JPS61252674A - 発光ダイオ−ド - Google Patents
発光ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS61252674A JPS61252674A JP60092329A JP9232985A JPS61252674A JP S61252674 A JPS61252674 A JP S61252674A JP 60092329 A JP60092329 A JP 60092329A JP 9232985 A JP9232985 A JP 9232985A JP S61252674 A JPS61252674 A JP S61252674A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- emitting diode
- type gaas
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は発光ダイオードにかかり、特にリモコン等に
多く用いられる高出力の発光ダイオードに関する。
多く用いられる高出力の発光ダイオードに関する。
一般に発光ダイオードチップは■−■族化合物でなって
おり、−例として第４図に断面図示され・る構造は高出
力用として案出されたものである。
おり、−例として第４図に断面図示され・る構造は高出
力用として案出されたものである。
図において、１０１はＮ型のＧａＡｓ基板、１０２は前
記基板上に液相成長によって形成されたＮ型ＧａＡｓ層
。
記基板上に液相成長によって形成されたＮ型ＧａＡｓ層
。
１０３は前記Ｎ型ＧａＡｓ層１０２に液相成長によって
積層形成され表面にラッピングが施されたＰ型ＧａＡｓ
層。
積層形成され表面にラッピングが施されたＰ型ＧａＡｓ
層。
１０４は前記Ｐ型ＧａＡｓ層１０３に液相成長によって
積層形成されたＰ型ＧａＡｌＡｓ層でこの層は下方で発
生した発光を吸収することなく外方へ放出するためのも
のである。また、前記ＧａＡｓ基板１０１の下面とＰ型
ＧａＡｌＡｓ層１０４の上面にはニッケルの電極層１０
５゜１１５が夫々設けられている。
積層形成されたＰ型ＧａＡｌＡｓ層でこの層は下方で発
生した発光を吸収することなく外方へ放出するためのも
のである。また、前記ＧａＡｓ基板１０１の下面とＰ型
ＧａＡｌＡｓ層１０４の上面にはニッケルの電極層１０
５゜１１５が夫々設けられている。
上記発光ダイオードのチップ■は外囲器（図示省略）の
光反射面１０６に囲まれる位置に配設され。
光反射面１０６に囲まれる位置に配設され。
ＰＮ接合を形成するＰ型層１０３の側面が光反射板１０
６に対応するようになっている。
６に対応するようになっている。
次に、第５図に上記発光ダイオードチップが形成される
途中の状態を示す、すなわち、上記基板１０１にＮ型Ｇ
ａＡｓ層１０２、 ＰｇＩＧａＡｓ層１０３を順層液０
３長形成し、ついでＰ型ＧａＡｓ層の特に高濃度である
表層を例えばラッピングによって除去したのち、液相成
長によりＰ型ＧａＡｌＡｇ層１０４を形成する。さらに
両主面に電極層を形成し上記Ｐ型ＧａＡｌＡｓ層１０４
上に形成した電極層に成形して電極層１０５．１０５・
・・とじ、上記基板１０１に形成した電極層１１５は成
形を要しない、さらに１例えばダイシングにより分割を
施して第４図に示される発光ダイオードチップが得られ
る。
途中の状態を示す、すなわち、上記基板１０１にＮ型Ｇ
ａＡｓ層１０２、 ＰｇＩＧａＡｓ層１０３を順層液０
３長形成し、ついでＰ型ＧａＡｓ層の特に高濃度である
表層を例えばラッピングによって除去したのち、液相成
長によりＰ型ＧａＡｌＡｇ層１０４を形成する。さらに
両主面に電極層を形成し上記Ｐ型ＧａＡｌＡｓ層１０４
上に形成した電極層に成形して電極層１０５．１０５・
・・とじ、上記基板１０１に形成した電極層１１５は成
形を要しない、さらに１例えばダイシングにより分割を
施して第４図に示される発光ダイオードチップが得られ
る。
上記チップは外囲器内に配設され、この外囲器内に設け
られている光反射面に対応される。
られている光反射面に対応される。
叙上の発光ダイオードの構造は、そのチップのＰ型Ｇａ
Ａｓ層１０３は側面にＰ型ＧａＡｌＡｓ層１０４がない
ため、発光が吸収されてしまい光反射面の効果が極めて
乏しいものであった。しかし、現在の製造方法による液
相成長では側面に積層して形成させることは不可能であ
る。
Ａｓ層１０３は側面にＰ型ＧａＡｌＡｓ層１０４がない
ため、発光が吸収されてしまい光反射面の効果が極めて
乏しいものであった。しかし、現在の製造方法による液
相成長では側面に積層して形成させることは不可能であ
る。
この発明は上記従来の問題点に鑑み、ダイオードチップ
の側方発光を高めるように改良された構造を備えリモコ
ン等に用いられる発光ダイオードを提供する。
の側方発光を高めるように改良された構造を備えリモコ
ン等に用いられる発光ダイオードを提供する。
この発明の発光ダイオードは、そのチップ（赳）がＰＮ
接合を形成するＰ型層■の上面（１ａ）から側面（１ｂ
）に連続してこのＰ型層よりも光の透過性の高い別のＰ
型層■を備え、かつその側面が外囲器内の光反射面Ｃ１
０６）に対抗してなることを特徴とし、かつ、ダイオー
ドのチップが■−■族化合物半導体でなり、ＰＮ接合を
形成するそのＰ型層■の側面が斜面に形成されているこ
とを特徴とする。
接合を形成するＰ型層■の上面（１ａ）から側面（１ｂ
）に連続してこのＰ型層よりも光の透過性の高い別のＰ
型層■を備え、かつその側面が外囲器内の光反射面Ｃ１
０６）に対抗してなることを特徴とし、かつ、ダイオー
ドのチップが■−■族化合物半導体でなり、ＰＮ接合を
形成するそのＰ型層■の側面が斜面に形成されているこ
とを特徴とする。
以下、この発明の１実施例につき第１図ないし第３図を
参照して説明する。なお、説明において従来とかわらな
い部分については図面に従来と同じ符号をつけて示し説
明を省略する。
参照して説明する。なお、説明において従来とかわらな
い部分については図面に従来と同じ符号をつけて示し説
明を省略する。
一実施例の発光ダイオードチップ烈はＮ型ＧａＡｓ層１
０２上にこれとＰＮ接合を形成するＰ型ＧａＡｓ層１が
設けられ、さらにＰ型ＧａＡｌＡｓ層２で被覆されてい
る。ここで、Ｐ型ＧａＡｓ層１はその上面１ａは従来と
変わらないが、その側面１ｂにもＰ型ＧａＡｌＡｓ層２
が被覆されている。上記側面１ｂにＰ型ＧａＡｌＡｓ層
゛２を被覆させるには、これらの層が液相成長によって
設けられる限り下層のＰ型ＧａＡｓ５層１の側面１ｂが
垂直では達成できないので、これを斜面に形成してい・
る、この側面１ｂを斜面に形成するには第３１！ｌに示
すように行なう、すなわち、まず、ＰＮ接合のＰ型Ｇａ
Ａｓ層１０３を液相成長形成しく図ａ）、その上層のＡ
ｓ濃度が高い部分、−例として３０〜５〇−厚さをラッ
ピング除去（図ｂ）して例えば５０〜１００゜の層厚に
なる。ついで、Ｐ型ＧａＡｓ層１０３にエツチング液（
ｕｉｓｏいＨ，０い水の混液）によってメサエッチング
を施し、側面が斜面のＰ型ＧａＡｓ層１を形成する（図
ｃ）、従って、このＰ型ＧａＡｓ５層１の上面１８はメ
サエッチングにおいて、レジスト層で保護されるので従
来のＰ型ＧａＡｓ層１０３の上面と変わらないが、側面
１ｂは斜面であるので次のＰ型ＧａＡＩＡ一層２の形成
（図ｄ）によって−例として５０−１００１ｍ厚さに被
覆される。ついで要すればこのＰ型ＧａＡｌＡｓ層２に
対してもメサエッチングを施したのち、電極一層３，１
１５を形成する（図ｅ）。
０２上にこれとＰＮ接合を形成するＰ型ＧａＡｓ層１が
設けられ、さらにＰ型ＧａＡｌＡｓ層２で被覆されてい
る。ここで、Ｐ型ＧａＡｓ層１はその上面１ａは従来と
変わらないが、その側面１ｂにもＰ型ＧａＡｌＡｓ層２
が被覆されている。上記側面１ｂにＰ型ＧａＡｌＡｓ層
゛２を被覆させるには、これらの層が液相成長によって
設けられる限り下層のＰ型ＧａＡｓ５層１の側面１ｂが
垂直では達成できないので、これを斜面に形成してい・
る、この側面１ｂを斜面に形成するには第３１！ｌに示
すように行なう、すなわち、まず、ＰＮ接合のＰ型Ｇａ
Ａｓ層１０３を液相成長形成しく図ａ）、その上層のＡ
ｓ濃度が高い部分、−例として３０〜５〇−厚さをラッ
ピング除去（図ｂ）して例えば５０〜１００゜の層厚に
なる。ついで、Ｐ型ＧａＡｓ層１０３にエツチング液（
ｕｉｓｏいＨ，０い水の混液）によってメサエッチング
を施し、側面が斜面のＰ型ＧａＡｓ層１を形成する（図
ｃ）、従って、このＰ型ＧａＡｓ５層１の上面１８はメ
サエッチングにおいて、レジスト層で保護されるので従
来のＰ型ＧａＡｓ層１０３の上面と変わらないが、側面
１ｂは斜面であるので次のＰ型ＧａＡＩＡ一層２の形成
（図ｄ）によって−例として５０−１００１ｍ厚さに被
覆される。ついで要すればこのＰ型ＧａＡｌＡｓ層２に
対してもメサエッチングを施したのち、電極一層３，１
１５を形成する（図ｅ）。
叙上の工程を経て第２図に示すように形成したのち、図
中に破線で示すダイシングを施して第３図に示す発光ダ
イオードチップ烈を得る。
中に破線で示すダイシングを施して第３図に示す発光ダ
イオードチップ烈を得る。
この発明によれば、従来の発光ダイオードよりもダイオ
ードチップの側面から放射される光量が多いので、外囲
器の反射面が有効になりリモコン用発光ダイオードとし
て光出力が向上できる顕著な利点がある。
ードチップの側面から放射される光量が多いので、外囲
器の反射面が有効になりリモコン用発光ダイオードとし
て光出力が向上できる顕著な利点がある。
第１図ないし第３図はこの発明の発光ダイオードにかか
り、第１図はダイオードチップの断面図、第２図および
第３図ａ ” ｅは発光ダイオードチップの製造工程を
示すいずれも断面図、第４図および第５図は従来の発光
ダイオードにかかり、第４図はダイオードチップの断面
図、第５図は製造工程における断面図である。 １．１０３ Ｐ型ＧａＡｓ層 ２．１０４ Ｐ型ＧａＡｌＡｓ層３ 、１１５
．１０５ 電極層 １０１Ｎ型（ｉａＡｓ基板 １０２Ｎ型ＧａＡｓ層 川、■ ダイオードチップ １０６ 外囲器の光反射面代理人 弁理
士 井 上 −男 第１図 第２図 （ｃＬ） 第８図 （ｅ） 第３図 第４図 第５図
り、第１図はダイオードチップの断面図、第２図および
第３図ａ ” ｅは発光ダイオードチップの製造工程を
示すいずれも断面図、第４図および第５図は従来の発光
ダイオードにかかり、第４図はダイオードチップの断面
図、第５図は製造工程における断面図である。 １．１０３ Ｐ型ＧａＡｓ層 ２．１０４ Ｐ型ＧａＡｌＡｓ層３ 、１１５
．１０５ 電極層 １０１Ｎ型（ｉａＡｓ基板 １０２Ｎ型ＧａＡｓ層 川、■ ダイオードチップ １０６ 外囲器の光反射面代理人 弁理
士 井 上 −男 第１図 第２図 （ｃＬ） 第８図 （ｅ） 第３図 第４図 第５図
Claims (2)
- （１）発光ダイオードのチップがそのＰＮ接合を形成す
るＰ型層の上面から側面に連続してこのＰ型層よりも光
の透過性の高い別のＰ型層を備え、かつその側面が外囲
器内の光反射面に対向していることを特徴とする発光ダ
イオード。 - （２）発光ダイオードのチップがIII−Ｖ族化合物半導
体でなり、そのＰ型層の側面が斜面に形成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の発光ダイ
オード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60092329A JPS61252674A (ja) | 1985-05-01 | 1985-05-01 | 発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60092329A JPS61252674A (ja) | 1985-05-01 | 1985-05-01 | 発光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61252674A true JPS61252674A (ja) | 1986-11-10 |
Family
ID=14051349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60092329A Pending JPS61252674A (ja) | 1985-05-01 | 1985-05-01 | 発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61252674A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5349211A (en) * | 1992-03-26 | 1994-09-20 | Nec Corporation | Semiconductor infrared emitting device with oblique side surface with respect to the cleavage |
| US5981977A (en) * | 1997-07-04 | 1999-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method |
-
1985
- 1985-05-01 JP JP60092329A patent/JPS61252674A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5349211A (en) * | 1992-03-26 | 1994-09-20 | Nec Corporation | Semiconductor infrared emitting device with oblique side surface with respect to the cleavage |
| US5981977A (en) * | 1997-07-04 | 1999-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method |
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