JPS61244261A - Gate circuit of gate turn off thyristor - Google Patents

Gate circuit of gate turn off thyristor

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JPS61244261A
JPS61244261A JP8399585A JP8399585A JPS61244261A JP S61244261 A JPS61244261 A JP S61244261A JP 8399585 A JP8399585 A JP 8399585A JP 8399585 A JP8399585 A JP 8399585A JP S61244261 A JPS61244261 A JP S61244261A
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JP
Japan
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gate
circuit
current
thyristor
transistor
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JP8399585A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuto Nakamura
和人 中村
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Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters

Abstract

PURPOSE:To prevent the up grade of ON-gate current from being lowered, by providing a switch element in reverse parallel with a reflux diode, and by turning the element ON for a short time on ON-gate current flow start. CONSTITUTION:An ON-gate circuit feeding ON-gate current to the gate of a GTO thyristor 15 is organized with an ON-gate power source 1, ON-gate transistor 5, and the like. An OFF-gate circuit is organized with an OFF-gate power source 2, OFF-gate transistor 6, reflux diode 8, pulse transformer 14 and the like, and a transistor 16 for reverse voltage is provided in reverse parallel with the reflux diode 8. When the GTO thyristor 15 in an OFF-state is turned On, then the transistor 16 for reverse voltage is turned ON at the same time when the ON-gate transistor 5 is ON. As the result, an OFF-gate condenser 4 is discharged, and voltage in the directions of arrow heads is induced to the pulse transformer 14, and current from the ON-gate circuit is in all applied to gates, and the GTO thyristor 15 is exactly turned OFF.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 この発明は、パルス変圧器の2次側巻線からゲートター
ンオフサイリスタのゲートにオフゲート電流を供給する
オフゲート回路と、同じゲートターンオフサイリスタの
ゲートにオンゲート電流を供給するオンゲート回路とが
相互に並列接続されているゲートターンオフサイリスタ
のゲート回路に関する。
[Detailed description of the invention] [Technical field to which the invention pertains] This invention relates to an off-gate circuit that supplies an off-gate current from the secondary winding of a pulse transformer to the gate of a gate turn-off thyristor, and The present invention relates to a gate circuit of a gate turn-off thyristor in which an on-gate circuit that supplies an on-gate current is connected in parallel with each other.

〔従来技術とその問題点〕[Prior art and its problems]

第2図はゲートターンオフサイリスタのゲート回路の従
来例を示す回路図である。この782図において、オン
ゲート電源1、オングートコンデンt3.オンゲート用
スイッチ素子としてのオンゲートトランジスタ5、抵抗
11と戎、スピードア。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional example of a gate circuit of a gate turn-off thyristor. In this figure 782, on-gate power supply 1, on-gate capacitor t3. An on-gate transistor 5 as an on-gate switching element, a resistor 11, and a speed sensor.

プコンデンサ13とで構成されるオンゲート回路がケー
トターンオフサイリスタ(以下ではGTOす(リスクと
略記する)15のゲートとカソードの間に接続されてい
るので、オンゲートトランジスタ5をオンにするとオン
ゲートコンデンサ3は図示の極性に充電されているので
GTOサイリスタ15のゲート→GTOサイリスタ15
のカソードへオンゲート電流1.が流れてこのGTOサ
イリスタ15をオンさせる。
The on-gate circuit consisting of the on-gate capacitor 13 is connected between the gate and cathode of the gate turn-off thyristor (hereinafter referred to as GTO (abbreviated as risk) 15), so when the on-gate transistor 5 is turned on, the on-gate capacitor 3 is charged to the polarity shown, so the gate of GTO thyristor 15 → GTO thyristor 15
On-gate current to the cathode of 1. flows and turns on this GTO thyristor 15.

ここで抵抗11 、12とスピードアップコンデンサ1
3とはこのGTOサイリスタ15のターンオンを速やか
にするためのいわゆるオーバドライブ回路である。すな
わちオンゲートトランジスタ5がオフ状態にあるとき、
スピードア、ブコンデンサ13は抵抗1】と12とで短
絡されているのでその電荷は零であり、このときにオン
ゲートトランジスタ5がオン状態になると抵抗11とス
ピードアップコンデンサ13とで微分回路を構成するた
め!上りの急峻ないわゆるオーバドライブ電流が流れ、
その後スピードアップコンデンサ13が充電されれば抵
抗稔で定まる定常電流となる。
Here resistors 11, 12 and speed-up capacitor 1
3 is a so-called overdrive circuit for quickly turning on the GTO thyristor 15. That is, when the on-gate transistor 5 is in the off state,
Since the speedup capacitor 13 is short-circuited with the resistors 1 and 12, its charge is zero. At this time, when the on-gate transistor 5 is turned on, the differential circuit is formed by the resistor 11 and the speedup capacitor 13. To compose! A so-called overdrive current with a steep upward flow flows,
After that, when the speed-up capacitor 13 is charged, a steady current is determined by the resistance value.

オフゲート回路はオフゲート電源2)オフケートコンデ
ンサ4、オフゲート用スイッチ素子としてのオフゲート
トランジスタ6、ダイオード7゜還流ダイオード8.パ
ルス変圧器14とで構成されている。なおパルス変圧器
14は1次巻線14Aと2次巻線14Bとリセット巻線
14Cとを備え、これら3個の巻線の極性は図示のとお
りであり、また1次巻線14Aとリセット巻線14Cと
は直列に接続されており、Y点がその接続点である。こ
のようなオフケート回路においてオフゲートコンデンサ
4はダイオード7を介してオフゲート電源2により図示
の極性に充電されているので、オフゲートトランジスタ
6をオンさせるとオフゲートコンデンサ4→Y点→1次
巻M14A→オフゲートトランジスタ6→オフゲートコ
ンデンサ40回路でコンデンサ放電電流が流れる。この
放電電流はパルス変圧器14により増幅され、2次巻M
14B→並列用ダイオード10→GTOサイリスタ15
のカソード→GTOサイリスタ15のゲート→2次巻線
14Bの経路でオフゲート電流が流れるので、このGT
Oサイリスタ15はターンオフされることになる。
The off-gate circuit includes an off-gate power supply 2) an off-gate capacitor 4, an off-gate transistor 6 as an off-gate switching element, a diode 7, a freewheeling diode 8. It is composed of a pulse transformer 14. The pulse transformer 14 includes a primary winding 14A, a secondary winding 14B, and a reset winding 14C, and the polarities of these three windings are as shown in the figure. It is connected in series with the line 14C, and the Y point is the connection point. In such an off-gate circuit, the off-gate capacitor 4 is charged to the polarity shown by the off-gate power supply 2 via the diode 7, so when the off-gate transistor 6 is turned on, the off-gate capacitor 4 → point Y → primary winding M14A → Off-gate transistor 6 → Off-gate capacitor 40 A capacitor discharge current flows through the circuit. This discharge current is amplified by the pulse transformer 14, and the secondary winding M
14B → Parallel diode 10 → GTO thyristor 15
Since the off-gate current flows through the path from the cathode of the GTO thyristor 15 to the gate of the GTO thyristor 15 and the secondary winding 14B, this GT
O-thyristor 15 will be turned off.

ここでパルス変圧器14のリセット巻a14cの役割り
は次のとおりである。すなわちオフゲート電流を零にす
るべくオフゲートトランジスタ6をオンからオフにする
ときも1次巻線14Aには励磁電流が流れ続けようとす
る。そのためリセット巻線14CのY点とは反対側の端
子の電位が低下して還流ダイオード8が導通するので、
リセ、ト巻線14C−+Y点→オフゲートコンデンサ4
→還流ダイオード8→リセ、ト巻線14Cの経路で電流
が流れるため励磁電流が零となり還流ダイオード8もオ
フとなるため、パルス変圧器14の鉄心は飽和すること
なくリセットされる。
Here, the role of the reset winding a14c of the pulse transformer 14 is as follows. That is, even when the off-gate transistor 6 is turned from on to off in order to reduce the off-gate current to zero, the excitation current continues to flow through the primary winding 14A. Therefore, the potential of the terminal on the opposite side of the reset winding 14C from the Y point decreases, and the freewheeling diode 8 becomes conductive.
Reset, G winding 14C-+Y point → off gate capacitor 4
→Freewheeling diode 8→Reset, and because current flows through the path of winding 14C, the exciting current becomes zero and freewheeling diode 8 is also turned off, so that the iron core of pulse transformer 14 is reset without being saturated.

第3図は第2図に示す従来例の部分をあられしている回
路図であってこの第3図により従来技術の問題漬を以下
に記述する。ただしオンゲート回路中のオーバドライブ
用の回路部分と、オフゲート回路中のパルス変圧器1次
側の回路部分は関係がないので図示を省略している。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a portion of the conventional example shown in FIG. 2, and the problems of the prior art will be described below using FIG. However, the overdrive circuit part in the on-gate circuit and the circuit part on the primary side of the pulse transformer in the off-gate circuit are not shown because they are not related.

オンゲートトランジスタ5をオンするときオンゲートコ
ンデンサ3から供給されるオンゲート電流I、はすべて
101となってG T Oサイリスタ15のゲートに流
れるべきであるが、オンゲートトランジスタ5がオンし
た瞬間にこのオンゲート回路とパルス変圧fF2次巻線
14Bとの!ilI&点である2点にはオンゲートコン
デンサ3の電圧V、が印加され、この電圧vQが並列用
ダイオード10のえんノー電圧VDよりも大であるとこ
の並列用ダイオード10は順バイアスされて導通する。
When the on-gate transistor 5 is turned on, the on-gate current I supplied from the on-gate capacitor 3 should become 101 and flow to the gate of the GTO thyristor 15, but at the moment when the on-gate transistor 5 is turned on, this On-gate circuit and pulse transformer fF secondary winding 14B! The voltage V of the on-gate capacitor 3 is applied to the two points ilI&, and when this voltage vQ is larger than the voltage VD of the parallel diode 10, the parallel diode 10 is forward biased and becomes conductive. do.

そのためにオンゲート電流1.01部分がオンゲートコ
ンデンサ3→オンゲートトランジスタ5→2次巻線14
B→並列用ダイオード10→オンゲートコンデンサ3の
経路で102なる電流が分流することになる。そのため
GTOサイリスタ15をターンオンさせるべく当該GT
Oサイリスタ15のゲートに流れる電流101が減少す
るので、ターンオンさせるのに必要なオンゲート電流の
立上り勾配dIG/dt  が減少してしまう欠点があ
る。
Therefore, the on-gate current 1.01 part is the on-gate capacitor 3 → on-gate transistor 5 → secondary winding 14
A current 102 is shunted along the path B→parallel diode 10→on-gate capacitor 3. Therefore, in order to turn on the GTO thyristor 15,
Since the current 101 flowing through the gate of the O-thyristor 15 is reduced, there is a drawback that the rising slope dIG/dt of the on-gate current required to turn on the thyristor 15 is reduced.

第4図は第3図に示す従来例の部分回路の波形図であっ
て、第4図(イ)はZ点の電圧■Gの変化を、第4図(
ロ)はパルス変圧器2次巻線に分流する電流IG2の変
化を、第4図(ハ)はGTOサイリスタのゲートに流れ
る電流■G、の変化をそれぞれ示している。すなわちオ
ンゲートトランジスタ5がオンした時刻Toの瞬間にZ
点の電圧voは電源電圧に等しく、これは並列用トラン
ジスタ10のえん層電圧VDよりも高いために大きな分
流電流IG2が流れるのでターンオン電流IGIの豆上
りは緩や力)なものとなっている。時刻T、にZ点電圧
vGはえん層電圧VDより低くなり、やがて定常時のゲ
ート電圧Vl)Kとなるので、この時刻T工以降では分
流電流I02は零である。
FIG. 4 is a waveform diagram of the conventional partial circuit shown in FIG. 3, and FIG.
4(b) shows the change in the current IG2 that flows into the secondary winding of the pulse transformer, and FIG. That is, at the instant of time To when the on-gate transistor 5 is turned on, Z
The voltage vo at the point is equal to the power supply voltage, which is higher than the layer voltage VD of the parallel transistor 10, so a large shunt current IG2 flows, so the turn-on current IGI rises slowly. . At time T, the Z-point voltage vG becomes lower than the embedding layer voltage VD, and eventually reaches the steady state gate voltage Vl)K, so the shunt current I02 is zero after this time T.

上述のような不具合を改善してGTOサイリスタ15が
必要とするオンゲート電流の又上り勾配dlcVdtを
満足させる対策として、イ)オンゲート電流の分流によ
るdIG/dtの減少が無視できるまでオンゲート回路
の直流電圧を高くする。口)並列用ダイオード10の直
列枚数を増すなどによりえん層電圧VDを高くする。ハ
)並列用ダイオード10をサイリスタあるいはGTOサ
イリスタに置換する。などが考えられるが、イ)項につ
いてはオンゲート回路内での抵抗損失やスイッチング損
失が大となりその損失は無視できない。口)項について
は部品コストが上昇する。ハ)項については部品コスト
の上昇と回路の複雑化をもたらす。など依然として各汽
の欠点を有する。
As a measure to improve the above-mentioned problems and satisfy the upward slope dlcVdt of the on-gate current required by the GTO thyristor 15, a) the DC voltage of the on-gate circuit should be increased until the decrease in dIG/dt due to the shunting of the on-gate current can be ignored; make it higher.口) Increase the encircling voltage VD by increasing the number of parallel diodes 10 connected in series. c) Replace the parallel diode 10 with a thyristor or a GTO thyristor. Regarding item (a), the resistance loss and switching loss in the on-gate circuit are large and cannot be ignored. Regarding item (1), parts costs will increase. Item c) increases component costs and complicates the circuit. etc., each steam still has its drawbacks.

〔発明の目的〕  ′ この発明は、パルス変圧tI2次饋巻巌からGTOサイ
リスタのゲートにオフゲート電流を供給するオフゲート
回路と、同じGTOサイリスタのゲートにオンゲート電
流を供給するオンゲート回路とが相互に並列接続されて
いるとき1回路損失や部品コストの上昇、回路の複雑化
をもたらすことなくオンゲート電流の文上り勾配の減少
を防止することにより安価で信頼性の高いゲートターン
オアサイリスタのゲート回路を提供することを目的とす
る。
[Object of the Invention] ' This invention provides an arrangement in which an off-gate circuit that supplies an off-gate current from a pulse transformer tI secondary to the gate of a GTO thyristor and an on-gate circuit that supplies an on-gate current to the gate of the same GTO thyristor are connected in parallel with each other. Provides an inexpensive and reliable gate turn-or-thyristor gate circuit by preventing a reduction in the upslope of the on-gate current when connected without introducing circuit losses, increased component cost, or circuit complexity. The purpose is to

〔発明の要点〕[Key points of the invention]

この発明は、パルス変圧器2次側巻線からオフゲート電
流を供給するオフゲート回路と、オンゲート回路と、オ
ンゲート電流を供給するオンゲート回路とを相互に並列
に接続してGTOサイリスタのゲートに接続せるゲート
回路において、還流ダイオードに逆並列にスイッチ索子
を設け、オンゲート電流通流開始とともにこのスイッチ
素子を短時間オンさせることによりパルス変圧器のリセ
This invention provides a gate in which an off-gate circuit that supplies an off-gate current from a pulse transformer secondary winding, an on-gate circuit, and an on-gate circuit that supplies an on-gate current are connected in parallel to each other and connected to the gate of a GTO thyristor. In the circuit, a switch element is provided in antiparallel to the freewheeling diode, and this switch element is turned on for a short time when the on-gate current begins to flow, thereby resetting the pulse transformer.

上巻線に電流を流し、これによりオンゲート電流がパル
ス変圧器2次巻線に分流するのを抑制する方向の電圧を
この2次巻線に誘起させることで分流を防いでGTOサ
イリスタのゲートに与えるオンゲート電流の!上り勾配
の低下を防止しようとするものである。
A current is passed through the upper winding, thereby inducing a voltage in the secondary winding that suppresses the on-gate current from shunting to the pulse transformer secondary winding, thereby preventing shunt and applying it to the gate of the GTO thyristor. On-gate current! This is intended to prevent a decline in the upward slope.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

第1図は本発明の実施例を示す回路図であり、この第1
図により以下に本発明の詳細な説明する。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
The invention will be explained in detail below with reference to the figures.

第1図において、GTOサイリスタ15のゲートにオン
ゲート電流を供給するオンゲート回路は、オンゲート電
源1%オンゲートコンデンサ3.オフゲート用スイッチ
素子としてのオンゲートトランジスタ5、抵抗11と1
2)スピードアップコンデンサ13とで構成されており
、それぞれの動作は第2図に示す従来例回路において既
に説明済みであるから、これらの動作説明は省略する。
In FIG. 1, the on-gate circuit that supplies on-gate current to the gate of the GTO thyristor 15 includes an on-gate power supply 1% on-gate capacitor 3. On-gate transistor 5 as an off-gate switching element, resistors 11 and 1
2) speed-up capacitor 13, and since their respective operations have already been explained in the conventional example circuit shown in FIG. 2, a description of these operations will be omitted.

GTOサイリスタ15のゲートにオフゲート電流を供給
するオフゲート回路は、オフゲート電源2)オフゲート
コンデンサ4、オフゲート用スイッチ素子としてのオフ
ゲートトランジスタ6、ダイオード7、還流ダイオード
8、パルス変圧器14の他に還流ダイオード8に逆並列
接続されている逆電圧用トランジスタ16が設けられて
構成されており、このオフゲート回路は並列用ダイオー
ド10を介して前述のオンゲート回路と並列接続されて
いる。
The off-gate circuit that supplies off-gate current to the gate of the GTO thyristor 15 includes an off-gate power source 2) an off-gate capacitor 4, an off-gate transistor 6 as an off-gate switching element, a diode 7, a freewheeling diode 8, a pulse transformer 14, and a freewheeling circuit. A reverse voltage transistor 16 is provided which is connected in antiparallel to the diode 8, and this off-gate circuit is connected in parallel with the above-mentioned on-gate circuit via the parallel diode 10.

なおパルス変圧器14は1次巻@14Aと、これに直列
接続されているリセ、ト巻11i114c、2次巻線1
4Bの3巻線を有しそれぞれの極性は図示のとおりであ
る。また1次巻$14Aとリセ、ト巻$140との接続
点を7点とする。このように構成されているオフゲート
回路からオフゲート電流を供給するとき、新たに設けら
れた逆電圧用トランジスタ16はオフ状態のままである
から、このときの当該オフゲート回路の動作は第2図に
示す従来例回路の場合とまったく同じで既に説明済みで
ある故、その動作説明は省略する。
The pulse transformer 14 has a primary winding @14A, a lyceter connected in series with it, a winding 11i114c, and a secondary winding 1.
It has three 4B windings, and the polarity of each wire is as shown in the figure. In addition, there are 7 connection points between the primary volume $14A and the lycete volume $140. When an off-gate current is supplied from the off-gate circuit configured in this way, the newly provided reverse voltage transistor 16 remains in the off state, so the operation of the off-gate circuit at this time is shown in FIG. Since this is exactly the same as the conventional circuit and has already been explained, a description of its operation will be omitted.

本発明においてはオフ状態の、GTOサイリスタ15を
ターンオンさせるべくオンゲートトランジスタ5をオン
させると同時に逆電圧用トランジスタ16をオンさせる
。この逆電圧用トランジスタ16のオンにより、図示の
極性に充電されているオフゲートコンデンサ4の電荷は
、オフゲートコンデンサ4→Y点→リセ、ト巻線14C
→逆電圧用トランジスタ16→オフゲートコンデンサ4
の経路で放電するのでパルス変圧器14の2次巻線14
Bには矢印方向に図示の電圧すなわちオンゲート電流が
この2次巻線14Bに分流するのを妨げる方向の電圧を
誘起する。この誘起電圧と並列用ダイオードlOのえん
層電圧VDとの和がオンゲート回路からの電圧■Qに近
い値になれば分流電流は大幅に減少し、vGと等しい値
になれば分流電流は零となるのでオンゲート回路からの
オンゲート電流はすべてゲートに与えられる。なおこの
逆電圧用トランジスタ16がオンしている期間は第4図
に示す波形図で時刻T0から時刻Tlまでのごく短時間
でよく、この時刻T1で逆電圧用トランジスタ16をオ
フにすればオフゲートコンデンサ4は再充電されてGT
Oサイリスタ15をターンオフさせるのに備える。
In the present invention, the on-gate transistor 5 is turned on in order to turn on the GTO thyristor 15 which is in the off state, and at the same time the reverse voltage transistor 16 is turned on. By turning on the reverse voltage transistor 16, the charge of the off-gate capacitor 4 charged to the polarity shown in the figure is transferred to the off-gate capacitor 4 → point Y → resetting, and winding 14C.
→ Reverse voltage transistor 16 → Off-gate capacitor 4
The secondary winding 14 of the pulse transformer 14
At B, a voltage is induced in the direction of the arrow, that is, a voltage in a direction that prevents the on-gate current from being shunted to the secondary winding 14B. If the sum of this induced voltage and the layer voltage VD of the parallel diode IO becomes a value close to the voltage Q from the on-gate circuit, the shunt current will decrease significantly, and if it becomes equal to vG, the shunt current will become zero. Therefore, all the on-gate current from the on-gate circuit is given to the gate. Note that the period during which the reverse voltage transistor 16 is on may be a very short period from time T0 to time Tl in the waveform diagram shown in FIG. 4, and if the reverse voltage transistor 16 is turned off at this time T1, it is turned off Gate capacitor 4 is recharged to GT
Prepare to turn off the O-thyristor 15.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明によれば、パルス変圧器2次側巻線からGTO
サイリスタのゲートにオフゲート電流を供給するオフゲ
ート回路と、このGTOサイリスタのゲートにオンゲー
ト電流を供給するオンゲート回路とが相互に並列接続さ
れているゲート回路において、オンゲート電流通流開始
と同時にパルス変圧器のリセット巻線にごく短時間電流
を流すことにより、当該パルス変圧器2次巻線にオンゲ
ート電流が分流するのを妨げる方向の電圧をこの2次巻
線に誘起させることにより、GTOサイリスタをターン
オンさせるためにゲートに供給するオンゲート電流が分
流することなく、よってこのオンゲート電流の!上り勾
配d1G/dtも減少せず、確実にかつ速やかにGTO
サイリスタをターンオンできる。
According to this invention, the GTO from the secondary winding of the pulse transformer
In a gate circuit in which an off-gate circuit that supplies an off-gate current to the gate of a thyristor and an on-gate circuit that supplies an on-gate current to the gate of this GTO thyristor are connected in parallel, the pulse transformer is By passing current through the reset winding for a very short time, a voltage is induced in the secondary winding of the pulse transformer in a direction that prevents the on-gate current from being shunted to the secondary winding, thereby turning on the GTO thyristor. Therefore, the on-gate current supplied to the gate is not shunted, so this on-gate current! The uphill gradient d1G/dt does not decrease, and the GTO is reliably and promptly carried out.
Thyristor can be turned on.

しかもパルス変圧器リセット巻線通電用には還流ダイオ
ードに逆並列にスイッチ素子を追加するのみでよいこと
から、オンゲート電流の分流抑制用に設けられている並
列用ダイオードの直列枚数を減少できるなど、コスト削
減ができ、かつ回路損失増加や回路の複雑化をもたらさ
ない利点を有する。さらに追加されるこのスイッチぷ子
はその導通期間がごく短時間であり、大電流を流す必要
もないので小容量のものでよいことからこのスイ。
Moreover, since it is only necessary to add a switch element in antiparallel to the freewheeling diode to energize the reset winding of the pulse transformer, it is possible to reduce the number of parallel diodes connected in series to suppress the shunting of the on-gate current. It has the advantage of reducing costs and not increasing circuit loss or complicating the circuit. Furthermore, this switch is added because its conduction period is very short and there is no need to flow a large current, so a small capacity one is sufficient.

チ素子追加によるコスト上昇はと(僅かである。The cost increase due to the addition of a second element is very small.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の実施例を示す回路図である。 第2図はゲートターンオフサイリスタのゲート回路の従
来例を示す回路図であり、第3図は第2図に示す従来例
の部分をあられしている回路図、第4図は第3図に示す
従来例の部分回路の波形図である。 1・・・オンゲート電源、2・・・オフゲート電源、3
・・・オンケートコンデンサ、4・・・オフゲートコン
デンサ、5・・・オンゲート用スイ、チ素子としてのオ
ンゲートトランジスタ、6・・・オフゲート用スイ、チ
素子としてのオフゲートトランジスタ、7・・・ダイオ
ード、8・・・還流ダイオード、10・・・並列用ダイ
オード、11.12・・・抵抗、13・・・スピードア
ップコンデンサ%14・・・パルス変圧器% 14A・
・・1次巻線、14B・・・2次巻線、14C・・・リ
セ2ト巷線、15・・・GTOサイリスタ、16・・・
逆電圧用トランジスタ。 ヒき                  nヤぐ
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. Fig. 2 is a circuit diagram showing a conventional example of a gate circuit of a gate turn-off thyristor, Fig. 3 is a circuit diagram showing a portion of the conventional example shown in Fig. 2, and Fig. 4 is a circuit diagram showing the conventional example shown in Fig. 3. FIG. 3 is a waveform diagram of a conventional partial circuit. 1...On-gate power supply, 2...Off-gate power supply, 3
... On-gate capacitor, 4... Off-gate capacitor, 5... On-gate switch, on-gate transistor as a first element, 6... Off-gate switch, off-gate transistor as a first element, 7...・Diode, 8...Freewheeling diode, 10...Parallel diode, 11.12...Resistor, 13...Speed-up capacitor% 14...Pulse transformer% 14A・
...Primary winding, 14B...Secondary winding, 14C...Reset 2-way wire, 15...GTO thyristor, 16...
Reverse voltage transistor. Hiki n Yagu

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)リセット巻線を備えたパルス変圧器の1次側巻線と
コンデンサとオフゲート用スイッチ素子とで放電回路を
構成してこのパルス変圧器2次側巻線からゲートターン
オフサイリスタのゲートにオフゲート電流を供給するオ
フゲート回路と、オンゲート用スイッチ素子を介して前
記ゲートターンオフサイリスタのゲートにオンゲート電
流を供給するオンゲート回路とが相互に並列に接続され
ているゲートターンオフサイリスタのゲート回路におい
て、前記オンゲート回路動作時に前記パルス変圧器2次
側巻線にオンゲート電流が分流するのを阻止する極性の
電圧を誘起させる逆電圧誘起手段が前記オフゲート回路
に備えられていることを特徴とするゲートターンオフサ
イリスタのゲート回路。 2)特許請求の範囲第1項記載のゲート回路において、
前記逆電圧誘起手段は、オンゲート用スイッチ素子のオ
ン動作とともに前記オフゲート回路のコンデンサ電荷を
パルス変圧器のリセット巻線に放電させるスイッチ素子
であることを特徴とするゲートターンオフサイリスタの
ゲート回路。
[Claims] 1) A discharge circuit is configured by the primary winding of a pulse transformer equipped with a reset winding, a capacitor, and an off-gate switch element, and gate turn-off is performed from the secondary winding of the pulse transformer. A gate circuit for a gate turn-off thyristor, in which an off-gate circuit that supplies an off-gate current to the gate of the thyristor and an on-gate circuit that supplies an on-gate current to the gate of the gate turn-off thyristor via an on-gate switch element are connected in parallel to each other. The off-gate circuit is characterized in that the off-gate circuit is provided with reverse voltage inducing means for inducing a voltage with a polarity that prevents the on-gate current from being shunted to the secondary winding of the pulse transformer when the on-gate circuit is in operation. Gate circuit of gate turn-off thyristor. 2) In the gate circuit according to claim 1,
A gate circuit for a gate turn-off thyristor, wherein the reverse voltage inducing means is a switch element that discharges a capacitor charge of the off-gate circuit to a reset winding of a pulse transformer together with an on-gate switching element.
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