JPS61248426A - パタ−ン検出装置 - Google Patents

パタ−ン検出装置

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Publication number
JPS61248426A
JPS61248426A JP60088555A JP8855585A JPS61248426A JP S61248426 A JPS61248426 A JP S61248426A JP 60088555 A JP60088555 A JP 60088555A JP 8855585 A JP8855585 A JP 8855585A JP S61248426 A JPS61248426 A JP S61248426A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
detection
arithmetic processing
fourier
contrast
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60088555A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsuneo Terasawa
恒男 寺澤
Toshishige Kurosaki
利栄 黒崎
Yoshio Kawamura
河村 喜雄
Shinji Kuniyoshi
伸治 国吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60088555A priority Critical patent/JPS61248426A/ja
Publication of JPS61248426A publication Critical patent/JPS61248426A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路の製造工程の中で使用される
露光装置において、ウェーハまたはマスクなどの位置合
せのための精密位置計測に好適なパターン検出装置の改
良に関するものである。
〔発明の背景〕
従来のパターン検出装置は、例えば特開昭59−721
34号に記載のように、試料からの反射光あるいは透過
光の強度を電気的にとらえる検出信号取込み部と、該検
出信号から試料位Ifを算出するための信号処理部から
構成されていた。しかし、検出信号取込み部に設けであ
る検出光学系のMTFに依存する検出信号の劣化は考慮
されておらず、特に低コントラストの検出信号に対して
は検出精度の劣化は避けられ゛なかった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、低コントラストの検出信号に対しても
位置検出のための演算処理の信頼性を向上させるパター
ン検出装置を提供することにある。
〔発明の概安〕
上記目的を達成する九めに、本発明では、得られた検出
信号のフーリエスペクトルを計算し、次に検出光学系に
依存して低下したスペクトルを回復させる処理を施して
信号のコントラス)f向上させ、その後に位置検出のた
めの演算処理を行なうように構成した。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
第1図は、本発明のパターン検出装置を搭載した縮小投
影露光装置の光学系の構成を示す。縮小投影露光装置は
、回路パターンの原画であるレティクル5上のパターン
を照明系6で照明し、縮小レンズ4全通してウェーハ1
上に転写する装置である。このとき、前工程でウェーハ
1上に形成されたパターンの位置に合せて新たなパター
ンを転写することが重要である。本発明では、ウェー・
・の位置を正しく検出するために、検出信号取込部16
と信号処理部23に加えて、検出信号の鮮鋭化処理部2
0を設けており、以下に述べる方法でウェーハ1の位置
を求めている。
ウェーハ1上に形成されている位置合せ用ターゲットパ
ターン2は照明光源8で照明される。その反射光は縮小
レンズ4、レティクル5、ハーフミラ−7、および拡大
光学系9を介してスリット面10上に拡大像を形成する
。この結像面をスリット10で走査しながらスリット通
過光の明暗の変化を光電変換素子12により電気信号に
変換し、さらに、スリット10の移動量を計測するリニ
アエンコーダ11が発生するパルスをタイミングとして
AD変換器14でデジタル信号に変換してメモリ15に
格納する。縦軸に光電変換出力を、横軸にスリット位置
をとると、第2図の(A)に示すような検出信号24(
取込み信号)が得られる。
ここで、第1図に示すようなインコヒーレントな照明条
件のパターン検出光学系では、空間周波数の公達特性を
表わすM T F(Modula t 1onTran
fer Function )は第3図の(A)のよう
に直線的に減少する関数H(→で示され、限界周波数ω
=±ω、で零となる。このMTFを示す関数H(→は、
縮小レンズの開口数(NA)と検出光波長λで決定され
る。H((=I)<1となることが検出像の劣化の原因
となっているので、本発明では検出゛信号の鮮鋭化処理
部20を設けて、まずフーリエ変換部17で取込み信号
をフーリエ変換し、次に乗算部18でフィルタ関数 F(→=x/H(n  (IO2く1ω、1)  ・・
・・・・(1)を乗算し、最後にフーリエ逆変換部19
でフーリエ逆変換している。第3図の(B)、(C)は
、それぞれ、取込み信号をフーリエ変換部17で変換し
た7−リエスベクトル25、乗算部18で演算されたフ
ーリエスペクトル26を模式的に示したものである。す
なわち鮮鋭処理部20を設けることにより、ωくω1な
る領域でMTF−1なる理想的な光学系で得られる検出
信号と同等の信号27が得られる。したがって、検出信
号のコントラストも第2図の(B)に示すように向上し
ている。
フーリエ逆変換部19で得られた信号は信号処理部23
内のメモリ21に格納される。この信号からパターン位
置を求めるためには、演算部22を用いて、特開昭59
−72134号に示すような、信号の重心位1ft−求
める粗位置演算処理と信号の対称性の最も良い位置を求
める!′I11位置演算処理とを実行すればよい。
式(1)で与えられるフィルター関数は高周波成分を強
調することを基本としているので、取込み信号24に高
周波ノイズを多く含む場合は、ノイズ成分の強調を抑制
するフィルター関数として例えば「光工学」(共立出版
)K示しであるようなりイナフィルター を用いてもよい。ここに、Φ1.Φ、はそれぞれ信号成
分、ノイズ成分のパワースペクトルである。
なお、ここでは縮小投影露光装置のパターン検出装置を
例に示したが、等倍の露光装置のパターン検出装置等に
対しても、その検出光学系のMTFを示す関数H(−を
求めて式(1)K代入することにより、本発明の内容が
そのま゛ま利用できる。
〔発明の効果〕
以上のように本発明を実施することにより、検出信号取
込部で得られる信号のコントラストが低い場合でもコン
トラス)f向上させて信号処理演算が冥厖できるので、
低コントラストの検出信号に対する位置検出演算処理の
信頼性が向上する。
実験の結果、低コントラストの信号に対しては、コント
ラスト?約40優向上でき、また、従来検出再現、消度
が0.4μm(3σ)程度の検出信号に対しても0.2
μm(3σ)にまで精度向上できることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
s1図は、本発明のパターン検出装置の構成を示す図、
第2図は取込信号と鮮鋭処理後の信号の波形を示す図、
第3図は検出光学系のMTF’、取込み信号および鮮鋭
処理後の信号のフーリエスペクトルを示す模式図である
。 1・・・ウェー八、2・・・位置合せ用ターゲットパタ
ーン、10・・スリット、12・・光電変換素子、13
・・・アンプ、14・・・A/D変換器、15・・・メ
モリ、17・・・フーリエ変換部、18・・・乗算部、
19・・・フーリエ逆変換部、21・・・メモ1ハ 2
5,26・・・フーリエスペクトル。        
      15、 \代理人 弁理士 小川勝男□゛
1、 冨 I  図 第 3 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  試料を照明し、検出光学系を通して得られる試料から
    の反射光あるいは透過光の強度分布を光電変換して検出
    信号として取込む検出信号取込み部と、該取込み信号か
    ら試料位置を計測するための信号処理を行なう演算処理
    部を備えたパターン検出装置において、該信号取込み部
    で得られる信号のフーリエスペクトルを求めるフーリエ
    変換部と、フーリエスペクトルに所定の値を乗算する乗
    算部と、該乗算部で得られる結果をフーリエ逆変換する
    変換部とからなる補正手段を設け、該手段により検出信
    号を補正して位置検出のための信号処理を実施すること
    を特徴とするパターン検出装置。
JP60088555A 1985-04-26 1985-04-26 パタ−ン検出装置 Pending JPS61248426A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60088555A JPS61248426A (ja) 1985-04-26 1985-04-26 パタ−ン検出装置

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Publication Number Publication Date
JPS61248426A true JPS61248426A (ja) 1986-11-05

Family

ID=13946111

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JP60088555A Pending JPS61248426A (ja) 1985-04-26 1985-04-26 パタ−ン検出装置

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JP (1) JPS61248426A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6952391B2 (en) 1994-12-28 2005-10-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical recording medium having dual information surfaces

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6952391B2 (en) 1994-12-28 2005-10-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical recording medium having dual information surfaces

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