JPS6123848Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6123848Y2 JPS6123848Y2 JP11338079U JP11338079U JPS6123848Y2 JP S6123848 Y2 JPS6123848 Y2 JP S6123848Y2 JP 11338079 U JP11338079 U JP 11338079U JP 11338079 U JP11338079 U JP 11338079U JP S6123848 Y2 JPS6123848 Y2 JP S6123848Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pin diode
- conductor
- short
- circuited
- center
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 39
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Amplitude Modulation (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案はマイクロ波PIN変調器、特にPINダ
イオードを用いたマイクロ波帯の変調器に関する
ものである。
イオードを用いたマイクロ波帯の変調器に関する
ものである。
従来この種の変調器には同軸管形、導波管形の
ものがあるが、何れもセラミツク形の高価なPIN
ダイオードを用いているため極めて高価で一般民
生機器には適しないと云う欠点があつた。
ものがあるが、何れもセラミツク形の高価なPIN
ダイオードを用いているため極めて高価で一般民
生機器には適しないと云う欠点があつた。
この考案の目的は、このような欠点を取り除
き、経済性に富み、一般民生機器にも十分使用で
きるマイクロ波帯のPIN変調器を提供することに
ある。
き、経済性に富み、一般民生機器にも十分使用で
きるマイクロ波帯のPIN変調器を提供することに
ある。
この考案のマイクロ波PIN変調器は、方形導波
管の広い上下面に夫々孔をあけ、この孔に同軸管
を夫々連通して設け、前記同軸管の一方の外導体
と中心導体を可動短絡板により短絡し、他方の外
導体と中心導体を可動高周波チヨークにより短絡
し、前記両同軸管の中心導体間のマイクロ波帯の
電界最小位置に両端に電極を設けたガラスケース
リード線形のPINダイオードを着脱自在に設けた
ことを特徴とする。
管の広い上下面に夫々孔をあけ、この孔に同軸管
を夫々連通して設け、前記同軸管の一方の外導体
と中心導体を可動短絡板により短絡し、他方の外
導体と中心導体を可動高周波チヨークにより短絡
し、前記両同軸管の中心導体間のマイクロ波帯の
電界最小位置に両端に電極を設けたガラスケース
リード線形のPINダイオードを着脱自在に設けた
ことを特徴とする。
以下図面によつてこの考案の実施例を説明す
る。
る。
この考案においては第１図に示す様に、方形導
波管１の広い上下面に夫々円筒状の孔をあけ、こ
の孔に同軸管外導体２，２′を垂直に連通して設
け、この外導体２，２′の中心に中心導体３を挿
通し、前記外導体２′と中心導体３間に短絡板４
を嵌挿し、前記外導体２′と中心導体３より成る
同軸管５の線路長L1を変え得るようにする。
波管１の広い上下面に夫々円筒状の孔をあけ、こ
の孔に同軸管外導体２，２′を垂直に連通して設
け、この外導体２，２′の中心に中心導体３を挿
通し、前記外導体２′と中心導体３間に短絡板４
を嵌挿し、前記外導体２′と中心導体３より成る
同軸管５の線路長L1を変え得るようにする。
一方前記外導体２には同軸管６を挿入し、前記
外導体２、前記中心導体３、PINダイオード７か
ら成る同軸管８の線路長L2を変え得るようにす
る。
外導体２、前記中心導体３、PINダイオード７か
ら成る同軸管８の線路長L2を変え得るようにす
る。
前記同軸管６は、外導体９、高周波チヨークを
形成するための円筒１０を端部に有する中心導体
１１、この中心導体１１を支持するための絶縁子
１２、この絶縁子１２を押えるための円筒１３お
よびこの円筒１３の固定用の絶縁ナツト１４から
構成する。
形成するための円筒１０を端部に有する中心導体
１１、この中心導体１１を支持するための絶縁子
１２、この絶縁子１２を押えるための円筒１３お
よびこの円筒１３の固定用の絶縁ナツト１４から
構成する。
尚、前記中心導体１１にはPINダイオード７の
一端をハンダー付けし、PINダイオード７の他端
には電極１５をハンダ付けし、前記電極１５は前
記中心導体３の上端のスリ割穴部に嵌合せしめ
る。
一端をハンダー付けし、PINダイオード７の他端
には電極１５をハンダ付けし、前記電極１５は前
記中心導体３の上端のスリ割穴部に嵌合せしめ
る。
前記中心導体１１、PINダイオード７および電
極１５の部分を取り出し拡大すると第２図のよう
になる。このPINダイオード７は、極めて価格の
安いガラスケースによるリード線形のもので、従
来せいぜいUHF帯迄しか使用できないとされて
いたもので良い。即ち、このようなものはケース
がガラスのためマイクロ波帯では誘電体損失が大
きく、またリード線形のため、そのインダクタン
スが大きくなつて効率が悪く、マイクロ波帯では
使用不可能とされていたが、この誘電体損失を避
けるため、またPINダイオードの抵抗変化比（通
電電流による抵抗の変化）を効果的にするためこ
の考案ではPINダイオードを導波管よりも特性イ
ンピーダンスのかなり低い同軸線路の短絡位置に
設け、かつリード線部には電極を設けてそのイン
ダクタンスを減少せしめることによつて、マイク
ロ波帯での使用を可能にしたものである。
極１５の部分を取り出し拡大すると第２図のよう
になる。このPINダイオード７は、極めて価格の
安いガラスケースによるリード線形のもので、従
来せいぜいUHF帯迄しか使用できないとされて
いたもので良い。即ち、このようなものはケース
がガラスのためマイクロ波帯では誘電体損失が大
きく、またリード線形のため、そのインダクタン
スが大きくなつて効率が悪く、マイクロ波帯では
使用不可能とされていたが、この誘電体損失を避
けるため、またPINダイオードの抵抗変化比（通
電電流による抵抗の変化）を効果的にするためこ
の考案ではPINダイオードを導波管よりも特性イ
ンピーダンスのかなり低い同軸線路の短絡位置に
設け、かつリード線部には電極を設けてそのイン
ダクタンスを減少せしめることによつて、マイク
ロ波帯での使用を可能にしたものである。
即ち、一般にPINダイオードを方形導波管内に
直接設ける場合は、例えば導波管内中央の電界最
大位置に設け、その位置での短絡、開放を利用す
ることになる。即ち前記位置での短絡、開放効果
を分岐導波管等により導波管線路に結合し、前記
線路をON−OFFするものである。例えばＴ分岐
結合とし、PINダイオードが短絡の場合導波管線
路が短絡し全反射するようにし、PINダイオード
が開放の場合は全通過となるようにする。
直接設ける場合は、例えば導波管内中央の電界最
大位置に設け、その位置での短絡、開放を利用す
ることになる。即ち前記位置での短絡、開放効果
を分岐導波管等により導波管線路に結合し、前記
線路をON−OFFするものである。例えばＴ分岐
結合とし、PINダイオードが短絡の場合導波管線
路が短絡し全反射するようにし、PINダイオード
が開放の場合は全通過となるようにする。
しかしこの方法では、ガラスケースリード線形
のPINダイオードの場合、ガラスケースの誘電体
損失が残つてその位置での導波管を開放状態には
なし得ない。
のPINダイオードの場合、ガラスケースの誘電体
損失が残つてその位置での導波管を開放状態には
なし得ない。
従つて前記PINダイオードの抵抗変化分を有効
に活用するためには前記PINダイオードを電界最
小位置に設ける必要がある。そのためには導波管
線路よりも同軸線路の方が中心導体があり都合が
良い。即ち同軸線路の短絡部分または、短絡部分
から半波長離れた所は電界が最小であり、電流が
最大であるから、このような部分の中心導体に
PINダイオードを設けると、ガラスケースの誘電
体損失の影響も少なく、また第２図に示すように
同軸線路の中心導体をPINダイオードのガラスケ
ースに接するように、PINダイオードを接続する
ことによりPINダイオードのリード線のインダク
タンスは殆んど影響なくなる。
に活用するためには前記PINダイオードを電界最
小位置に設ける必要がある。そのためには導波管
線路よりも同軸線路の方が中心導体があり都合が
良い。即ち同軸線路の短絡部分または、短絡部分
から半波長離れた所は電界が最小であり、電流が
最大であるから、このような部分の中心導体に
PINダイオードを設けると、ガラスケースの誘電
体損失の影響も少なく、また第２図に示すように
同軸線路の中心導体をPINダイオードのガラスケ
ースに接するように、PINダイオードを接続する
ことによりPINダイオードのリード線のインダク
タンスは殆んど影響なくなる。
この考案ではさらに前記構成により前記L1，
L2を変えることによりインピーダンスの整合を
容易にしたものである。また、前記円筒１０の長
さを１／４波長とし、前記外導体９とのギヤツプを狭 くすればマイクロ波帯での高周波チヨークを形成
し、その端面では短絡となるが、VHF程度の周
波数帯迄は通過となる。従つてPINダイオード７
の位置では、マイクロ波の電界は最少となり、
PINダイオードの抵抗変化を効果的になし得る。
L2を変えることによりインピーダンスの整合を
容易にしたものである。また、前記円筒１０の長
さを１／４波長とし、前記外導体９とのギヤツプを狭 くすればマイクロ波帯での高周波チヨークを形成
し、その端面では短絡となるが、VHF程度の周
波数帯迄は通過となる。従つてPINダイオード７
の位置では、マイクロ波の電界は最少となり、
PINダイオードの抵抗変化を効果的になし得る。
なお変調用電源は前記中心導体１１と外導体９
にビス１６で取り付けたアース端子１７間に接続
し、他の導波管回路への接続は導波管１に設けた
フランジ１８，１８′により行なう。そして調整
後は外導体２と９、外導体２′と短絡板４、短絡
板４と中心導体３間を固定用ビス１９，２０，２
１で夫々固定する。第１図に示す実施例では
L1，L2は約−波長程度と調整幅を大きくとる
が、使用PINダイオードが定まればこのL1，L2は
略決まるので、両同軸管部を固定形とし、構造を
極めて単純にすることもできる。
にビス１６で取り付けたアース端子１７間に接続
し、他の導波管回路への接続は導波管１に設けた
フランジ１８，１８′により行なう。そして調整
後は外導体２と９、外導体２′と短絡板４、短絡
板４と中心導体３間を固定用ビス１９，２０，２
１で夫々固定する。第１図に示す実施例では
L1，L2は約−波長程度と調整幅を大きくとる
が、使用PINダイオードが定まればこのL1，L2は
略決まるので、両同軸管部を固定形とし、構造を
極めて単純にすることもできる。
この一例ではPINダイオードにヒユーレツトパ
ツカード社のVHF帯用PINダイオード5082−3080
を用いた12GHz帯の場合、中心周波数12.0GHz、
帯域幅500MHzで、減衰量25dB以上、挿入損失
1dB以下が得られた。
ツカード社のVHF帯用PINダイオード5082−3080
を用いた12GHz帯の場合、中心周波数12.0GHz、
帯域幅500MHzで、減衰量25dB以上、挿入損失
1dB以下が得られた。
以上のように、この考案によれば、調整容易で
かつ極めて安価（約１／３０）なPINダイオードを用い ることができ原価的に安く性能的にも十分実用的
なマイクロ波帯のPIN変調器を実現できる極めて
大きな利益がある。
かつ極めて安価（約１／３０）なPINダイオードを用い ることができ原価的に安く性能的にも十分実用的
なマイクロ波帯のPIN変調器を実現できる極めて
大きな利益がある。
第１図はこの考案の実施例を示す断面図、第２
図はPINダイオードの取り付けの様子を示す拡大
図である。 １……方形導波管、２，２′……同軸管外導
体、３……中心導体、４……短絡板、５，６，８
……同軸管、７……PINダイオード、９……外導
体、１０……円筒、１１……中心導体、１２……
絶縁子、１３……円筒、１４……絶縁ナツト、１
５……電極、１６……ビス、１７……アース端
子、１８，１８′……フランジ、１９，２０，２
１……固定用ビス。
図はPINダイオードの取り付けの様子を示す拡大
図である。 １……方形導波管、２，２′……同軸管外導
体、３……中心導体、４……短絡板、５，６，８
……同軸管、７……PINダイオード、９……外導
体、１０……円筒、１１……中心導体、１２……
絶縁子、１３……円筒、１４……絶縁ナツト、１
５……電極、１６……ビス、１７……アース端
子、１８，１８′……フランジ、１９，２０，２
１……固定用ビス。
Claims (1)
- 方形導波管の広い上下面に夫々孔をあけ、この
孔に同軸管を夫々連通して設け、前記同軸管の一
方の外導体と中心導体を可動短絡板により短絡
し、他方の外導体と中心導体を可動高周波チヨー
クにより短絡し、前記両同軸管の中心導体間のマ
イクロ波帯の電界最小位置に両端に電極を設けた
ガラスケースリード線形のPINダイオードを着脱
自在に設けたことを特徴とするマイクロ波PIN変
調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11338079U JPS6123848Y2 (ja) | 1979-08-20 | 1979-08-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11338079U JPS6123848Y2 (ja) | 1979-08-20 | 1979-08-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5631709U JPS5631709U (ja) | 1981-03-27 |
| JPS6123848Y2 true JPS6123848Y2 (ja) | 1986-07-17 |
Family
ID=29345671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11338079U Expired JPS6123848Y2 (ja) | 1979-08-20 | 1979-08-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6123848Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-08-20 JP JP11338079U patent/JPS6123848Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5631709U (ja) | 1981-03-27 |
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