. Ceramic contact tip for arc welding as described in .
(5)TiC、TiN又はTi(C+N)の被覆層を有
するセラミックコンタクトチップ基体と、該コンタクト
チップ基本のワイヤガイド孔内壁に設けられた電気良導
体被覆層とからなるアーク溶接用セラミックコンタクト
チップの製造方法において、予め作成したセラミックコ
ンタクトチップ基体表面に、CVD法、PVD法又はプ
ラズマ溶射法によりTiC、TiN又はTi(C+N)
の被覆層を形成した後、セラミックコンタクトチップ基
体のワイヤガイド内壁を電気導体で被覆し、次に該電気
導体の被覆層を電極として電気良導体をメッキすること
を特徴とするアーク溶接用セラミックコンタクトチップ
の製造方法。
(5) Manufacture of a ceramic contact tip for arc welding consisting of a ceramic contact tip base having a coating layer of TiC, TiN, or Ti (C+N) and a good electrical conductor coating layer provided on the inner wall of the wire guide hole of the contact tip base. In the method, TiC, TiN, or Ti (C+N) is applied to the surface of a ceramic contact chip substrate prepared in advance by CVD, PVD, or plasma spraying.
After forming a coating layer, the inner wall of the wire guide of the ceramic contact chip base is coated with an electrical conductor, and then the coating layer of the electrical conductor is used as an electrode to plate a good electrical conductor. manufacturing method.
(6)TiC、TiN又はTi(C+N)の被覆層を有
するセラミックコンタクトチップ基体と、該コンタクト
チップ基本のワイヤガイド孔内壁に設けられた電気良導
体被覆層とからなるアーク溶接用セラミックコンタクト
チップの製造方法において、予め作成したセラミックコ
ンタクトチップ基体表面に、CVD法、PVD法又はプ
ラズマ溶射法によりTiC、TiN又はTi(C+N)
の被覆層を形成した後、該セラミックコンタクトチップ
基体のワイヤガイド孔径と概略同じ外径を有する電気良
導体のパイプを挿入することを特徴とするアーク溶接用
セラミックコンタクトチップの製造方法。
(6) Manufacture of a ceramic contact tip for arc welding consisting of a ceramic contact tip base having a coating layer of TiC, TiN, or Ti (C+N) and a good electrical conductor coating layer provided on the inner wall of the wire guide hole of the contact tip base. In the method, TiC, TiN, or Ti (C+N) is applied to the surface of a ceramic contact chip substrate prepared in advance by CVD, PVD, or plasma spraying.
1. A method for producing a ceramic contact tip for arc welding, which comprises: forming a coating layer, and then inserting a pipe of good electrical conductivity having an outer diameter approximately the same as the wire guide hole diameter of the ceramic contact tip base.
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