JPS61263234A - Processor - Google Patents

Processor

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Publication number
JPS61263234A
JPS61263234A JP10372685A JP10372685A JPS61263234A JP S61263234 A JPS61263234 A JP S61263234A JP 10372685 A JP10372685 A JP 10372685A JP 10372685 A JP10372685 A JP 10372685A JP S61263234 A JPS61263234 A JP S61263234A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pellet
laser beam
wafer
circuit
marking
Prior art date
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Pending
Application number
JP10372685A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Sakamoto
隆 坂本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP10372685A priority Critical patent/JPS61263234A/en
Publication of JPS61263234A publication Critical patent/JPS61263234A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Abstract

PURPOSE:To perform both works for cutting a circuit for countermeasuring a defect and marking an improper product sign by providing for emitting the laser light to the surface of a semiconductor wafer. CONSTITUTION:Information of improper portion on a circuit of each pellet is input to a controller 5. When the portion of the wafer 2 falls within the laser light emitting range by the operation of an X-Y table 3, the controller 5 decides whether the defect is countermeasured or marked. The light is emitted to a narrow portion to be cut on the circuit of the pellet zone to be countermeasured, while the light is emitted to a range which can be observed with bare eyes on the pellet zone impossible to be countermeasured. Then, a laser light source 10 emits a laser light through an optical fiber 9 onto the prescribed position of the wafer 2 to cut or mark the prescribed circuit.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、ベレット上のビット救済処理および不良ペレ
ッDI域のマーキング処理技術に適用して有効な技術に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a technique that is effective when applied to bit relief processing on pellets and marking processing techniques for defective pellet DI areas.

〔背景技術〕[Background technology]

5−RAMもしくはD−RAM等のメモリ素子として用
いられる半導体ウェハの最終検査工程では、ウェハ上の
各ベレット領域に形成された回路上の欠陥の有無を検査
する、いわゆるベレット検査工程がある。
In the final inspection process of a semiconductor wafer used as a memory element such as a 5-RAM or a D-RAM, there is a so-called bullet inspection process in which the presence or absence of defects on circuits formed in each bullet area on the wafer is inspected.

このベレット検査工程では、テスターによりベレット上
の回路を検査し、もし回路上に欠陥を生じている場合に
は欠陥救済工程もしくはマーキング工程に送られる。
In this pellet inspection process, the circuit on the pellet is inspected by a tester, and if a defect has occurred on the circuit, it is sent to a defect relief process or a marking process.

欠陥救済工程では、欠陥の生じているビット部分の領域
をレーザー光線等の照射により切断して、冗長ビットと
呼ばれる予め設定された予備領域に前記欠陥ビット部分
を置き換える作業が行われる。
In the defect relief process, a defective bit area is cut by irradiation with a laser beam or the like, and the defective bit area is replaced with a preset spare area called a redundant bit.

しかし、予め設定されている冗長ビットよりも欠陥が多
数存在するときは、欠陥数済を行うことが不可能である
ため、ベレット不良として取り扱われる。この場合には
ベレット表面に肉眼で看取可能なマークをつけるマーキ
ング工程に送られる。
However, when there are more defects than redundant bits set in advance, it is impossible to count the defects, so the defect is treated as a pellet defect. In this case, the pellet is sent to a marking step in which marks visible to the naked eye are placed on the surface of the pellet.

ところで、前記マーキング工程を行うマーキング装置と
しては、インクを前記不良部分に被着するインク方式の
マーキング装置が知られている。
Incidentally, as a marking device that performs the marking process, an ink-type marking device that applies ink to the defective portion is known.

しかし、このインク方式のマーキング装置ではインクを
被着させる際にインクが良品部分にまで飛敗し、これが
汚染原因となる場合のあることが知られている。
However, it is known that in this ink-based marking device, when the ink is deposited, the ink is blown onto the non-defective parts, which may cause contamination.

そのため、インクの飛散等の心配のないレーザー光線の
照射によるマーキングを行うことが考えられる。このレ
ーザ一方式のマーキング装置はベレットの不良部分にレ
ーザー光線を一定範囲で照射し、ペレット表面を変質さ
せることにより目視が可能なマーキングを行うものであ
る。
Therefore, it is conceivable to perform marking by irradiating a laser beam without worrying about ink scattering. This laser-type marking device irradiates the defective portion of the pellet with a laser beam over a certain range, altering the quality of the pellet surface and marking it visually.

以上のように、ベレット処理工程では、ペレット検査の
際にベレ7)に欠陥の発見された製品については、欠陥
救済あるいはマーキングのいずれかの工程が必要となる
が、両工程を行う装置は上記で説明したように各々別装
置であり、しかも再装置ともに大形の装置であるために
、これら二つの装置を設置するときは広いスペースが必
要となることが本発明者によって見い出された。
As mentioned above, in the pellet processing process, if a defect is found on the pellet 7) during pellet inspection, either the defect relief or marking process is required, but the equipment that performs both processes is as described above. As explained above, the inventors have discovered that since they are separate devices and both are large devices, a large space is required to install these two devices.

さらに、別装置で各工程を行うことからベレットの処理
効率の向上にも限界のあることが本発明者により明らか
にされた。
Furthermore, the inventors have found that there is a limit to the improvement in pellet processing efficiency because each step is performed in a separate device.

なお、メモリ素子として用いられるベレットの不良検出
技術として詳しく述べである例としては、株式会社工業
調査会、昭和59年11月20日発行[電子材料198
4年11月号別朋、超LSI製造・試験装置ガイドブッ
クJ、P165〜Pi74がある。
A detailed example of defect detection technology for pellets used as memory elements is given in Kogyo Kenkyukai Co., Ltd., published November 20, 1980 [Electronic Materials 198
There is a November 4th issue, VLSI Manufacturing and Testing Equipment Guidebook J, P165-Pi74.

(発明の目的) 本発明の目的は、単一の装置で欠陥救済およびマーキン
グを行うことのできる処理装置を提供することにより、
少ないスペースでペレット処理を行うことのできる技術
を提供することにある。
(Objective of the Invention) The object of the present invention is to provide a processing device that can perform defect relief and marking with a single device.
The objective is to provide a technology that allows pellet processing to take place in a small amount of space.

本発明の他の目的は、ペレット処理作業を効率的に行う
ことのできる技術を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a technique that enables efficient pellet processing work.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、半導体ウェハの表面にレーザー光線を照射す
ることにより処理を行う処理装置について、レーザー光
線の照射面積を変更可能な機構を備えてなる構造とする
ことにより、欠陥救済のための回路切断および不良品目
印のマーキングの両作業を単一の装置で行うことができ
るため、少ないスペースでベレット処理を行うことがで
きる。
In other words, a processing device that performs processing by irradiating the surface of a semiconductor wafer with a laser beam has a structure that is equipped with a mechanism that can change the irradiation area of the laser beam, thereby cutting circuits for defect relief and marking defective products. Since both marking operations can be performed with a single device, pellet processing can be performed in less space.

また、上記によりベレットの処理作業を効率的に行うこ
とが可能となる。
Moreover, the above enables efficient processing of pellets.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の一実施例である処理装置を示す概念図
である。
FIG. 1 is a conceptual diagram showing a processing device that is an embodiment of the present invention.

本実施例の処理装置1は被処理物であるウェハ2を載置
するXYテーブル3とこのXYテーブル3の上方に取り
付けられたレーザー光線発射機構4とを有している。
The processing apparatus 1 of this embodiment includes an XY table 3 on which a wafer 2 as a workpiece is placed, and a laser beam emitting mechanism 4 mounted above the XY table 3.

前記XYテーブル3のX軸およびY軸方向への移動は制
御部5により電気的に制御されている。
Movement of the XY table 3 in the X-axis and Y-axis directions is electrically controlled by a control section 5.

また、レーザー光線発射機構4はレーザー光線6の照射
角度を変更することが可能であり、たとえば、前記レー
ザー光線発射機構4に取り付けられたサーボモータフの
作動により照射レンズ8の位置を変更させることにより
ウェハ2上へのレーザー光線6の照射面積を変更するこ
とができるようになっている。
Further, the laser beam emitting mechanism 4 can change the irradiation angle of the laser beam 6. For example, by changing the position of the irradiation lens 8 by operating a servo motor attached to the laser beam emitting mechanism 4, the laser beam 6 can be emitted onto the wafer 2. The irradiation area of the laser beam 6 can be changed.

なお、本実施例の処理装置lでは前記レーザー光線6の
照射範囲はウェハ2上で直径約2μmから300μm程
度まで変更できれば良い。
In addition, in the processing apparatus 1 of this embodiment, the irradiation range of the laser beam 6 may be changed on the wafer 2 from about 2 μm to about 300 μm in diameter.

すなわち、欠陥救済の際の回路切断では他の良好な回路
部分に影響を与えないために直径2μm程度の小径範囲
での照射が必要であるのに対して、マーキングの際には
肉眼で目視し得る直径300μm程度の径範囲での照射
が必要となるからである。
In other words, when cutting a circuit when repairing a defect, it is necessary to irradiate a small diameter range of about 2 μm in order not to affect other good circuit parts, whereas when marking, it is necessary to irradiate the area with the naked eye. This is because it is necessary to irradiate in a diameter range of approximately 300 μm.

なお、前記のレーザー光線発射機構4は光フアイバーケ
ーブル9によりレーザー発振器としてのレーザー光源1
0と接続されており、レーザー光源10の発光タイミン
グは制御部5により電気的に制御されている。
The laser beam emitting mechanism 4 is connected to the laser light source 1 as a laser oscillator via an optical fiber cable 9.
0, and the light emission timing of the laser light source 10 is electrically controlled by the control unit 5.

次に本実施例の作用について説明する。Next, the operation of this embodiment will be explained.

まず、図示しないテスターによりウェハ2の表面の各ペ
レット区分の検査が行われると、各ベレットの回路上の
不良箇所に関する情報すなわち、不良箇所の座標位置お
よび不良箇所の規模等の情報が制御部5に入力される。
First, when each pellet section on the surface of the wafer 2 is inspected by a tester (not shown), information regarding the defective location on the circuit of each pellet, that is, information such as the coordinate position of the defective location and the size of the defective location, is transmitted to the control unit 5. is input.

次に、上記検査のなされたウェハ2がXYテーブル3上
に載装置されると、ウェハ2の各ベレット区分毎に本処
理装置1によるベレット処理が開始される。
Next, when the inspected wafer 2 is placed on the XY table 3, the processing apparatus 1 starts pellet processing for each pellet section of the wafer 2.

まず、XYテーブル3の作動によりウェハ2が所定の位
置に停止して、該当箇所がレーザー光線発射機構4の射
程範囲内となると、制御部5内で欠陥救済を行うかマー
キングを行うかを決定し、この決定に基づいた制御信号
がレーザー光線発射機構4に送られる。
First, when the wafer 2 is stopped at a predetermined position by the operation of the XY table 3 and the corresponding spot is within the range of the laser beam emitting mechanism 4, it is determined in the control unit 5 whether to perform defect relief or marking. , a control signal based on this determination is sent to the laser beam emitting mechanism 4.

レーザー光線発射機構4では、上記制御信号によりサー
ボモータ7が作動し、レンズの位置が設定される。すな
わち、欠陥救済を行うペレット区分については回路上の
切断部分に狭い照射範囲、たとえば直径2μm程度で照
射可能な状態すなわちレーザー光線6aによる照射状態
に設定される。
In the laser beam emitting mechanism 4, the servo motor 7 is operated by the control signal, and the position of the lens is set. That is, the pellet section for which defect relief is to be performed is set to a state in which the cut portion on the circuit can be irradiated with a narrow irradiation range, for example, about 2 μm in diameter, that is, an irradiation state with the laser beam 6a.

一方、欠陥救済の不可能なペレット区分についてはペレ
ット区分の表面に肉眼での目視が可能なように直径30
0μm程度で照射可能な状態すなわちレーザー光線6b
による照射状態に設定される。
On the other hand, for pellet sections where defect repair is not possible, a diameter 30
A state in which irradiation is possible at approximately 0 μm, that is, laser beam 6b
The irradiation state is set by

次に、制御部5からの制御信号によりレーザー光源10
が発光し、光フアイバーケーブル9を介してレーザー光
線発射機構4よりレーザー光線がウェハ2上に所定部1
に照射され、所定部分の回路の切断もしくはマーキング
が行われる。
Next, the laser light source 10 is
emits light, and a laser beam is emitted from the laser beam emitting mechanism 4 via the optical fiber cable 9 to a predetermined portion 1 on the wafer 2.
is irradiated to cut or mark a predetermined portion of the circuit.

上記工程を完了したウェハ2はペレット毎に分割され前
記マーキングの行われた不良品が除外され、良品ベレッ
トのみにつき封止工程を経て半導体装置として供給され
る。
The wafer 2 that has undergone the above steps is divided into pellets, defective pellets with the markings are removed, and only good pellets are subjected to a sealing step and supplied as semiconductor devices.

このように、本実施例によればレーザー光線6の照射面
積を変更可能な構造としたことにより、欠陥救済のため
の回路切断および不良品目印のマーキングの両作業を単
一の装置で行うことができる。したがって、少ないスペ
ースで多目的に使用できる処理装置を設置することがで
き、ペレット処理を効率的に行うことができる。
In this way, according to this embodiment, by having a structure in which the irradiation area of the laser beam 6 can be changed, it is possible to perform both the work of cutting a circuit for defect relief and marking a defective item with a single device. can. Therefore, a processing device that can be used for multiple purposes can be installed in a small space, and pellet processing can be performed efficiently.

〔効果〕〔effect〕

(1)、半導体ウェハの表面にレーザー光線を照射する
ことにより処理を行う処理装置について、レーザー光線
の照射面積を変更可能な機構を備えた構造とすることに
より、欠陥救済のための回路切断および不良品目印のマ
ーキングの両作業を単一の装置で行うことが可能となる
(1) Regarding processing equipment that performs processing by irradiating the surface of semiconductor wafers with laser beams, the structure is equipped with a mechanism that allows the irradiation area of the laser beam to be changed. It becomes possible to perform both tasks of marking landmarks with a single device.

(2)、前記(11により、単一の装置で欠陥救済とマ
ーキング工程を行うことができるため、少ないスペース
でベレット処理を行うことができる。
(2) According to (11) above, defect relief and marking steps can be performed with a single device, so pellet processing can be performed in a small space.

(3)、レーザー光線によるマーキングを行うことによ
り、インクベーク工程等を省略することができるため、
処理時間の短縮を実現することができる。
(3) By marking with a laser beam, it is possible to omit the ink baking process, etc.
It is possible to realize a reduction in processing time.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor.

たとえば、実施例ではレーザー光源についてはレーザー
光線発射機構とは別に設けた場合について説明したが、
これに限らず、レーザー光源とレーザー光線発射機構が
一体となったものであってもよい。
For example, in the embodiment, the case where the laser light source was provided separately from the laser beam emitting mechanism was explained.
The present invention is not limited to this, and the laser light source and laser beam emitting mechanism may be integrated.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の実施例1である処理装置を示す概念図
である。 1・・・処理装置、2・・・ウェハ、3・・・XYテー
ブル、4・・・レーザー光線発射機構、5・・・制御部
、6・・・レーザー光線、7・・・サーボモータ、8・
・・照射レンズ、9・・・光フアイバーケーブル、10
・・・レーザー光源。
FIG. 1 is a conceptual diagram showing a processing device according to a first embodiment of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Processing device, 2... Wafer, 3... XY table, 4... Laser beam emitting mechanism, 5... Control unit, 6... Laser beam, 7... Servo motor, 8...
...Irradiation lens, 9...Optical fiber cable, 10
...Laser light source.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、半導体ウェハの表面にレーザー光線を照射すること
により処理を行う処理装置であって、レーザー光線の照
射面積を変更可能な機構を備えてなることを特徴とする
処理装置。 2、前記照射面積の変更がウェハの欠陥情報に基づいて
自動制御されることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の処理装置。
[Scope of Claims] 1. A processing device that performs processing by irradiating the surface of a semiconductor wafer with a laser beam, the processing device comprising a mechanism that can change the irradiation area of the laser beam. 2. The processing apparatus according to claim 1, wherein the change in the irradiation area is automatically controlled based on wafer defect information.
JP10372685A 1985-05-17 1985-05-17 Processor Pending JPS61263234A (en)

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