JPS61239701A - Triplet line type t branch - Google Patents

Triplet line type t branch

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Publication number
JPS61239701A
JPS61239701A JP60080719A JP8071985A JPS61239701A JP S61239701 A JPS61239701 A JP S61239701A JP 60080719 A JP60080719 A JP 60080719A JP 8071985 A JP8071985 A JP 8071985A JP S61239701 A JPS61239701 A JP S61239701A
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JP
Japan
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dielectric substrate
branch
strip pattern
strip
triplate
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Application number
JP60080719A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiaki Tsuda
喜秋 津田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS61239701A publication Critical patent/JPS61239701A/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/12Coupling devices having more than two ports

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Abstract

PURPOSE:To increase the mount density of a T branch in a dielectric substrate by providing the T branch between triplet lines which differ in hierachy by using an intersubstrate connecting element. CONSTITUTION:The through hole of strip patterns 4, 6, and 7 is plated and triplet lines 2a, 2b, and 2c are connected electrically through respective dielectric substrate. The T branch constituted as mentioned above consists of the triplet lines 2a, 2b, and 2c having different electric impedance, e.g. 50, 70.7, and 70.7OMEGA and the electric length of the triplet lines 2b and 2c is lambdag/4.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、多層化基板を用いたマイクロ波相トリプレ
ート線路形T分岐(以下、T分岐とする)の改良に関す
るものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to an improvement of a microwave phase triplate line type T-branch (hereinafter referred to as T-branch) using a multilayer substrate.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第6図に2例えば特開昭56−154804号公報に示
された従来のトリプレート形ストリップ線路(以下、ト
リプレート線路とする)の一部削除した斜視図を示す。
FIG. 6 shows a partially cutaway perspective view of a conventional triplate strip line (hereinafter referred to as triplate line) disclosed in, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 56-154804.

図中、 (1a)は一方の面の一部に線路幅Wなるス)
 +3ツブ導体(2)を、他方の面の全面に金属から成
る地板(3)をそれぞれ密着させた比誘電率ε1の誘電
体から成る誘電体基板A、 (1に+)は一方の面のみ
全面に地板(3)を密着させた誘電体基板Bである。
In the figure, (1a) has a line width W on a part of one side)
A dielectric substrate A made of a dielectric material with a relative dielectric constant ε1, with a +3 prong conductor (2) and a base plate (3) made of metal adhered to the entire surface of the other surface, (+) is only on one surface. This is a dielectric substrate B with a ground plate (3) in close contact with the entire surface.

このトリプレート線路は、マイクロストリップ線路と比
較して系が閉じているため、放射損失がなく、漏洩電力
の他2機器に及ぼす影響がない等の利点があるため、ア
ンテナ給電回路等によく用いられる。
Compared to microstrip lines, this triplate line has a closed system, so it has advantages such as no radiation loss and no influence on other devices other than leakage power, so it is often used in antenna feeding circuits, etc. It will be done.

第1図に、このトリプレート線路を用いたT分岐の平面
図を示す。
FIG. 1 shows a plan view of a T-branch using this triplate line.

図中、 (2a)はT分岐の入出力端子P1.P2.P
3となるトリプレート線路、 (2b)、(2c)はT
分岐を構成する特性インピーダンスの異なるトリプレー
ト線路である。トリプレート線路(21)) ? (2
6)の特性インピーダンスZob t ”00は、トリ
プレート線路(2a)の特性インピーダンスzOILお
よび出力電力比にょシ決まり1例えば、出力端子P2.
P5への出力電力が一31Bでzoaが50Ωのときt
 zOb −zoo −ro、roとなる。さらに、こ
のときのトリプレート線路(2b)と(2c)の軸長け
2例えば、λg/4となる。
In the figure, (2a) is the input/output terminal P1 of the T branch. P2. P
3 triplate line, (2b) and (2c) are T
This is a triplate line with different characteristic impedance that makes up the branch. Tri-plate line (21))? (2
6) The characteristic impedance Zob t ”00 is determined by the characteristic impedance zOIL of the triplate line (2a) and the output power ratio 1, for example, the output terminal P2.
When the output power to P5 is 131B and zoa is 50Ω, t
zOb -zoo -ro, ro. Furthermore, the axial length 2 of the triplate lines (2b) and (2c) at this time is, for example, λg/4.

ここで、λ8は伝搬波長である。このとき、このT分岐
は2例えば第1図のPlから入力したマイクロ波電力は
9等分配されてP2とP3の出力電力となる。
Here, λ8 is the propagation wavelength. At this time, in this T branch, the microwave power inputted from two, for example, Pl in FIG. 1, is divided into nine equal parts and becomes output power from P2 and P3.

:        〔発明が解決し1うとす4問題点〕
このように構成された従来のT分岐を用いた誘電体基板
は、下記のような問題があった。
: [4 problems that the invention is trying to solve]
The conventional dielectric substrate using T-branches configured in this manner has the following problems.

(1)1つの誘電体基板に、1辺がλg/4の長さのト
リプレート線路を2本接続した形状となるために、1つ
の平面における専有面積が多く、マイクロ波部品の実装
密度が低くなる。
(1) Since it has a shape in which two triplate lines each having a length of λg/4 on one side are connected to one dielectric substrate, the occupied area on one plane is large, and the packaging density of microwave components is high. It gets lower.

(2)  このT分岐を、多数用いる多分配回路や大量
のマイクロ波部品が必要の場合、T分岐の配置に制限を
受けたシ、同一平面内に構成できなくなり、誘電体基板
を大きくするか、又は、誘電体基板の枚数を増加させな
ければならない。
(2) If this T-branch requires a large number of multi-distribution circuits or a large number of microwave components, the placement of the T-branch is restricted and cannot be configured on the same plane, making it necessary to use a larger dielectric substrate. Or, the number of dielectric substrates must be increased.

この発明は、これらの問題を改善する目的でなされたも
ので、誘電体基板内におけるT分岐の実装密度の増加お
よび配置の制限をなくすことを目的とするもので6る。
The present invention was made to improve these problems, and aims to increase the mounting density of T-branches within a dielectric substrate and eliminate restrictions on arrangement.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

まず、この発明の説明に必要な範囲で1例えば。 First, an example will be given to the extent necessary for explaining the present invention.

特開昭56−154805号公報に示されたマイクロ波
で用いる誘電体基板を多層化した場合に1階層の異なる
トリプレート線路間を接続するトリプレート線路形基板
間接続素子(以下、基板間接続素子とする)について説
明する。
A triplate line type board-to-board connection element (hereinafter referred to as board-to-board connection) that connects different triplate lines in one layer when a dielectric board used in microwave is multilayered is disclosed in Japanese Patent Application Laid-open No. 56-154805. element) will be explained.

第8図は、この基板間接続素子の一部削除した斜視図で
ある。図中、(4)、 (5)、 (61,(7)は、
それぞれストリップパターンム、B、O,Dである。
FIG. 8 is a partially removed perspective view of this inter-board connecting element. In the figure, (4), (5), (61, (7)) are
The strip patterns are B, O, and D, respectively.

この基板間接続素子の誘電体基板A (1a)の一方の
面には、第2図(A)に拡大図を示すストリップパター
ンBt5)、ストリップパターンD(7)が設けられて
おり、ストリップパターンB(5)にトリプレート線路
A−(2a)が接続している。また、誘電体基板A(1
a)の他方の面(地板(3)側)には、第2図(B)に
拡大図を示すストリップパターンが設けられている。
On one side of the dielectric substrate A (1a) of this inter-board connection element, a strip pattern Bt5) and a strip pattern D (7), which are shown in an enlarged view in FIG. A triplate line A-(2a) is connected to B(5). In addition, dielectric substrate A (1
The other surface (base plate (3) side) of a) is provided with a strip pattern whose enlarged view is shown in FIG. 2(B).

同様に、′誘電体基板B (1b)には、第3図(A)
に拡大図を示すストリップパターンA+41. ストリ
ップパターンD(7)が、地板(3)側には第3図(B
)に拡大図を示すストリップパターンA(4)が設けら
れて(・る。
Similarly, 'dielectric substrate B (1b) has a
Strip pattern A+41. is shown in an enlarged view. Strip pattern D (7) is shown in Figure 3 (B) on the main plate (3) side.
) is provided with a strip pattern A(4) shown in an enlarged view.

そして誘電体基板0 (1a)には、第3図(A)に拡
大図を示すストリップパターンA(41,ストリップパ
ターンD(7)が設けられており、ストリップパターン
l       A (41にトリプレート線路A (
2a)が接続している。
The dielectric substrate 0 (1a) is provided with a strip pattern A (41) and a strip pattern D (7), which are shown in an enlarged view in FIG. A (
2a) is connected.

□ 1     また、地板(3)側には第3図(B)に拡
大図を示すスト1      リップパターンA(4)
が設けられている。誘電体基・1 1     板D (1(1)には、第9図(A)に拡
大図を示すストリップパターンD(7)が、地板(31
側には第9図(B)に拡大図を示すストリップパターン
がそれぞれ設けられている。
□ 1 Also, on the main plate (3) side, there is a strip pattern A (4) shown in an enlarged view in Figure 3 (B).
is provided. Dielectric substrate 1 1 Plate D (1 (1) has a strip pattern D (7) whose enlarged view is shown in FIG. 9 (A).
Each side is provided with a strip pattern, an enlarged view of which is shown in FIG. 9(B).

第2図の(A)と(B)に示すストリップパターンの形
成された商をそれぞれ誘電体基板A (1a)の表側お
よび裏側とし、同様に、第3図の(A)と(B)に示゛
すストリップパターンの形成された面をそれぞれ誘電体
−板B (1b)と0(1c)の表側および裏側、第9
図の(A)と(B)に示すストリップパターンの形成さ
れた面をそれぞれ誘電体基板D (14)の表側および
裏側とする。
The quotients of the formed strip patterns shown in FIG. 2 (A) and (B) are respectively defined as the front and back sides of the dielectric substrate A (1a), and similarly, the quotients of the strip patterns shown in FIG. 3 (A) and (B) are The surfaces on which the strip patterns shown are formed are the front and back sides of dielectric plates B (1b) and 0 (1c), respectively, and
The surfaces on which the strip patterns shown in (A) and (B) of the figure are formed are the front side and back side of the dielectric substrate D (14), respectively.

ストリップパターンA141.  Dlフ)に設けられ
たスルーホールは、。スルーホールメッキ1と呼ばれる
メッキ方法によシスルーホール部分にメッキがほどこさ
れる。
Strip pattern A141. The through hole provided in DlF) is. Plating is applied to the system through-hole portion by a plating method called through-hole plating 1.

第10図には、スルーホールメッキ後のスルーホール部
分の断面図を示す。これにより、誘電体基板’A (1
a)のトリプレート線路A (2a)はストリップパタ
ーンB(51,ストリップパターンA(4)を介して誘
電体基板0 (1c)のトリプレート線路A (2a)
と。
FIG. 10 shows a cross-sectional view of the through-hole portion after through-hole plating. As a result, the dielectric substrate 'A (1
Triplate line A (2a) of a) is connected to triplate line A (2a) of dielectric substrate 0 (1c) via strip pattern B (51, strip pattern A (4)).
and.

また、誘電体基板A (1a)のストリップパターンD
(7)は、各誘電体基板の地板(3)を介して誘電体基
板D (1a)のストリップパターンD(7)に電気的
に接続される。
In addition, strip pattern D of dielectric substrate A (1a)
(7) is electrically connected to the strip pattern D (7) of the dielectric substrate D (1a) via the ground plane (3) of each dielectric substrate.

つまり、スルーホールメッキは、誘電体基板の表裏のス
トリップパターンを電気的に接続する場合に用いる。
In other words, through-hole plating is used to electrically connect strip patterns on the front and back sides of a dielectric substrate.

このような誘電体基板を用いて構成した基板間接続素子
では、誘電体基板B (1b)、  O(1c)部の伝
搬モードを等測的に同軸モードとして考えることができ
る。つまり、ストリップパターンA(4)からストリッ
プパターンB (51f:接続するスA、  *−ルメ
ツキの外径が第11図に示す同軸線路の内導体外径、ス
トリップパターンD(7)にある複数個のスルーホール
メッキ外径によって形成された電気的等価短絡面が第1
1図に示す同軸線路の外導体内径となると考えられる。
In an inter-board connection element configured using such a dielectric substrate, the propagation mode of the dielectric substrate B (1b) and O (1c) portions can be equivalently considered as a coaxial mode. In other words, from strip pattern A (4) to strip pattern B (51f: connecting strip A, *-the outer diameter of the inner conductor of the coaxial line shown in FIG. The electrically equivalent short-circuit surface formed by the through-hole plating outer diameter is the first
This is considered to be the inner diameter of the outer conductor of the coaxial line shown in Figure 1.

’     CC’t’、 2’) IJッ7’ /<
 / −70(7,よあ、、。
'CC't', 2') IJ7'/<
/ -70 (7, yo...

のスルーホールメッキの隣接間距離は、波長に比較して
十分小さいものとする。従って、この同軸線路のもつ特
性インピーダンスは、ストリップパターンA(4)に設
けるスルーホールメッキの外径と上記電気的等価短絡面
の寸法を変化させることで簡単に調整できる。
The distance between adjacent through-hole platings shall be sufficiently small compared to the wavelength. Therefore, the characteristic impedance of this coaxial line can be easily adjusted by changing the outer diameter of the through-hole plating provided in the strip pattern A (4) and the dimensions of the electrically equivalent short-circuit surface.

この発明に係るT分岐は、1つの誘電体基板におけるマ
イクロ波部品の実装密度を増加するために、上記基板間
接続素子を用いることで、平面回路で構成されていたT
分岐を立体回路で構成したことである。
In order to increase the mounting density of microwave components on one dielectric substrate, the T-branch according to the present invention uses the above-mentioned inter-board connecting element to increase the mounting density of microwave components on one dielectric substrate.
The branch is constructed with a three-dimensional circuit.

〔作用〕[Effect]

この発明においては、基板間接続素子を用いて。 In this invention, an inter-board connection element is used.

階層の異なるトリプレート線路間でT分岐を設けること
によシ、誘電体基板内におけるT分岐の実装密度が増加
する。
By providing T-branches between triplate lines of different levels, the mounting density of T-branches within the dielectric substrate is increased.

また、誘電体基板内におけるT分岐の配置の制限をなく
す。
Furthermore, restrictions on the arrangement of T-branches within the dielectric substrate are eliminated.

〔実施例〕〔Example〕

第1図はこの発明の一実施例を示す立体回路のT分岐の
一部削除した斜視図である。
FIG. 1 is a partially removed perspective view of a T-branch of a three-dimensional circuit showing an embodiment of the present invention.

図中(1a)から(51,(7)仁上記従来のτ分岐お
よび基板間接続素子と全く同一のものである。(6)は
ストリップパターンCである。この発明によるT分岐は
、トリプレート線路A (2a)、  B (2b)、
  O(2c)と誘電体基板B (1b)、  O(1
c)内に形成される等制量軸線路とから構成される。
In the figure, (1a) to (51, (7)) are exactly the same as the conventional τ branch and board-to-board connection element described above. (6) is a strip pattern C. The T-branch according to the present invention Line A (2a), B (2b),
O(2c) and dielectric substrate B(1b), O(1
c) an equal amount axial line formed within.

この立体回路のT分岐の誘電体基板A (1a)には。The dielectric substrate A (1a) of the T branch of this three-dimensional circuit has the following.

第2図(A)に拡大図を示すストリップパターンB 1
5)とストリップパターンD(7)が設けられており、
誘電体基板A (1a)の地板(3)側には、第2図(
B)に拡大図を示すストリップパターンが設けられてい
る。
Strip pattern B 1 whose enlarged view is shown in FIG. 2 (A)
5) and a strip pattern D(7) are provided.
On the ground plate (3) side of the dielectric substrate A (1a), as shown in Fig. 2 (
A strip pattern is provided, an enlarged view of which is shown in B).

ここで、ストリップパターンB(5)には、トリプレー
ト線路a (2a)が接続している。同様に、誘電体基
板B (1b)には、第3図(A)に拡大図を示すスト
リップパターンA(4)とストリップパターンD(7)
が。
Here, a triplate line a (2a) is connected to the strip pattern B (5). Similarly, dielectric substrate B (1b) has strip pattern A (4) and strip pattern D (7) shown in an enlarged view in FIG. 3(A).
but.

地板(3)側には第3図(B)に拡大図を示すス) I
JツブパターンA(4)が設けられている。そして、誘
電体基板0 (1c)には、第4図(A)に拡大図を示
すストリップパターンA(4)とストリップパターンC
(6)カル地板(3)側には第4図(B)に示すス) 
IJツブパター7A(4)が設けられて(・る。ここで
、ストリップパターン(4)には、T分岐を構成するた
めのトリプレート線路B (2b)、  O(2c)と
トリプレート線路A (2a)がそれぞれ接続している
。誘電体基板D (1(1)には。
On the main plate (3) side, an enlarged view is shown in Figure 3 (B)) I
A J-shaped pattern A(4) is provided. The dielectric substrate 0 (1c) has a strip pattern A (4) and a strip pattern C shown in an enlarged view in FIG. 4(A).
(6) There is a space shown in Figure 4 (B) on the cal base plate (3) side.
An IJ knob putter 7A (4) is provided (・Here, the strip pattern (4) includes triplate lines B (2b), O (2c) and triplate line A (2b) and O (2c) for configuring a T branch. 2a) are connected to the dielectric substrate D (1(1)).

第5図(A)に拡大図を示すストリップパターンB(5
)とストリップパターンC(6)が、地板(3)側には
第5図(B)に示すストリップパターンが設けられてい
るOまた。ストリップパターンA(4)とストリップパ
ターンOte+ トストリップパターンD(7)のスル
ーホールは、第10図に示したようにスルーホール部分
にメッキがほどこされており、トリプレート線路A (
2a)、 B (2b)、  O(2c)は、各誘電体
基板を介して電気的に接続される。
Strip pattern B (5
) and strip pattern C (6), and the strip pattern shown in FIG. 5(B) is provided on the main plate (3) side. As shown in FIG. 10, the through-holes of strip pattern A (4) and strip pattern Ote+ and strip pattern D (7) are plated on the through-hole portions, and the tri-plate line A (
2a), B (2b), and O(2c) are electrically connected via each dielectric substrate.

上記のように構成されたT分岐においては、特性インピ
ーダンスの異なるトリプレート線路A (2a)とB 
(2b)とO(2c)から成り、従来と同様にそれぞれ
の特性インピーダンスは1例えば、50Ω、TO,7Ω
In the T branch configured as above, triplate lines A (2a) and B with different characteristic impedances are used.
(2b) and O(2c), and the characteristic impedance of each is 1, for example, 50Ω, TO, 7Ω, as before.
.

TO91Ωで形成し、トリプレート線路E (zb)と
C(2c)の電気長はλg/4で構成する。
The electrical length of the triplate lines E (zb) and C (2c) is λg/4.

従って、このT分岐で、  Plから入力したマイクロ
波電力は、トリプレート線路h (2a) 、基板間接
続素子、トリプレート線路B (2b)と0(20)、
  )リブレート線路A (2a)を通り1等分配され
てP2とP3に出力する。
Therefore, in this T branch, the microwave power input from Pl is transmitted through the triplate line h (2a), the inter-board connecting element, the triplate line B (2b) and 0 (20),
) It passes through ribbed line A (2a) and is equally distributed and output to P2 and P3.

これらから、この発明のT分岐は、第1図に示した従来
のT分岐と同様に、良好な特性を示すことがわかる。
From these, it can be seen that the T-branch of the present invention exhibits good characteristics similar to the conventional T-branch shown in FIG.

なお、上記実施例では、マイクロ波電力を等分配するT
分岐について説明したが、この発明はこれに限らず、不
等分配のT分岐に対しても適用できることは言うまでも
なく、また、ここでは誘電体基板を4枚で説明したが、
誘電体基板の枚数を4枚以上で構成する多層化した誘電
体基板にも適用できる。さらに、T分岐を構成するトリ
プレート線路の特性インピーダンス、軸長は、説明に用
いた数値に限るものではない。
In addition, in the above embodiment, T which equally distributes the microwave power
Although branching has been described, it goes without saying that the present invention is not limited to this and can also be applied to unequal distribution T-branches.Furthermore, although the present invention has been described using four dielectric substrates,
The present invention can also be applied to a multilayer dielectric substrate composed of four or more dielectric substrates. Furthermore, the characteristic impedance and axial length of the triplate line forming the T-branch are not limited to the values used in the explanation.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明は2以上説明したとおり、立体回路の′   
   T分岐を用いることにより、1つの誘電体基板に
おけるマイクロ波部品の実装密度を増加させるという効
果がある。″ また、平面回路のT分岐から立体回路のT分岐を用〜・
ることで、大量のマイクロ波部品が必要な場合において
も、誘電体基板の枚数の増加を防止できる効果がある。
As explained above, this invention
The use of T-branches has the effect of increasing the packaging density of microwave components on one dielectric substrate. '' Also, from the T-branch of the planar circuit to the T-branch of the three-dimensional circuit...
This has the effect of preventing an increase in the number of dielectric substrates even when a large number of microwave components are required.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施向を示す一部削除した斜視図
、第2図(A)、 (B)はストリップパターンB。 Dとトリプレート線路Aと基板の裏面に形成するス) 
IJツブパターンの拡大図、第3図(A)、 (B)は
ストリップパターンA、Dと基板の裏面に形成する自1 ス) IJツブパターンAの拡大図、第4図(A)、 
(B)はストリップパターンA、Oとトリプレート線路
A。 B、  Oと基板の裏面に形成するストリップパターン
Aの拡大図、第5図(A)、 (B)はストリップパタ
ーンB、Oと基板の裏面に形成するス) IJツブパタ
ーンの拡大図、第6図はトリプレート線路の一部削除し
た斜視図、第1図は従来のT分岐の平面図。 第8図は従来のマイクロ波で用(・る誘電体基板を多層
化した場合に階層の異なるトリプレート線路間を接続す
る基板間接続素子の一部削除した斜視図、第9図(A)
、 (B)はス) +7ツプパターンDと基板の裏面に
形成するストリップパターンの拡大図。 第10図はスルーホールメッキの説明図、第11図は同
軸線路の説明図である。 図中、  (1a)t(To)t(1c)?(11)は
誘電体基板A、’B。 0、  DI (2a)?(2b)?(20)はトリプ
レート線路A、B。 C2(3)は地板、(41はストリップパターンA、f
f1l庁ストリップパターンB、+6)はストリップパ
ターン0、+71はストリップパター’/D、(81は
同軸線路の内導体、(9)は同軸線路の外導体である。 なお2図中、同一符号は、同一または相当部分を示すも
のである。
FIG. 1 is a partially removed perspective view showing one embodiment of the present invention, and FIGS. 2(A) and 2(B) are strip pattern B. D, tri-plate line A and the strip formed on the back side of the board)
An enlarged view of the IJ knob pattern, Figures 3 (A) and (B) are strip patterns A and D, and the strip patterns formed on the back side of the substrate.) An enlarged view of the IJ knob pattern A, Figure 4 (A),
(B) shows strip patterns A and O and triplate line A. B, O is an enlarged view of the strip pattern A formed on the back side of the substrate, and FIG. Fig. 6 is a perspective view with a portion of the triplate line removed, and Fig. 1 is a plan view of a conventional T-branch. Figure 8 is a partially removed perspective view of an inter-board connection element that connects triplate lines in different layers when dielectric substrates used in conventional microwaves are multilayered; Figure 9 (A)
, (B) is an enlarged view of the +7 strip pattern D and the strip pattern formed on the back surface of the substrate. FIG. 10 is an explanatory diagram of through-hole plating, and FIG. 11 is an explanatory diagram of a coaxial line. In the figure, (1a)t(To)t(1c)? (11) are dielectric substrates A and 'B. 0, DI (2a)? (2b)? (20) are triplate lines A and B. C2 (3) is the main plate, (41 is the strip pattern A, f
f1l office strip pattern B, +6) is strip pattern 0, +71 is strip pattern '/D, (81 is the inner conductor of the coaxial line, (9) is the outer conductor of the coaxial line. Note that in the two figures, the same symbols are , indicating the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  片面にのみ導体を被着した誘電体基板、片面に導体を
また他方の面にはストリップ導体をそれぞれ被着した誘
電体基板、これら2枚の誘電体基板をそれぞれの導体が
外側になる様に重ね合せて構成したトリプレート形スト
リップ線路を用いたT分岐において、前記誘電体基板を
基板の厚み方向に多層化するとともに、階層の異なるト
リプレート形ストリップ線路間をトリプレート形ストリ
ップ線路から前記誘電体基板の厚み方向に垂直に複数の
スルーホールを設け、そのスルーホールの内壁にメッキ
層を設けることによつて階層の異なるトリプレート形ス
トリップ線路間を電気的に接続するトリプレート形基板
間接続素子を形成し、多層化した誘電体基板の厚み方向
に立体的に前記T分岐を構成したことを特徴とするトリ
プレート線路形T分岐。
A dielectric substrate with a conductor on one side only, a dielectric substrate with a conductor on one side and a strip conductor on the other, and two dielectric substrates with the conductor on the outside. In a T-branch using triplate strip lines configured by stacking one another, the dielectric substrate is multilayered in the thickness direction of the substrate, and the dielectric substrate is connected between the triplate strip lines of different layers from the triplate strip line. A tri-plate type board-to-board connection that electrically connects tri-plate strip lines on different levels by providing multiple through holes perpendicular to the thickness direction of the body board and providing a plating layer on the inner wall of the through holes. A triplate line type T-branch, characterized in that the T-branch is configured three-dimensionally in the thickness direction of a multilayered dielectric substrate on which elements are formed.
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