JPS61241614A - Displacement detecting mechanism - Google Patents

Displacement detecting mechanism

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JPS61241614A
JPS61241614A JP8246185A JP8246185A JPS61241614A JP S61241614 A JPS61241614 A JP S61241614A JP 8246185 A JP8246185 A JP 8246185A JP 8246185 A JP8246185 A JP 8246185A JP S61241614 A JPS61241614 A JP S61241614A
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JP
Japan
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wafer
nozzle
displacement
plane
air
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JP8246185A
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Kazuya Ichikawa
一弥 市川
Osamu Sato
修 佐藤
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
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    • G01B13/02Measuring arrangements characterised by the use of fluids for measuring length, width or thickness
    • G01B13/06Measuring arrangements characterised by the use of fluids for measuring length, width or thickness for measuring thickness
    • G01B13/065Height gauges

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Measuring Arrangements Characterized By The Use Of Fluids (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enable detection at high accuracy by constituting the nozzle multiply to constitute pressure wall of fluid jetted from outside nozzle around fluid jetted from inside nozzle. CONSTITUTION:A nozzle 5 is constituted doubly of an inner tube 6 and an outer tube 7. Accordingly, flow of air jetted from the opening end of the inner tube 6 is sorrounded by a pressure wall constituted by flow of air jetted from the opening end of the outer tube 7. When a space between the opening end of the nozzle 5 and the plane of a wafer 2 becomes more than a specified value, outflow of air to outside starts from a space A in the inner tube 6 through the pressure wall. Consequently, when a safety space to prevent damage of the wafer 2 is provided between the opening of the nozzle 5 and the plane of the wafer 2 caused by contact of the two, variation of pressure in the space A detected by an air pressure detecting section 12 for specified displacement of the plane of the wafer 2 in the direction of optic axis of a microscope section 3 becomes large. Thus, sensitivity of detection of displacement in the direction of optic axis of the microscope section 3 can be increased.

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明は、変位検知技術、特に、半導体装置の製造にお
けるウェハ外観検査において、検査光学系の光軸方向に
おけるウェハ面の変位を検知する技術に適用して有効な
技術に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field] The present invention is applied to displacement detection technology, particularly to technology for detecting displacement of a wafer surface in the optical axis direction of an inspection optical system in wafer appearance inspection in the manufacture of semiconductor devices. related to effective techniques.

[背景技術] 一般に、半導体装置の製造においては、たとえばシリコ
ンなどからなる基板すなわちウェハに多数の半導体素子
を形成する過程で、ウェハ平面に転写された配線構造な
どの微細パターンを検査するため、ウェハの外観検査が
行われる。
[Background Art] In general, in the manufacturing of semiconductor devices, in the process of forming a large number of semiconductor elements on a substrate, ie, a wafer, made of silicon or the like, the wafer is A visual inspection will be conducted.

このような検査装置としては、次のようなものが考えら
れる。
As such an inspection device, the following can be considered.

すなわち、検査されるウェハの上方に位置される顕微鏡
部によってウェハの所定の部位を光学的に拡大して得ら
れる像を、たとえば電気的な信号に変換し、所定の基準
パターンと比較するなどしてウェハ各部に形成されたパ
ターンの良否を判別するものである。
That is, an image obtained by optically magnifying a predetermined part of the wafer using a microscope section located above the wafer to be inspected is converted into an electrical signal, and compared with a predetermined reference pattern. This is used to judge whether the patterns formed on each part of the wafer are good or bad.

この場合、ウェハ各部の厚さなどのばらつきのため、ウ
ェハの各測定部位毎に顕微鏡部の焦点位置を調整するこ
とが必要とされる。
In this case, due to variations in the thickness of each part of the wafer, it is necessary to adjust the focal position of the microscope section for each measurement part of the wafer.

このため、たとえば、顕微鏡部の鏡筒が内部に収容され
るように鏡筒と同心円状にノズルを設けこのノズルから
一定圧の空気などの気体が下方に位置されるウェハに噴
射されるように構成する。
For this reason, for example, a nozzle is provided concentrically with the lens barrel so that the lens barrel of the microscope section is housed inside, and a gas such as air at a constant pressure is injected from this nozzle onto the wafer located below. Configure.

そして、ウェハ平面とノズル先端部の間隙の変化、すな
わち顕微鏡部の鏡筒の軸方向の変位によって変化される
ノズル内の気体の圧力を検出することによってウェハ平
面と鏡筒の軸方向の変位を検知し、この変位を補正する
ようにウェハ平面を鏡筒に対して相対的に変位させるよ
うにして、ウェハ平面の測定部位が常に顕微鏡部の焦点
位置に位置されるように構成されるものである。
The axial displacement between the wafer plane and the lens barrel is detected by detecting the change in the gap between the wafer plane and the nozzle tip, that is, the pressure of the gas inside the nozzle, which changes due to the axial displacement of the microscope lens barrel. The wafer plane is detected and the wafer plane is displaced relative to the lens barrel so as to correct this displacement, so that the measurement part of the wafer plane is always located at the focal position of the microscope section. be.

一方、ノズル先端部とウェハ平面の間隙が小さいほど一
般に単位量の変位に対するノズル内の圧力変化は大とな
り、ノズル軸方向の変位を検知する感度は良好となるが
、ノズル先端部がウェハ平面に接触してウェハが損傷さ
れることを防止するため、最良の焦点位置にウェハ平面
がある時にノズル先端部とウェハ平面との間には所定の
隙間が形成されるように、いわゆる安全間隔がとられて
いる。
On the other hand, the smaller the gap between the nozzle tip and the wafer plane, the larger the pressure change inside the nozzle per unit displacement, and the better the sensitivity for detecting displacement in the nozzle axis direction. To prevent damage to the wafer due to contact, a so-called safety gap is established so that a certain gap is formed between the nozzle tip and the wafer plane when the wafer plane is at the best focus position. It is being

このため、上記のような単独のノズルによって変位を検
知する構造では、ノズル先端部とウェハ平面とが安全間
隔にある状態、すなわち変位に対する感度の低い状態で
顕微鏡部の焦点位置に対するウェハ平面の位置合わせの
制御が行われることとなり、外部条件の変化などによっ
て、ウェハ平面の位置が最良の焦点位置から変動されや
すくなり、ウェハの検査精度が低下される場合があるこ
とを本発明者は見いだした。
Therefore, in the structure in which displacement is detected using a single nozzle as described above, the position of the wafer plane relative to the focal position of the microscope section is determined when the nozzle tip and the wafer plane are at a safe distance, that is, when the sensitivity to displacement is low. The inventor has found that the position of the wafer plane tends to fluctuate from the best focal position due to changes in external conditions, and the wafer inspection accuracy may be reduced. .

なお、ウェハの検査技術について説明されている文献と
しては、株式会社工業調査会、昭和57年11月15日
発行[電子材料J 1983年別冊、P2O4〜P2O
9がある。
In addition, documents explaining wafer inspection technology include Kogyo Kenkyukai Co., Ltd., November 15, 1983 [Electronic Materials J, 1983 special volume, P2O4-P2O
There are 9.

[発明の目的] 本発明の目的は、高精度で変位を検知することが可能な
変位検知技術を提供することにある。
[Object of the Invention] An object of the present invention is to provide a displacement detection technique that can detect displacement with high accuracy.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

[発明の概要] 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、つぎの通りである。
[Summary of the Invention] A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、被測定物に対向して位置されるノズルの被測
定物に対する軸方向の相対的な変位が、該ノズルから前
記被測定物に向けて噴射される流体の圧力変化に基づい
て検知される変位検知機構の、前記ノズルを多重に構成
することにより、内側のノズルから噴射される流体の周
囲に外側のノズルから噴射される流体の圧力壁が構成さ
れるようにして、ノズルと被測定物とが所定の値だけ離
れた位置で、内側のノズル内部の流体の外部への流出が
開始されるようにし、内側のノズル内部の圧力変化に基
づいて行われるノズルの軸方向における被測定物に対す
る変位を検知する感度が、ノズルが被測定物から所定の
距離だけ離れた位置で最良となるようにして、変位検知
の精度を向上させたものである。
That is, the relative displacement in the axial direction of a nozzle positioned opposite to the object to be measured with respect to the object to be measured is detected based on the pressure change of the fluid injected from the nozzle toward the object to be measured. By configuring the nozzles of the displacement detection mechanism in multiple layers, a pressure wall of the fluid injected from the outer nozzle is formed around the fluid ejected from the inner nozzle, and the nozzle and the object to be measured are The fluid inside the inner nozzle starts to flow out to the outside at a position where the The sensitivity for detecting displacement is maximized at a position where the nozzle is a predetermined distance from the object to be measured, thereby improving the accuracy of displacement detection.

[実施例] 第1図は、本発明の一実施例である変位検知機構が装着
されたウェハ外観検査装置の略断面図である。
[Embodiment] FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a wafer visual inspection apparatus equipped with a displacement detection mechanism according to an embodiment of the present invention.

水平に設けられたステージ1の上には、ウェハ2 (被
測定物)が着脱自在に載置されている。
A wafer 2 (object to be measured) is removably placed on a stage 1 provided horizontally.

さらに、ステージ1の上方には、ステージlの上に載置
されたウェハ2に対して所定の距離をおいて、所定のレ
ンズ群が収容された顕微鏡部3が光軸を垂直にして設け
られ、ウェハ2の所定の部位の像が顕微鏡部3の上方に
顕微鏡部3の光軸に垂直な平面に配設された、たとえば
電荷結合素子からなる撮像部4に結ばれ、電気的な信号
に変換されて、ウェハ2の所定の部位に形成されたパタ
ーン形状が認識され、ウェハ2の外観検査が行われるよ
うに構成されている。
Further, above the stage 1, a microscope section 3 housing a predetermined lens group is provided with its optical axis perpendicular, at a predetermined distance from the wafer 2 placed on the stage l. , an image of a predetermined part of the wafer 2 is connected to an imaging section 4, which is made of, for example, a charge-coupled device, arranged above the microscope section 3 in a plane perpendicular to the optical axis of the microscope section 3, and is converted into an electrical signal. The converted pattern shape formed at a predetermined portion of the wafer 2 is recognized, and the appearance of the wafer 2 is inspected.

さらに、顕微鏡部3の周囲には、ノズル5(変位検知機
構)が顕微鏡部3を中心にして同心円状に設けられ、ノ
ズル5の開口端は所定の間隙をおいて下方に位置される
ウェハ2の表面と対向されるように構成され、顕微鏡部
3の最適な焦点位置にウェハ2の平面が位置されるよう
に構成されている。
Further, around the microscope section 3, a nozzle 5 (displacement detection mechanism) is provided concentrically with the microscope section 3 as the center, and the opening end of the nozzle 5 is connected to the wafer 2 positioned below with a predetermined gap. The plane of the wafer 2 is positioned at the optimal focal position of the microscope section 3.

この場合、ノズル5は、内筒部6および外筒部7によっ
て二重となるように構成され、各々の内部の空間Aおよ
び空間Bが独立に絞り弁8および絞り弁9(変位検知機
構)を介してレギュレータ10 (変位検知機構)に接
続され、所定の圧力の空気が空間Aおよび空間Bの内部
に流入されるように構成されている。
In this case, the nozzle 5 is configured to have a double structure with an inner cylindrical part 6 and an outer cylindrical part 7, and each internal space A and space B are independently connected to a throttle valve 8 and a throttle valve 9 (displacement detection mechanism). It is connected to the regulator 10 (displacement detection mechanism) via the regulator 10 (displacement detection mechanism), and is configured so that air at a predetermined pressure flows into the space A and the space B.

また、前記レギュレータIOは所定の空気圧源11 (
変位検知機構)に接続され、水分や塵埃などが除去され
た清浄な所定圧の空気がレギュレータ10および絞り弁
8および9を介して、ノズル5の内筒部6および外筒部
7の各々の内部の空間に供給されるものである。
Further, the regulator IO is connected to a predetermined air pressure source 11 (
(displacement detection mechanism), and clean air at a predetermined pressure from which moisture and dust have been removed is supplied to each of the inner cylinder part 6 and outer cylinder part 7 of the nozzle 5 via the regulator 10 and the throttle valves 8 and 9. It is supplied to the internal space.

そして、内筒部6の開口端から下方のウェハ2の平面に
向かって噴射される空気の流れの周囲には、この内筒部
6の開口端を取り囲む外筒部7の開口端から噴射される
空気の流れによって構成される圧力壁が形成される構造
とされている。
Then, around the flow of air that is injected from the open end of the inner cylinder part 6 toward the plane of the wafer 2 below, air is injected from the open end of the outer cylinder part 7 that surrounds the open end of the inner cylinder part 6. The structure is such that a pressure wall is formed by the flow of air.

さらに、内筒部6の内部の空間Aに連通される配管径路
に設けられた絞り弁8の下流側には、空気圧検出部12
(変位検知機構)が接続され、ノズル5の開口端とウェ
ハ2の平面との間隙の変化、すなわち顕微鏡部3の光軸
方向におけるウェハ2の平面の変位に起因して変動され
る空間A内の空気圧が所定の電気的な信号に変換されて
検知されるように構成されている。
Further, on the downstream side of the throttle valve 8 provided in the piping path communicating with the space A inside the inner cylinder section 6, an air pressure detection section 12 is provided.
(Displacement detection mechanism) is connected to the space A that changes due to the change in the gap between the opening end of the nozzle 5 and the plane of the wafer 2, that is, the displacement of the plane of the wafer 2 in the optical axis direction of the microscope section 3. The air pressure is converted into a predetermined electrical signal and detected.

そして、空気圧検出部12からの電気的な信号を所定の
基準値と比較するなどして、制御部13(変位検知機構
)はステージ1を昇降させるサーボモータ14(変位検
知機構)を適宜駆動させ、ノズル5の開口端とステージ
1の上に載置されたウェハ2の平面との間隙は常に所定
の値となるように制御され顕微鏡部3の光軸方向におけ
るウェハ2の平面の位置が顕微鏡部3の最適な焦点位置
に位置されるように構成されている。
Then, by comparing the electrical signal from the air pressure detection unit 12 with a predetermined reference value, the control unit 13 (displacement detection mechanism) appropriately drives the servo motor 14 (displacement detection mechanism) that raises and lowers the stage 1. The gap between the opening end of the nozzle 5 and the plane of the wafer 2 placed on the stage 1 is always controlled to a predetermined value, so that the position of the plane of the wafer 2 in the optical axis direction of the microscope section 3 is It is configured to be located at the optimum focal position of the section 3.

このように、ノズル5が内筒部6および外筒部7によっ
て二重に構成されているため、内筒部6の開口端から噴
射される空気の流れが外筒部7の開口端から噴射される
空気の流れによって構成される圧力壁によって取り囲ま
れる状態が形成され、ノズル5の開口端とウェハ2の平
面との間隙が所定の値以上になるとき内筒部6内の空間
Aから前記の圧力壁を通過して、外部に空気の流出が開
始されるものである。
As described above, since the nozzle 5 has a double structure including the inner cylinder part 6 and the outer cylinder part 7, the air flow injected from the open end of the inner cylinder part 6 is injected from the open end of the outer cylinder part 7. When the gap between the open end of the nozzle 5 and the plane of the wafer 2 exceeds a predetermined value, the air is surrounded by a pressure wall formed by the flow of air. Air passes through the pressure wall and begins to flow outside.

この結果、ノズル5の開口部とウェハ2の平面との間に
、ウェハ2の平面とノズル5の開口端との接触によるウ
ェハ2の損傷を防止する目的の安全間隔が設けられてい
る場合に、ノズル5の軸方向におけるウェハ2の平面の
相対的な変位、すなわち顕微鏡部3の光軸方向におけろ
ウェハ2の平面の所定量の変位に対して空気圧検出部1
2によって検知される空間A内の圧力変動が大きくなる
特性が得られ、ウェハ2の顕微鏡部3の光軸方向におけ
る変位を検知する感度が向上され、ウェハ2の平面を、
常に顕微鏡部3の焦点位置に位置させる制御が安定に行
われる。
As a result, if a safety distance is provided between the opening of the nozzle 5 and the flat surface of the wafer 2 for the purpose of preventing damage to the wafer 2 due to contact between the flat surface of the wafer 2 and the open end of the nozzle 5. , the air pressure detection unit 1 detects a relative displacement of the plane of the wafer 2 in the axial direction of the nozzle 5, that is, a predetermined displacement of the plane of the wafer 2 in the optical axis direction of the microscope unit 3.
2, a characteristic is obtained in which the pressure fluctuation in the space A detected by
Control to always position the microscope section 3 at the focal position is performed stably.

この場合のノズル5の軸方向におけるウェハ2の平面に
対する相対的な間隔Zとその時のノズル5の内筒部6内
の空間Aにおいて検知される空気圧Pの変化を示した線
図が第2図である。
FIG. 2 is a diagram showing the relative spacing Z of the nozzle 5 in the axial direction with respect to the plane of the wafer 2 in this case, and the change in the air pressure P detected in the space A inside the inner cylinder part 6 of the nozzle 5 at that time. It is.

同図において実線で示される曲線が本実施例の場合であ
り、破線で示されている曲線が考えられる単一のノズル
の場合である。
In the figure, the curve shown as a solid line is the case of this embodiment, and the curve shown as a broken line is the case of a possible single nozzle.

同図に示されるように、間隔Zが安全間隔にある時、考
えられるノズルの場合には、間隔Zの単位量の変化に対
する圧力Pの変化は間隔Zが大きくなるとともに鈍化さ
れるが、実線で示される本実施例の場合には、外筒部7
によって形成される圧力壁の作用によって、間隔Zの単
位量の変化に対して圧力Pの変化が大きくなる位置、す
なわち間隔Zの変化の検知が鋭敏になる位置がノズル5
がウェハ2から所定の距離だけ離れた安全間隔の位置、
すなわち顕微鏡部3の光軸方向における焦点位置に一致
するようにされるため、圧力Pの変化に基づいて制御さ
れる間隔Zの変化の検知が感度よく行われ、ウェハ2の
平面が安定にかつ正確に顕微鏡部3の最適な焦点位置に
位置され、ウェハ2の外観検査の精度が向上される。
As shown in the figure, when the distance Z is within the safe distance, in the case of the considered nozzle, the change in pressure P with respect to a unit change in the distance Z becomes slower as the distance Z increases, but the solid line In the case of this embodiment shown in FIG.
Due to the action of the pressure wall formed by
is a safe distance apart from the wafer 2 by a predetermined distance,
In other words, since it is made to coincide with the focal point position in the optical axis direction of the microscope section 3, changes in the distance Z controlled based on changes in the pressure P can be detected with high sensitivity, and the plane of the wafer 2 can be stabilized and The microscope section 3 is accurately positioned at the optimum focal point position, and the accuracy of the visual inspection of the wafer 2 is improved.

以下、本実施例の作用について説明する。The operation of this embodiment will be explained below.

はじめに、ステージ1の上にウェハ2が載置される。First, the wafer 2 is placed on the stage 1.

次に、絞り弁8および9を調節することによって、ノズ
ル5の内筒部6および外筒部7によってそれぞれ構成さ
れる空間Aおよび空間Bには所定の圧力の空気が流入さ
れ、ノズル5の開口端からステージ1の上に載置された
ウェハ2の平面に向かって噴射された空気は、ノズル5
の開口端とウェハ2の平面との間隙から外部に流出され
る。
Next, by adjusting the throttle valves 8 and 9, air at a predetermined pressure is flowed into the space A and the space B respectively constituted by the inner cylindrical part 6 and the outer cylindrical part 7 of the nozzle 5. Air is injected from the open end toward the plane of the wafer 2 placed on the stage 1 through the nozzle 5.
The liquid flows out from the gap between the open end of the wafer 2 and the flat surface of the wafer 2.

この時、ノズル5の開口端とウェハ2の平面との間隙の
変化、すなわち顕微鏡部3の光軸方向におけるウェハ2
の平面の相対的な変位に応じてノズル5の内部の空間A
内の圧力は変化され、この圧力変化が空間Aに接続され
る絞り弁8の下流側に接続された空気圧検出部12によ
って検知される。
At this time, the gap between the opening end of the nozzle 5 and the plane of the wafer 2 changes, that is, the wafer 2 in the optical axis direction of the microscope section 3.
The space A inside the nozzle 5 depends on the relative displacement of the plane of
The pressure inside is changed, and this pressure change is detected by the air pressure detection section 12 connected to the downstream side of the throttle valve 8 connected to the space A.

そして、制御部13は空気圧検出部12で検知°される
圧力値と所定の基準値とを比較し、空気圧検出部12で
検知される圧力値と所定の基準値との差を補正する方向
にサーボモータ14を駆動させ、ウェハ2の表面とノズ
ル5の開口端との間隙が所定の値となるように、すなわ
ち顕微鏡部3の光軸方向における最適な焦点位置にウェ
ハ2の表面が位置されるように、ステージ1を適宜昇降
させるものである。
Then, the control unit 13 compares the pressure value detected by the air pressure detection unit 12 with a predetermined reference value, and takes steps to correct the difference between the pressure value detected by the air pressure detection unit 12 and the predetermined reference value. The servo motor 14 is driven, and the surface of the wafer 2 is positioned so that the gap between the surface of the wafer 2 and the opening end of the nozzle 5 becomes a predetermined value, that is, the optimal focal position in the optical axis direction of the microscope section 3. The stage 1 is raised and lowered as appropriate so that the

この場合、ノズル5の開口端がステージ1の上に載置さ
れるウェハ2の表面に接触してウェハ2が損傷されるこ
とを防止するため、顕微鏡部3の焦点位置にウェハ2の
表面が位置されるとき、ノズル5の開口端とウェハ2の
表面との間には所定の安全間隔が保持されるように制御
部13における基準値が設定されるが、本実施例におい
ては、ノズル5が二重に形成されているため、内筒部6
の空間Aと外筒部7内の空間Bに流入される空気圧を適
当に選択することにより、ノズル5とウェハ2の表面と
の間の所定の安全間隔がある時に内筒部6内の空間Aか
らノズル5の外部に空気の流出が開始され、第2図に示
される如くノズル5の軸方向のウェハ2の表面に対する
相対的な変位を検知する感度が顕微鏡部3の最適な焦点
位置にウェハ2の平面が位置される付近で最良となるよ
うに調整できる。
In this case, in order to prevent the opening end of the nozzle 5 from coming into contact with the surface of the wafer 2 placed on the stage 1 and damaging the wafer 2, the surface of the wafer 2 is placed at the focal position of the microscope section 3. When the nozzle 5 is positioned, a reference value is set in the control unit 13 so that a predetermined safety distance is maintained between the open end of the nozzle 5 and the surface of the wafer 2. In this embodiment, the nozzle 5 is is formed double, so that the inner cylinder part 6
By appropriately selecting the air pressures flowing into the space A of Air begins to flow out of the nozzle 5 from A, and as shown in FIG. It can be adjusted to be optimal near where the plane of the wafer 2 is located.

この結果、たとえば、ステージ1が所定のXYテーブル
(図示せず)に載置され、ステージ1に載置されたウェ
ハ2が顕微鏡部3の光軸に対して水平方向に移動されて
順次ウェハ2の平面の異なる部位の検査が連続的に行わ
れる際、ウェハ2の各部における厚さのばらつきなどに
起因するノズル5とウェハ2の平面との間隙の変化、す
なわち顕微鏡部3の焦点位置からのウェハ2の平面のず
れを生じた場合に、このウェハ2の検査部位の顕微鏡部
3の焦点位置からのずれの補正が正確かつ安定に行われ
るため、顕微鏡部3によるウェハ2の外観検査の欠陥検
出精度が向上される。
As a result, for example, the stage 1 is placed on a predetermined XY table (not shown), and the wafers 2 placed on the stage 1 are moved in the horizontal direction with respect to the optical axis of the microscope section 3, and the wafers 2 are sequentially placed on the stage 1. When different parts of the plane of the wafer 2 are inspected successively, changes in the gap between the nozzle 5 and the plane of the wafer 2 due to variations in thickness in each part of the wafer 2, that is, changes in the gap from the focal position of the microscope section 3, When a plane shift of the wafer 2 occurs, the shift of the inspection area of the wafer 2 from the focus position of the microscope unit 3 is corrected accurately and stably, so that defects in the visual inspection of the wafer 2 by the microscope unit 3 are corrected. Detection accuracy is improved.

[効果] (1)、被測定物に対向して位置されるノズルの被測定
物に対する軸方向の相対的な変位が、該ノズルから前記
被測定物に向けて噴射される流体の圧力変化に基づいて
検知される変位検知機構の、前記ノズルが多重に構成さ
れているため、内側のノズルから噴射される流体の周囲
に外側のノズルから噴射される流体の圧力壁が構成され
、ノズルと被測定物との間隔が所定の値だけ大きくなっ
た位置で、内側のノズル内部の流体の外部への流出が開
始されるようにし、内側のノズル内部の圧力変化に基づ
いて行われるノズルの軸方向における被測定物に対する
変位を検知する感度が、ノズルが被測定物から所定の距
離だけ離れた位置で最良となるように調整することがで
き、変位検知の精度が向上される。
[Effects] (1) Relative displacement in the axial direction of a nozzle positioned opposite to the object to be measured causes a change in the pressure of the fluid injected from the nozzle toward the object to be measured. Because the nozzles of the displacement detection mechanism that is detected based on The fluid inside the inner nozzle starts to flow out to the outside at the position where the distance between the object and the object increases by a predetermined value, and the flow is performed in the axial direction of the nozzle based on the pressure change inside the inner nozzle. The sensitivity for detecting displacement with respect to the object to be measured can be adjusted so that it is best at a position where the nozzle is a predetermined distance from the object to be measured, and the accuracy of displacement detection is improved.

(2)、前記(11の結果、ウェハ外観検査装置の顕微
鏡部の光軸方向におけるウェハの変位を検知する変位検
知機構において、ウェハが顕微鏡部の最適な焦点位置に
位置されるとき、変位検知機構の感度が最良となり、顕
微鏡部の最適な焦点位置に対するウェハの位置合わせが
安定にかつ高精度で行われる。
(2) As a result of (11) above, in the displacement detection mechanism that detects the displacement of the wafer in the optical axis direction of the microscope section of the wafer visual inspection device, when the wafer is positioned at the optimal focal position of the microscope section, the displacement is detected. The sensitivity of the mechanism is maximized, and the alignment of the wafer to the optimal focal position of the microscope section is performed stably and with high precision.

(3)、前記(2)の結果、ウェハ外観検査装置のウェ
ハ欠陥検出精度が向上され、検査工程における生産性が
向上される゛。
(3) As a result of (2) above, the wafer defect detection accuracy of the wafer visual inspection apparatus is improved, and the productivity in the inspection process is improved.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor.

たとえば、ノズルの構造は多重であればよく、前記実施
例の二重に限らず、三重以上とすることも可能である。
For example, the structure of the nozzle may be multiple, and is not limited to the double nozzle of the above embodiment, but can also be three or more.

[利用分野] 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハ外観検査技術
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではなく、変位を精密に検知することが必要とされ
る技術に広く適用できる。
[Field of Application] In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to wafer visual inspection technology, which is the field of application that formed the background of the invention, but the invention is not limited thereto. It can be widely applied to technologies that require detection.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明の一実施例である変位検知機構が装着
されたウェハ外観検査装置の略断面図、第2図は、本発
明の一実施例である変位検知機構の特性を説明する線図
である。 1・・・ステージ、2・・・ウェハ(被測定物)、3・
・・顕微鏡部、4・・・撮像部、5・・・ノズル(変位
検知機構)、6・・・内筒部(ノズル)、7・・・外筒
部(ノズル)、8.9・・・絞り弁(変位検知機構)、
10・・・レギュレータ(変位検知機構)、11・・・
空気圧源(変位検知機構)、12・・・空気圧検出部(
変位検知機構)、13・・・制御部、14・・・サーボ
モータ、A、B・・・空間。 第  1  図
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a wafer visual inspection apparatus equipped with a displacement detection mechanism that is an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram illustrating the characteristics of the displacement detection mechanism that is an embodiment of the present invention. It is a line diagram. 1... Stage, 2... Wafer (object to be measured), 3...
... Microscope section, 4... Imaging section, 5... Nozzle (displacement detection mechanism), 6... Inner cylinder part (nozzle), 7... Outer cylinder part (nozzle), 8.9... - Throttle valve (displacement detection mechanism),
10...Regulator (displacement detection mechanism), 11...
Air pressure source (displacement detection mechanism), 12...Air pressure detection section (
displacement detection mechanism), 13...control unit, 14...servo motor, A, B...space. Figure 1

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、被測定物に対向して位置されるノズルの被測定物に
対する軸方向の相対的な変位が、該ノズルから前記被測
定物に向けて噴射される流体の圧力変化に基づいて検知
される変位検知機構であって、前記ノズルが多重に構成
されていることを特徴とする変位検知機構。 2、前記変位検知機構が、ウェハ外観検査装置の顕微鏡
部の光軸方向におけるウェハの変位を検知する変位検知
機構であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の変位検知機構。 3、流体が空気であることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の変位検知機構。
[Claims] 1. A relative displacement in the axial direction of a nozzle positioned opposite to the object to be measured with respect to the object to be measured is a change in the pressure of the fluid injected from the nozzle toward the object to be measured. What is claimed is: 1. A displacement detection mechanism that detects displacement based on the above-mentioned displacement detection mechanism, characterized in that the nozzle is configured in multiple ways. 2. The displacement detection mechanism according to claim 1, wherein the displacement detection mechanism is a displacement detection mechanism that detects displacement of the wafer in the optical axis direction of a microscope section of a wafer visual inspection apparatus. 3. The displacement detection mechanism according to claim 1, wherein the fluid is air.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008523588A (en) * 2004-12-07 2008-07-03 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. Proximity sensor nozzle shroud forming a flow curtain
JP2011091307A (en) * 2009-10-26 2011-05-06 Toshiba Corp Pattern formation method

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