JPS61263039A - Mass spectrometer - Google Patents

Mass spectrometer

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JPS61263039A
JPS61263039A JP60105478A JP10547885A JPS61263039A JP S61263039 A JPS61263039 A JP S61263039A JP 60105478 A JP60105478 A JP 60105478A JP 10547885 A JP10547885 A JP 10547885A JP S61263039 A JPS61263039 A JP S61263039A
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filament
sample
magnet
repeller
ionization chamber
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Ryuichi Shimizu
志水 隆一
Sumio Kumashiro
熊代 州三夫
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Shimadzu Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/02Details
    • H01J49/10Ion sources; Ion guns
    • H01J49/14Ion sources; Ion guns using particle bombardment, e.g. ionisation chambers

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  • Electron Tubes For Measurement (AREA)
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Abstract

PURPOSE:To increase the yield of secondary ions, by making a secondary ion mass spectrometer of an ionization chamber containing a filament provided at an open end of a cylindrical magnet, a cylindrical reticulate grid and a repeller. CONSTITUTION:A secondary ion mass spectrometer is made of an ionization chamber 8 containing a cylindrical magnet 12 provided outside a cylindrical reticulate grid 10, an annular filament 14 disposed at one open end of the magnet, a convergence lens system 16 disposed at the other open end, and a repeller 18 provided outside them. The spectrometer is located in such a position that particles 6 emitted from a sample 2 stimulated by primary ions from an ion source can be introduced into the spectrometer. The grid 10 and the repeller 18 are set at positive potential and negative potential relative to the filament 14, respectively. As a result, neutral particles which would not be effectively used are ionized to greatly enhance the efficiency of ionization.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、固体試料にイオンを照射し、試料からスパッ
タされる中性粒子を質量分析するSNMS  (S p
utt、ered  N eutral  S pec
tromet、ry)  に関するものである。
Detailed Description of the Invention (Industrial Application Field) The present invention is an SNMS (S p
utt,ered N eutral Spec
tromet, ry).

(従来の技術) 試料にイオンを照射して得られるスパッタ粒子は一般に
大部分が中性粒子であり、二次イオンはそのごく一部で
ある。
(Prior Art) Generally, most of sputtered particles obtained by irradiating a sample with ions are neutral particles, and secondary ions are only a small part of them.

従来のSIMS(二次イオン質量分析)においては、中
性粒子はノイズ成分を形成するとして除去されていたた
め、検出信号量はスパッタ粒子中の二次イオン収率に依
存していた。また、この二次イオン収率は、−次イオン
種、入射角、試料の種類、さらには放出部周囲の雰囲気
など多くの要素の微妙な影響を受ける。
In conventional SIMS (secondary ion mass spectrometry), neutral particles are considered to form noise components and are removed, so the amount of detected signal depends on the yield of secondary ions in sputtered particles. Further, the secondary ion yield is subtly influenced by many factors such as the secondary ion species, the incident angle, the type of sample, and the atmosphere around the emitting part.

このような微妙な影響を少なくり、、SrMSにおいて
捨ていた中性粒子をもイオン化し利用する手法として、
主に次の2種類の方法が提案されている。
As a method to reduce such subtle effects and to ionize and utilize neutral particles discarded in SrMS,
Mainly, the following two types of methods have been proposed.

(1)集中的な電子ビームを中性粒子束に照射すること
により中性粒子をイオン化する。
(1) Neutral particles are ionized by irradiating the neutral particle flux with a concentrated electron beam.

(2)中性粒子束を電離ガス中に導くことにより中性粒
子をイオン化する。
(2) Ionize the neutral particles by introducing the neutral particle flux into the ionized gas.

(発明が解決しようとする問題点) (1)の電子ビーム照射による手法は(2)の電離ガス
による手法に較べて装置が簡単になるという利点はある
が、中性粒子の進行方向に対し垂直な方向から電子衝撃
をするので、イオン化効率が悪く、イオン化効率の面で
は(2)の電離ガスによる手法の方が遥かに優れている
。また、(2)の電離ガスによる手法によれば電離ガス
中のイオンを一次イオンビームとして利用でき、低加速
(10eV〜IKeV)のスパッタリングが可能となり
、深さ分解能が上がる。しかしく2)の電離ガスによる
手法は高周波(27MHz)電界放電を利用するため、
ノイズが多くなる問題がある。
(Problems to be solved by the invention) The method (1) using electron beam irradiation has the advantage that the equipment is simpler than the method (2) using ionized gas, but Since the electron bombardment is performed in the vertical direction, the ionization efficiency is poor, and the method (2) using ionized gas is far superior in terms of ionization efficiency. Furthermore, according to the method (2) using ionized gas, ions in the ionized gas can be used as a primary ion beam, making it possible to perform sputtering at low acceleration (10 eV to IKeV) and improving depth resolution. However, since the method using ionized gas in 2) uses high frequency (27 MHz) electric field discharge,
There is a problem with a lot of noise.

本発明は、試料からスパッタされた中性粒子に電子ビー
ムを照射する手法を用いてSNMSを構成するとともに
、そのイオン化効率を増大させることを目的とするもの
である。
The present invention aims to construct an SNMS using a method of irradiating neutral particles sputtered from a sample with an electron beam, and to increase its ionization efficiency.

(問題点を解決するための手段) 本発明は、一実施例を示す第1図を参照して説明すると
、イオン光学系に対して軸対称の円筒状磁石(12)と
、この円筒状磁石(12)の一方の開口部に設けられた
フィラメント(14)と、円筒状磁石(12)の内側に
設けられた円筒状メツシュグリッド(10)と、フィラ
メント(14)からの電子をグリッド(lO)方向に反
発するりベラ−(18)とを備えたイオン化室を、試料
から発生する粒子を取り込むことができる位置に設えた
ものである。
(Means for Solving the Problems) The present invention will be described with reference to FIG. 1 showing one embodiment. A filament (14) provided in one opening of the magnet (12), a cylindrical mesh grid (10) provided inside the cylindrical magnet (12), and electrons from the filament (14) are transferred to the grid ( An ionization chamber equipped with a rippler (18) repelling in the lO) direction is provided at a position where particles generated from the sample can be taken in.

(作用) 本発明におけるイオン化室(8)のイオン化の動作原理
を実施例の第3図を参照して説明する。
(Operation) The principle of operation of ionization in the ionization chamber (8) in the present invention will be explained with reference to FIG. 3 of the embodiment.

中性粒子をイオン化する場合、フィラメント(14)に
対してグリッド(i o)を正電位、リペラー(18)
を負電位になるようにバイアス電圧を印加する。フィラ
メント(14)から出射した電子(22)はグリッド(
10)に引かれ、磁力線(20)に沿って螺旋運動を起
こし、電子の走行距離が増し、滞在時間が長くなる。さ
らに、電子は螺旋運動をしながら中性粒子の走行方向に
進むので、イオン化室内の中性粒子との衝突の確率が増
し、イオン化効率が増大する。
When ionizing neutral particles, the grid (io) is placed at a positive potential with respect to the filament (14), and the repeller (18)
Apply a bias voltage so that it becomes a negative potential. The electrons (22) emitted from the filament (14) pass through the grid (
10), causing a spiral movement along the magnetic lines of force (20), increasing the travel distance of the electrons and lengthening their residence time. Further, since the electrons move in a spiral motion in the traveling direction of the neutral particles, the probability of collision with the neutral particles in the ionization chamber increases, and the ionization efficiency increases.

また、磁石(12)が円筒状であるため、磁束(20)
が中心軸上に集中する。このことにより電子(22)も
イオン化室の中心軸付近に集中し。
In addition, since the magnet (12) is cylindrical, the magnetic flux (20)
is concentrated on the central axis. As a result, electrons (22) are also concentrated near the central axis of the ionization chamber.

イオン生成場所も中心軸上に多く分布することになる。Many ion generation locations are also distributed along the central axis.

このことは、二次イオン光学系を扱う上で好都合である
This is convenient when dealing with secondary ion optical systems.

(実施例1) 第1図は本発明の第1の実施例を表わす。(Example 1) FIG. 1 represents a first embodiment of the invention.

2は試料であり、イオン銃からの一次イオンにより励起
された試料2から発生する粒子6を取り込むことができ
る位置にイオン化室8が設けられている。このイオン化
室8は、電子衝撃型イオン源に磁石を併用したものであ
り1円筒状メツシュグリッド10、円筒状磁石12、リ
ング状フィラメント14、収束レンズ系16及びリベラ
ー18からなる。
2 is a sample, and an ionization chamber 8 is provided at a position where particles 6 generated from the sample 2 excited by primary ions from the ion gun can be taken in. The ionization chamber 8 uses an electron impact ion source in combination with a magnet, and consists of a cylindrical mesh grid 10, a cylindrical magnet 12, a ring-shaped filament 14, a converging lens system 16, and a liberator 18.

円筒状メツシュグリッド10の外側にはグリッド10の
側方を取り囲んで円筒状磁石12が設けられている。磁
石12は電磁石又は永久磁石のいずれでもよい。磁石1
2の2個の開口部のうち、試料側の開口部にはリング状
フィラメント14が設けられている。また、磁石12の
他の開口部には収束レンズ系1Gが設けられている。1
8はフィラメント14、磁石12及び収束レンズ系16
の外側に設けられたりペラ−であり、フィラメント14
からの電子を反発してフィラメント14側に戻し、イオ
ン化室8内に閉じ込める機能を有する。
A cylindrical magnet 12 is provided on the outside of the cylindrical mesh grid 10 so as to surround the sides of the grid 10. Magnet 12 may be an electromagnet or a permanent magnet. magnet 1
Of the two openings 2, the opening on the sample side is provided with a ring-shaped filament 14. Further, a converging lens system 1G is provided in the other opening of the magnet 12. 1
8 is a filament 14, a magnet 12, and a converging lens system 16
The filament 14 is provided on the outside of the filament 14.
It has a function of repelling electrons from the ionization chamber 8, returning them to the filament 14 side, and confining them within the ionization chamber 8.

17は質量分析計のアナライザである。17 is an analyzer of the mass spectrometer.

熱電子の発生源であるフィラメント14は、その設置位
置により中性粒子のイオン化効率に大きな影響を与える
が1本実施例においては第2図に示されるように磁石1
2の一方の開口部の磁石端面近傍において磁力線20の
方向が反転する位置に設けられている。
The filament 14, which is a source of thermoelectrons, has a large effect on the ionization efficiency of neutral particles depending on its installation position. In this embodiment, as shown in FIG.
It is provided at a position where the direction of the magnetic lines of force 20 is reversed near the magnet end face of one of the openings.

本実施例を試料2からの中性粒子24の分析を行なうS
NMSとして用いる場合には、各部のバイアス電圧は第
4図に示されるように印加し、フィラメント14を点火
して熱電子を放出させる。
This example is used to analyze neutral particles 24 from sample 2.
When used as an NMS, bias voltages are applied to each part as shown in FIG. 4, and the filament 14 is ignited to emit thermoelectrons.

V+とじて10v程度、v3として200V程度を印加
する。また、収束レンズ系16のv4はIKV程度まで
の可変電圧とする。
Approximately 10V is applied as V+, and approximately 200V is applied as v3. Further, v4 of the converging lens system 16 is a variable voltage up to about IKV.

この場合のイオン光学系は、第5図に示されるように、
引出しレンズ25と収束レンズ16aで表わすことがで
きる。引出しレンズ25はイオン化室8のうち収束レン
ズ系16を除いた部分に対応し、収束レンズ16aは収
束レンズ系16に対応する。
The ion optical system in this case is as shown in FIG.
It can be represented by an extraction lens 25 and a converging lens 16a. The extraction lens 25 corresponds to a portion of the ionization chamber 8 excluding the convergent lens system 16, and the convergent lens 16a corresponds to the convergent lens system 16.

この場合、試料2から発生する通常の二次イオンは信号
としては検出されない。
In this case, normal secondary ions generated from the sample 2 are not detected as a signal.

また、本実施例を試料2から発生する二次イオン26を
検出する通常のSIMSとして用いる場合は、第6図に
示されるように、リペラー18とグリッド10を同電位
とし、フィラメント14をそれより正電位v5 (0〜
300V)とするとともに、試料2をイオン化室よりも
正電位Vs  (約IKV)に保つことにより、リペラ
ー18、フィラメント14及びグリッド10を二次イオ
ン26に対する引出し電極として利用する。この場合、
フィラメント14は点火しない、収束レンズ系16は第
4図の場合と同じである。
Furthermore, when this embodiment is used as a normal SIMS for detecting secondary ions 26 generated from the sample 2, as shown in FIG. Positive potential v5 (0~
By keeping the sample 2 at a more positive potential Vs (approximately IKV) than the ionization chamber, the repeller 18, filament 14, and grid 10 are used as extraction electrodes for the secondary ions 26. in this case,
The filament 14 is not fired, and the converging lens system 16 is the same as in FIG.

この場合のイオン光学系は、第7図に示されるように、
引出しレンズ28と収束レンズ16aにより表わすこと
ができ、引出しレンズ28はリペラー18、フィラメン
ト14及びグリッド10に対応し、収束レンズ16aは
収束レンズ系16に対応する。
The ion optical system in this case is as shown in FIG.
It can be represented by an extraction lens 28 and a converging lens 16a, where the extraction lens 28 corresponds to the repeller 18, the filament 14 and the grid 10, and the converging lens 16a corresponds to the converging lens system 16.

第6図は二次イオン26が正イオンの場合であるが、負
イオンの場合にも利用することができる。
Although FIG. 6 shows the case where the secondary ions 26 are positive ions, the method can also be used when the secondary ions 26 are negative ions.

その場合、試料2と引出し電極としてのリペラー18、
フィラメント14及びグリッド10との間の極性、及び
収束レンズ系16の極性が逆極性になるようにバイアス
電圧を印加すればよい。
In that case, the sample 2 and the repeller 18 as an extraction electrode,
A bias voltage may be applied so that the polarity between the filament 14 and the grid 10 and the polarity of the converging lens system 16 are opposite to each other.

このように、フィラメント14を試料側に設けることに
より、試料2からの二次イオンを取り込み、通常のSI
MSとして用いることもできるようになる。なお、磁石
併用によるイオン光学系への影響は、磁界が軸対称であ
ることと扱う荷電粒子がイオンであることを考慮すれば
大きな問題でではない。
In this way, by providing the filament 14 on the sample side, secondary ions from the sample 2 are taken in and the normal SI
It will also be possible to use it as an MS. Note that the influence on the ion optical system due to the combined use of a magnet is not a major problem, considering that the magnetic field is axially symmetrical and the charged particles handled are ions.

(実施例2) 第8図は第2の実施例を表わす。(Example 2) FIG. 8 shows a second embodiment.

第1図の実施例では、収束レンズ系16がイオン化室と
一体的に構成されているのに対し1本実施例ではイオン
化室30と収束レンズ系16とが離されて配置されてい
る。
In the embodiment shown in FIG. 1, the converging lens system 16 is constructed integrally with the ionization chamber, whereas in this embodiment, the ionization chamber 30 and the converging lens system 16 are arranged separately.

イオン化室30は円筒状メツシュグリッド10゜円筒状
磁石12、リング状フィラメント14及びリペラー32
から構成されている。フィラメント14は本実施例でも
試料2側に設けられている。
The ionization chamber 30 includes a cylindrical mesh grid 10°, a cylindrical magnet 12, a ring-shaped filament 14, and a repeller 32.
It consists of The filament 14 is also provided on the sample 2 side in this embodiment.

リペラー32は磁石12の内側に設けられている。The repeller 32 is provided inside the magnet 12.

イオン化室30は、円筒状メツシュグリッド10、円筒
状磁石12.リング状フィラメント14、及びリペラー
32から構成されている。
The ionization chamber 30 includes a cylindrical mesh grid 10, a cylindrical magnet 12. It is composed of a ring-shaped filament 14 and a repeller 32.

イオン化室30と収束レンズ16の間には、イオン化室
30からイオンを引き出す引出し電極34と、引き出さ
れたイオンビームの方向を調節する偏向電極36とが設
けられている。なお、38は試料2を励起する一次イオ
ンを発生するイオン銃である。
An extraction electrode 34 for extracting ions from the ionization chamber 30 and a deflection electrode 36 for adjusting the direction of the extracted ion beam are provided between the ionization chamber 30 and the converging lens 16. Note that 38 is an ion gun that generates primary ions to excite the sample 2.

第8図にはまた1本実施例を、試料2からの中性粒子を
分析するSNMSとして用いる場合のバイアス電圧が示
されている0本実施例は第1図の実施例と同様に、各部
のバイアス電圧を変更して正イオン又は負イオンを分析
するSIMSとして用いることができる。
FIG. 8 also shows the bias voltage when this embodiment is used as an SNMS for analyzing neutral particles from sample 2. In this embodiment, each part is similar to the embodiment shown in FIG. It can be used as SIMS to analyze positive ions or negative ions by changing the bias voltage.

(実施例3) 第9図は第3の実施例を表わす。(Example 3) FIG. 9 shows a third embodiment.

本実施例では、イオン化室40は円筒状メツシュグリッ
ド101円筒状磁石12、フィラメント14、リペラー
18.42から構成されている。
In this embodiment, the ionization chamber 40 is composed of a cylindrical mesh grid 101, a cylindrical magnet 12, a filament 14, and a repeller 18.42.

イオン化室40と収束レンズ系16の間には引出し電極
34が設けられている。
An extraction electrode 34 is provided between the ionization chamber 40 and the converging lens system 16.

リペラー18は電子をフィラメント14側へ戻して電子
の走行距離を増す機能をもち、リペラー42はフィラメ
ント14の光が試料2に直接入射しないようにするとと
もに、フィラメント14からの電子を中心軸上に集中さ
せる機能をもっている。
The repeller 18 has the function of returning the electrons to the filament 14 side and increasing the travel distance of the electrons.The repeller 42 prevents the light from the filament 14 from directly entering the sample 2, and also directs the electrons from the filament 14 onto the central axis. It has the ability to concentrate.

本実施例をSNMSとして用いる場合のバイアス電圧を
第10図に示す。試料2の電位及びりペラ−18,42
をグランドとする。そして、フィラメント14の電位v
1を+IOV、フィラメント加熱用電源v2を数V、円
筒メツシュグリッド10の電位(電子衝撃電位)V3を
+200vとし、引出し電極34の電位は正イオンを取
り出す場合はグランドとする。
FIG. 10 shows bias voltages when this embodiment is used as an SNMS. Potential of sample 2 and propeller 18, 42
Let be the ground. Then, the electric potential v of the filament 14
1 is +IOV, the filament heating power supply v2 is several volts, the potential (electron impact potential) V3 of the cylindrical mesh grid 10 is +200v, and the potential of the extraction electrode 34 is ground when positive ions are taken out.

本実施例ではフィラメント14が試料2から遠ざかるこ
とにより、試料2を加熱しない利点がある。
In this embodiment, since the filament 14 is moved away from the sample 2, there is an advantage that the sample 2 is not heated.

(発明の効果) 本発明によれば1次のような利点をもつSNMSを達成
することができる。
(Effects of the Invention) According to the present invention, an SNMS having the following advantages can be achieved.

(1)SIMSにおいて従来有効に利用されていなかっ
た中性粒子が利用されるようになるため、従来のSIM
Sに比べて二次イオンの収率が増大し、SIMSにおけ
る定量性に関する諸問題を解決することができる。
(1) Neutral particles, which have not been used effectively in the past, will be used in SIMS, so
The yield of secondary ions is increased compared to S, and various problems regarding quantitative performance in SIMS can be solved.

(2)軸対称磁界を併用したため、中性粒子のイオン化
効率が増大するとともに、イオン生成場所が軸上に分布
するという利点がある。
(2) Since an axially symmetrical magnetic field is used in combination, there is an advantage that the ionization efficiency of neutral particles is increased and the ion generation locations are distributed along the axis.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は第1の実施例を示す概略断面図、第2図は同実
施例におけるイオン化室のフィラメント位置を示す概略
断面図、第3図は同実施例におけるイオン化室のイオン
化機構を示す概略断面図。 第4図は同実施例をSNMSとして用いる場合のバイア
ス電圧状態を示す概略断面図、第5図は第4図のイオン
光学系を示す図、第6図は同実施例をSIMSとして用
いる場合のバイアス電圧状態を示す概略断面図、第7図
は第6図のイオン光学系を示す図、第8図は第2の実施
例を示す概略断面図、第9図は第3の実施例を示す概略
断面図、第1O図は第9図の実施例におけるバイアス電
圧状態を示す概略断面図である。 2・・・・・・試料、 8.30.40・・・・・・イオン化室10・・・・・
・グリッド、 12・・・・・・磁石、 14・・・・・・フィラメント、 18・・・・・・リペラー。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing the first embodiment, FIG. 2 is a schematic sectional view showing the filament position of the ionization chamber in the same embodiment, and FIG. 3 is a schematic sectional view showing the ionization mechanism of the ionization chamber in the same embodiment. Cross-sectional view. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the bias voltage state when the same embodiment is used as an SNMS, FIG. 5 is a diagram showing the ion optical system of FIG. 4, and FIG. A schematic cross-sectional view showing the bias voltage state, FIG. 7 is a view showing the ion optical system of FIG. 6, FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing the second embodiment, and FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing the third embodiment. Schematic sectional view, FIG. 1O is a schematic sectional view showing the bias voltage state in the embodiment of FIG. 9. 2...Sample, 8.30.40...Ionization chamber 10...
・Grid, 12...Magnet, 14...Filament, 18...Repeller.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)イオン光学系に対して軸対称の円筒状磁石と、こ
の円筒状磁石の一方の開口部に設けられたフィラメント
と、この円筒状磁石の内側に設けられた円筒状メッシュ
グリッドと、前記フィラメントからの電子を前記グリッ
ド方向に反発するリペラーとを備えたイオン化室が、試
料から発生する粒子を取り込むことができる位置に設け
られている質量分析計。
(1) A cylindrical magnet that is axially symmetrical with respect to the ion optical system, a filament provided in one opening of this cylindrical magnet, a cylindrical mesh grid provided inside this cylindrical magnet, and the A mass spectrometer, wherein an ionization chamber equipped with a repeller that repels electrons from a filament in the direction of the grid is provided at a position where particles generated from a sample can be taken in.
(2)前記フィラメントが前記円筒状磁石の試料側開口
部に設けられている特許請求の範囲第1項に記載の質量
分析計。
(2) The mass spectrometer according to claim 1, wherein the filament is provided in the sample-side opening of the cylindrical magnet.
(3)前記フィラメントが前記円筒状磁石のイオン出口
側開口部に設けられている特許請求の範囲第1項に記載
の質量分析計。
(3) The mass spectrometer according to claim 1, wherein the filament is provided at the ion exit side opening of the cylindrical magnet.
JP60105478A 1985-05-16 1985-05-16 Mass spectrometer Granted JPS61263039A (en)

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JP60105478A JPS61263039A (en) 1985-05-16 1985-05-16 Mass spectrometer

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JPS61263039A true JPS61263039A (en) 1986-11-21
JPH0475622B2 JPH0475622B2 (en) 1992-12-01

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01272043A (en) * 1988-04-22 1989-10-31 Hitachi Ltd Ionization method of sputtering particles and apparatus therefor
JP2006521006A (en) * 2003-03-03 2006-09-14 ブリガム・ヤング・ユニバーシティ A novel electron ionization source for orthogonal acceleration time-of-flight mass spectrometry
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